一种晶片镀膜设备

文档序号:1516968 发布日期:2020-02-11 浏览:3次 >En<

阅读说明:本技术 一种晶片镀膜设备 (Wafer coating equipment ) 是由 庄仕伟 于 2019-10-30 设计创作,主要内容包括:本发明涉及半导体加工领域,具体涉及一种晶片镀膜设备,包括盘体,所述盘体上具有若干个放置晶片的开口,所述开口内缘设置有磁性环,所述承载盘还具有磁性承载架,所述磁性承载架承载晶片,磁性承载架一端与磁性环的上表面接触,磁性承载架上设有通孔,所述通孔内设有弹片,弹片设置为弧形,磁性环上设有卡柱,卡柱在通孔内滑动并与弹片抵接,磁性承载架另一端与晶片的磁吸附性区接触,本发明通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上,并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平,防止镀源蒸镀到晶片的正面。(The invention relates to the field of semiconductor processing, in particular to a wafer coating device which comprises a disc body, wherein a plurality of openings for placing wafers are arranged on the disc body, magnetic rings are arranged at the inner edges of the openings, the disc body is also provided with a magnetic bearing frame, the magnetic bearing frame bears the wafers, one end of the magnetic bearing frame is in contact with the upper surface of the magnetic rings, through holes are formed in the magnetic bearing frame, elastic sheets are arranged in the through holes and are arc-shaped, clamping columns are arranged on the magnetic rings, the clamping columns slide in the through holes and are abutted against the elastic sheets, and the other end of the magnetic bearing frame is in contact with a magnetic adsorption area of the wafers.)

一种晶片镀膜设备

技术领域

本发明涉及半导体加工领域,具体涉及一种晶片镀膜设备。

背景技术

发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。

为进一步提升LED芯片亮度,通常在晶片减薄后在其背面通过真空镀膜镀制分布布拉格反射镜(简称为DBR),将射入晶片背面的光反射返回正面,从而提高LED的出光效率。镀制分布布拉格反射镜时,需将减薄后的晶片放入镀环内,而经减薄后的晶片由于应力问题会存在一定程度的翘曲,因此需再使用陪片或压盖将减薄后有翘曲的芯片压平,之后再放入DBR镀锅内进行镀制DBR。使用陪片或压盖将减薄后有翘曲的晶片片压平的目的是避免片源因翘曲造成晶片边缘与镀环存在空隙,从而在镀膜过程中发生镀到正面的异常。而使用的压盖/陪片,存在较多不足。如使用陪片或压盖,人员在放置陪片(报废片/玻璃片)时会存在电极刮伤/人为力度过大压破片等,造成良率损失。

发明内容

本发明的目的在于提供晶片镀膜设备,该镀膜设备通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上,并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平,防止镀源蒸镀到晶片的正面。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

一种晶片镀膜设备,包括盘体,所述盘体上具有若干个放置晶片的开口,所述开口内缘设置有磁性环,所述承载盘还具有磁性承载架,所述磁性承载架承载晶片,磁性承载架一端与磁性环的上表面接触,磁性承载架上设有通孔,所述通孔内设有弹片,弹片设置为弧形,磁性环上设有卡柱,卡柱在通孔内滑动并与弹片抵接,磁性承载架另一端与晶片的磁吸附性区接触。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述磁性承载架横截面呈Z型。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述磁性环为一体的环形结构或者由多个磁性块围绕而成的环形结构,所述卡柱设置在磁性块上。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述磁性承载架为一体的环形结构或者由多个子磁性承载架围绕而成的环形结构。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述晶片的磁吸附性区为一体的环形区域或者由多个子磁吸附性区围绕而成的环形区域。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述磁性块与盘体一体成型或者为可拆卸结构。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述磁性块与开口内侧壁通过卡槽固定。

作为晶片镀膜设备的一种优选方案,所述弹片设为多个,并在通孔内均匀分布。

本发明的有益效果:在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸附性区,并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性块,以及在磁性块对应位置设置Z型磁性支撑架,晶片放置在Z型磁性支撑架上,并且支撑架与晶片磁吸附性区域接触位置产生磁吸现象,通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上,并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平,防止镀源蒸镀到晶片的正面。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的晶片镀膜设备的俯视图

图2为本发明提供的晶片镀膜设备承载盘和晶片部分界面结构示意图;

图3为本发明提供的晶片镀膜设备中磁性环和磁性承载架俯视结构示意图;

图4为本发明提供的晶片镀膜设备中磁性环和磁性承载架配合的结构示意图。

图中:10-盘体;11-开口;20-磁性环;21-磁性块;22-卡柱;30.磁性承载架;31-通孔;32-弹片;4-晶片。

具体实施方式

为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。

作为本发明的一个实施例,本发明提出一种晶片镀膜设备,包括盘体,所述盘体上具有若干个放置晶片的开口,所述开口内缘设置有磁性环,所述承载盘还具有磁性承载架,所述磁性承载架承载晶片,磁性承载架一端与磁性环的上表面接触,磁性承载架上设有通孔,所述通孔内设有弹片,弹片设置为弧形,磁性环上设有卡柱,卡柱在通孔内滑动并与弹片抵接,磁性承载架另一端与晶片的磁吸附性区接触。

通过该镀膜设备的设计,在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸附性区,并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性块,以及在磁性块对应位置设置Z型磁性支撑架,晶片放置在Z型磁性支撑架上,并且支撑架与晶片磁吸附性区域接触位置产生磁吸现象,通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上,并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平,防止镀源蒸镀到晶片的正面。

下面结合本发明的较佳实施例对该镀膜设备进行说明。

请参阅图1至图3,该镀膜设备于放置具有磁吸附性区的晶片4,包括盘体10,盘体10上具有若干个个放置晶片4的开口11,开口11内缘设置有磁性环20,承载盘还具有磁性承载架30,磁性承载架30承载晶片4,磁性承载架30一端与磁性环20的上表面接触,磁性承载架30上设有通孔31,所述通孔31内设有弹片32,弹片32设置为弧形,磁性环20上设有卡柱22,卡柱22在通孔31内滑动并与弹片32抵接,通过弹片32抵接卡柱22,对卡柱22的径向进行固定和限制,使得磁性承载架30与磁性环20的连接更加稳定。磁性承载架30另一端与晶片的磁吸附性区接触,其接触区域均通过磁性吸附。磁性承载架30横截面呈Z型,其上端的水平部搭载于磁性环20上表面,也可以延伸至盘体10表面,下端的水平部承载晶片4。磁性环20与盘体10可以一体成型或者为可拆卸结构,当其为可拆卸结构时,磁性环20与开口11内侧壁可以通过卡槽固定。晶片4可以为平片或者具有翘曲的晶片,对具有翘曲的晶片4更具优势。

磁性环20为一体的环形结构或者由多个磁性块21围绕而成的环形结构,卡柱22设置在磁性块21上。磁性承载架30为一体的环形结构或者由多个子磁性承载架围绕而成的环形结构。晶片4的磁吸附性区为一体的环形区域或者由多个子磁吸附性区围绕而成的环形区域。晶片4的磁吸附性区面积较大时,会减小晶片的有效使用面积,降低晶粒的数量,因此晶片4上的磁吸附性区面积越小越好,只要其可以与磁性承载架30接触并通过磁性吸附即可,本实施例优选在晶片4的边缘设置多个子磁吸附区。本实施例中,磁性环20和磁性承载架30均为一体的环形结构。两者之间的接触面积较大,可以增加磁吸附性,防止磁性支撑架30或者晶片4在镀膜过程中掉落。

本实施例中,磁性环20由多个磁性块21围绕而成,磁性承载架30由多个子磁性承载架围绕而成,两者的数目一致,并且与晶片4上的子磁吸附性区数目一致。子磁性承载架与晶片S接触的一端。

本发明的有益效果:在晶片的边缘特定区域镀制磁吸附性物质形成磁吸附性区域S1,并且在镀膜承载盘放置晶片的开口的内缘设置磁性环,以及在磁性环对应位置设置Z型磁性承载架,晶片放置在Z型磁性支撑架上,并且其与晶片磁吸附性区接触位置产生磁吸现象,通过磁性吸附晶片将其固定于承载盘上,并同时通过磁性吸附使翘曲晶片变平,防止镀源蒸镀到晶片的正面。

附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,而非实物图,不能理解为对本专利的限制;为了更好地说明本发明的实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸;对本领域技术人员来说,附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件;在本发明的描述中,需要理解的是,若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明,不能理解为对本专利的限制,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

在本发明的描述中,除非另有明确的规定和限定,若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系,该术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

需要声明的是,上述具体实施方式仅仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员应该明白,还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等。但是,这些变换只要未背离本发明的精神,都应在本发明的保护范围之内。另外,本申请说明书和权利要求书所使用的一些术语并不是限制,仅仅是为了便于描述。

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