阅读说明：本技术 点蒸发源及蒸镀设备 (Point evaporation source and evaporation equipment ) 是由 赵树利 于 2019-04-30 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种点蒸发源及蒸镀设备,点蒸发源包括用于容纳蒸发材料的坩埚本体和端盖,所述坩埚本体的顶端具有开口,所述端盖盖合在所述坩埚本体的开口处,所述端盖上设置有多个蒸发口部,所述多个蒸发口部排成一列,整列蒸发口部位于同一平面内。本发明通过在点蒸发源的坩埚本体端盖上增加蒸发口部的数量,可以充分利用蒸发口部整流的作用,使用多束蒸发束流共同沉积制备薄膜,能够减少现有点蒸发源因单一蒸发口造成的薄膜厚度不均匀性(双驼峰结构)现象,使得点蒸发源在镀膜基板表面沉积的膜层厚度更均匀,从而有效改善了镀膜厚度的均匀性。(The invention discloses a point evaporation source and evaporation equipment, wherein the point evaporation source comprises a crucible body for containing evaporation materials and an end cover, the top end of the crucible body is provided with an opening, the end cover covers the opening of the crucible body, the end cover is provided with a plurality of evaporation opening parts, the evaporation opening parts are arranged in a line, and the evaporation opening parts in the line are positioned in the same plane. According to the invention, the number of the evaporation opening parts is increased on the end cover of the crucible body of the point evaporation source, the rectification function of the evaporation opening parts can be fully utilized, a plurality of evaporation beams are jointly used for depositing and preparing the film, the phenomenon of non-uniformity (double hump structure) of the film thickness caused by a single evaporation opening of the existing point evaporation source can be reduced, the film thickness deposited on the surface of the film-coated substrate by the point evaporation source is more uniform, and the uniformity of the film-coated thickness is effectively improved.)

点蒸发源及蒸镀设备

技术领域

本发明涉及蒸发源技术领域，尤其涉及一种点蒸发源及包括此点蒸发源的蒸镀设备。

背景技术

铜铟镓硒薄膜太阳能电池由于其具有光电转换效率高，弱光性能好和温度系数低等优良性能，得到了广泛关注和研究，并已初步实现了产业化，是最具有潜力的薄膜太阳能电池之一。铜铟镓硒膜层作为电池的核心吸收层，其制备工艺是得到高性能铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件最核心的技术。

共蒸发方法是制备高质量铜铟镓硒吸收层的主流方法之一。生产线利用共蒸发方法制备铜铟镓硒的主要过程是：铜铟镓硒镀膜腔室中，铜、铟、镓、硒四种蒸发源通过电阻加热的方式使其熔化并保持持续蒸发。镀有背电极层的基板通过自动线传动，由外部(或其它工艺腔室)传输至铜铟镓硒镀膜腔室时，蒸发出来的铜、铟、镓、硒粒子会不断地发生碰撞、反应，并在基板背电极层表面发生沉积、化合，形成铜铟镓硒薄膜材料。

现有的铜铟镓硒镀膜腔室中，铜、铟、镓三种蒸发源按照双侧对称的规律独立地分布在镀膜腔室中，蒸发出来的铜、铟、镓粒子按照金属源的设计顺序先后沉积在水平传输的镀膜基板表面。一般地，铜、铟、镓三种蒸发源的蒸发材料通常是盛放在坩埚中，为了在一定程度上减弱由蒸发源以及蒸发源与镀膜基板间距有限而产生的蒸镀膜层均匀性问题，同时为了避免蒸发颗粒掉落到蒸发源内，将铜、铟、镓三种蒸发源倾斜地设置在铜铟镓硒镀膜腔室中。

但现有的铜、铟、镓三种蒸发源均由单一蒸发口向外蒸发，蒸发源不能看成严格的点源，即蒸发束流不是按照半球面均匀分布的，此种结构的蒸发源在镀膜基板表面沉积的膜层厚度为双驼峰结构，即两侧厚度比中间厚度大一些。即便通过调整铜铟镓硒四种元素的蒸发速率和原子比例，膜厚均匀性控制也有限。因此，现有的蒸发源结构无法实现进一步提高膜厚的均匀性。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种点蒸发源及蒸镀设备，能够减少现有点蒸发源因单一蒸发口造成的薄膜厚度不均匀性现象，提高薄膜厚度的均匀性。

本发明提供一种点蒸发源，包括用于容纳蒸发材料的坩埚本体和端盖，所述坩埚本体的顶端具有开口，所述端盖盖合在所述坩埚本体的开口处，所述端盖上设置有多个蒸发口部，所述多个蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于同一平面内。

本发明还提供一种蒸镀设备，包括如上述的点蒸发源。

本发明通过在点蒸发源的坩埚本体顶端端盖上增加蒸发口部的数量，改用位于同一平面成列排布的多个蒸发口部向镀膜基板蒸发沉积，可以充分利用蒸发口部整流的作用，使用多束蒸发束流共同沉积制备薄膜，相对于现有具有单一蒸发口的点蒸发源，采用本发明的点蒸发源沉积薄膜，能够减少现有点蒸发源因单一蒸发口造成的薄膜厚度不均匀性(双驼峰结构)现象，使得点蒸发源在镀膜基板表面沉积的膜层厚度更均匀，从而有效改善了镀膜厚度的均匀性。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本实施例的蒸镀设备内点蒸发源的分布示意图；

图2为本实施例的点蒸发源的镀膜示意图；

图3为本实施例的点蒸发源的立体结构图。

图中：

1：蒸镀腔室；2：基板；3：传输机构；4：点蒸发源；41：坩埚本体；42：端盖；421：第一蒸发口部；4211：第一蒸发口部的开口断面；422：第二蒸发口部；423：第三蒸发口部。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明具体实施方式提供一种点蒸发源，该点蒸发源可安装在蒸镀设备中，用以形成蒸镀薄膜材料。可选地，该点蒸发源可安装在制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的蒸镀设备中，用于将蒸发出来的铜、铟、镓、硒粒子沉积在镀膜基板表面，以形成铜铟镓硒薄膜材料。

在这里，需要说明的是，本实施方式的点蒸发源并非严格意义上的点蒸发源，主要是为了区别线蒸发源而提出的概念，也就是说，本实施方式的点蒸发源是基于单一蒸发口的点蒸发源而进行的改进，虽增加了蒸发口的数量，但增加的蒸发口数量却不足以作为线蒸发源。

本实施方式的点蒸发源包括加热组件、截面为U型的坩埚本体和端盖。坩埚本体的顶端具有一开口，端盖可拆卸地紧密盖合在坩埚本体的开口处，使得坩埚本体与端盖共同形成容纳蒸发材料的密闭空间。加热组件包括加热器，加热器设置在坩埚本体的外部，用于加热坩埚本体，以使固体蒸发材料熔化并保持持续蒸发。在应用于制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池中，蒸发材料为铜、铟、镓、硒的固体原材料。

本实施方式的上述端盖上间隔地设置有多个蒸发口部，多个蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于同一平面内。为提供设置多个蒸发口部的充足空间，提高出口处蒸发束的蒸发速率，本实施方式的上述端盖可选择上宽下窄的圆锥形端盖。

本实施方式的点蒸发源上的蒸发口部数量主要根据实际生产中蒸镀腔室内点蒸发源和镀膜基板的分布关系，以及每个蒸发口部的倾斜角度及其蒸发面积来决定，同时须保证不能多至形成为线蒸发源的范畴，另外还要考虑尽可能降低设备加工难度和生产成本，因此，本实施方式的点蒸发源的蒸发口部可选择2个，3个，4个，5个中的任一数值，优选为3个。

本实施方式的多个蒸发口部能够在同一平面内同时蒸发，通过充分利用这些蒸发口部的整流作用，改变蒸发口部的出口束流方向，实现利用多束蒸发束流共同沉积制备薄膜。在应用于制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池中，这种设计的点蒸发源能够减少点蒸发源因单一蒸发口造成的薄膜厚度不均匀性(双驼峰结构)现象，使得点蒸发源在镀膜基板表面沉积的膜层厚度更均匀，改善了镀膜厚度的均匀性。

在一些实施方式中，为了增大蒸发束流面积，上述的蒸发口部设计为上宽下窄的圆锥形喷射口。每个喷射口凸出于上述端盖上表面设置，并与密闭空间相连通，这些喷射口排成一列且整列喷射口位于同一平面内(共平面)。换句话说，点蒸发源上的所有喷射口的中轴线共平面，而并非交错设置的一列喷射口，从而保证多个所有喷射口在同一平面内同时喷射蒸发粒子。

在一些实施方式中，设置于坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部均朝背离中轴线的方向倾斜布置。进一步的，设置于坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部相对于中轴线的倾斜角度为2°～15°。也就是说，设置于坩埚本体的中轴线两侧的任一蒸发口部相对于中轴线的倾斜角度为2°～15°范围中的任一值，例如，可以是2°、5°、8°、10°、13°、15°等中的任一值。设置于坩埚本体中轴线两侧的各个蒸发口部的倾斜角度可以均相同，也可以完全不同，还可以存在部分相同。设置于中轴线两侧的各个蒸发口部的倾斜角度主要根据实际生产中蒸镀腔室内点蒸发源和镀膜基板的分布关系，以及点蒸发源上蒸发口部的数量、每个蒸发口部的蒸发面积来决定。

进一步的，当点蒸发源上的多个蒸发口部相对于坩埚本体的中轴线对称设置时，坩埚本体中轴线一侧的蒸发口部向外倾斜的角度与另一侧相应对称位置的蒸发口部向外倾斜的角度相同，其中，这里的向外倾斜是朝背离坩埚本体中轴线的方向倾斜。

在一些实施方式中，为了使点蒸发源在镀膜基板表面沉积的膜层厚度均匀性更好，可按照以下设计方式布置点蒸发源上的所有蒸发口部：设置于坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部的倾斜角度沿远离中轴线的方向逐渐增大。也就是说，设置于坩埚本体中轴线每一侧的蒸发口部，越远离坩埚本体中轴线的蒸发口部相对于坩埚本体中轴线倾斜的角度越大。如此设计坩埚本体中轴线两侧的蒸发口部，能够减少蒸发口部之间在镀膜基板上的辐射区域发生重叠，进而减少点蒸发源镀膜厚度不均匀(多驼峰结构)现象，从而提高镀膜厚度的均匀性。

本发明具体实施方式还提供一种蒸镀设备，包括如以上任一实施方式所述的点蒸发源。

在一些实施方式中，蒸镀设备还包括蒸镀腔室和用于传输镀膜基板的传输机构，蒸镀腔室上设置有多个上述的点蒸发源，多个点蒸发源对称设置于蒸镀腔室的幅长方向的两侧腔室壁上。

可选地，在制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的蒸镀设备中，多个点蒸发源为铜、铟、镓三种点蒸发源，铜、铟、镓三种点蒸发源按照双侧对称的规律安装在蒸镀腔室的幅长方向的两侧腔室壁上。

在一些实施方式中，每个点蒸发源的坩埚本体以一定倾斜角度α设置在腔室壁上，倾斜角度α为28°～43°，且坩埚本体的中轴线位于垂直于传输机构的传输方向的平面内。每个点蒸发源的所有蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于垂直于传输机构的传输方向的平面内。这里需要说明的是，每个点蒸发源的坩埚本体以一定倾斜角度α设置在腔室壁上，且坩埚本体的中轴线位于垂直于传输机构的传输方向的平面内，实际是指：每个点蒸发源以一定倾斜角度α倾斜地设置在传输机构传输方向的垂直方向上。每个点蒸发源的所有蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于垂直于传输机构的传输方向的平面内，实际是指：每个点蒸发源的所有蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于垂直于传输机构传输方向的平面内。

可选地，在制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的蒸镀设备中，铜、铟、镓三种点蒸发源的每个点蒸发源垂直于传输机构的传输方向设置，且相对于竖直方向以一定倾斜角度α倾斜设置，倾斜角度α为28°～43°范围中的任一值，例如，可以是28°、30°、32°、35°、38°、43°等中的任一值，不仅能够改善镀膜厚度的均匀性，而且方便装料。在每个点蒸发源上的所有蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于垂直于传输机构传输方向的平面内，且设置于坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部均朝背离中轴线的方向倾斜布置，倾斜角度为2°～15°范围中的任一值，能够减少喷射口之间在镀膜基板上的辐射区域发生重叠，进而减少点蒸发源镀膜厚度不均匀(多驼峰结构)现象，提高镀膜厚度的均匀性。

上述的传输机构的传输方向即为镀膜基板的传输方向。垂直于传输机构的传输方向和传输机构传输方向的垂直方向均为垂直于镀膜基板的传输方向。

在制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的蒸镀设备中，铜、铟、镓三种点蒸发源的倾斜角度α主要根据实际生产中蒸镀腔室内点蒸发源和镀膜基板的分布关系，以及点蒸发源上蒸发口部的数量、每个蒸发口部的倾斜角度及其蒸发面积来决定。铜、铟、镓三种点蒸发源的坩埚本体中轴线两侧的各个蒸发口部的倾斜角度主要根据实际生产中蒸镀腔室内点蒸发源和镀膜基板的分布关系，以及点蒸发源上蒸发口部的数量、每个蒸发口部的蒸发面积来决定。

与现有单一蒸发口的铜、铟、镓三种点蒸发源相比，通过增加铜、铟、镓三种点蒸发源的蒸发口部数量，并改进铜、铟、镓三种点蒸发源上的整列蒸发口部排布于镀膜基板传输方向的垂直方向，从而改提升铜、铟、镓三种点蒸发源在垂直于镀膜基板传输方向上的镀膜均匀性，减少因单一蒸发口造成的薄膜厚度的不均匀性(双驼峰结构)现象，改善铜铟镓硒薄膜的镀膜均匀性。

在一些实施方式中，每个蒸发口部为上宽下窄的圆锥形喷射口，每个蒸发口部具有一开口端面，设置于坩埚本体中轴线上的喷射口中轴线与坩埚本体的中轴线(即点蒸发源的中轴线)重合，则其具有的开口端面与坩埚本体中轴线相垂直；设置于坩埚本体中轴线两侧的喷射口均超背离中轴线的方向倾斜设置，则其具有的开口端面与设置于坩埚本体中轴线上的喷射口开口端面不平行。

在一些实施方式中，相邻两个蒸发口部(喷射口)的开口端面的中心之间的距离l为5cm～10cm中的任一值，例如，可以是5cm、6.5cm、7cm、8cm、8.5cm、9.5cm、10cm等中的任一值。相邻两个喷射口的开口端面的中心之间的距离l与两个喷射口各自的倾斜角度大小有关，可能存在相同，也可能存在不同。相邻两个喷射口的开口端面的中心之间的距离l的设计，能够减少喷射口之间在镀膜基板上的辐射区域发生重叠，进而减少点蒸发源镀膜厚度不均匀(多驼峰结构)现象，提高镀膜厚度的均匀性。

在一些实施方式中，每个点蒸发源具有偶数个蒸发口部，例如，当每个点蒸发源具有两个蒸发口部时，两个蒸发口部相对于坩埚本体的中轴线对称设置。基于此结构，坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点与传输机构之间的距离L₁为815mm～1617mm范围中的任一值，例如，可以是815mm、888mm、930mm、1024mm、1143mm、1171mm、1248mm、1344mm、1420mm、1472mm、1617mm等中的任一值。坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点与传输机构的中垂面之间的距离L₂为760mm～860mm范围中的任一值，例如，可以是760mm、780mm、800mm、820mm、840mm、860mm等中的任一值。

进一步的，每个点蒸发源具有偶数个蒸发口部，坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点与传输机构之间的距离L₁与坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点与传输机构的中垂面之间的距离L₂的大小关系为：L₁：L₂为1.07～1.88：1，优选地，L₁：L₂为1.28～1.60：1，此坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点距镀膜基板的间距设计，使得蒸发口部蒸发出的金属束流能够在镀膜基板垂直于传输方向上形成较均匀的薄膜。

需要说明的是，前述的坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点与传输机构之间的距离为，坩埚本体和与坩埚本体的中轴线相交的交点在竖直高度方向上与水平传输的镀膜基板之间的垂直距离。前述的坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点与传输机构的中垂面之间的距离为，坩埚本体和坩埚本体的中轴线相交的交点在水平方向上与水平传输的镀膜基板的中垂面之间的水平距离。其中，传输机构的中垂面平行于传输机构的传输方向。

在一些实施方式中，每个点蒸发源具有奇数个蒸发口部，例如，当每个点蒸发源具有三个蒸发口部时，其中一个蒸发口部平行地设置于坩埚本体的中轴线上，其余两个蒸发口部对称设置于坩埚本体的中轴线两侧。基于此结构，设置于坩埚本体的中轴线上的蒸发口部的中轴线与坩埚本体的中轴线(即点蒸发源的中轴线)重合，则其具有的开口端面与坩埚本体中轴线相垂直，设置于坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心与传输机构之间的距离L₁为751mm～1505mm范围中的任一值，例如，可以是751mm、858mm、894mm、909mm、998mm、1053mm、1114mm、1184mm、1299mm、1317mm、1505mm等中的任一值。设置于坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心与传输机构的中垂面之间的距离L₂为700mm～800mm范围中的任一值，例如，可以是700mm、710mm、725mm、740mm、750mm、768mm、780mm、792mm、800mm等中的任一值。

进一步的，每个点蒸发源具有奇数个蒸发口部，设置于坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心与传输机构之间的距离L₁与设置于坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心与传输机构的中垂面之间的距离L₂的大小关系为：L₁：L₂为1.07～1.88：1，优选地，L₁：L₂为1.28～1.60：1，此坩埚本体中轴线上的蒸发口部距镀膜基板的间距设计，使得蒸发口部蒸发出的金属束流能够在镀膜基板垂直于传输方向上形成较均匀的薄膜。

需要说明的是，前述的坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心与传输机构之间的距离为，坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心在竖直高度方向上与水平传输的镀膜基板之间的垂直距离。前述的坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心与传输机构的中垂面之间的距离为，坩埚本体中轴线上的蒸发口部的开口端面中心在水平方向上与水平传输的镀膜基板的中垂面之间的水平距离。其中，传输机构的中垂面平行于传输机构的传输方向。

综上，通过调整铜、铟、镓点蒸发源的倾斜角度、点蒸发源与镀膜基板之间的双向距离、各蒸发口部的间距及其倾斜角度的大小，大大减弱了多束蒸发束流叠加沉积导致的膜层不均匀性，提升了铜、铟、镓点蒸发源在垂直于基板传输方向上的镀膜均匀性，从而改善铜铟镓硒薄膜的镀膜均匀性。

图1和图2分别是本发明具体实施例的蒸镀设备内点蒸发源的分布示意图和点蒸发源的镀膜示意图。如图1和图2所示，本发明具体实施例提出一种铜铟镓硒薄膜共蒸镀设备，该蒸镀设备包括用于蒸镀铜铟镓硒薄膜的蒸镀腔室1和用于传输基板2的传输机构3，蒸镀腔室1上设置有七个铜、铟、镓点蒸发源4，七个铜、铟、镓点蒸发源4对称设置于蒸镀腔室1的幅长方向的两侧腔室壁上，每个点蒸发源4位于垂直于传输机构3传输方向的平面内，且相对于竖直方向b-b’以一定倾斜角度α设置在腔室壁上。如图2所示，传输机构3的传输方向或基板2的传输方向均相当于垂直于纸面的方向。垂直于传输机构3传输方向的平面相当于纸面所在的平面。每个点蒸发源4的倾斜角度α相当于点蒸发源4的坩埚本体41中轴线a1-a1’与竖直方向b-b’之间形成的倾斜角度α，倾斜角度α为40°。

在本实施例中，七个铜、铟、镓点蒸发源中的每个点蒸发源4包括设置在坩埚本体41外部的加热器(因加热器为常规部件，所以图2未示出)、柱状的坩埚本体41和盖合在坩埚本体41开口处的端盖42，端盖42为上宽下窄的圆锥形端盖，铜、铟、镓固体原材料则可放置在坩埚本体41与端盖42共同形成的密闭空间43中。在加热器的加热作用下，使铜、铟、镓固体蒸发材料熔化并保持持续蒸发沉积在镀膜基板2表面。

在本实施例中，端盖42的上表面凸出设置有三个间隔的蒸发口部，三个蒸发口部分别为第一蒸发口部421、第二蒸发口部422、第三蒸发口部423，三个蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于垂直于传输机构3传输方向的平面，即纸面所在的平面内。如图2和图3所示，三个蒸发口部均为上宽下窄的圆锥形喷射口，每个蒸发口部具有一圆形的开口端面。第一蒸发口部421设置在坩埚本体41的中轴线a1-a1’上，且第一蒸发口部421的开口断面4211与坩埚本体41的中轴线a1-a1’相垂直。第二蒸发口部422设置在第一蒸发口部421的左上方，第二蒸发口部422相对于第一蒸发口部421倾斜，第二蒸发口部422的中轴线a2-a2’朝背离坩埚本体41中轴线a1-a1’的(左上)方向倾斜一定角度β，角度β为8°。第三蒸发口部423设置在第一蒸发口部421的右下方，第三蒸发口部423相对于第一蒸发口部421倾斜，第三蒸发口部423的中轴线a3-a3’朝背离坩埚本体41中轴线a1-a1’的(右下)方向倾斜一定角度γ，角度γ为8°。

如图3所示，由于第二蒸发口部422和第三蒸发口部423相对于坩埚本体41的中轴线a1-a1’对称设置，因此，第二蒸发口部422的开口端面中心B与第一蒸发口部421的开口端面中心A之间的距离l和第三蒸发口部423的开口端面中心C与第一蒸发口部421的开口端面中心A之间的距离l’相等，均为9cm。

第一蒸发口部421的开口端面中心A与传输机构3上的镀膜背板2下表面之间的(竖直)距离L₁为906mm，第一蒸发口部421的开口端面中心A与传输机构3上的镀膜背板2的中垂面c-c’之间的(水平)距离L₂为760mm。

本实施例通过改进铜、铟、镓三种蒸发源的蒸发口设计，增加铜、铟、镓蒸发源的蒸发口数量至3个，并通过调整3个蒸发口的间距以及第二蒸发口部422的倾斜角度β和第三蒸发口部423的倾斜角度γ的大小，减弱3束蒸发束流叠加沉积导致的膜层不均匀性，减少因单一蒸发口造成的薄膜厚度的不均匀性(双驼峰结构)现象，提升铜、铟、镓三种点蒸发源在垂直于基板传输方向上的镀膜均匀性，改善了铜铟镓硒薄膜的镀膜均匀性。

在本实施例的铜、铟、镓三种点蒸发源的结构设计基础上，进一步调整优化点蒸发源的加热功率，控制铜点蒸发源的加热功率为1700-2400W，铟点蒸发源的加热功率为500-800W，镓点蒸发源的加热功率为100-300W，可以在基板传输速率30-60cm/min的条件下制备得到较均匀的铜铟镓硒薄膜，膜层的厚度(1.5-3μm)的非均匀性降低至5％以内，达到真空镀膜设备的常见水平，优于单蒸发口设计的非均匀性(10％-15％)。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。