阅读说明：本技术 成膜装置以及电子器件的制造方法 (Film forming apparatus and method for manufacturing electronic device ) 是由 菅原洋纪 内田敏治 于 2019-07-02 设计创作，主要内容包括：本发明提供能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。成膜装置(1)具备：将成膜对象物(6)及圆筒形的靶(2)配置于内部的腔室(10)；设置于靶(2)的内部,生成从靶(2)的外周面泄漏的磁场的磁场产生部件(3)；以及驱动靶(2)旋转的靶驱动部件(11)。成膜装置(1)具有能够移动地设置在磁场产生部件(3)与靶(2)的内周面之间的磁屏蔽构件(5)和驱动磁屏蔽构件(5)的屏蔽构件驱动部件(12)。(The invention provides a film forming apparatus and a method for manufacturing an electronic device, which can perform pre-sputtering with good productivity and convenience. A film forming apparatus (1) is provided with: a chamber (10) in which an object (6) to be film-formed and a cylindrical target (2) are disposed; a magnetic field generating member (3) which is provided inside the target (2) and generates a magnetic field leaking from the outer peripheral surface of the target (2); and a target driving member (11) for driving the target (2) to rotate. The film forming apparatus (1) has a magnetic shield member (5) movably provided between a magnetic field generating member (3) and an inner peripheral surface of a target (2), and a shield member driving member (12) for driving the magnetic shield member (5).)

成膜装置以及电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及成膜装置以及电子器件的制造方法。

背景技术

作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，广泛已知有溅射法。通过溅射法进行成膜的溅射装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向地配置的结构。若对靶施加负的电压，则在靶的附近产生等离子体，利用电离的非活性气体元素对靶表面进行溅射，所放出的溅射粒子堆积在成膜对象物上而成膜。另外，还已知有在靶的背面(在圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，利用产生的磁场提高阴极附近的电子密度地进行溅射的磁控溅射法。

在以往的这种成膜装置中，例如在更换靶之后或将腔室内形成为大气开放之后，或者在不连续进行成膜处理而靶不暴露于等离子体的期间长的情况下等，存在靶的表面氧化或变质的情况。这样，在靶的表面氧化或变质的情况下，或在靶表面附着有异物的情况下等，在对成膜对象物进行溅射之前，对成膜对象物以外进行溅射，并进行使靶的表面清洁的预溅射(专利文献1)。

作为一边使靶旋转一边进行溅射的回转阴极(RC；也称为旋转阴极、转动体阴极)中的预溅射，例如有专利文献2所记载的方法。

在专利文献2所记载的溅射装置中，通过使设置于RC的内部的磁铁(磁铁组件)旋转，能够取得如下的三个状态。

(1)等离子体朝向基板(成膜对象物)的相反侧的状态。

(2)等离子体朝向横向(与基板的成膜面水平的方向)的状态。

(3)等离子体朝向基板的状态。

即，通过在(1)的状态下产生等离子体而维持(1)或(2)的状态，能够不对基板进行溅射而进行预溅射。在预溅射完成后，只要使磁铁旋转而成为(3)的状态，则也能够不使基板、RC移动地从预溅射转移到主溅射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-204705号公报

专利文献2：日本特表2015-519477号公报

可是，在如专利文献2所记载的那样使磁铁旋转的方法中，在成膜对象物大型化而RC成为长尺寸的情况下，磁铁变重，难以使其旋转。

作为其它的方法，也考虑使RC整体移动至用于预溅射的位置而进行预溅射的方法，但移动距离变长，生产率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。

用于解决课题的技术方案

作为本发明的一个技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，其特征在于，该成膜装置具备：磁屏蔽构件，能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件。

另外，作为本发明的另一技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，其特征在于，该成膜装置具备：磁屏蔽构件，能够与上述靶同轴旋转地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件旋转。

另外，作为本发明的又一技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，该成膜装置在被配置于上述腔室内的成膜区域的上述成膜对象物上成膜，其特征在于，该成膜装置具有能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间的磁屏蔽构件，并且，该成膜装置具有能够切换的第一动作模式和第二动作模式，在该第一动作模式下，在上述磁场产生部件被配置于上述磁屏蔽构件与上述成膜区域之间的状态下进行放电，在该第二动作模式下，在上述磁屏蔽构件被配置在上述磁场产生部件与上述成膜区域之间的状态下进行放电。

另外，作为本发明的另一技术方案的电子器件的制造方法，包括溅射成膜工序，该溅射成膜工序是将成膜对象物配置在腔室内，使从与上述成膜对象物相向地配置的圆筒形的靶飞出的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，其特征在于，利用被配置在上述靶的内部的磁场产生部件，在从上述磁场产生部件朝向上述成膜对象物的第一方向和远离上述成膜对象物的第二方向这两个方向上产生磁场，该电子器件的制造方法具有：预溅射工序，在屏蔽了在上述第一方向上产生的磁场的状态下，使上述靶一边旋转一边放电；以及主溅射工序，在屏蔽了在上述第二方向上产生的磁场的状态下，使上述靶一边旋转一边放电。

发明效果

根据本发明，能够生产率良好且简便地进行预溅射。

附图说明

图1(A)是表示实施方式1的成膜装置的结构的示意图，(B)是实施方式1的磁屏蔽板的立体图。

图2(A)是表示主溅射模式的状态的实施方式1的成膜装置的结构的示意图，(B)是实施方式的成膜装置的侧视图。

图3是实施方式1的第一磁铁单元的立体图。

图4(A)是表示驱动机构的一例的立体图，(B)是表示驱动机构的一例的剖视图。

图5(A)是表示驱动机构的其它的例子的立体图，(B)是表示驱动机构的其它的例子的剖视图。

图6是表示实施方式2的成膜装置的结构的示意图。

图7(A)是表示实施方式3的成膜装置的结构的示意图，(B)是实施方式3的分隔板的立体图。

图8是表示有机EL元件的一般的层结构的图。

附图标记说明

1、成膜装置；2、靶；3、磁铁单元(磁场产生部件)；5、磁屏蔽板；6、成膜对象物；10、腔室；11、靶驱动装置(靶驱动部件)；12、屏蔽板驱动装置(屏蔽板驱动部件)。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。可是，以下的实施方式只不过是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别特定的记载，就不意味着将本发明的范围限定于这些。

[实施方式1]

首先，参照图1(A)及图2(A)，对实施方式1的成膜装置1的基本的结构进行说明。图1(A)表示预溅射模式的状态的成膜装置1的结构，图2(A)表示主溅射模式的状态的成膜装置1的结构。

本实施方式的成膜装置1用于在半导体器件、磁器件、电子零件等各种电子器件、光学零件等的制造中用于在基板(也包括在基板上形成有层叠体的结构)上堆积形成薄膜。更具体而言，成膜装置1在发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中优选使用。其中，本实施方式的成膜装置1在有机EL(Erectro Luminescence)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中特别优选使用。另外，本发明中的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。

图8示意性地示出了有机EL元件的一般的层结构。如图8所示，有机EL元件一般是在基板上依次形成阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的结构。本实施方式的成膜装置1适合用于通过溅射在有机膜上形成用于电子注入层、电极(阴极)的金属、金属氧化物等的层叠被膜时。另外，并不限定于在有机膜上成膜，只要是金属材料、氧化物材料等能够通过溅射成膜的材料的组合，就能够在多种面上进行层叠成膜。

成膜装置1具有能够将内部维持为真空的腔室10，该腔室10具备气体导入口7和未图示的排气口。利用未图示的气体导入部件经由气体导入口7向腔室10的内部供给氩等非活性气体或反应性气体，并利用未图示的排气部件从腔室10的内部经由未图示的排气口进行真空排气。

在腔室10内配置有作为通过成膜装置1进行成膜处理的对象的成膜对象物6、和与成膜对象物6相向配置的圆筒形的靶2。也可以在腔室10内配置有靶2的状态下，成膜对象物6通过未图示的输送部件被输送到与靶2相向的腔室10内的区域即成膜区域A0，进行成膜处理。成膜对象物6也可以在成膜区域A0内通过未图示的成膜对象物驱动部件在与成膜对象物6的成膜面平行的方向上移动的同时进行成膜处理。在靶2的内部设置有作为磁场产生部件的磁铁单元3。靶2通过作为驱动部件的靶驱动装置11，以靶2的圆筒中心轴为旋转的轴被旋转驱动。磁铁单元3被安装在密闭的壳体4内，与靶2一起构成回转阴极8。

靶2作为要在成膜对象物6上进行成膜的成膜材料的供给源发挥功能。靶2的材质没有特别限定，例如可列举Cu、Al、Ti、Mo、Cr、Ag、Au、Ni等金属靶及其合金材料。靶2也可以在形成有这些成膜材料的层的内侧形成如衬管那样的由其它的材料构成的层。另外，靶2是圆筒形的靶，但在此所说的“圆筒形”并不只意味着数学上严格的圆筒形，也包括母线不是直线而是曲线的形状、与中心轴垂直的截面不是数学上严格的“圆”的形状。即，本发明中的靶2只要是能够以中心轴为轴旋转的圆筒状的靶即可。

磁铁单元3构成为，在作为靶2与配置于成膜区域A0的成膜对象物6之间的区域的第一区域A1、和远离成膜对象物的方向的第二区域A2中，产生使等离子体P集中于靶2的外周附近的磁场。进而，在靶2的内部，在靶2的内周与磁铁单元3之间能够移动地配置有屏蔽磁场的磁屏蔽板5。另外，在此所说的“屏蔽”，不仅意味着将通过磁屏蔽板5的磁场100％遮断，还包括使通过磁屏蔽板5的磁场降低。

磁屏蔽板5能够在第一屏蔽位置(I)(参照图1(A))与第二屏蔽位置(II)(参照图2(A))之间移动，由屏蔽板驱动装置12驱动，该第一屏蔽位置(I)屏蔽第一区域A1中的磁场的生成，容许第二区域A2中的磁场的生成，该第二屏蔽位置(II)屏蔽第二区域A2中的磁场的生成，容许第一区域A1中的磁场的生成。

在靶2上连接有施加偏置电压的电源13。另外，腔室10接地。成膜装置1通过控制装置14控制屏蔽板驱动装置12、靶驱动装置11以及电源13，由此在成膜于成膜对象物6的主溅射之前，进行对靶2的表面进行清洁的预溅射。预溅射是使磁屏蔽板5移动到第一屏蔽位置(I)(参照图1(A))，在第二区域A2进行靶2的溅射，去除靶2表面的氧化物、变质的部分、附着的异物等的模式。然后，进行控制，以使磁屏蔽板5移动到第二屏蔽位置(II)，并进行对在预溅射模式下清洁了的靶2进行溅射的主溅射。

在图示例中，成膜对象物6与回转阴极8的旋转轴平行、即水平地被配置在腔室10的顶部侧，两侧缘由未图示的基板保持架保持。成膜对象物6例如从设置于腔室10的侧壁的未图示的入口门搬入，移动至成膜区域A0内的成膜位置而被成膜，成膜后，从未图示的出口门被排出。如上所述，成膜装置1也可以是在成膜对象物6的成膜面朝向重力方向下方的状态下进行成膜的、所谓的向上淀积的结构。可是，并不限定于此，也可以是在成膜对象物6被配置于腔室10的底面侧而在其上方配置回转阴极8，成膜对象物6的成膜面朝向重力方向上方的状态下进行成膜的、所谓的向下淀积的结构。或者也可以是在成膜对象物6竖直立起的状态、即成膜对象物6的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的结构。

如图2(B)所示，回转阴极8被配置于腔室10的上下方向大致中央，两端借助支承块300和端块200旋转自如地被支承。

(磁铁单元30的配置结构)

磁铁单元30由在朝向成膜对象物6的方向(第一方向)上形成磁场的第一磁铁单元3A和在远离成膜对象物2的方向、即作为与第一方向相反的方向的第二方向上形成磁场的第二磁铁单元3B构成。第一磁铁单元3A和第二磁铁单元3B背面对合地重叠，磁力的强度被设定为相同。另外，也可以在第一磁铁单元3A与第二磁铁单元3B之间设置空间。第一磁铁单元3A和第二磁铁单元3B基本上是相同的结构，以第一磁铁单元3A为例对其结构进行说明。

如图3所示，第一磁铁单元3A具备在与回转阴极8的旋转轴平行的方向上延伸的中心磁铁31、包围中心磁铁31的与中心磁铁31不同极的周边磁铁32、和轭板33。周边磁铁32由与中心磁铁31平行地延伸的一对直线部32a、32b和连结直线部32a、32b的两端的回转部32c、32c构成。第二磁铁单元3B也是相同的结构。

由磁铁单元30形成的磁场具有从中心磁铁31的磁极朝向周边磁铁32的直线部32a、32a呈环状返回的磁力线。由此，在靶2的表面附近形成沿靶2的长度方向延伸的圆环型的磁场的通道。利用该磁场，电子被捕捉，使等离子体集中在靶2的表面附近，提高溅射的效率。

(壳体的结构)

壳体4是圆筒形状的密闭的箱体，磁铁单元30被配置在壳体4内。壳体4的中心轴线和靶的中心轴与回转阴极8的中心轴线N同轴地组装。另外，磁铁单元3的轭板33位于通过中心轴线N的水平面上，以通过第一磁铁单元3A和第二磁铁单元3B的中心磁铁31、31的中心的垂直面通过中心轴线的方式被配置。

另一方面，如图1(A)、(B)所示，磁屏蔽板5是沿着圆筒状的壳体4的内周的拱状的板状构件，被固定于壳体4的内周。在图示例中，磁屏蔽板5成为覆盖壳体4的半周部分的结构，具有半圆筒形状。磁屏蔽板5的固定既可以粘贴在壳体4的内周，也可以通过螺钉等紧固构件固定，根据情况，对于壳体4自身的材质，也可以由磁性构件构成该部分。

磁屏蔽板5的材质只要是吸收磁通而容易集中于内部的材料、即具有高的相对磁导率的材料即可，没有特别限定。构成磁屏蔽板5的材料的相对磁导率优选为500以上，优选为1000以上，更优选为3000以上。另外，构成磁屏蔽板5的材料的相对磁导率的上限没有特别限定，例如可以为10000000以下，也可以为1000000以下。更具体而言，作为构成磁屏蔽板5的材料，优选为强磁性体，例如能够使用Fe、Co、Ni或其合金、坡莫合金或镍铁高导磁合金(日文：ミューメタル)等。

(靶的驱动机构和屏蔽板的驱动机构)

图4(A)是表示靶驱动机构11及屏蔽板驱动机构12的一例的概略立体图，图4(B)是沿着转子阴极8的旋转轴的剖视图。

如上所述，回转阴极8的长度方向两端部旋转自如地被支承在端块200和支承块300上。在该例子中，在圆筒状的壳体4的内周固定有磁屏蔽板5，通过壳体4的旋转而使中央的磁铁单元3的周围旋转移动。磁铁单元3通过固定轴35在旋转方向上被固定。

端块200被固定于腔室10的壁，具有与外部空间相通的中空的箱体形状。向靶2传递动力的动力传递轴21以及向壳体4传递动力的动力传递轴41向端块200的中空内部突出。并且，各个动力传递轴21、41分别经由作为驱动传递机构的带传递机构110、120与作为驱动源的马达130连接，传递旋转驱动力。在图示例中，带传递机构110、120使用带有齿的类型的带和带轮，但并不限定于此。

在该例中，靶驱动装置11和屏蔽板驱动装置12利用同一马达130。即，在与马达130直接连结的输出轴131的中途固定有带传递机构110的驱动侧带轮111，输出轴131的端部经由电磁离合器125与磁性板驱动装置12的驱动侧带轮121连接。另外，在磁性板驱动装置12的从动侧带轮122上设置有电磁制动器126，被保持在停止位置。

靶2的动力传递轴21为圆筒状的中空轴，壳体4的动力传递轴41通过中空孔从靶2的动力传递轴21突出。壳体4的动力传递轴41也是中空轴，固定磁铁单元3的固定轴35通过中空孔向端块200侧突出。靶2的动力传递轴21突出设置于固定在靶2的端部的端板22的中央，壳体4的动力传递轴41突出设置于壳体4的端板42的中央。

另一方面，支承块300被配置于腔室10内，设置于靶2以及壳体4的端部的从动侧旋转轴24、44旋转自如地被支承于支承块300。与端块侧不同，只要相互旋转自如地被支承即可，因此，壳体4的从动侧旋转轴44也可以不贯穿靶2的从动侧旋转轴24，另外，固定轴35不需要贯穿壳体4的从动侧旋转轴44。

另外，在此，支承块300被配置于腔室10的内部，端块200被配置于腔室10的外部，但并不限定于此，端块200也可以被配置于腔室10的内部。在该情况下，马达130等也可以被配置在端块200的内部。也可以构成为将端块200以及支承块300配置于腔室10的内部，能够与回转阴极8一起相对于成膜对象物6的成膜面平行地移动。根据该结构，能够一边使回转阴极8旋转驱动，一边使回转阴极8相对于成膜对象物6的成膜面平行地驱动。

图4(B)表示图4(A)的更具体的结构。

由于端块200在腔室10外，因此需要进行真空的腔室10内的气氛和外部气体的密封，以旋转部分的轴承和密封件为中心进行说明。

(端块侧的结构)

在固定轴35与壳体4的动力传递轴41之间设置有一对轴承B，壳体4的动力传递轴41相对于固定轴35旋转自如，在固定轴35与壳体4的动力传递轴41的环状间隙中安装有适于真空密封的密封装置270。该密封装置270具有能够实现固定轴35与壳体4的动力传递轴41的相对旋转并密封环状间隙的功能。磁铁单元3与固定轴35连结，即使壳体4旋转，磁铁单元3也不会旋转。

在壳体4的动力传递轴41与靶2的动力传递轴21之间也设置有一对轴承B，靶2的动力传递轴21相对于壳体4的动力传递轴41旋转自如，壳体4的动力传递轴41与靶2的动力传递轴21的环状间隙被密封装置270密封。

接着，在靶2的动力传递轴21与设置于端块200的圆形的开口部201之间也设置有轴承B，靶2的动力传递轴相对于端块200旋转自如，进而，靶2的动力传递轴21与开口部201的环状间隙被密封装置270密封。

另外，在图示例中，驱动力传递轴21被设置在堵塞靶2的开口端的端板22上，靶2的外周侧的端部由夹具等紧固构件290紧固，靶2的内周与端板22的嵌合部由垫片G密封。由此，将壳体4内维持为低压力状态。

(支承块300侧的结构)

靶2的从动侧旋转轴24不是中空的，而是与动力传递轴21同轴地设置，经由轴承B旋转自如地支承于设置于支承块300的轴孔301。在该轴承部不需要特别的密封装置。从动侧旋转轴24被设置于堵塞靶2的开口端的端板25，在端板25的内侧的端面设置有未贯穿的轴承孔26，壳体4的从动侧旋转轴44经由轴承B旋转自如地支承于该轴承孔26。而且，壳体4的从动侧旋转轴44也设有未贯穿的轴承孔46，固定轴36与驱动侧的固定轴35同轴地相对旋转自如地嵌合。

另外，靶2的支承块300侧的端部也被夹具等紧固构件290紧固外周侧的端部，靶2的内周与端板的嵌合部被垫片G密封，将靶2的内部空间维持为低压力状态。

根据如上构成的旋转阴极10，马达130的旋转驱动力经由带传递机构110、动力传递轴21传递至靶2，被旋转驱动。

另外，马达130的旋转驱动力经由电磁离合器125并经由壳体4侧的带传递机构110及动力传递轴41向壳体4传递，壳体4被驱动而旋转。即，在电磁离合器125为接通状态时，磁屏蔽板5与壳体4一起旋转，当成为断开时，壳体4停止。另外，在停止位置，通过电磁制动器126被保持在停止位置。由此，能够根据电磁离合器125的接通断开的时刻来切换主溅射工序和预溅射工序。

接着，对成膜装置1的作用进行说明。

成膜装置1能够通过控制部14控制驱动源的马达130、靶驱动机构11、屏蔽构件驱动机构12的电磁离合器125、电磁制动器126，使磁屏蔽板5旋转而改变磁屏蔽板5的位置。由此，成膜装置1对在成膜对象物6上成膜的主溅射模式和对靶2的表面进行清洁的预溅射模式进行切换控制。换言之，成膜装置1具有能够切换的相当于预溅射模式的第一动作模式和相当于主溅射模式的第二动作模式。在此，第一动作模式是在磁屏蔽板5配置于成膜区域A0的相反侧的状态、即磁铁单元3配置于磁屏蔽板5与成膜区域A0(或成膜对象物6)之间的状态下进行放电的动作模式。另外，第二动作模式是在磁屏蔽板5配置于成膜区域A0侧的状态、即磁屏蔽板5配置于磁铁单元3与成膜区域A0(或成膜对象物6)之间的状态下进行放电的动作模式。

预溅射模式是屏蔽第一区域A1的磁场的生成，且在第二区域A2生成磁场来清洁靶2的表面的工序。主溅射模式是屏蔽第二区域A2的磁场的生成，且在第一区域A1生成磁场，对靶2进行溅射而使靶粒子堆积于成膜对象物6的工序。

(预溅射工序)

在预溅射工序中，使马达130旋转，并且使电磁离合器125接通而驱动壳体驱动机构12的带传递机构120，使磁屏蔽板5与壳体4一起旋转，移动到覆盖主溅射用的第一磁铁单元3A的第一屏蔽位置(I)。在此期间，利用马达130还驱动靶驱动机构11的带传递机构110，靶持续旋转。若磁屏蔽板5到达第一屏蔽位置(I)，则电磁离合器125断开，同时电磁制动器126接通而保持停止位置，从电源施加偏置电压。若施加偏置电压，则由磁屏蔽板5屏蔽第一区域A1的磁场的生成，基于第二磁铁单元3B生成第二区域A2的磁场，因此，在该第二磁铁单元3B侧的靶表面附近集中生成等离子体P，等离子体状态的气体离子与靶2碰撞，靶表面的氧化物等飞散，靶2的表面被清洁。进行预溅射规定时间，在靶2的表面被清洁后，转移到主溅射。

(主溅射工序)

在主溅射工序中，使马达130旋转，并且释放电磁制动器125，使电磁离合器126接通，驱动壳体驱动机构12的带传递机构120，使磁屏蔽板5与壳体4一起旋转，移动到覆盖预溅射用的第二磁铁单元3B的第二屏蔽位置(II)。在此期间，利用马达130还驱动靶驱动机构11的带驱动机构110，靶2持续旋转。若磁屏蔽板5到达第二屏蔽位置(II)，则使电磁离合器125断开，同时利用电磁制动器126保持停止位置，从电源13施加偏置电压。

若施加偏置电位，则由磁屏蔽板5屏蔽第二区域A2的磁场的生成，基于第一磁铁单元3A生成第一区域A1的磁场，因此，在该第一磁铁单元侧的靶表面附近集中生成等离子体P，等离子体状态的气体离子对靶2进行溅射，飞散的溅射粒子堆积于成膜对象物6而成膜。

如以上说明的那样，根据本实施方式，即使不使磁铁单元3旋转或不使回转阴极8退避，也能够仅通过使比较轻量且驱动容易的磁屏蔽板5移动来进行预溅射，因此能够生产率良好且简便地进行预溅射。

(靶的驱动机构和屏蔽板的驱动机构的其它的结构例)

图5是表示靶驱动机构11及屏蔽板驱动机构12的其它的结构例的概略立体图。由于基本上与图4所示的结构相同，因此仅对主要不同点进行说明，对相同的结构部分标注相同的附图标记并省略说明。

在上述结构中，磁屏蔽板5被固定于壳体4，磁屏蔽板5与壳体4一起旋转，但在该例中，磁屏蔽板5被配置于壳体4内，使磁屏蔽板5独立于靶2、壳体4旋转。

即，靶2的动力传递轴21是圆筒状的中空轴，壳体4的固定轴401通过中空孔从靶2的动力传递轴21向端块200侧突出。壳体4的固定轴401也是中空轴，磁屏蔽板5的动力传递轴501通过中空孔向端块200侧突出。靶2的动力传递轴21突出设置于固定于靶2的端部的端板21的中央，壳体4的固定轴401突出设置于壳体4的端板42的中央。另外，磁屏蔽板5的动力传递轴501与磁屏蔽板5的圆形的端板502的中央连结。

另一方面，对于支承块300侧，与上述方式不同，设置于上述靶2以及磁屏蔽板5的端部的从动侧旋转轴24、504旋转自如地支承于支承块300。磁屏蔽板5的从动侧旋转轴504也可以不贯穿靶2的从动侧旋转轴24，另外，磁屏蔽板5的从动侧旋转轴504也可以不贯穿壳体4的固定轴401。

接着，对本发明的其它的实施方式进行说明。在以下的说明中，仅对与实施方式1主要不同点进行说明，对相同的结构部分标注相同的附图标记并省略说明。

[实施方式2]

图6表示本发明的实施方式2的成膜装置101。实施方式2的成膜装置101将回转阴极8内的磁铁单元3的磁力设定为，与成膜对象物6相向的表侧的第一磁铁单元3A的磁力比与成膜对象物6相反侧的第二磁铁单元3B的磁力强。

由此，能够使在预溅射模式下在靶2的表面附近形成的等离子体的密度比在主溅射模式下在靶2的表面附近形成的等离子体的密度小。因此，根据本实施方式，除了实施方式1的效果以外，还能够抑制预溅射时的过剩的材料消耗。

[实施方式3]

图7表示本发明的实施方式3的成膜装置102。在实施方式3的成膜装置102中，设置有分隔构件400，该分隔构件400用于将腔室10的内部分隔成用于在成膜对象物6成膜的第一区域A1、和与第一区域A1不同的第二区域A2。

第一区域A1是主溅射时生成等离子体的区域，第二区域A2是在预溅射时生成等离子体的区域。成膜装置102具有用于向第一区域A1导入气体的第一气体导入口71和用于向第二区域A2导入气体的第二气体导入口72，各个气体导入口71、72也可以与其它的气体供给源连接。也可以从各个气体导入口71、72供给不同种类的气体。

分隔构件由具备沿着通过旋转阴极的中心轴的水平面在旋转阴极的左右设置的一对水平板部401和支承水平板部401的沿垂直方向延伸的支承板部402的、弯曲成L字形状的板材构成。支承板部402被固定于腔室10的内壁面，水平板部401的回转阴极8侧的端部隔着微小的间隙与靶的侧面相向。另外，水平板部401也可以是直接被固定于腔室10的壁的结构。

通过这样分隔第一区域A1和第二区域A2，能够抑制预溅射时的氧化物等飞散粒子附着于成膜对象物侧等的影响。

[其它的实施方式]

另外，本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够采用各种结构。

例如，对将磁屏蔽板与磁铁单元一起配置在壳体内的情况进行了说明，但也可以构成为配置在壳体外周与靶内周之间的间隙中。

另外，作为磁屏蔽板的尺寸，在上述实施方式中成为大致截面半圆形状，成为覆盖圆筒状的靶的180°的范围的尺寸，但并不限定于180°。优选为覆盖圆筒状的靶的90°以上且270°以下的范围的尺寸，更优选为覆盖150°以上且210°以下的范围的尺寸。

另外，在上述实施方式中，磁屏蔽板由一张磁性板构成，但也可以是重叠2张的结构，不限于1张。

并且，磁铁单元3相对于与成膜对象物6相向的第一磁铁单元3A，在180°相反侧仅配置一个预溅射用的第二磁铁单元3B，但也可以设置多个预溅射用的第二磁铁单元3B。在该情况下，设置多个的第二磁铁单元3B也可以朝向不同的方向配置。

另外，在上述实施方式中，例示了回转阴极8为一个的情况，但也能够应用于在腔室10的内部配置有多个回转阴极8的成膜装置。