阅读说明：本技术 薄膜沉积方法 (Thin film deposition method ) 是由 王宽冒 于 2020-07-15 设计创作，主要内容包括：本申请提供一种薄膜沉积方法,包括：主沉积步骤,进行薄膜沉积工艺,在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜,并在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；应力转变步骤,将冷却气体由第一流量降低至第二流量,使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度,在预设温度下,金属薄膜中的应力转变为拉应力。应用本申请,通过其主沉积步骤获得具有压应力的指定厚度的金属薄膜,然后在应力转变步骤中,通过沉积粒子撞击晶片对金属薄膜进行均匀加热,可以迅速将热量传递至晶片的内部,从而短时间内将晶片整体温度提高至预设温度,以使金属薄膜具有拉应力。(The application provides a thin film deposition method, which comprises the following steps: a main deposition step, namely performing a film deposition process, depositing a metal film with a specified thickness on the wafer, and cooling the wafer by adopting a first flow of cooling gas in the deposition process; and a stress conversion step of reducing the flow rate of the cooling gas from the first flow rate to a second flow rate to increase the temperature of the wafer to a preset temperature under the action of the deposited particles, wherein the stress in the metal film is converted into tensile stress at the preset temperature. By applying the method, the metal film with the specified thickness and compressive stress is obtained through the main deposition step, then in the stress transformation step, the deposited particles impact the wafer to uniformly heat the metal film, the heat can be rapidly transferred to the inside of the wafer, and therefore the integral temperature of the wafer is increased to the preset temperature in a short time, and the metal film has tensile stress.)

薄膜沉积方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种薄膜沉积方法。

背景技术

在半导体制造过程中，半导体先进封装工艺可以实现多引脚连接，具有高速和高实用性，确保了电子产品和通信设备的小型化和多功能性。而半导体先进封装工艺中再分布层(RDL，redistribution layer)的制备是非常重要的一道工序，其中，对应用于再分布层的导电材料的性能控制(导电性、粘附性、应力控制等)及制备方法尤为重要。由于铝材料具有良好的导电性及廉价的成本，所以，目前RDL层比较常用的是铝(Al)薄膜。

现有技术中，通常采用磁控溅射工艺沉积铝薄膜，由于磁控溅射沉积薄膜过程中，晶片温度会升高，为了防止晶片温度过高，采用沉积和冷却交替执行的方式，并且在整个工艺过程中，保持对晶片进行冷却，防止沉积过程中温度过高烧毁晶片。但是该工艺过程由于持续冷却，虽能够有效控制晶片温度，但是晶片温度普遍偏低，导致Al薄膜的应力表现为压应力。而对于先进封装而言，Al薄膜一般生长在绝缘氧化物或氮化物薄膜上，Al薄膜的压应力极容易导致其底层绝缘薄膜发生微裂痕，造成电路的失效，不能满足产线需求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜沉积方法，其可以使晶片上沉积的金属薄膜具有拉应力。

为实现本发明的目的而提供一种薄膜沉积方法，包括：

主沉积步骤，进行薄膜沉积工艺，在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜，并在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对所述晶片进行冷却；

应力转变步骤，将所述冷却气体由所述第一流量降低至第二流量，使所述晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度，在所述预设温度下，所述金属薄膜中的应力转变为拉应力。

可选地，所述主沉积步骤和所述应力转变步骤均在同一沉积腔室中进行；

在所述主沉积步骤中，向所述沉积腔室中通入工艺气体，并向金属靶材施加功率，将所述工艺气体激发为等离子体，并吸引所述等离子体轰击所述金属靶材，以在所述晶片上沉积所述指定厚度的金属薄膜；

在所述应力转变步骤中，持续向所述沉积腔室中通入所述工艺气体，并向所述金属靶材施加功率，将所述工艺气体激发为等离子体，并吸引所述等离子体轰击所述金属靶材，以持续进行沉积，使所述金属薄膜的厚度达到目标厚度；同时，将所述冷却气体由所述第一流量降低至所述第二流量，使所述晶片在所述沉积粒子的作用下温度提高至所述预设温度。

可选地，在所述主沉积步骤中，所述冷却气体通过承载所述晶片的基座中的气道，通入所述基座与所述晶片之间的间隙，对所述晶片进行背吹，以对所述晶片进行冷却。

可选地，所述第一流量的取值范围为1sccm-50sccm，所述第二流量的取值范围为0sccm-10sccm。

可选地，所述预设温度大于或等于130℃。

可选地，所述主沉积步骤包括：

进气步骤，向所述沉积腔室中通入所述工艺气体，同时采用所述第一流量的冷却气体对所述晶片进行冷却；

启辉步骤，通过激励电源向所述金属靶材施加第一功率，将所述工艺气体激发为等离子体，同时保持采用所述第一流量的所述冷却气体对所述晶片进行冷却；

沉积步骤，将所述第一功率提高至第二功率，并通过偏压电源向所述基座施加偏压功率，以在所述晶片上沉积金属薄膜，同时保持采用所述第一流量的所述冷却气体对所述晶片进行冷却；

冷却步骤，关闭所述激励电源和所述偏压电源，保持采用所述第一流量的所述冷却气体对所述晶片进行冷却；

循环执行上述各步骤，直至循环执行的次数达到预设数值。

可选地，所述应力转变步骤包括：

转变启辉步骤，通过激励电源向所述金属靶材施加第一功率，将所述工艺气体激发为等离子体，同时将所述冷却气体由所述第一流量降低至所述第二流量；

转变沉积步骤，将所述第一功率提高至第二功率，并通过偏压电源向所述基座施加偏压功率，以在所述晶片上沉积金属薄膜，同时保持采用所述第二流量的所述冷却气体对所述晶片进行冷却，使所述晶片在沉积粒子的作用下温度提高至所述预设温度，在所述预设温度下，所述金属薄膜中的应力转变为拉应力。

可选地，所述应力转变步骤还包括：

转变冷却步骤，关闭所述激励电源和所述偏压电源，将所述冷却气体由所述第二流量升高至所述第一流量，以对所述晶片进行冷却。

可选地，所述沉积步骤的工艺时间的取值范围为1s-300s，所述第一功率和所述第二功率的取值范围均为1kW-60kW。

可选地，所述转变沉积步骤的工艺时间的取值范围为5s-120s，所述第一功率和所述第二功率的取值范围均为1kW-60kW。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的薄膜沉积方法，通过主沉积步骤获得指定厚度的金属薄膜，且在沉积过程中对晶片进行冷却，以保证晶片的表面质量，从而得到的是具有压应力的金属薄膜；然后在应力转变步骤中，通过沉积粒子撞击晶片对金属薄膜进行均匀加热，可以迅速将热量传递至晶片的内部，从而短时间内使晶片整体温度提高至预设温度，以使金属薄膜具有拉应力。

附图说明

图1为Al薄膜的应力与其晶片温度的关系图；

图2为本发明实施例提供的薄膜沉积方法流程图；

图3为采用本发明实施例提供的薄膜沉积方法获得的Al薄膜的应力与其晶片温度的关系图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。

下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

目前，在金属薄膜的沉积过程中，为了防止晶片温度过高，通常会边沉积过程边对晶片进行冷却处理，如此，所获得的晶片温度往往普遍偏低。以Al薄膜为例，其温度大多小于100℃，偏低的温度导致Al薄膜的应力表现为压应力。而对于先进封装而言，具有导电性的金属薄膜一般生长在绝缘氧化物或氮化物薄膜上，金属薄膜的压应力极容易导致其底层绝缘薄膜发生微裂痕，造成电路的失效，因此，不能满足产线需求。为解决上述技术问题，本实施例对金属薄膜的应力与其晶片温度的关系进行了研究试验，发现金属薄膜的应力与温度具有较为直接的映射关系，如图1所示，为Al薄膜的应力与其晶片温度的关系图，由图1可知，当晶片温度大于等于130℃时，可得到拉应力的Al薄膜。鉴于此，本实施例提供了一种薄膜沉积方法，以使金属薄膜具有拉应力。

下面仅以铝薄膜为例对本申请提供的薄膜沉积方法进行详细说明，但需要说明的是，本实施例并不以铝薄膜为限，其也可以应用于其它金属的薄膜沉积，如铜、钽、钛等，即只要是能够通过该薄膜沉积方法获得具有拉应力的金属薄膜均属于本申请的保护范围。

请参阅图2，为本申请实施例提供的薄膜沉积方法的流程示意图，其可以包括以下步骤：

主沉积步骤S1，进行薄膜沉积工艺，在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜，并在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却。

该主沉积步骤S1主要用于获得指定厚度的金属薄膜，在沉积过程中除了晶片被加热外，用于防止晶片发生位移的压环也会被加热，并且随着机台连续进行沉积工艺的时间累积，压环的温度也会越来越高，本实施例在沉积过程中采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却处理，可以防止晶片本身受热及由于压环的温度传递使晶片温度过高，甚至烧坏晶片等。其中，指定厚度的值略小于目标厚度的值。

具体地，第一流量的取值范围可以为1sccm-50sccm(standard state cubiccentimeter per minute，标况毫升每分)。

更具体地，可以采用背吹的方式对晶片进行冷却处理，可以在承载晶片的基座上开设气道，通过该气道将冷却气体通入基座与晶片之间的间隙，对晶片进行背吹，以对晶片进行冷却处理。在沉积过程中，采用全程背吹模式，保证晶片及压环的温度被及时传导至基座，以对晶片进行冷却。且可以通过调节冷却气体的流量大小来调节对晶片的冷却程度，以便于对晶片的温度进行有效控制，为保证晶片的温度不能过高，沉积的铝薄膜通常具有压应力。其中，冷却气体可以(但不限于)与工艺气体一样，以便于气源和气路的设置。进一步地，冷却气体和工艺气体均可以(但不限于)是氦气，也可以是氩气等。

应力转变步骤S2，将冷却气体由第一流量降低至第二流量，使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度，在预设温度下，金属薄膜中的应力转变为拉应力。

其中，第二流量的值可明显小于第一流量的值，甚至可以为零，例如，第二流量的取值范围可以为0sccm-10sccm，以防止冷却气体降低晶片的温度。具体预设温度可根据具体的金属薄膜类型，按照其应力和温度关系进行设定，例如，铝薄膜的预设温度可以大于或等于130℃，以保证铝薄膜具有拉应力。

在应力转变步骤S2中，沉积粒子通常具有较高的温度，通过沉积粒子撞晶片可以对铝薄膜进行均匀加热，且由于沉积粒子撞击作用，可以迅速将热量传递至晶片的内部，从而短时间内将晶片整体温度提高至预设温度，以使铝薄膜具有拉应力。需要说明的是，不同的金属薄膜的预设温度可以相同也可以不同，本实施例不做具体限定。

于本申请的一具体实施方式中，主沉积步骤S1和应力转变步骤S2可以均在同一沉积腔室中进行，相应地，主沉积步骤S1的处理可以如下：向沉积腔室中通入工艺气体，并向金属靶材施加功率，将工艺气体激发为等离子体，并吸引等离子体轰击金属靶材，以在晶片上沉积指定厚度的金属薄膜。应力转变步骤S2的处理可以如下：持续向沉积腔室中通入工艺气体，并向金属靶材施加功率，将工艺气体激发为等离子体，并吸引等离子体轰击金属靶材，以持续进行沉积，使金属薄膜的厚度达到目标厚度；同时，将冷却气体由第一流量降低至第二流量，使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度。

其中，金属薄膜的指定厚度可以根据应力转变步骤S2中沉积的薄膜厚度与薄膜的整体目标厚度进行计算(指定厚度可以等于目标厚度与应力转变步骤S2中沉积的薄膜厚度的差值)，可以根据不同的金属薄膜设置不同的目标厚度，本实施例对此不作具体限定。

本实施例中，可以在同一沉积腔室中先后进行主沉积步骤S1和应力转变步骤S2，如此，可以在主沉积步骤S1获得指定厚度的铝薄膜，执行完主沉积步骤S1之后，可以持续主沉积步骤S1中的操作(即持续向沉积腔室中通入工艺气体，并向金属靶材施加功率，将工艺气体激发为等离子体，并吸引等离子体轰击金属靶材，以持续进行沉积)，从而得到目标厚度的铝薄膜。同时，应力转变步骤S2的沉积过程采用第二流量的冷却气体，未对晶片进行冷却处理，使得沉积粒子撞击晶片时，可以迅速提高晶片的温度，又由于应力转变步骤S2的沉积过程较快，时间较短，也不会使晶片的温度过高，甚至烧坏晶片等。另外，在同一沉积腔室中进行先后进行主沉积步骤S1和应力转变步骤S2，还可以提高设备的利用率，减少晶片转运传输时间，提高单片晶片的加工效率。具体地，该沉积腔室可以但不限于是磁控溅射腔室。

需要说明的是，也可以在不同的工艺腔室中进行主沉积步骤S1和应力转变步骤S2，即先在一沉积腔室中进行主沉积步骤S1(具体执行过程可与上述实施方式相同)，然后再将晶片自沉积腔室移入一等离子体发生腔室中，或者高温或低温等离子体刻蚀装置内，然后在该等离子体发生腔室中进行应力转变步骤S2，从而可采用多个设备同时对一批晶片进行不同的工艺，以提高批量生产的效率。

于本申请的另一具体实施方式中，主沉积步骤S1可进一步包括以下处理：进气步骤，向沉积腔室中通入工艺气体，同时采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；启辉步骤，通过激励电源向金属靶材施加第一功率，将工艺气体激发为等离子体，同时保持采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；沉积步骤，将第一功率提高至第二功率，并通过偏压电源向基座施加偏压功率，以在晶片上沉积金属薄膜，同时保持采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；冷却步骤，关闭激励电源和偏压电源，保持采用第一流量的冷却气体对晶片进行冷却；循环执行上述各步骤，直至循环执行的次数达到预设数值。

其中，沉积步骤的工艺时间的取值范围可以为1s-300s，所述第一功率和所述第二功率的取值范围均可以为1kW-60kW。

在本实施例中，先向金属靶材施加较小的第一功率，以将工艺气体激发为等离子体，然后向金属靶材施加较大的第二功率，将工艺气体激发的等离子体吸引至金属靶材，使等离子体轰击金属靶材，自金属靶材溅射出金属粒子，并向基座加载偏压功率，使金属粒子向晶片运动，在晶片表面沉积金属薄膜，并在沉积过程中对晶片进行冷却处理，以防晶片升温过快、温度过高，甚至烧坏晶片等。为了对晶片进行进一步冷却，可以在沉积一定时间或厚度后，关闭激励电源和偏压电源，采用第一流量的冷却气体继续对晶片进行冷却处理，以对晶片进行快速冷却，进而保证晶片的温度(往往在130℃以下)。然后重复执行上述各步骤，便可得指定厚度的金属薄膜。

于本申请的另一具体实施方式中，应力转变步骤S2可进一步包括以下处理：转变启辉步骤，通过激励电源向金属靶材施加第一功率，将工艺气体激发为等离子体，同时将冷却气体由第一流量降低至第二流量；转变沉积步骤，将第一功率提高至第二功率，并通过偏压电源向基座施加偏压功率，以在晶片上沉积金属薄膜，同时保持采用第二流量的冷却气体对晶片进行冷却，使晶片在沉积粒子的作用下温度提高至预设温度，在预设温度下，金属薄膜中的应力转变为拉应力。

其中，转变沉积步骤的工艺时间的取值范围可以为5s-120s，所述第一功率和所述第二功率的取值范围均可以为1kW-60kW。

在本实施例中，转变启辉步骤与主沉积步骤S1的启辉步骤相似，均是先向金属靶材施加较小的第一功率，以将工艺气体激发为等离子体。不同的是，本步骤将冷却气体由第一流量降低至第二流量，防止对晶片进行有效冷却，以能够在下述转变沉积步骤中提高晶片的温度。转变沉积步骤与主沉积步骤S1的沉积步骤也相似，均是向金属靶材施加较大的第二功率，将工艺气体激发的等离子体吸引至金属靶材，使等离子体轰击金属靶材，自金属靶材溅射出金属粒子，并向基座加载偏压功率，使金属粒子向晶片运动，在晶片表面沉积金属薄膜。不同的是，本步骤中，保持采用取值较小(甚至为零)的第二流量的冷却气体对晶片进行冷却，以防对晶片进行有效冷却，使得晶片在沉积粒子的作用下，其温度可以提高至预设温度(往往大于或等于130℃)，以使金属薄膜在预设温度下，其内部应力转变为拉应力。

进一步地，在应力转变步骤S2中，在晶片的应力转变为拉应力之后，还可以包括转变冷却步骤，即，关闭激励电源和偏压电源，将冷却气体由第二流量升高至第一流量，以对晶片进行冷却。在晶片的应力转变为拉应力之后再进行该转变冷却步骤，既保证了金属薄膜中为拉应力，又可以快速对晶片进行降温，以便于对晶片进行后续处理。

本申请典型的实施例(沉积Al薄膜)如下：

主沉积步骤S1，采用全程背吹模式，以保证晶片及压环的温度被及时传导至基座，沉积过程中的冷却气体的流量的取值范围可以为1sccm-50sccm，本步骤中施加在金属靶材上的功率(包括第一功率和第二功率)和施加在基座上的偏压功率的取值范围可以为1kW-60kW(千瓦)，单步沉积时间可视晶片温度的具体情况设定，可在此步骤中有效控制晶片温度，使沉积的Al薄膜具备压应力。

应力转变步骤S2，采用小背吹或无背吹沉积，沉积过程中的冷却气体的流量的取值范围可以为0-10sccm，本步骤中施加在金属靶材上的功率(包括第一功率和第二功率)和施加在基座上的偏压功率的取值范围仍然均可以为1kW-60kW，等离子体环境下，依靠沉积粒子撞击作用提高晶片温度，实现晶片等离子环境下的高温处理，使Al薄膜的应力由压应力转变为拉应力。

下面以表1中的具体工艺参数为例，对上述典型的实施例进行具体描述：

表1本申请实施例提供的薄膜沉积方法的具体工艺参数

以上表1为例，步骤1-40为上述主沉积步骤S1，得到指定厚度的Al薄膜。该过程包括：

步骤1，从顶部或侧部向磁控溅射腔室内通入氩气(工艺氩)，并采用上述背吹的方式通入氩气(背氩)，通入的工艺氩的流量为8sccm，通入的背氩的流量为20sccm，通入工艺氩和背氩的时间均可以为20s，以保证腔室内的压力和足够的冷却气体及工艺气体。

步骤2，开启激励电源，先向Al靶材施加较小的第一功率，例如1000W，以将氩气激发为Ar正离子，同时保持采用20sccm的背氩对晶片进行冷却，本步骤工艺时间可以为1s。

步骤3，将第一功率提高至第二功率，例如35000W，吸引被激发的Ar正离子轰击Al靶材，沉积粒子逸出，并通过偏压电源向基座施加偏压功率，将沉积粒子向基座吸引，以在晶片上沉积Al薄膜，本步骤工艺时间可以为10s。沉积薄膜过程中，持续采用20sccm的背氩对晶片进行冷却，由于沉积粒子撞击晶片，晶片温度会升高，同时通过背氩对晶片进行降温，保证晶片温度较低，不会导致温度积累。

步骤4，关闭激励电源和偏压电源，对晶片进行单纯冷却，本步骤工艺时间可以为10s。此步骤等离子体消失，晶片加热被终止，依靠20sccm的背氩对晶片进行冷却。

步骤5-40，为重复上述步骤2-4十二次，以得到指定厚度的Al薄膜；

步骤1-40均设有较大流量的背氩(20sccm)，整个过程中，背氩对晶片的冷却作用一直存在，且保持磁控溅射腔室的气阀全开，由于有效的冷却作用，可有效释放掉压环传递给晶片的热量，不会出现现有技术中的温度积累问题；但由于背氩对晶片强大的冷却作用，会使晶片温度一直处于低温状态，沉积所得的Al薄膜表现为压应力。

步骤41-44为上述在应力转变步骤S2，可以短时间内去除或减小晶片与基座之间的冷却气体，由于沉积粒子撞击作用使晶片快速升温，同时开启激励电源，向Al靶材施加一定的功率，提供必要的等离子体环境，短时间内实现了对晶片的等离子体环境下的高温处理，使Al薄膜的应力由压应力转变为拉应力。同时，由于应力转变步骤S2的工艺处理时间很短，不会造成现有技术中出现的严重累积升温问题。该过程可与步骤1-40在同一磁控溅射腔室内进行，具体包括以下步骤：

步骤41，仅从顶部或侧部向磁控溅射腔室内通入氩气(工艺氩)，通入的工艺氩的流量可以为28sccm，时间也可以为20s，以保证腔室内的压力和足够的工艺气体。

步骤42，与上述步骤2相似，开启激励电源，先向Al靶材施加较小的第一功率，例如1000W，以将氩气激发为Ar正离子。不同的是，本步骤保持步骤41中的28sccm的工艺氩。本步骤工艺时间可以也为1s。

步骤43，与上述步骤3相似，将第一功率提高至第二功率，例如35000W，吸引被激发的Ar正离子轰击Al靶材，沉积粒子逸出，并通过偏压电源向基座施加偏压功率，将沉积粒子向基座吸引，以在晶片上沉积Al薄膜，本步骤工艺时间也可以为10s。不同的是，本步骤同样保持步骤41中的28sccm的工艺氩，没有背氩。由于沉积粒子撞击晶片，且没有背氩(实际应用时也可以设置流量很小的背氩)对晶片进行冷却(或冷却作用极其微弱)，晶片温度会迅速升高，实现晶片在等离子体环境中的高温处理，使Al薄膜中的应力转变为拉应力。

步骤44，可参照上述步骤4，关闭激励电源和偏压电源，对晶片进行单纯冷却，本步骤工艺时间也可以为10s。此步骤沉积粒子撞击消失，晶片加热被终止，依靠20sccm的背氩对晶片进行冷却(8sccm的工艺氩用于保证腔室内的压力)。

步骤45，关闭所有阀门及电源，结束步骤。

应力转变步骤S2中，由于等离子体环境是由直流的激励电源加载功率获得的，如步骤42、43，直流功率的加载会导致溅射腔室内的Al靶材被轰击，从而造成一定量的薄膜沉积，因此，主沉积步骤S1中的循环步骤次数可依据实际情况有所缩减，以保证Al薄膜厚度为目标厚度，如本申请表1中所示，循环步骤可由原来的14次，减少到12次。

步骤41-44实现了对晶片的等离子体环境下的高温处理，使Al薄膜的应力由压应力转变为拉应力，步骤41-45的工艺时间总和远小于步骤1-40的时间总和，步骤1-40提供长时间的充足的基座冷却效率，步骤41-44提供短时间的等离子体环境使晶片快速升温的高温处理。步骤1-40长时间稳定冷却可保证去除晶片温度积累，得到温度稳定压应力的Al薄膜，步骤41-44提供短时间等离子体环境高温处理，亦不会造成严重的温度累积，且短时间等离子体高温处理，使Al薄膜由压应力转变为拉应力。

采用上述典型实施例，连续在50片晶片上沉积Al薄膜，并对获得的Al薄膜的应力晶片(应力转变步骤S2中的转变冷却步骤之前)的温度进行测试，测试结果如图3所示，由图3可知，采用上述典型实施例获得的50片具有Al薄膜的晶片，其晶片温度在130℃～160℃之间，均具有拉应力，且从第20片开始，晶片的温度和Al薄膜的应力均趋于稳定，晶片的温度稳定在149℃，Al薄膜的拉应力为110MPa左右。

本实施例提供的薄膜沉积方法，通过主沉积步骤S1获得指定厚度的金属薄膜，且在沉积过程中对晶片进行冷却，以保证晶片的表面质量，从而得到的是具有压应力的金属薄膜；然后在应力转变步骤S2中，通过沉积粒子撞击晶片以对金属薄膜进行均匀加热，可以迅速将热量传递至晶片的内部，从而短时间内使晶片整体温度提高至预设温度，以使金属薄膜具有拉应力。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本申请的原理而采用的示例性实施方式，然而本申请并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本申请的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本申请的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。