阅读说明：本技术 成膜装置及电子器件的制造方法 (Film forming apparatus and method for manufacturing electronic device ) 是由 菅原洋纪 内田敏治 于 2019-07-02 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种能够提高靶材料的利用率的技术。成膜装置(1)具备：配置有成膜对象物(10)及靶(30)的腔室(2)；及配置在腔室(2)内的隔着靶(3)而与成膜对象物(10)对置的位置的磁场产生机构(31),成膜装置(1)的特征在于,具有：沿着靶(30)的长度方向排列配置的多个导电构件(4A、4B)；及对多个导电构件(4A、4B)中的至少一个施加电位,以使多个导电构件(4A、4B)中的至少两个导电构件的电位不同的电位施加机构(26A、26B)。(The present invention provides a technique capable of improving the utilization rate of a target material. A film forming apparatus (1) is provided with: a chamber (2) in which an object (10) to be film-formed and a target (30) are disposed; and a magnetic field generation mechanism (31) disposed in the chamber (2) at a position facing the object (10) to be film-formed with the target (3) therebetween, the film-forming apparatus (1) being characterized by comprising: a plurality of conductive members (4A, 4B) arranged in a row along the longitudinal direction of the target (30); and a potential applying mechanism (26A, 26B) for applying a potential to at least one of the plurality of conductive members (4A, 4B) so that the potentials of at least two of the plurality of conductive members (4A, 4B) are different.)

成膜装置及电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及成膜装置及电子器件的制造方法。

背景技术

作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，周知有溅射法。利用溅射法进行成膜的溅射装置具有在真空腔内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物对置配置的结构。当向靶施加负电压时，利用在靶的附近产生等离子体而电离的非活性气体元素对靶表面进行溅射，放出的溅射粒子堆积于成膜对象物而成膜。而且，也周知有在靶的背面(在圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，利用产生的磁场来提高阴极附近的电子密度地进行溅射的磁控管溅射法。

在磁控管溅射法的成膜装置(也称为喷溅装置或溅射装置)中，已知有使成形为圆筒形状的靶(旋转阴极)旋转而进行成膜的装置结构(专利文献1)。在该结构中，相对于固定的磁铁单元，通过使包围其外周的圆筒形的靶旋转，能够一边改变靶表面中的曝露在利用由磁铁单元形成的磁场而形成为高密度的等离子体下的部位，一边进行溅射。由此，能够使靶的消耗在周向上实现均匀化，能够实现浪费少的靶材料的消耗。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2013-237913号公报

发明内容

【发明要解决的课题】

在磁控管溅射法中，利用磁铁单元形成从靶的背面(内表面)朝向前表面(外表面)漏泄的漏泄磁场，但是通常形成沿着靶的长度方向延伸的椭圆状的胶态型的磁场隧道。通过该磁场隧道来限制电子，受到限制的电子的轨道形成为沿着靶的长度方向延伸的椭圆状。此时，在椭圆的曲率大的部分、即靶的长度端部附近，与椭圆的曲率小的部分、即靶的长度中央部所对应的部分相比，靶更多地被溅射。因此，与靶的长度中央部相比，靶的长度端部附近的靶材料的消耗局部性地增大，存在靶材料的消耗分布沿着靶的长度方向变得不均匀的情况。由于靶的寿命以消耗大的部位为基准来决定，因此尽管在长度中央部还充分地残留有靶材料，但是不得不进行靶的更换，靶材料的有效使用有时变得困难。

本发明鉴于上述的课题而作出，其目的在于提供一种能够提高靶的利用率的技术。

【用于解决课题的方案】

作为本发明的一方面的成膜装置具备：腔室，所述腔室配置有成膜对象物及靶；及磁场产生机构，所述磁场产生机构配置在所述腔室内的隔着所述靶而与所述成膜对象物对置的位置，所述成膜装置的特征在于，具有：多个导电构件，所述多个导电构件沿着所述靶的长度方向排列配置；及电位施加机构，所述电位施加机构对所述多个导电构件中的至少一个施加电位，以使所述多个导电构件中的至少两个导电构件的电位不同。

另外，作为本发明的另一方面的成膜装置具备：腔室，所述腔室配置有成膜对象物及靶；及磁场产生机构，所述磁场产生机构配置在所述腔室内的隔着所述靶而与所述成膜对象物对置的位置，所述成膜装置的特征在于，具有：导电构件，所述导电构件在所述靶的表面的长度方向上的一部分的区域中与所述靶对置；及电位施加机构，所述电位施加机构对所述导电构件施加电位。

另外，作为本发明的另一方面的电子器件的制造方法包括将成膜对象物配置在腔室内，使从与所述成膜对象物对置配置的靶飞行的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，其特征在于，所述溅射成膜工序是在使所述靶的与长度方向垂直的截面中的所述靶的周围的空间电位分布在所述靶的中央部与端部不同的状态下进行成膜的工序。

【发明效果】

根据本发明，能够提高靶的利用率。

附图说明

图1是本发明的实施例1的成膜装置的示意性的剖视图。

图2是表示本发明的实施例1的靶驱动装置的结构的示意性的剖视图。

图3是表示本发明的实施例1的防附着构件的结构的示意图。

图4是表示关于施加电位的大小与成膜率比的关系的实验结果的图。

图5是表示靶的局部性消耗部的情况的示意性的剖视图。

图6是表示旋转阴极中的膜厚分布的经时变化的实验结果的图。

图7是表示本发明的实施例1的变形例的防附着构件的结构的示意图。

图8是本发明的实施例2的成膜装置的示意性的剖视图。

【附图标记说明】

1…成膜装置，10…基板，11…被成膜面，2…溅射室，3…阴极单元，30…靶，31…磁铁单元，32…壳体(阴极电极)，4A、4B…防附着板，26A、26B…电源，5…控制部

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的优选的实施方式及实施例。但是，以下的实施方式及实施例仅例示性地表示本发明的优选结构，本发明的范围没有限定为这些结构。而且，在以下的说明中，装置的硬件结构及软件结构、处理的流程、制造条件、大小、材质、形状等只要没有特别特定的记载，就不旨在将本发明的范围限定于此。

(实施例1)

<成膜装置>

参照图1～图6，说明本发明的实施例1的成膜装置。本实施例的成膜装置是在圆筒形状的靶内侧配置有磁铁单元的磁控管方式的喷溅装置。本实施例的成膜装置在半导体器件、磁性器件、电子部件等各种电子器件或光学部件等的制造中为了在基板(也包括基板上形成有层叠体的结构)上堆积形成薄膜而使用。更具体而言，本实施例的成膜装置在发光元件或光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中优选使用。其中，本实施例的成膜装置在有机EL(Erectro Luminescence，有机电致发光)元件等有机发光元件或有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中能够特别优选适用。需要说明的是，本发明的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)或照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS影像传感器)。本实施例的成膜装置可以作为包含蒸镀装置等的成膜系统的一部分使用。

本实施例的成膜装置例如使用于有机EL元件的制造。在有机EL元件的情况下，通常是在基板上按照阳极、空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的顺序成膜的结构。本实施例的成膜装置在通过喷溅在有机膜上成膜出电子注入层或用于电极(阴极)的金属或金属氧化物等的层叠覆膜时能优选使用。而且，没有限定为向有机膜上的成膜，只要是金属材料或氧化物材料等的通过溅射能够成膜的材料的组合即可，能够在各种各样的面上进行层叠成膜。

图1是表示本实施例的成膜装置的整体结构的示意性的侧剖视图。图2是表示本实施例的靶驱动装置的结构的示意性的剖视图。图3是表示本实施例的防附着构件的结构的示意图。图4是表示关于向防附着板施加的电位的大小与溅射膜的成膜率比(无防附着板)的关系的实验结果的图。图5是表示靶的局部性消耗的情况的示意性的剖视图。图6是表示旋转阴极中的膜厚分布的经时变化的实验结果的图。

如图1所示，本实施例的成膜装置(溅射装置)1具备作为腔室的溅射室(成膜室)2、配置在溅射室2内的阴极单元3及防附着板4、由CPU或存储器等构成的控制部5。防附着板4以夹着阴极单元3的方式对置配置。作为成膜处理对象物的基板10经由未图示的门阀向溅射室2送入/送出。在溅射室2分别连接有由低温泵或TMP(涡轮分子泵)等构成的排气装置23，能够调整室内的压力。溅射室2可以在由排气装置23排气至预先规定的压力的状态下，被送入基板10。

如图2所示，基板10在溅射室2内被载放(保持)于基板支架20，沿着相对于阴极单元3以规定的对置距离延伸的传送引导器22以恒定的速度被传送。在基板支架20设有使基板10的被成膜面(被处理面)11开放的开口部21，经由该开口部21，对被成膜面11实施成膜处理。

<喷溅腔室及阴极单元>

如图1、图2所示，溅射室2在上方设置有基板10的传送路径，在其下方配置有阴极单元3。溅射室2通过排气装置23，更具体而言通过与排气装置23连接的阀的开度，被调整成对喷溅工艺来说优选的压力(例如，2×10Pa～2×10^-5Pa)，并且从未图示的气体供给源经由气体导入配管24被流量控制地供给喷溅气体。由此，在溅射室2的内部形成喷溅气氛。作为喷溅气体，可使用例如Ar、Kr、Xe等稀有气体或成膜用的反应性气体。需要说明的是，气体导入配管24的配置为一例，没有限定于此。

阴极单元3具备靶30、磁铁单元31、对靶30进行支承的作为阴极电极的壳体32。靶30是成形为圆筒形状的成膜材料，在从基板10的传送路径空出了规定的距离的位置处，以与基板10的被成膜面11(传送方向)平行且中心轴线(或母线)成为与基板10的传送方向正交的方向的方式配置。靶30的内周面紧贴于作为阴极电极的壳体32的外表面。磁铁单元31配置在靶30(作为阴极电极的壳体32)的内侧的中空部。在壳体32连接有电源25，溅射室2被接地。在基于电源25的电压施加中，壳体32成为阴极(cathode)，溅射室2的壁部成为阳极(anode)。

作为靶30的材料，可列举例如Cu、Al、Ti、Mo、Cr、Ag、Au、Ni等的金属靶及其合金材料。此外，也可列举在Si、Ti、Cr、Al、Ta等的金属靶中添加了反应性气体(O₂、N₂、H₂O等)的材料、或者SiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃等绝缘材料。靶30可以在形成有这些成膜材料的层的内侧形成填料管那样的由另外的材料构成的层。而且，靶30是圆筒形的靶，但是在此所说的“圆筒形”不仅是指在数学上严密的圆筒形，而且也包括母线不是直线而是曲线的形状、或者与中心轴垂直的截面不是在数学上严密的“圆”的形状。即，本发明中的靶30只要是以中心轴为轴而能够旋转的圆筒状的形状即可。

磁铁单元31具备磁轭310、作为第一磁铁的中心磁铁311、作为第二磁铁的外周磁铁312。磁轭310是以与基板10的传送方向正交的方向为长度方向的纵长形状的磁性构件。在磁轭310上表面的中央部设有沿上述长度方向延伸的中心磁铁311。而且，在磁轭310上表面设有以包围中心磁铁311的外周的方式形成为环状的外周磁铁312。中心磁铁311和外周磁铁312在与靶30的内周面对置的端部具有相互成为反极性的极。在本实施例中，成为中心磁铁311具有作为第一极的S极，外周磁铁312具有作为第二极的N极的结构。磁铁单元31通过配置在靶30的内部而形成沿靶30的长度方向延伸的环形的漏泄磁场。

<喷溅>

通过上述的喷溅气氛的形成、从电源25向作为阴极电极的壳体32的电压施加及基于作为磁场产生机构的磁铁单元31的靶30表面上的规定的磁场形成，在靶30外周面附近生成等离子体区域P。由于通过等离子体区域P的生成而生成的喷溅气体离子与靶30的碰撞，从靶30的外周面放出靶粒子。从靶30放出的靶粒子朝向基板10飞行、堆积，由此在基板10的被成膜面11上成膜。

如图2的(a)所示，靶30及磁铁单元31由端块33和支撑块34支承圆筒靶30的中心轴线方向上的各自的两端部。磁铁单元31被固定支承于溅射室2，相对于此，靶30被支承为能够绕其中心轴线旋转。成膜装置1具备在使磁铁单元31保持为静止的状态下仅使靶30旋转的驱动机构。

图2的(b)是表示使靶30旋转的驱动机构的结构的示意性的剖视图。而且，在图2的(b)中，磁铁单元31的结构省略图示。如图2的(b)所示，成膜装置1具备电动机70作为用于得到使靶30旋转的驱动力的动力源。而且，作为阴极电极的壳体32在中心轴线方向的两端分别具备轴部321、322。一方的轴部321经由轴承72而旋转自如地支承于支撑块34的轴孔。另一方的轴部322经由轴承72而旋转自如地支承于端块33的轴孔，并经由带71而连结于电动机70。电动机70的旋转驱动力经由带71向另一方的轴部322传递，由此，作为阴极电极的壳体32相对于端块33和支撑块34旋转。由此，在壳体32的外周设置的圆筒靶30绕其中心轴线旋转。作为使靶30旋转的旋转机构的包含电动机70、带71在内的靶驱动装置7由控制部5控制。

另一方面，磁铁单元31在长度方向的两端部分别具备轴部131、132。一方的轴部131经由轴承72而旋转自如地支承于作为阴极电极的壳体32的一方的端部。另一方的轴部132经由轴承72而旋转自如地支承于作为阴极电极的壳体32的另一方的轴部322的轴孔内周面并固定于端块33。即，磁铁单元31通过另一方的轴部132被固定支承于端块33，从而经由轴承72相对于通过电动机70的驱动而旋转的壳体32进行相对旋转，相对于溅射室2维持静止状态。需要说明的是，在此所示的驱动机构是一例，可以采用以往周知的其他的驱动机构。

靶30相对于磁铁单元31进行相对旋转。由于在靶30表面通过喷溅而被挖掘的部位在周向上局部性地形成，因此使靶30旋转而实现靶表面的刮削在周向上的均匀化，能够实现浪费少的靶材料的消耗。在本实施例中，靶30被控制为以10～30rpm(rotation perminute)进行等速旋转。

<本实施例的特征>

如图1、图3所示，本实施例的成膜装置1具备沿靶30的长度方向被分割的防附着板4(4A、4B)作为本实施例的特征性的结构。如图1所示，将防附着板4A、4B以隔着靶30及在其上方产生的等离子体区域P的方式相互平行地对置配置。即，防附着板4A、4B在靶30外周面中成为与通过等离子体区域P的产生而形成的侵蚀区域对置的配置。防附着板4A、4B的延伸方向分别为与靶30的长度方向(母线方向)平行并与处于成膜处理位置的基板10正交的方向。

防附着板4A、4B是在结构上对靶粒子向基板10的飞行路径进行限制(划定飞行范围)从而控制靶粒子向基板10的入射角等的防附着构件，并且是通过后述的电位施加控制而沿长度方向形成电位差，并沿长度方向控制成膜率的导电构件。

防附着板4由具有导电性的构件(例如，SUS等金属板)构成，通过来自连接的电源26的电位施加而能够控制成规定的电位。通过上述结构，能够沿着与基板10的传送方向正交的方向(长度方向)调整、控制在基板10成膜的薄膜的成膜率，即，能够沿同方向调整、控制靶30的靶材料的消耗程度。

图4是将未设置防附着板4时的成膜率(在基板10成膜的薄膜的膜厚)设为1.0，使施加电位的大小变化而标绘了设置防附着板4且施加了规定的电位时的成膜率相对于该未设置防附着板4时的成膜率的比率的图。在向防附着板4施加约+100V的电位的情况下，与施加偏压为0V或施加了负偏压的情况相比，示出成膜率比上升为1.25倍，即，在基板10成膜的薄膜的膜厚成为1.25倍的情况。即，通过向防附着板4施加规定的大小的正偏压，在喷溅时从靶30的表面挖掘(消耗)更多的靶材料。

图5是对在背景技术一栏中说明的靶材料的消耗在靶长度端部局部性地增大的情况进行说明的示意性的剖视图。利用磁铁单元31的磁场和由于向阴极电极(壳体)32施加电位而在靶30表面生成的磁场，在靶30表面附近生成等离子体区域P。等离子体区域P形成为在靶30的长度方向上长的椭圆状。根据经验可知，靶30的与上述形状的等离子体区域P中以折回的方式延伸的部分对置的长度端部，产生靶材料的消耗比其他部分显著的部分301。

图6是将横轴设为靶长度位置(长度中央为0mm)，将纵轴设为在基板上成膜的薄膜的膜厚，来表示计测了与靶长度位置对应的膜厚的随时间变化的实验结果的坐标图。在使用初期(5小时)内，膜厚在长度上大致均匀，但是之后长度中央部的膜厚变薄，相对于此，长度端部的膜厚增大。即，可知上述的局部性消耗部301的消耗程度随时间恶化。

如图3所示，在本实施例中，将防附着板4A沿靶30的长度方向分割成3个地配置。即，防附着板4A由沿着靶30的长度方向串联排列的3个防附着板4A1、4A2、4A3构成。在3个防附着板4A1、4A2、4A3分别连接有作为单独的电位施加机构的电源26A1、26A2、26A3，能够对施加电位的大小分别单独地进行可变控制。防附着板4B也同样地构成，不过省略了图示及说明。通过上述结构，对应于在长度上分割成3个的防附着板4，能够在靶30表面中的在长度上被分割的3个区域中的每个区域对成膜率进行调整、控制。即，能够按照长度的各分割区域单独地调整、控制靶材料的消耗程度。由此，能够抑制上述那样的局部性消耗，提高靶材料的消耗效率。

具体而言，在本实施例的对于防附着板4的施加电位的控制中，使向与靶30的长度中央部对置的防附着板4A2施加的电位高于向与靶30的长度端部对置的防附着板4A1、4A3施加的电位。由此，与施加电位不带有差异的情况相比，与靶30的长度中央部对应的基板10的成膜率升高。即，靶30的长度中央部的靶材料的消耗量与施加电位不带有差异的情况相比增加。由此，能抑制仅仅是靶30的长度端部区域中的靶材料相对性地且局部性地消耗的情况，能够减少长度方向上的靶材料的消耗的不均。因此，能够提高靶材料的消耗效率。

本实施例的成膜装置1具备用于测定靶30的厚度的位移计8(81、82、83)作为表面形状计测机构。位移计8在靶30外周面中的从与基板10对置的区域偏离的区域中，配置成经由在溅射室2的壁部设置的检测用窗28而与靶30外周面对置。位移计8是经由检测用窗28向靶30的表面照射检测光，并通过检测其反射光而取得靶30的厚度信息的光学式传感器。在本实施例中，为了测定靶30表面的上述3个区域各自的靶30的厚度而将3个位移计81、82、83沿着靶30的长度方向配置。由此，能够测定靶30的沿长度方向的表面形状。

另外，本实施例的成膜装置1具备用于测定在基板10成膜出的膜的膜厚的位移计9作为膜厚分布测定机构。位移计9是与位移计8同样的光学式传感器，在溅射室2内的从阴极单元3与基板10的对置区域(生成等离子体区域P的区域)偏离的位置处，位移计9配置成与基板10对置。该位移计9也与位移计8同样地沿长度方向配置多个，控制部5能够取得在基板10上成膜出的膜的膜厚的长度方向上的分布并将其用于防附着板4的施加电位的控制。例如，基于取得的基板10的膜厚分布来调整在长度上被分割的各防附着板4的各施加电位，由此在长度方向上调整靶30的周围的空间电位分布而在长度方向上调整成膜率，能够进行实现膜厚的长度方向的均匀化的反馈控制。

因此，在本实施例中，能够基于沿靶30的长度方向的(i)靶30的表面形状或(ii)在基板10上成膜出的膜的膜厚分布中的任一者来控制沿长度方向被分割的防附着板4的施加电位。根据本实施例，在将基板10在溅射室2内往复传送多次而将成膜处理分成多次进行的情况下，能够高效地消耗靶材料并进行高精度的向基板10的成膜。

防附着板4的施加电位的控制除此之外还可以采用各种方法。例如，并不局限于控制一对防附着板4A、4B这两方的施加电位的方法，例如，可以控制它们中的至少一方的施加电位，另一方的施加电位固定而不变化。或者，可以仅向一方的防附着板4A施加电位，向另一方的防附着板4B不施加电位。而且，并不局限于通过使与长度方向中央对应的防附着板4的施加电位值变化(升高)而在与对应于长度方向两端的防附着板4之间设置电位差的控制。也可以是通过使与长度方向两端对应的防附着板4的施加电位值变化(降低)而在与对应于长度方向中央的防附着板4之间设置电位差的控制。此外，可以预先存储过去的控制信息，例如在基板10上成膜出的膜的膜厚分布的变化、靶30的表面形状的长度分布的变化、此时的施加电位值等信息，基于这些信息来设定施加电位值。而且，施加电位值可以在成膜处理期间以恒定的值进行控制，也可以在成膜处理的中途可变地控制。

<变形例>

图7的(a)是表示本实施例的变形例1的防附着构件的结构的示意图。如图所示，为仅仅是长度中央部的防附着板4A2连接于电源26A2而能够进行电位施加控制的结构。长度两端部的防附着板4A1、4A3可以设为与溅射室2(腔室)相同的电位(接地电位)。通过与实施例1相比减少电源的个数并适当地控制中央的防附着板4A2，能够期待与实施例1同样的效果。

图7的(b)是表示本实施例的变形例2的防附着构件的结构的示意图。如图所示，长度两端的防附着板4A1、4A3分别连接于电源26A1、26A3，为能够单独地进行电位施加控制的结构。长度中央的防附着板4A2可以设为与溅射室2(腔室)相同的电位(接地电位)。通过电位施加控制，形成长度两端的成膜率与长度中央的成膜率相比受到抑制那样的电位差，由此能够实现靶材料的消耗程度的长度分布的均匀化。

图7的(c)是表示本实施例的变形例3的防附着构件的结构的示意图。可以设为仅配置与靶30的长度中央对置的防附着板4A2而在长度两端未配置防附着板的结构。即，在靶30表面中，仅在防附着板的需要基于电位控制来调整成膜率(靶材料的消耗程度)的一部分区域配置防附着板。

(实施例2)

参照图8，说明本发明的实施例2的成膜装置1b。需要说明的是，实施例2的结构中的与实施例1的结构相同的结构标注与实施例1相同的附图标记，并省略再次的说明。在实施例2中，在此未特别说明的事项与实施例1相同。需要说明的是，在图8中，关于与实施例1相同的结构的一部分，省略图示。

如图8所示，在实施例2的成膜装置1b中，靶30b是平板型的靶(平面阴极)，以成为与基板10(的传送路径)平行的配置的方式装入设置于溅射室2的壁部。磁铁单元31以与靶30b的与基板10对置的面的相反侧的面对置的方式设定在溅射室2的外部。在这样的平面阴极型的溅射装置中，也与实施例1同样地有时会产生靶30b的局部性消耗。具体而言，在板状靶30b的长度方向(与基板10的传送方向及基板10和靶30b对置的对置方向分别正交的方向)的两端部，有时会产生与其他部分相比靶材料的消耗显著的局部性消耗部。

实施例2的成膜装置1b与实施例1同样具备分别沿靶30b的长度方向被分割的防附着板4A、4B和向它们施加电位的电源26A、26B。与实施例1同样，通过适当控制向防附着板4A、4B施加的施加电位，能够抑制靶的局部性消耗的产生，提高靶材料的消耗效率。

(其他)

在本实施例中，防附着板4在长度方向上的分割数为3个，但也可以设为分割成4个以上的结构，分割后的防附着板4各自的长度方向的长度也没有限定为上述实施例等的结构，可以适当采用各种组合。

在本实施例中，由于在结构上将靶粒子的飞行路径沿长度方向均匀地进行限制，因此分割后的防附着板4的各自的高度(与基板10对置的上端部的位置)分别成为相同高度，但是也可以分别设为不同的高度。例如，可以使分割后的防附着板4中的与靶30的长度中央部对应的防附着板4A2的高度比与靶30的长度两端对应的防附着板4A1、4A3的高度低。由此，能够使靶30的长度中央部的成膜率增大，能够提高在基板10上成膜出的膜的膜厚的均匀性。

在本实施例中，壳体32设为在中心轴线方向的两端分别具备轴部321、322的结构，但是没有限定于此。分别构成轴部321、322的构件和壳体32可以能够拆装。这种情况下，壳体32可以是靶21的填料管。

在本实施例中，例示了具备1个阴极单元3的成膜装置，但是关于具备2个以上的阴极单元3的成膜装置，也可以适用本发明。

在本实施例中，成为成膜对象物即基板10相对于阴极单元3配置于上方，在基板10的成膜面朝向重力方向下方的状态下进行成膜的所谓向上沉积的装置结构，但是没有限定于此。也可以是基板10相对于阴极单元3配置于下方，在基板10的成膜面朝向重力方向上方的状态下进行成膜的所谓向下沉积的装置结构。或者，可以是在基板10垂直立起的状态，即基板10的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的装置结构。

在本实施例中，成为在溅射室2内将阴极单元3固定且基板10相对于阴极单元3进行相对移动的结构，但是没有限定为上述结构。例如，可以是在溅射室2内阴极单元3相对于固定(静止)的基板10进行相对移动的结构，也可以是两者分别进行相对移动的结构。

上述各实施例及各变形例可以尽可能地将各个结构相互组合。