阅读说明：本技术 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 (Vapor deposition mask and method for manufacturing vapor deposition mask ) 是由 池永知加雄 青木大吾 于 2020-03-27 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法。蒸镀掩模的贯通孔的壁面包括：从第1端向第2面扩展的第1壁面；从第2端向第1面扩展的第2壁面；在连接部连接到第1壁面的第2壁面；和连接第1壁面与第2壁面的连接部。沿着第1面的法线方向从第1面侧观察贯通孔时,贯通孔的第1端包括：沿第1方向延伸并具有第1尺寸的第1部分；和沿与第1方向交叉的第2方向延伸并具有比第1尺寸短的第2尺寸的第2部分。第1壁面包括：从第1部分向连接部扩展的第1壁面区划；和从第2部分向连接部扩展的第2壁面区划。第1壁面区划的高度小于第2壁面区划的高度。(The present invention relates to a vapor deposition mask and a method for manufacturing the vapor deposition mask. The wall surface of the through hole of the vapor deposition mask includes: a 1 st wall surface extending from the 1 st end to the 2 nd surface; a 2 nd wall surface extending from the 2 nd end to the 1 st surface; a 2 nd wall surface connected to the 1 st wall surface at a connection portion; and a connecting portion connecting the 1 st wall surface and the 2 nd wall surface. When the through hole is observed from the 1 st surface side along the normal direction of the 1 st surface, the 1 st end of the through hole comprises: a 1 st portion extending in a 1 st direction and having a 1 st dimension; and a 2 nd portion extending in a 2 nd direction crossing the 1 st direction and having a 2 nd dimension shorter than the 1 st dimension. The 1 st wall surface includes: a 1 st wall surface section extending from the 1 st section to the connection section; and a 2 nd wall surface section extending from the 2 nd portion to the connection portion. The height of the 1 st wall section is smaller than the height of the 2 nd wall section.)

蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法

技术领域

本发明的实施方式涉及蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法。

背景技术

近年来，对于智能手机、平板电脑等电子器件，市场要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的像素密度。

有机EL显示装置由于响应性好、或/和耗电低、或/和对比度高而受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知有通过蒸镀使构成像素的材料附着于基板的方法。该情况下，首先，准备包含贯通孔的蒸镀掩模。接下来，在蒸镀装置内，在使蒸镀掩模与基板密合的状态下，蒸镀有机材料或/和无机材料等，在基板形成有机材料或/和无机材料等。

作为蒸镀掩模的制造方法，例如如专利文献1中公开的那样，已知有通过对金属板进行蚀刻而在金属板形成贯通孔的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5382259号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在蒸镀工序中，从蒸镀源朝向蒸镀掩模的一部分蒸镀材料沿相对于构成蒸镀掩模的金属板的法线方向倾斜的方向移动。沿相对于金属板的法线方向倾斜的方向移动的蒸镀材料的一部分附着于贯通孔的壁面而并非基板上。因此，在接近贯通孔的壁面的位置，形成于基板上的蒸镀层容易变薄。也将这种蒸镀材料在基板上的附着被贯通孔的壁面所阻碍的现象称为阴影。

为了抑制阴影的产生，考虑减小蒸镀掩模的贯通孔的壁面的高度。但是，若在蒸镀掩模的整体减小贯通孔的壁面的高度，则蒸镀掩模的强度降低，容易产生蒸镀掩模的损伤、变形等。

本发明的实施方式的目的在于提供一种能够有效解决这种课题的蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的一个实施方式的具有贯通孔的蒸镀掩模具备：

第1面；

第2面，位于上述第1面的相反侧；和

壁面，包括作为位于上述第1面的端部的第1端、和作为位于上述第2面的端部的第2端，

上述壁面划定出上述贯通孔，

上述壁面包括：从上述第1端向上述第2面扩展的第1壁面；从上述第2端向上述第1面扩展的第2壁面；和连接上述第1壁面与上述第2壁面的连接部，

沿着上述第1面的法线方向从上述第1面侧观察上述贯通孔时，上述贯通孔的上述第1端包括：沿第1方向延伸并具有第1尺寸的第1部分；和沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸并具有比第1尺寸短的第2尺寸的第2部分，

上述第1壁面包括：从上述第1部分向上述连接部扩展的第1壁面区划；和从上述第2部分向上述连接部扩展的第2壁面区划，

上述第1壁面区划的高度小于上述第2壁面区划的高度。

发明的效果

根据本发明的实施方式的蒸镀掩模，能够抑制蒸镀掩模产生变形等不良情况，同时能够抑制阴影的产生。

附图说明

图1是示出具备本发明的一个实施方式的蒸镀掩模装置的蒸镀装置的图。

图2是示出利用图1所示的蒸镀掩模装置制造的有机EL显示装置的截面图。

图3是示出本发明的一个实施方式的蒸镀掩模装置的俯视图。

图4A是示出从第1面侧观察图3的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的有效区域时的俯视图。

图4B是示出从第2面侧观察图3的蒸镀掩模装置的蒸镀掩模的有效区域时的俯视图。

图5是沿着图4A的V-V线的截面图。

图6是沿着图4A的VI-VI线的截面图。

图7是沿着图4A的VII-VII线的截面图。

图8是将蒸镀掩模的贯通孔的第1端放大示出的俯视图。

图9是沿着图8的IX-IX线的截面图。

图10是沿着图8的X-X线的截面图。

图11是用于说明测定蒸镀掩模的贯通孔的第1壁面的高度的方法的图。

图12是用于说明测定蒸镀掩模的贯通孔的第1壁面的高度的方法的图。

图13是示出有机EL显示装置的一例的俯视图。

图14是沿着图13的XIV-XIV线的截面图。

图15是用于整体上说明蒸镀掩模的制造方法的一例的示意图。

图16是示出在金属板上形成抗蚀剂膜的工序的图。

图17是示出将抗蚀剂膜图案化的工序的图。

图18是示出第1面蚀刻工序的图。

图19是示出第2面蚀刻工序的图。

图20是示出第2面蚀刻工序的图。

图21是示出设置于金属板的第2面的第2抗蚀剂图案的俯视图。

图22是示出在金属板中的第2抗蚀剂图案的第1部分之间进行的第2面蚀刻工序的截面图。

图23是示出在金属板中的第2抗蚀剂图案的第1部分之间进行的第2面蚀刻工序的截面图。

图24是示出在金属板中的第2抗蚀剂图案的第2部分之间进行的第2面蚀刻工序的截面图。

图25是示出在金属板中的第2抗蚀剂图案的第2部分之间进行的第2面蚀刻工序的截面图。

图26是用于说明测定蒸镀掩模的贯通孔的第1壁面的高度的方法的另一例的图。

图27是示出有机EL显示装置的第1变形例的俯视图。

图28A是示出有机EL显示装置的第2变形例的俯视图。

图28B是示出有机EL显示装置的第2变形例的另一例的俯视图。

图29是将为了形成图28A的有机EL显示装置的第2蒸镀层而使用的蒸镀掩模的贯通孔的第1端放大示出的俯视图。

图30是示出有机EL显示装置的第3变形例的俯视图。

图31是将为了形成图30的有机EL显示装置的第1蒸镀层而使用的蒸镀掩模的贯通孔的第1端放大示出的俯视图。

图32是示出蒸镀掩模的贯通孔的第1端的俯视图。

图33是示出图32的贯通孔的第1端的第1部分的截面图。

图34是示出图32的贯通孔的第1端的第2部分的截面图。

图35是将蒸镀掩模的贯通孔的第1端的一个变形例放大示出的俯视图。

图36是示出实施例1～3和比较例1～2的结果的图。

具体实施方式

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”、“膜”等意味着成为某种构成的基础的物质的术语并不是仅基于称呼的差异来相互区分的。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，关于指定形状或几何学的条件以及它们的程度的、例如“平行”、“正交”等术语和长度、角度的值等，不限于严格的含义，包括可期待同样功能的程度的范围来进行解释。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某一部件或某一区域等的某一构成处于另一部件或另一区域等的另一构成之“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一构成直接接触另一构成的情况。进而，还包括在某一构成与另一构成之间包含其他构成的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”、或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以颠倒。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对相同部分或具有同样功能的部分标注相同的符号或相似的符号，并有时省略其重复说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，或者有时从附图中省略一部分构成。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式或变形例组合。另外，其他实施方式彼此或其他实施方式与变形例也可以在不产生矛盾的范围内进行组合。另外，变形例彼此也可以在不产生矛盾的范围内进行组合。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开了多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其他工序。另外，所公开的工序的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，由符号“～”表述的数值范围包括置于符号“～”前后的数值。例如，由“34～38质量％”这样的表述界定的数值范围与由“34质量％以上且38质量％以下”这样的表述界定的数值范围相同。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在本说明书的一个实施方式中，举例对用于在制造有机EL显示装置时将有机材料以所期望的图案在基板上图案化而使用的蒸镀掩模及其制造方法进行说明。但是，并不限于这样的应用，可以对各种用途中使用的蒸镀掩模应用本实施方式。例如，本实施方式的掩模可以用于制造用于显示或投影用于表现虚拟现实(所谓VR)或增强现实(所谓AR)的图像或屏幕图像的装置。

本发明的第1方式为一种蒸镀掩模，其为具有贯通孔的蒸镀掩模，其具备：

第1面；

第2面，位于上述第1面的相反侧；和

壁面，包括作为位于上述第1面的端部的第1端、和作为位于上述第2面的端部的第2端，

上述壁面划定出上述贯通孔，

上述壁面包括：从上述第1端向上述第2面扩展的第1壁面；从上述第2端向上述第1面扩展的第2壁面；和连接上述第1壁面与上述第2壁面的连接部，

沿着上述第1面的法线方向从上述第1面侧观察上述贯通孔时，上述贯通孔的上述第1端包括：沿第1方向延伸并具有第1尺寸的第1部分；和沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸并具有比第1尺寸短的第2尺寸的第2部分，

上述第1壁面包括：从上述第1部分向上述连接部扩展的第1壁面区划；和从上述第2部分向上述连接部扩展的第2壁面区划，

上述第1壁面区划的高度小于上述第2壁面区划的高度。

本发明的第2方式为，在上述第1方式的蒸镀掩模中，上述第2尺寸可以比上述第1尺寸短2μm以上，

上述第1壁面区划的高度可以比上述第2壁面区划的高度小1μm以上。

本发明的第3方式为，在上述第1方式或第2方式的蒸镀掩模中，沿着上述第1面的法线方向从上述第1面侧观察上述贯通孔时，在与上述第1方向正交的方向上相邻的两个上述贯通孔之间的间隔即第1间隔可以大于在与上述第2方向正交的方向上相邻的两个上述贯通孔之间的间隔即第2间隔。

本发明的第4方式为，在上述第3方式的蒸镀掩模中，上述第1间隔与上述第2间隔之差可以为2μm以上。

本发明的第5方式为，在上述第3方式的蒸镀掩模中，上述第1间隔与上述第2间隔之差可以为5μm以上。

本发明的第6方式为，在上述第3方式～第5方式的蒸镀掩模中，上述第1间隔与上述第2间隔之差可以为100μm以下。

本发明的第7方式为，在上述第1方式～第6方式的蒸镀掩模中，包含上述第1部分的中央部并与上述第1方向正交的截面处的上述壁面的高度即第1高度、以及包含上述第2部分的中央部并与上述第2方向正交的截面处的上述壁面的高度即第2高度可以小于上述蒸镀掩模的厚度。

本发明的第8方式为，在上述第7方式的蒸镀掩模中，上述第1高度与上述第2高度之差可以为上述蒸镀掩模的厚度的0.3倍以上。

本发明的第9方式为，在上述第7方式或第8方式的蒸镀掩模中，上述第1高度与上述第2高度之差可以为上述蒸镀掩模的厚度的0.7倍以下。

本发明的第10方式为，在上述第1方式～第9方式的蒸镀掩模中，上述第1壁面区划的高度、以及上述第2壁面区划的高度可以为5μm以下。

本发明的第11方式为，在上述第1方式～第10方式的蒸镀掩模中，蒸镀掩模的厚度可以为50μm以下，也可以为30μm以下。

本发明的第12方式为一种蒸镀掩模的制造方法，其为具有贯通孔的蒸镀掩模的制造方法，其中，该蒸镀掩模的制造方法具备：

准备金属板的工序，该金属板具有第1面、和位于上述第1面的相反侧的第2面；和

蚀刻工序，对上述金属板进行蚀刻，由此在上述金属板形成上述贯通孔，

上述贯通孔具备壁面，该壁面包括作为位于上述第1面侧的端部的第1端、和作为位于上述第2面侧的端部的第2端，

上述壁面包括：从上述第1端向上述第2面扩展的第1壁面；从上述第2端向上述第1面扩展的第2壁面；和连接上述第1壁面与上述第2壁面的连接部，

上述蚀刻工序包括：第1面蚀刻工序，利用蚀刻液对上述第1面进行蚀刻，由此形成上述第1壁面；和第2面蚀刻工序，利用蚀刻液对上述第2面进行蚀刻，由此形成上述第2壁面，

沿着上述第1面的法线方向从上述第1面侧观察上述贯通孔时，上述贯通孔的上述第1端包括：沿第1方向延伸并具有第1尺寸的第1部分；和沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸并具有比第1尺寸短的第2尺寸的第2部分，

上述第1壁面包括：从上述第1部分向上述连接部扩展的第1壁面区划；和从上述第2部分向上述连接部扩展的第2壁面区划，

上述第1壁面区划的高度小于上述第2壁面区划的高度。

本发明的第13方式为，在上述第12方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述第2尺寸可以比上述第1尺寸短2μm以上，

上述第1壁面区划的高度可以比上述第2壁面区划的高度小1μm以上。

本发明的第14方式为，在上述第12方式或第13方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述第2面蚀刻工序可以包括利用蚀刻液对未被第2抗蚀剂图案覆盖的上述第2面的区域进行蚀刻的工序，

上述第2抗蚀剂图案可以包括：沿上述第1端的上述第1部分延伸并具有第1宽度的抗蚀剂第1部分；和沿上述第1端的上述第2部分延伸并具有第2宽度的抗蚀剂第2部分，

上述第1宽度可以大于上述第2宽度。

本发明的第15方式为，在上述第14方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述第1宽度与上述第2宽度之差可以为2μm以上。

本发明的第16方式为，在上述第14方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述第1宽度与上述第2宽度之差可以为5μm以上。

本发明的第17方式为，在上述第14方式～第16方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述第1宽度与上述第2宽度之差可以为100μm以下。

本发明的第18方式为，在上述第14方式～第17方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述第2面蚀刻工序可以实施至在上述金属板与上述抗蚀剂第1部分和上述抗蚀剂第2部分之间形成间隙为止。

本发明的第19方式为，在上述第12方式～第18方式的蒸镀掩模的制造方法中，上述金属板的厚度可以为50μm以下，也可以为30μm以下。

以下，参照附图详细地对本发明的一个实施方式进行说明。需要说明的是，以下所示的实施方式为本发明的实施方式的一例，本发明并不仅限于这些实施方式来进行解释。

首先，参照图1对于在对象物上实施蒸镀材料的蒸镀的蒸镀处理的蒸镀装置90进行说明。如图1所示，蒸镀装置90可以在其内部具备蒸镀源94、加热器96以及蒸镀掩模装置10。另外，蒸镀装置90可以进一步具备用于使蒸镀装置90的内部形成真空气氛的排气单元。蒸镀源94例如为坩埚，可以容纳有机发光材料等蒸镀材料98。加热器96对坩埚94进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料98蒸发。蒸镀掩模装置10可以按照与蒸镀源94对置的方式配置。

以下，对蒸镀掩模装置10进行说明。如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具备至少一个蒸镀掩模20和支撑蒸镀掩模20的框架15。框架15能够将蒸镀掩模20以沿其面方向拉伸的状态进行支撑，以抑制蒸镀掩模20挠曲。如图1所示，蒸镀掩模装置10可以按照蒸镀掩模20与作为附着蒸镀材料98的对象物的基板、例如有机EL基板92面对的方式配置在蒸镀装置90内。蒸镀掩模20可以具有从蒸镀源使蒸镀材料98通过的多个贯通孔25。在以下的说明中，将蒸镀掩模20的面中位于有机EL基板92等附着蒸镀材料98的基板侧的面称为第1面20a，将位于第1面20a的相反侧的面称为第2面20b。

如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具备配置在有机EL基板92的与蒸镀掩模20相反一侧的面上的磁铁93。通过设置磁铁93，利用磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引，能够使蒸镀掩模20与有机EL基板92密合。由此，能够在蒸镀工序中抑制阴影产生，能够提高附着于有机EL基板92的蒸镀材料98的尺寸精度及位置精度。另外，也可以使用利用静电力的静电夹头使蒸镀掩模20与有机EL基板92密合。

图3是示出从蒸镀掩模20的第1面20a侧观察蒸镀掩模装置10时的俯视图。如图3所示，蒸镀掩模装置10可以具备多个蒸镀掩模20。本实施方式中，各蒸镀掩模20可以具有沿一个方向延伸的矩形形状。在蒸镀掩模装置10中，多个蒸镀掩模20可以在与蒸镀掩模20的长度方向交叉的宽度方向上排列。各蒸镀掩模20在蒸镀掩模20的长度方向的两端部例如通过焊接被固定于框架15。另外，虽未图示，但蒸镀掩模装置10也可以具备被固定于框架15并在蒸镀掩模20的厚度方向与蒸镀掩模20部分重叠的部件。作为这种部件的示例，可以举出：在与蒸镀掩模20的长度方向交叉的方向上延伸并对蒸镀掩模20进行支撑的部件；与相邻的两个蒸镀掩模之间的间隙重叠的部件；等。

图2是示出使用图1的蒸镀装置90制造的有机EL显示装置100的截面图。有机EL显示装置100可以具备有机EL基板92和包含以图案状设置的蒸镀材料98的蒸镀层99。需要说明的是，在图2的有机EL显示装置100中，省略了对蒸镀层99施加电压的电极、用于促进空穴或电子等载流子的移动的层等。另外，在有机EL基板92上以图案状设置蒸镀层99的蒸镀工序之后，可以在图2的有机EL显示装置100进一步设置有机EL显示装置的其他构成要素。因此，图2的有机EL显示装置100也可以称为有机EL显示装置的中间体。

在想要利用多种颜色进行彩色显示的情况下，可以分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模20的蒸镀装置90，将有机EL基板92依次投入各蒸镀装置90中。由此，例如，能够在有机EL基板92上依次蒸镀红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料。

蒸镀处理有时在成为高温气氛的蒸镀装置90的内部实施。该情况下，在蒸镀处理的期间，保持于蒸镀装置90的内部的蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92也被加热。此时，蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92显示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化行为。该情况下，若蒸镀掩模20或框架15与有机EL基板92的热膨胀系数有大幅差异，则会产生由它们的尺寸变化的差异引起的位置偏移，其结果，附着在有机EL基板92上的蒸镀材料的尺寸精度、位置精度降低。

为了解决这样的课题，优选蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数为与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。例如，在使用玻璃基板作为有机EL基板92的情况下，作为蒸镀掩模20和框架15的主要材料，可以使用包含镍的铁合金。铁合金除了包含镍以外可以进一步包含钴。例如，作为构成蒸镀掩模20的金属板的材料，可以使用镍和钴的含量总计为30质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为包含镍或镍和钴的铁合金的具体例，可以举出包含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材料、除了包含30质量％以上且34质量％以下的镍以外还进一步包含钴的超因瓦合金材料、包含38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。

需要说明的是，在蒸镀处理时蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92的温度未达到高温的情况下，没有特别地使蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数与有机EL基板92的热膨胀系数为同等的值的必要。该情况下，作为构成蒸镀掩模20的材料，可以使用上述铁合金以外的材料。例如，可以使用包含铬的铁合金等上述包含镍的铁合金以外的铁合金。作为包含铬的铁合金，例如可以使用称为所谓不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。

首先，对边缘部17a、17b进行详细说明。边缘部17a、17b是蒸镀掩模20中固定于框架15的部分。第1边缘部17a包含作为蒸镀掩模20的长度方向上的一端的第1端部20e。第2边缘部17b包含作为蒸镀掩模20的长度方向上的另一端的第2端部20f。

本实施方式中，边缘部17a、17b与中间部18一体地构成。需要说明的是，边缘部17a、17b也可以由与中间部18分开的部件构成。该情况下，边缘部17a、17b例如通过焊接与中间部18接合。

接着，对中间部18进行说明。中间部18包含形成有从第1面20a至第2面20b的贯通孔25的至少1个有效区域22、以及包围有效区域22的周围区域23。有效区域22是蒸镀掩模20中与有机EL基板92的显示区域面对的区域。

在图3所示的例中，中间部18包含沿着蒸镀掩模20的长度方向空出规定间隔而排列的多个有效区域22。一个有效区域22对应于一个有机EL显示装置100的显示区域。因此，根据图1所示的蒸镀掩模装置10，能够进行有机EL显示装置100的逐段重复蒸镀(多面付蒸着)。需要说明的是，也有一个有效区域22对应于多个显示区域的情况。另外，虽未图示，但在蒸镀掩模20的宽度方向也可以空出规定间隔而排列有多个有效区域22。

如图3所示，有效区域22具有例如在俯视时为近似四边形形状、更准确地说在俯视时为近似矩形的轮廓。需要说明的是，虽未进行图示，但各有效区域22可以根据有机EL基板92的显示区域的形状具有各种形状的轮廓。例如各有效区域22可以具有圆形的轮廓。

以下，对有效区域22进行详细说明。图4A是示出从第1面20a侧观察蒸镀掩模20的有效区域22时的俯视图，图4B是示出从第2面20b侧观察蒸镀掩模20的有效区域22时的俯视图。另外，图5～图7分别是图4A的有效区域22的沿着V-V方向～VII-VII方向的截面图。具体而言，图5是沿着与贯通孔25的后述第1端32的第1部分32a延伸的方向正交并且通过第1部分32a的中央部的直线将蒸镀掩模20的有效区域22切断时的截面图。另外，图6是沿着与贯通孔25的后述第1端32的第2部分32b延伸的方向正交并且通过第2部分32b的中央部的直线将蒸镀掩模20的有效区域22切断时的截面图。另外，图7是沿着通过连结贯通孔25的第1部分32a与第2部分32b的连结部的直线将蒸镀掩模20的有效区域22切断时的截面图。

沿着蒸镀掩模20的第1面20a或第2面20b的法线方向观察有效区域22时，多个贯通孔25中的至少一部分沿着相互交叉的第1方向D1和第2方向D2分别以规定的间距排列。在图4A和图4B所示的示例中，多个贯通孔25沿着相互正交的第1方向D1和第2方向D2分别以规定的间距排列。第1方向D1可以与蒸镀掩模20的长度方向或宽度方向一致。第1方向D1也可以相对于蒸镀掩模20的长度方向或宽度方向倾斜。例如，第1方向D1可以相对于蒸镀掩模20的长度方向以45度倾斜。

如图5～图7所示，多个贯通孔25从作为沿着蒸镀掩模20的法线方向N的一侧的第1面20a侧向作为沿着蒸镀掩模20的法线方向N的另一侧的第2面20b侧贯通。贯通孔25由壁面26划定出，该壁面26包括作为位于第1面20a的端部的第1端32和作为位于第2面20b的端部的第2端37。壁面26从第1面20a的一侧向第2面20b的一侧扩展。

贯通孔25的壁面26包括：位于第1面20a侧的第1壁面31、和位于第2面20b侧的第2壁面36。第1壁面31是从贯通孔25的第1端32向第2面20b扩展的面。第2壁面36是从连接部41向第2面20b扩展的面。第2壁面36通过连接部41与第1壁面31连接。如后所述，蒸镀掩模20由金属板51构成。第1壁面31是从第1面51a侧蚀刻金属板51时形成的第1凹部30的面。另外，第2壁面36是从第2面51b侧蚀刻金属板51时形成的第2凹部35的面。另外，连接部41是连接第1凹部30与第2凹部35的部分。

在连接部41，贯通孔25的壁面扩展的方向发生变化。例如，壁面扩展的方向不连续地发生变化。第1壁面31在连接部41扩展的方向与第2壁面36在连接部41扩展的方向所成的角度δ例如为100度以上。

如图5～图7所示，从蒸镀掩模20的第2面20b侧向第1面20a侧，沿着蒸镀掩模20的法线方向N的各位置处的蒸镀掩模20的沿板面的截面中的各第2凹部35的开口面积逐渐变小。同样地，沿着蒸镀掩模20的法线方向N的各位置处的蒸镀掩模20的沿板面的截面中的各第1凹部30的开口面积有时也从蒸镀掩模20的第1面20a侧向第2面20b侧逐渐变小。

第1凹部30的第1壁面31和第2凹部35的第2壁面36藉由周状的连接部41被连接。连接部41由第1壁面31与第2壁面36汇合的部分的棱线划定出。第1壁面31与第2壁面36汇合的部分也可以向贯通孔25的中心侧突出。在连接部41，第1壁面31可以相对于蒸镀掩模20的法线方向N倾斜。在连接部41，第2壁面36可以相对于蒸镀掩模20的法线方向N倾斜。本实施方式中，在连接部41，俯视时的贯通孔25的开口面积达到最小。需要说明的是，虽未图示，但也可以在连接部41以外的蒸镀掩模20的厚度方向的位置处使贯通孔25的开口面积达到最小。

如图5～图7所示，在蒸镀掩模20的第1面20a上，相邻的两个贯通孔25沿着蒸镀掩模20的第1面20a的面方向隔开。这样的贯通孔25可以如后述制造方法那样，按照在相邻的两个第1凹部30之间残存金属板51的第1面51a的方式对金属板51进行蚀刻而形成。金属板51的第1面51a对应于蒸镀掩模20的第1面20a。

在蒸镀掩模20的第2面20b侧，相邻的两个贯通孔25可以被连接，或者相邻的两个贯通孔25也可以沿着第2面20b的面方向隔开。在图5和图6所示的截面图中，相邻的两个贯通孔25的第2凹部35被连接。即，在相邻的两个第2凹部35之间未残留构成蒸镀掩模20的金属板51的第2面51b。另一方面，在图7所示的截面图中，相邻的两个贯通孔25沿着第2面20b的面方向隔开。即，在相邻的两个第2凹部35之间残留有金属板51的第2面51b。在以下的说明中，将位于有效区域22的金属板51中的第2面51b未被蚀刻而残留的部分也称为顶部43。

通过以残留顶部43的方式制作蒸镀掩模20，能够使蒸镀掩模20具有充分的强度。由此，例如能够在输送中等抑制蒸镀掩模20破损。

顺便提及，在使用蒸镀掩模20的蒸镀工序中，蒸镀材料98通过开口面积逐渐变小的第2凹部35而附着于有机EL基板92。蒸镀材料98的一部分从坩埚94朝向有机EL基板92沿着有机EL基板92的法线方向N移动。如图5中从第2面20b侧朝向第1面20a侧的箭头所示，蒸镀材料98的另一部分有时也沿着相对于有机EL基板92的法线方向N倾斜的方向移动。沿倾斜方向移动的蒸镀材料98的一部分在通过贯通孔25而到达有机EL基板92之前，到达并附着于第2凹部35的第2壁面36。附着于第2凹部35的第2壁面36的蒸镀材料98的比例越高，则蒸镀工序中的蒸镀材料98的利用效率越低。

图5中，通过连接部41和第2凹部35的第2壁面36的任意位置的直线K相对于蒸镀掩模20的法线方向N所成的最小角度用符号θ1表示。为了抑制倾斜移动的蒸镀材料98附着于第2壁面36，角度θ1优选大。角度θ1例如为30度以上，更优选为45度以上。

为了增大角度θ1，减小上述顶部43的宽度β是有效的。图7所示的顶部43的宽度β例如为10μm以下，也可以为5μm以下。

虽未进行图示，但也可以按照在图7的截面图中不残留顶部43的方式构成蒸镀掩模20。或者，也可以按照在图5和图6的截面图中残留顶部43的方式构成蒸镀掩模20。

另外，为了增大角度θ1，减小蒸镀掩模20的厚度T也是有效的。蒸镀掩模20的厚度T优选设定为50μm以下，例如设定为5μm以上且50μm以下。蒸镀掩模20的厚度T可以为30μm以下、可以为25μm以下、可以为20μm以下、可以为18μm以下、可以为15μm以下、也可以为13μm以下。通过减小蒸镀掩模20的厚度T，能够在蒸镀工序中抑制蒸镀材料98碰撞第1凹部30的第1壁面31、第2凹部35的第2壁面36。另外，蒸镀掩模20的厚度T可以为2μm以上、可以为5μm以上、可以为10μm以上、也可以为15μm以上。需要说明的是，蒸镀掩模20的厚度T为周围区域23的厚度。即，蒸镀掩模20的厚度T是蒸镀掩模20中未形成第1凹部30和第2凹部35的部分的厚度。因此，蒸镀掩模20的厚度T也可以说为蒸镀掩模20的金属板51的厚度。

蒸镀掩模20的厚度T的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为2μm以上50μm以下、可以为5μm以上30μm以下、可以为10μm以上25μm以下、也可以为15μm以上20μm以下。另外，蒸镀掩模20的厚度T的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为2μm以上15μm以下、可以为2μm以上10μm以下、可以为5μm以上15μm以下、也可以为5μm以上10μm以下。另外，蒸镀掩模20的厚度T的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为20μm以上50μm以下、可以为20μm以上30μm以下、可以为25μm以上50μm以下、也可以为25μm以上30μm以下。

顺便提及，即使在按照上述角度θ1充分变大的方式构成蒸镀掩模20的情况下，在贯通孔25的第1端32的附近，蒸镀材料98也会由于阴影而难以附着于有机EL基板92。因此，由附着于有机EL基板92的蒸镀材料98构成的蒸镀层99的厚度会产生偏差。例如，沿着蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向观察时，位于贯通孔25的第1端32的附近的蒸镀层99的厚度会小于位于贯通孔25的中央部的蒸镀层99的厚度。以下，参照图8～图10，对这种课题以及解决课题的手段进行详细说明。

图8是示出蒸镀掩模20的多个贯通孔25的第1端32的轮廓的俯视图。图8中，由虚线假设性地描绘出在组合到蒸镀掩模20的有机EL基板92上所形成的蒸镀层99。

本实施方式的蒸镀掩模20中，如图8所示，贯通孔25的第1端32包括：沿第1方向D1延伸的一对第1部分32a、和沿第2方向D2延伸的一对第2部分32b。如图8所示，第1部分32a具有第1尺寸L1，第2部分32b具有第2尺寸L2。第1尺寸L1为第1方向D1上的第1部分32a的尺寸。第2尺寸L2为第2方向D2上的第2部分32b的尺寸。如图8所示，第2尺寸L2短于第1尺寸L1。另外，在图8所示的示例中，第1方向D1与第2方向D2正交。因此，图8所示的第1端32的轮廓是将第1部分32a作为长边、将第2部分32b作为短边的矩形。

第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1与第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2之差例如为2μm以上、可以为4μm以上、可以为6μm以上、也可以为8μm以上。另外，第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1与第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2之差例如为300μm以下、可以为200μm以下、可以为150μm以下、也可以为100μm以下。

第1尺寸L1与第2尺寸L2之差的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为2μm以上300μm以下、可以为4μm以上200μm以下、可以为6μm以上150μm以下、也可以为8μm以上100μm以下。另外，第1尺寸L1与第2尺寸L2之差的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为2μm以上8μm以下、可以为2μm以上6μm以下、可以为4μm以上8μm以下、也可以为4μm以上6μm以下。另外，第1尺寸L1与第2尺寸L2之差的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为100μm以上300μm以下、可以为100μm以上200μm以下、可以为150μm以上300μm以下、也可以为150μm以上200μm以下。

第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1例如为17μm以上、可以为22μm以上、可以为27μm以上、也可以为32μm以上。另外，第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1例如为350μm以下、可以为300μm以下、可以为250μm以下、也可以为200μm以下。第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2例如为15μm以上、可以为20μm以上、可以为25μm以上、也可以为30μm以上。另外，第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2例如为150μm以下、可以为130μm以下、可以为110μm以下、也可以为100μm以下。

第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为17μm以上350μm以下、可以为22μm以上300μm以下、可以为27μm以上250μm以下、也可以为32μm以上200μm以下。另外，第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为17μm以上32μm以下、可以为17μm以上27μm以下、可以为22μm以上32μm以下、也可以为22μm以上27μm以下。另外，第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为200μm以上350μm以下、可以为200μm以上300μm以下、可以为250μm以上350μm以下、也可以为250μm以上300μm以下。

第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为15μm以上150μm以下、可以为20μm以上130μm以下、可以为25μm以上110μm以下、也可以为30μm以上100μm以下。另外，第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为15μm以上30μm以下、可以为15μm以上25μm以下、可以为20μm以上30μm以下、也可以为20μm以上25μm以下。另外，第1端32的第2部分32b的第2尺寸L2的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为100μm以上150μm以下、可以为100μm以上130μm以下、可以为110μm以上150μm以下、也可以为110μm以上130μm以下。

图8中，符号C1表示在与第1方向D1正交的方向上按照第1部分32a相向的方式相邻的两个贯通孔25的第1端32之间的间隔。也将间隔C1称为第1间隔。另外，符号C2表示在与第2方向D2正交的方向上按照第2部分32b相向的方式相邻的两个贯通孔25的第1端32之间的间隔。也将间隔C2称为第2间隔C2。第1间隔C1可以大于第2间隔C2。第1间隔C1与第2间隔C2之差例如为0μm以上、可以为2μm以上、可以为5μm以上、可以为10μm以上、也可以为15μm以上。另外，第1间隔C1与第2间隔C2之差例如为260μm以下、可以为200μm以下、可以为150μm以下、可以为100μm以下、可以为50μm以下、可以为30μm以下、也可以为20μm以下。

第1间隔C1与第2间隔C2之差的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为0μm以上260μm以下、可以为2μm以上200μm以下、可以为5μm以上200μm以下、可以为10μm以上150μm以下、可以为15μm以上100μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上30μm以下、也可以为15μm以上20μm以下。另外，第1间隔C1与第2间隔C2之差的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0μm以上15μm以下、可以为0μm以上10μm以下、可以为2μm以上15μm以下、可以为2μm以上10μm以下、可以为5μm以上15μm以下、也可以为5μm以上10μm以下。另外，第1间隔C1与第2间隔C2之差的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为20μm以上250μm以下、可以为30μm以上250μm以下、可以为50μm以上250μm以下、可以为100μm以上250μm以下、可以为100μm以上200μm以下、可以为150μm以上260μm以下、也可以为150μm以上200μm以下。

第1间隔C1例如为30μm以上、可以为35μm以上、可以为40μm以上、也可以为45μm以上。另外，第1间隔C1例如为350μm以下、可以为300μm以下、可以为250μm以下、也可以为200μm以下。第2间隔C2例如为15μm以上、可以为20μm以上、可以为25μm以上、也可以为30μm以上。另外，第2间隔C2例如为150μm以下、可以为130μm以下、可以为110μm以下、也可以为100μm以下。

第1间隔C1的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为30μm以上350μm以下、可以为35μm以上300μm以下、可以为40μm以上250μm以下、也可以为45μm以上200μm以下。另外，第1间隔C1的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为30μm以上45μm以下、可以为30μm以上40μm以下、可以为35μm以上45μm以下、也可以为35μm以上40μm以下。另外，第1间隔C1的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为200μm以上350μm以下、可以为200μm以上300μm以下、可以为250μm以上350μm以下、也可以为250μm以上300μm以下。

第2间隔C2的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为15μm以上150μm以下、可以为20μm以上130μm以下、可以为25μm以上110μm以下、也可以为30μm以上100μm以下。另外，第2间隔C2的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为15μm以上30μm以下、可以为15μm以上25μm以下、可以为20μm以上30μm以下、也可以为20μm以上25μm以下。另外，第2间隔C2的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为100μm以上150μm以下、可以为100μm以上130μm以下、可以为110μm以上150μm以下、也可以为110μm以上130μm以下。

如图8所示，第1端32可以包含连结第1部分32a与第2部分32b的连结部32r。连结部32r可以沿与第1方向D1和第2方向D2不同的方向延伸。在图8所示的示例中，连结部32r具有弯曲的形状。第1端32包含连结部32r的情况下，第1部分32a和第2部分32b的尺寸基于与第1端32外接的多边形的边的尺寸而算出。例如，第1部分32a的第1尺寸L1是包括沿第1方向D1延伸的一对边和沿第2方向D2延伸的一对边并且与第1端32外接的四边形32p的沿第1方向D1延伸的边的长度。另外，第2部分32b的第2尺寸L2是与第1端32外接的上述四边形32p的沿第2方向D2延伸的边的长度。

图8中，符号L3表示第1方向D1上的蒸镀层99的尺寸，符号L4表示第2方向D2上的蒸镀层99的尺寸。在第1端32的附近，由于阴影而使蒸镀材料98在有机EL基板92上的附着受到阻碍，因此蒸镀层99的轮廓有时小于第1端32的轮廓。例如，第1方向D1上的蒸镀层99的尺寸L3有时小于蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32的第1尺寸L1。同样地，第2方向D2上的蒸镀层99的尺寸L4有时小于蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32的第2尺寸L2。需要说明的是，虽未进行图示，但蒸镀层99的轮廓可以与第1端32的轮廓相同，或者也可以大于第1端32的轮廓。

图9和图10分别是图8的有效区域22的沿着IX-IX方向和X-X方向的截面图。具体而言，图9是沿着与第1端32的第1部分32a延伸的第1方向D1正交并且通过第1部分32a的中央部32ac的直线将蒸镀掩模20的有效区域22切断时的截面图。另外，图10是沿着与第1端32的第2部分32b延伸的第2方向D2正交并且通过第2部分32b的中央部32bc的直线将蒸镀掩模20的有效区域22切断时的截面图。

在图9和图10中，示出了在组合到蒸镀掩模20的有机EL基板92上所形成的蒸镀层99的一例。在图9和图10中，符号E1表示形成于有机EL基板92的蒸镀层99中的、沿着蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向观察时与贯通孔25的中心重叠的中央部99c的厚度。蒸镀层99中位于贯通孔25的第1端32的附近的部分的厚度由于阴影而小于中央部99c的厚度E1。

为了使蒸镀层99发挥出所期望的功能，优选具有所期望的厚度。例如，蒸镀层99为放射光的发光层的情况下，蒸镀层99中具有所期望的厚度E2以上的厚度的部分能够在施加工作电压时放射光。换言之，蒸镀层99中具有小于E2的厚度的部分在施加工作电压时无法放射光。在以下的说明中，也将具有厚度E2的蒸镀层99中位于最靠近第1端32侧的部分称为有效边缘部99e。另外，也将蒸镀层99中被有效边缘部99e包围的部分的面积称为有效面积。

随着有机EL显示装置等显示装置的像素密度提高，分配到1个像素的面积减少，蒸镀掩模20的一个贯通孔25的面积也减少。另外，从1个像素的发光层射出的光的光度也减少。该情况下，作为使光的光度增加的方法，考虑了提高对发光层施加的电压。但是，若提高电压，则放热量增加、发光层的可靠性降低。例如，发光层的寿命缩短。

为了在贯通孔25的面积受限的条件下提高从1个发光层射出的光的光度，优选增大对蒸镀层99施加电压的电极的面积。为了增大电极的面积，优选增大形成于贯通孔25的第1端32的内侧的蒸镀层99的有效面积。作为用于增大蒸镀层99的有效面积的手段，考虑了减小贯通孔25的壁面26的高度，抑制阴影的产生。但是，若过度减小壁面26的高度，则蒸镀掩模20的强度降低，容易发生蒸镀掩模20的损伤、变形等。

考虑到这种问题，本实施方式中，提出使第1壁面区划31a的高度H1小于第2壁面区划31b的高度H2。如图9所示，第1壁面区划31a是贯通孔25的壁面26的第1壁面31中与第1端32的第1部分32a连接的部分。第1壁面区划31a从第1部分32a向连接部41扩展。如图10所示，第2壁面区划31b是第1壁面31中与第1端32的第2部分32b连接的部分。第2壁面区划31b从第2部分32b向连接部41扩展。通过使第1壁面区划31a的高度H1小于第2壁面区划31b的高度H2，能够使第1端32的第1部分32a附近的蒸镀层99的厚度大于第2部分32b附近的蒸镀层99的厚度。因此，如图9和图10所示，能够使从第1端32的第1部分32a至蒸镀层99的有效边缘部99e的蒸镀掩模20的面方向上的距离K1小于从第1端32的第2部分32b至蒸镀层99的有效边缘部99e的蒸镀掩模20的面方向上的距离K2。

本实施方式中，蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32的第1部分32a的第1尺寸L1大于第2部分32b的第2尺寸L2。因此，蒸镀层99中沿第1部分32a延伸的边的尺寸L3也大于蒸镀层99中沿第2部分32b延伸的边的尺寸L4。此处，假定了通过减小贯通孔25的第1壁面31的高度而抑制阴影，能够使蒸镀层99的有效边缘部99e与第1端32之间的间隔距离K减小ΔK。间隔距离K的减少在蒸镀层99中沿第1部分32a延伸的边得到实现的情况下，蒸镀层99的有效面积增加ΔK×L3×2。另一方面，间隔距离K的减少在蒸镀层99中沿第2部分32b延伸的边得到实现的情况下，蒸镀层99的有效面积增加ΔK×L4×2。如上所述，本实施方式中，尺寸L3大于尺寸L4。因此，为了增加蒸镀层99的有效面积，在蒸镀层99中沿第1部分32a延伸的边实现间隔距离K的减少是有利的。

本实施方式中，第1壁面区划31a的高度H1小于第2壁面区划31b的高度H2。因此，与高度H1和高度H2相等的情况相比，能够进一步减小从第1端32的第1部分32a至蒸镀层99的有效边缘部99e的距离K1。因此，能够有效地增加蒸镀层99的有效面积。另外，通过使高度H2大于高度H1，能够将蒸镀掩模20中沿着第1端32的第2部分32b的部分作为用于确保蒸镀掩模20的强度的部分而进行利用。由此，能够在增加蒸镀层99的有效面积的同时抑制蒸镀掩模20的损伤、变形等的产生。

高度H1与高度H2之差例如为1μm以上、可以为1.5μm以上、可以为2μm以上、也可以为2.5μm以上。另外，高度H1与高度H2之差例如为10μm以下、可以为8μm以下、可以为6μm以下、也可以为4μm以下。

高度H1与高度H2之差的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为1μm以上10μm以下、可以为1.5μm以上8μm以下、可以为2μm以上6μm以下、也可以为2.5μm以上4μm以下。另外，高度H1与高度H2之差的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为1μm以上2.5μm以下、可以为1μm以上2μm以下、可以为1.5μm以上2.5μm以下、也可以为1.5μm以上2μm以下。另外，高度H1与高度H2之差的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为4μm以上10μm以下、可以为4μm以上8μm以下、可以为6μm以上10μm以下、也可以为6μm以上8μm以下。

高度H1例如为0μm以上、可以为0.5μm以上、可以为1μm以上、也可以为1.5μm以上。另外，高度H1例如为5μm以下、可以为4μm以下、可以为3.5μm以下、也可以为3μm以下。高度H2例如为1μm以上、可以为1.5μm以上、可以为2μm以上、也可以为2.5μm以上。另外，高度H2例如为10μm以下、可以为8μm以下、可以为6μm以上、也可以为5μm以上。

高度H1的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为0μm以上5μm以下、可以为0.5μm以上4μm以下、可以为1μm以上3.5μm以下、也可以为1.5μm以上3μm以下。另外，高度H1的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0μm以上1.5μm以下、可以为0μm以上1μm以下、可以为0.5μm以上1.5μm以下、也可以为0.5μm以上1μm以下。另外，高度H1的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为3μm以上5μm以下、可以为3μm以上4μm以下、可以为3.5μm以上5μm以下、也可以为3.5μm以上4μm以下。

高度H2的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为1μm以上10μm以下、可以为1.5μm以上8μm以下、可以为2μm以上6μm以下、也可以为2.5μm以上5μm以下。另外，高度H2的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为1μm以上2.5μm以下、可以为1μm以上2μm以下、可以为1.5μm以上2.5μm以下、也可以为1.5μm以上2μm以下。另外，高度H2的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为5μm以上10μm以下、可以为5μm以上8μm以下、可以为6μm以上10μm以下、也可以为6μm以上8μm以下。

以下，对高度H1和H2的测定方法进行说明。在此，如图11所示，对多个有效区域22沿着蒸镀掩模20的长度方向排列的情况进行说明。首先，在蒸镀掩模20的有效区域22的多个***位P，采集用于测定高度H1和H2的样品20s。例如，如图11所示，在蒸镀掩模20的长度方向上排列的多个有效区域22中位于最靠近第1端部20e侧的有效区域22的多个***位P，分别采集第1样品和第2样品。第1样品是用于测定高度H1的样品。第2样品是用于测定高度H2的样品。另外，在蒸镀掩模20的长度方向上排列的多个有效区域22中位于最靠近第2端部20f侧的有效区域22的多个***位P，分别采集第1样品和第2样品。另外，在位于最靠近第1端部20e侧的有效区域22与位于最靠近第2端部20f侧的有效区域22的中间所存在的有效区域22的多个***位P，分别采集第1样品和第2样品。需要说明的是，在蒸镀掩模20的长度方向上排列有偶数个有效区域22的情况下，在位于最靠近第1端部20e侧的有效区域22与位于最靠近第2端部20f侧的两个有效区域22中的一个有效区域22的多个***位P，分别采集第1样品和第2样品。在有效区域22为四边形等多边形的情况下，1个有效区域22中的多个***位P例如设定于多边形的有效区域22的角部的附近以及有效区域22的中央部。

图12是示出用于测定高度H1的第1样品20s的第1壁面31和第2壁面36的侧视图。例如，如图4A所示，图12的第1样品20s用通过一对第2部分32b的切断线将蒸镀掩模20切断而得到。例如，如图4A所示，图12的侧视图通过用扫描型电子显微镜沿着箭头A的方向观察第1样品20s的第1壁面区划31a而得到。第1样品20s中的第1壁面31的高度H1是第1端32的第1部分32a的中央部32ac处的第1壁面31的高度。作为用于观察第1样品20s的第1壁面31的扫描型电子显微镜，可以使用Hitachi High-Technologies公司制造的FlexSEM1000。观察时的倍率为5,000倍。

在使用扫描型电子显微镜的观察工序中，首先，将第1样品20s配置于试样台的面上。此时，沿着试样台的面的法线方向观察时，按照可确认到第1样品20s的第1壁面31和第2壁面36的方式来配置第1样品20s。接着，使用扫描型电子显微镜观察第1样品20s。另外，在观察期间，调整扫描型电子显微镜相对于第1样品20s的角度，以确认不到第1样品20s的第1面20a和第2面20b。另外，确定第1样品20s中的第1部分32a的中央部32ac的位置。另外，以5,000倍观察第1样品20s，使用扫描型电子显微镜所具备的尺寸测定功能、即所谓的测长来测定第1壁面31的高度H1。

对于多个第1样品20s，基于上述方法测定第1壁面31的第1壁面区划31a的高度H1。接着，计算出多个第1样品20s中的第1壁面31的第1壁面区划31a的高度H1的平均值。将该平均值用作第1壁面区划31a的高度H1。

第2壁面区划31b的高度H2利用与高度H1相同的方法算出。例如，如图4A所示，第2样品用通过一对第1部分32a的切断线将蒸镀掩模20切断而得到。通过用显微镜沿着箭头B的方向观察第2样品的第2部分32b的第2壁面区划31b，对高度H2进行测定。另外，计算出多个样品中的第1壁面31的高度H2的平均值。

图9中，符号H11表示贯通孔25的壁面中与第1端32的第1部分32a的中央部32ac连接的部分的壁面整体的高度。也将高度H11称为第1高度。第1高度H11是包含第1部分32a的中央部32ac并与第1方向D1正交的蒸镀掩模20的截面处的贯通孔25的壁面的高度。另外，图10中，符号H12表示贯通孔25的壁面中与第1端32的第2部分32b的中央部32bc连接的部分的壁面整体的高度。也将高度H12称为第2高度。第2高度H12是包含第2部分32b的中央部32bc并与第2方向D2正交的蒸镀掩模20的截面处的贯通孔25的壁面的高度。优选的是，高度H11和高度H12均小于蒸镀掩模20的厚度T。高度H11和高度H12例如为1×T以下、可以为0.9×T以下、可以为0.8×T以下、也可以为0.7×T以下。另外，高度H11和高度H12例如为0.3×T以上、可以为0.4×T以上、可以为0.5×T以上、也可以为0.6×T以上。

高度H11和高度H12的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为0.3×T以上1×T以下、可以为0.4×T以上0.9×T以下、可以为0.5×T以上0.8×T以下、也可以为0.6×T以上0.7×T以下。另外，高度H11和高度H12的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0.3×T以上0.6×T以下、可以为0.3×T以上0.5×T以下、可以为0.4×T以上0.6×T以下、也可以为0.4×T以上0.5×T以下。另外，高度H11和高度H12的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0.7×T以上1×T以下、可以为0.7×T以上0.9×T以下、可以为0.8×T以上1×T以下、也可以为0.8×T以上0.9×T以下。

参照图13和图14，对具备包含长度不同的边的蒸镀层的有机EL显示装置100的示例进行说明。图13是从蒸镀层侧观察有机EL显示装置100时的俯视图。

有机EL显示装置100具备：放射第1颜色的光的第1蒸镀层99A；放射第2颜色的光的第2蒸镀层99B；以及放射第3颜色的光的第3蒸镀层99C。图13所示的第1蒸镀层99A是由本实施方式的蒸镀掩模20形成的包含长度不同的边的蒸镀层。在与第1方向D1正交的方向上相邻的两个第1蒸镀层99A的长边之间，存在第2蒸镀层99B或第3蒸镀层99C。另一方面，在与第2方向D2正交的方向上相邻的两个第1蒸镀层99A的短边之间，第2蒸镀层99B和第3蒸镀层99C均不存在。因此，两个第1蒸镀层99A的长边之间的间隔C3大于两个第1蒸镀层99A的短边之间的间隔C4。需要说明的是，在图13中，示出了蒸镀层99A、99B、99C中与电极重叠的部分。

第1颜色、第2颜色、第3颜色分别例如为蓝色、绿色和红色。构成放射蓝色的光的蒸镀层的有机材料具有比绿色用和红色用的有机材料短的寿命。因此，在蒸镀层的面积和施加到蒸镀层的电压相同的情况下，蓝色用的有机材料最早发生劣化。考虑到这种问题，如图13所示，优选使放射蓝色的光的第1蒸镀层99A的面积大于绿色用的第2蒸镀层99B的面积以及红色用的第3蒸镀层99C的面积。在图13所示的示例中，通过使放射蓝色的光的第1蒸镀层99A的一对边的长度大于另一对边的长度，第1蒸镀层99A的面积扩大。

图14是沿着图13的XIV-XIV线的截面图。如图14所示，在相邻的第1蒸镀层99A与第2蒸镀层99B之间可以设有像素分割层(Pixel Divided Layer：PDL)95。像素分割层95是用于界定在各像素中发挥功能的电极97的形状的层。像素分割层95的宽度G1基于蒸镀掩模20的贯通孔25的位置和形状的制造公差等来确定。

接着，主要参照图15～图20，对加工金属板51而制造蒸镀掩模20的方法进行说明。图15是示出使用金属板51制造蒸镀掩模20的制造装置70的图。首先，准备包含卷绕在轴部件52上的金属板51的卷绕体50。接着，将卷绕体50的金属板51从轴部件52放卷，将金属板51依次输送至图15所示的抗蚀剂膜形成装置71、曝光·显影装置72、蚀刻装置73、剥膜装置74和分离装置75。需要说明的是，图15中示出了通过将金属板51在其长度方向F1上输送而在装置之间移动的示例，但不限于此。例如，也可以将在抗蚀剂膜形成装置71中设有抗蚀剂膜的金属板51再次卷取到轴部件52上后，将卷绕体状态的金属板51供给到曝光·显影装置72。另外，也可以将设有在曝光·显影装置72中进行了曝光·显影处理的抗蚀剂膜的状态的金属板51再次卷取到轴部件52上后，将卷绕体状态的金属板51供给到蚀刻装置73。另外，也可以将在蚀刻装置73中进行了蚀刻的金属板51再次卷取到轴部件52上后，将卷绕体状态的金属板51供给到剥膜装置74。另外，也可以将在剥膜装置74中除去了后述树脂54等的金属板51再次卷取到轴部件52上后，将卷绕体状态的金属板51供给到分离装置75。

抗蚀剂膜形成装置71在金属板51的表面设置抗蚀剂膜。曝光·显影装置72通过对抗蚀剂膜实施曝光处理和显影处理，将抗蚀剂膜图案化而形成抗蚀剂图案。

蚀刻装置73将抗蚀剂图案作为掩模而对金属板51进行蚀刻，在金属板51形成贯通孔25。需要说明的是，本实施方式中，在金属板51形成与多张蒸镀掩模20对应的多个贯通孔25。换言之，在金属板51上分配出多张蒸镀掩模20。例如，按照在金属板51的宽度方向F2上排列多个有效区域22、并且在金属板51的长度方向F1上排列多个蒸镀掩模20用的有效区域22的方式，在金属板51形成大量的贯通孔25。剥膜装置74将抗蚀剂图案或后述的树脂54等为了保护金属板51中未被蚀刻的部分免受蚀刻液伤害而设置的构成要素剥离。

分离装置75实施分离工序，该工序中，从金属板51中分离出金属板51中与1张蒸镀掩模20对应的形成有多个贯通孔25的部分。如此，能够得到蒸镀掩模20。

以下，对蒸镀掩模20的制造方法的各工序进行详细说明。

首先，准备包含卷绕在轴部件52上的金属板51的卷绕体50。作为金属板51，例如使用由包含镍的铁合金构成的金属板。金属板51的厚度例如为5μm以上且50μm以下。作为制作具有所期望的厚度的金属板51的方法，可以采用轧制法、镀覆成膜法等。

接着，使用抗蚀剂膜形成装置71，在由放卷装置放卷的金属板51的第1面51a上和第2面51b上如图16所示那样形成抗蚀剂膜53a、53b。例如，将包含丙烯酸系光固性树脂等感光性抗蚀剂材料的干膜贴附到金属板51的第1面51a上和第2面51b上，由此形成抗蚀剂膜53a、53b。或者，也可以将包含负型的感光性抗蚀剂材料的涂布液涂布到金属板51的第1面51a上和第2面51b上，使涂布液干燥，由此形成抗蚀剂膜53a、53b。抗蚀剂膜53a、53b的厚度例如为15μm以下、可以为10μm以下、可以为6μm以下、也可以为4μm以下。另外，抗蚀剂膜53a、53b的厚度例如为1μm以上、可以为3μm以上、可以为5μm以上、也可以为7μm以上。抗蚀剂膜53a、53b的厚度的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定。另外，抗蚀剂膜53a、53b的厚度的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定。另外，抗蚀剂膜53a、53b的厚度的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定。

接着，使用曝光·显影装置72对抗蚀剂膜53a、53b进行曝光和显影。由此，如图17所示，能够在金属板51的第1面51a上形成第1抗蚀剂图案53c，在金属板51的第2面51b上形成第2抗蚀剂图案53d。

接着，使用蚀刻装置73，实施将抗蚀剂图案53c、53d作为掩模并对金属板51进行蚀刻的蚀刻工序。蚀刻工序包括第1面蚀刻工序和第2面蚀刻工序。

首先，如图18所示，实施第1面蚀刻工序。在第1面蚀刻工序中，使用第1蚀刻液对金属板51的第1面51a中未被第1抗蚀剂图案53c覆盖的区域进行蚀刻。例如，从配置在与被输送的金属板51的第1面51a面对的一侧的喷嘴隔着第1抗蚀剂图案53c向金属板51的第1面51a喷射第1蚀刻液。此时，金属板51的第2面51b可以被对第1蚀刻液具有耐性的膜等覆盖。

第1面蚀刻工序的结果，如图18所示，利用第1蚀刻液在金属板51中未被第1抗蚀剂图案53c覆盖的区域进行侵蚀。由此，在金属板51的第1面51a形成多个第1凹部30。作为第1蚀刻液，例如使用包含氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。

接着，如图19所示，实施第2面蚀刻工序。在第2面蚀刻工序中，使用第2蚀刻液对金属板51的第2面51b中未被第2抗蚀剂图案53d覆盖的区域进行蚀刻。由此，在金属板51的第2面51b形成第2凹部35。第2面51b的蚀刻实施至第1凹部30与第2凹部35相互连通、从而形成贯通孔25为止。作为第2蚀刻液，与上述第1蚀刻液同样，例如使用包含氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。需要说明的是，在第2面51b的蚀刻时，如图19所示，可以利用对第2蚀刻液具有耐性的树脂54将第1凹部30进行被覆。

在第2面蚀刻工序中，如图20所示，蚀刻可以进行至相邻的两个第2凹部35被连接为止。在相邻的两个第2凹部35被连接的部位，第2抗蚀剂图案53d从金属板51剥离。需要说明的是，如上述图7所示，在相邻的两个第2凹部35之间可以部分残留有第2面20b。

参照图21～图25，对第2面蚀刻工序进行详细说明。图21是示出设置于金属板51的第2面的第2抗蚀剂图案的俯视图。图21中，通过第1面蚀刻工序形成的第1凹部30的第1端32由虚线表示。

如图21所示，第2抗蚀剂图案53d包括沿第1方向D1延伸的第1部分53d1和沿第2方向D2延伸的第2部分53d2。在沿着第2面20b的法线方向观察第2抗蚀剂图案53d时，第1部分53d1沿着第1端32的第1部分32a延伸。第1部分53d1位于相邻的两个第1凹部30的第1部分32a之间。相邻的两个第1凹部30的第1部分32a在与第1方向D1正交的方向上相向。在沿着第2面20b的法线方向观察第2抗蚀剂图案53d时，第2部分53d2沿着第1端32的第2部分32b延伸。第2部分53d2位于相邻的两个第1凹部30的第2部分32b之间。相邻的两个第1凹部30的第2部分32b在与第2方向D2正交的方向上相向。第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1的宽度W1大于第2部分53d2的宽度W2。也将第1部分53d1的宽度W1称为第1宽度。也将第2部分53d2的宽度W2称为第2宽度。

第1宽度W1与第2宽度W2之差例如为0.5μm以上、可以为2μm以上、可以为5μm以上、可以为10μm以上、也可以为15μm以上。另外，第1宽度W1与第2宽度W2之差例如为260μm以下、可以为200μm以下、可以为150μm以下、可以为100μm以下、可以为50μm以下、可以为30μm以下、也可以为20μm以下。

第1宽度W1与第2宽度W2之差的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为0.5μm以上260μm以下、可以为2μm以上200μm以下、可以为5μm以上200μm以下、可以为10μm以上150μm以下、可以为15μm以上100μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上30μm以下、也可以为15μm以上20μm以下。另外，第1宽度W1与第2宽度W2之差的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0.5μm以上15μm以下、可以为0.5μm以上10μm以下、可以为2μm以上15μm以下、可以为2μm以上10μm以下、可以为5μm以上15μm以下、也可以为5μm以上10μm以下。另外，第1宽度W1与第2宽度W2之差的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为20μm以上250μm以下、可以为30μm以上250μm以下、可以为50μm以上250μm以下、可以为100μm以上250μm以下、可以为100μm以上200μm以下、可以为150μm以上260μm以下、也可以为150μm以上200μm以下。

接着，对第2面蚀刻工序进行的情况进行详细说明。首先，对在金属板51中第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1之间进行的第2面蚀刻工序进行说明。图22和图23是示出在图21所示的金属板51的沿着XXII-XXII线的截面进行的第2面蚀刻工序的图。

如图22中箭头所示，第2面51b侧的金属板51的蚀刻在各个方向上各向同性地进行。其结果，在金属板51的第2面51b形成具有弯曲的第2壁面36的第2凹部35。若在金属板51的厚度方向上蚀刻进行，第2凹部35与第1凹部30连通，则在第1凹部30的第1壁面31与第2凹部35的第2壁面36之间形成连接部41。在第2凹部35与第1凹部30连通后，若在金属板51的厚度方向上蚀刻进一步进行，则连接部41的位置位移至第1面51a侧。若连接部41的位置位移至第1面51a侧，则第1壁面区划31a的高度H1减少。

顺便提及，在金属板51的面方向上蚀刻进行，如图23所示，若相邻的两个第2凹部35被连接，则第2凹部35的第2壁面36的至少一部分从第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1分离。例如，俯视时位于相邻的两个第1凹部30的中央部32ac之间的第2壁面36的一部分从第1部分53d1分离。其结果，在第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1与金属板51之间形成间隙。然后，如图23中箭头所示，在第2蚀刻液中产生在第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1与金属板51之间通过且沿着金属板51的第2面51b的面方向的流动。若第2蚀刻液中产生沿着第2面51b的面方向的流动，则在第2面51b的面方向以外的方向难以产生第2蚀刻液的流动或循环。其结果，例如，金属板51的厚度方向上的蚀刻进行受到抑制。因此，在第2蚀刻液中产生沿着第2面51b的面方向的流动后，第1凹部30的第1壁面31的高度H1难以减少。

接着，对在金属板51中的第2抗蚀剂图案53d的第2部分53d2之间进行的第2面蚀刻工序进行说明。图24和图25分别是示出在图21所示的金属板51的沿着XXIV-XXIV线的截面进行的第2面蚀刻工序的图。

在第2抗蚀剂图案53d的第2部分53d2之间，也如图24中箭头所示那样，第2面51b侧的金属板51的蚀刻在各个方向上各向同性地进行。若在金属板51的面方向上蚀刻进行，相邻的两个第2凹部35被连接，则第2凹部35的第2壁面36的至少一部分从第2抗蚀剂图案53d的第2部分53d2分离。例如，俯视时位于相邻的两个第1凹部30的中央部32bc之间的第2壁面36的一部分从第1部分53d1分离。其结果，在第2部分53d2与金属板51之间形成间隙。

第2部分53d2的第2宽度W2小于第1部分53d1的第1宽度W1。因此，俯视时夹持第2部分53d2而相邻的两个第2凹部35与俯视时夹持第1部分53d1而相邻的两个第2凹部35相比在更早的阶段被连接。因此，第2部分53d2与金属板51之间的间隙比第1部分53d1与金属板51之间的间隙更早形成。形成间隙的时机越早，则形成间隙时的贯通孔25的壁面的高度越大。因此，在第2部分53d2与金属板51之间形成有间隙的阶段的第2壁面区划31b的高度H2大于在第1部分53d1与金属板51之间形成有间隙的阶段的第1壁面区划31a的高度H1。另外，在第2蚀刻液中产生沿着第2面51b的面方向的流动后，第1凹部30的第1壁面31的高度难以减少。因此，在第2面蚀刻工序结束后的状态下，第2壁面区划31b的高度H2大于第1壁面区划31a的高度H1。这样，能够得到按照贯通孔25的第1凹部30的第1壁面31根据位置而具有不同高度的方式构成的蒸镀掩模20。高度H1与高度H2之差可以基于第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1的第1宽度W1与第2部分53d2的第2宽度W2之差等适当地调整。

蒸镀掩模的制造方法可以进一步具备对蒸镀掩模20进行检查的检查工序。检查工序包括检查蒸镀掩模20的构成要素的位置的工序、检查蒸镀掩模20的构成要素的尺寸的工序、或者检查蒸镀掩模20的2个构成要素间的距离的工序中的至少任一者。检查对象的构成要素例如为贯通孔25。

检查工序可以包括对贯通孔25的第1凹部30的第1壁面31的上述高度H1和高度H2进行测定的工序。高度H1和高度H2分别可以为在多个样品中测定的高度的值的平均值。

如上所述，多个样品可以在1个蒸镀掩模20的多个***位P进行采集。或者，多个样品也可以在多个蒸镀掩模20的***位P进行采集。例如如图26所示，多个样品可以在金属板51的长度方向F1上的前端51e侧沿金属板51的宽度方向F2排列的多个蒸镀掩模20的多个***位P进行采集。另外，多个样品也可以在金属板51的长度方向F1上的后端51f侧沿金属板51的宽度方向F2排列的多个蒸镀掩模20的多个***位P进行采集。另外，多个样品还可以在金属板51的前端51e与后端51f之间的中间部沿金属板51的宽度方向F2排列的多个蒸镀掩模20的多个***位P进行采集。可以将在如此采集的多个样品中测定的高度的值的平均值用作贯通孔25的第1凹部30的第1壁面31的上述高度H1和高度H2。

检查工序可以包括基于贯通孔25的第1凹部30的第1壁面31的上述高度H1和高度H2之差来判定蒸镀掩模20的合格与否的判定工序。在判定工序中，例如，将高度H1小于高度H2的蒸镀掩模20判定为合格。在判定工序中，也可以将高度H1比高度H2小1μm以上的蒸镀掩模20判定为合格。

接着，实施焊接工序，即，在对如上所述得到的蒸镀掩模20施加张力的状态下将蒸镀掩模20焊接到框架15上。调节张力以使蒸镀掩模20的多个贯通孔25分别对准。由此，能够得到具备蒸镀掩模20和框架15的蒸镀掩模装置10。

接着，对使用本实施方式的蒸镀掩模20制造有机EL显示装置100的方法进行说明。有机EL显示装置100的制造方法具备蒸镀工序，其中，使用蒸镀掩模20在有机EL基板92等基板上进行蒸镀材料98的蒸镀。在蒸镀工序中，首先，按照蒸镀掩模20与有机EL基板92相向的方式配置蒸镀掩模装置10。另外，使用磁铁93使蒸镀掩模20与有机EL基板92密合。另外，使蒸镀装置90的内部为真空气氛。在该状态下使蒸镀材料98蒸发，隔着蒸镀掩模20向有机EL基板92飞来，从而使蒸镀材料98以与蒸镀掩模20的贯通孔25对应的图案附着于有机EL基板92。

另外，本实施方式中，蒸镀掩模20的贯通孔25的第1面20a侧的第1端32包括：沿第1方向D1延伸的一对第1部分32a；和沿与第1方向D1交叉的第2方向D2延伸并具有比第1部分32a短的尺寸的一对第2部分32b。另外，包含第1部分32a的第1壁面区划31a的高度H1小于包含第2部分32b的第2壁面区划31b的高度H2。因此，在具有大于第2壁面区划31b的尺寸的第1壁面区划31a中，能够抑制在蒸镀工序时产生阴影。由此，能够在抑制蒸镀掩模20的强度降低的同时，增加在有机EL基板92所形成的的蒸镀层99的有效面积。

需要说明的是，除了使用蒸镀掩模20在有机EL基板92等基板上进行蒸镀材料98的蒸镀的蒸镀工序以外，有机EL显示装置100的制造方法也可以具备各种工序。例如，有机EL显示装置100的制造方法也可以具备在基板形成第1电极的工序。蒸镀层形成于第1电极上。另外，有机EL显示装置100的制造方法也可以具备在蒸镀层上形成第2电极的工序。另外，有机EL显示装置100的制造方法也可以具备对设置于有机EL基板92的第1电极、蒸镀层、第2电极进行封装的封装工序。

另外，使用蒸镀掩模20而形成于有机EL基板92等基板上的蒸镀层不限于上述的发光层，也可以包含其他层。例如，蒸镀层可以从第1电极侧起依次包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。该情况下，可以分别实施使用了与各层对应的蒸镀掩模20的蒸镀工序。

需要说明的是，能够对上述实施方式进行各种变更。以下，根据需要参照附图对变形例进行说明。在下述说明和下述说明中使用的附图中，对于可与上述实施方式同样构成的部分，使用与对上述实施方式中的对应部分所用的符号相同的符号，省略重复说明。另外，在变形例中也可显而易见地得到上述实施方式中得到的作用效果的情况下，也有时省略其说明。

(有机EL显示装置的第1变形例)

在上述实施方式的图13中，示出了第2蒸镀层99B和第3蒸镀层99C沿着第1蒸镀层99A的长边延伸的方向排列的例子。但是不限于此，如图27所示，第2蒸镀层99B和第3蒸镀层99C也可以在与第1蒸镀层99A的长边延伸的方向正交的方向上排列。该情况下，如图27所示，第2蒸镀层99B和第3蒸镀层99C也可以与第1蒸镀层99A同样地具有一对长边和一对短边。与第1蒸镀层99A同样地，这种第2蒸镀层99B和第3蒸镀层99C可以通过使用具备包含具有不同长度的第1部分32a和第2部分32b的第1端32而构成的蒸镀掩模20来形成。

(有机EL显示装置的第2变形例)

在上述实施方式的图13中，示出了通过使第1蒸镀层99A的一对边的长度大于另一对边的长度而使第1蒸镀层99A的面积大于其他蒸镀层99B、99C的面积的示例。但是，用于使第1蒸镀层99A的面积大于其他蒸镀层99B、99C的面积的具体方法没有特别限制。例如，如图28A所示，第1蒸镀层99A可以包含具有尺寸M1的4个边，第3蒸镀层99C可以包含具有小于尺寸M1的尺寸M2的4个边。第2蒸镀层99B可以包含：具有尺寸M3的一对边、和具有小于尺寸M3的尺寸M4的一对边。具有尺寸M3的第2蒸镀层99B的边可以在第1方向D1或第2方向D1上与第1蒸镀层99A的边相向。具有尺寸M4的第2蒸镀层99B的边可以在第1方向D1或第2方向D1上与第3蒸镀层99C的边相向。尺寸M3可以与尺寸M1相同。尺寸M4可以与尺寸M2相同。如图29所示，第2蒸镀层99B可以通过使用具备包含具有不同长度的第1部分32a和第2部分32b的第1端32的蒸镀掩模20来形成。

第1方向D1可以与蒸镀掩模20的长度方向或宽度方向一致。第1方向D1也可以相对于蒸镀掩模20的长度方向或宽度方向倾斜。例如，第1方向D1可以相对于蒸镀掩模20的长度方向以45度倾斜。第1蒸镀层99A、第2蒸镀层99B、第3蒸镀层99C分别可以放射蓝色的光、绿色的光、红色的光。

如图29所示，除了具备包含具有不同长度的第1部分32a和第2部分32b的第1端32的贯通孔25以外，蒸镀掩模20也可以进一步具有：具备包含具有不同长度的第3部分32c和第4部分32d的第1端32的贯通孔25。具备包含第3部分32c和第4部分32d的第1端32的贯通孔25相当于将具备包含第1部分32a和第2部分32b的第1端32的贯通孔25在俯视图中旋转90度。

在上述图13、图27、图28A中示出了俯视时蒸镀层之间存在间隙的示例，但不限于此。例如如图28B所示，第1蒸镀层99A和第3蒸镀层99C也可以在俯视时相接。第2蒸镀层99B可以在俯视时与第1蒸镀层99A相接，也可以在俯视时与第3蒸镀层99C相接。在后述示例中，相邻的两个蒸镀层可以相接。图28B的第2蒸镀层99B可以与图28A的第2蒸镀层99B同样地通过使用图29所示的蒸镀掩模20来形成。

如图28B所示，第2蒸镀层99B的边的尺寸M3可以小于第1蒸镀层99A的边的尺寸M1。第2蒸镀层99B的边的尺寸M4可以小于第3蒸镀层99C的边的尺寸M2。

(有机EL显示装置的第3变形例)

在上述实施方式和变形例中，示出了蒸镀层99的轮廓形状以及蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32的形状为四边形的示例。但是，只要贯通孔25具备包含具有不同长度的第1部分32a和第2部分32b的第1端32，则蒸镀层99的轮廓和贯通孔25的形状、图案就没有特别限定。例如，如图30所示，蒸镀层99A、99B、99C可以具有六边形的轮廓。

图31是示出为了形成第1蒸镀层99A而使用的蒸镀掩模20的俯视图。蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32具备：沿第1方向D1延伸的一对第1部分32a；沿与第1方向D1交叉的第2方向D2延伸的一对第2部分32b；和沿与第1方向D1和第2方向D2交叉的第3方向D3延伸的一对第3部分32c。第2方向D2和第3方向D3均相对于第1方向D1以大于90度且小于180度的角度交叉。第1部分32a在第1方向D1上具有第1尺寸L1，第2部分32b在第2方向D2上具有小于第1尺寸L1的第2尺寸L2，第3部分32c在第3方向D3上具有小于第1尺寸L1的第3尺寸L3。

如图31所示，在与第1方向D1正交的方向上相邻的两个贯通孔25中，第1部分32a彼此空出第1间隔C1而相向。另外，在与第2方向D2正交的方向上相邻的两个贯通孔25中，第2部分32b彼此空出第2间隔C2而相向。第1间隔C1大于第2间隔C2。因此，与上述实施方式的情况同样地，在与第1间隔C1对应的部分设置于金属板51的第2面51b的第2抗蚀剂图案53d的第1部分53d1的第1宽度W1大于在与第2间隔C2对应的部分设置于金属板51的第2面51b的第2抗蚀剂图案53d的第2部分53d2的第2宽度W2。因此，与上述实施方式的情况同样地，通过实施第2面蚀刻工序，在本变形例中，也能使第1壁面31中与第1端32的第1部分32a连接的部分的高度H1小于第1壁面31中与第1端32的第2部分32b连接的部分的高度H2。因此，在与具有更大尺寸的第1部分32a连接的第1壁面31，能够抑制在蒸镀工序时产生阴影。由此，能够在抑制蒸镀掩模20的强度降低的同时，增加在有机EL基板92所形成的蒸镀层99的有效面积。

另外，关于高度H1小于高度H2，也可以基于第2间隔C2小于第1间隔C1如下进行说明。此处，假设在相邻的两个贯通孔25之间至少部分存在顶部43。该情况下，第2间隔C2小于第1间隔C1，因此从贯通孔25的第2部分32b至顶部43的距离比从贯通孔25的第1部分32a至顶部43的距离短。其结果，在贯通孔25中与第2部分32b对应的部分，相较于与第1部分32a对应的部分，连接部41的位置为第2面51b侧。即，高度H1小于高度H2。

参照图32～图34，对于在第2间隔C2小于第1间隔C1的情况下高度H1小于高度H2进行说明。图32是示出蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32的俯视图。在图32所示的示例中，贯通孔25的第1端32包括：在与第1方向D1正交的第2方向D2上空出第1间隔C1相向的第1部分32a；和在第1方向D1上空出第2间隔C2相向的第2部分32b。第1间隔C1大于第2间隔C2。另外，在第2方向D2上空出第1间隔C1相向的第1部分32a之间，在金属板51的第2面51b侧存在顶部43。另外，在第1方向D1上空出第2间隔C2相向的第2部分32b之间，也在金属板51的第2面51b侧存在顶部43。

图33是示出图32的贯通孔25的第1端32的第1部分32a的截面图。在图32和图33中，符号S1表示第1部分32a相向的方向上的顶部43与第1端32的第1部分32a之间的距离。

图34是示出图32的贯通孔25的第1端32的第2部分32b的截面图。在图32和图34中，符号S2表示第2部分32b相向的方向上的顶部43与第1端32的第2部分32b之间的距离。

在图32～图34所示的示例中，第2间隔C2小于第1间隔C1。因此，顶部43与第1端32的第2部分32b之间的距离S2也小于顶部43与第1端32的第1部分32a之间的距离S1。如图33和图34所示，顶部43与第1端32之间的距离越小，则连接部41越位于第2面51b侧。因此，在第2间隔C2小于第1间隔C1的情况下，高度H2大于高度H1。换言之，在第2间隔C2小于第1间隔C1的情况下，高度H1小于高度H2。

(蒸镀掩模的贯通孔的第1端的变形例)

在上述实施方式和变形例中，示出了蒸镀掩模20的贯通孔25的第1端32的第1部分32a和第2部分32b分别沿第1方向D1和第2方向D2延伸的示例。但是，只要第1方向D1上的第1部分32a的第1尺寸L1大于第2方向D2上的第2部分32b的第2尺寸L2，则第1部分32a和第2部分32b的具体形状就没有特别限制。例如，如图35所示，第1端32可以在俯视时具有椭圆形。该情况下，第1部分32a的第1尺寸L1是包括沿第1方向D1延伸的一对边和沿第2方向D2延伸的一对边并且与第1端32外接的四边形32p的沿第1方向D1延伸的边的长度。另外，第2部分32b的第2尺寸L2是与第1端32外接的上述四边形32p的沿第2方向D2延伸的边的长度。

本变形例中，第1壁面31中与第1端32的第1部分32a连接的部分的高度H1也小于第1壁面31中与第1端32的第2部分32b连接的部分的高度H2。因此，在与具有更大尺寸的第1部分32a连接的第1壁面31，能够抑制在蒸镀工序时产生阴影。由此，能够在抑制蒸镀掩模20的强度降低的同时，增加在有机EL基板92所形成的蒸镀层99的有效面积。

(蒸镀掩模的贯通孔的壁面的高度的变形例)

在上述实施方式和变形例中，示出了贯通孔25的第1壁面31的第1壁面区划31a的高度H1小于第1壁面31的第2壁面区划31b的高度H2的示例。另外，示出了俯视时夹着第2部分53d2相邻的两个第2凹部35相较于俯视时夹着第1部分53d1相邻的两个第2凹部35在更早的阶段被连接的示例。因此，示出了第2部分53d2与金属板51之间的间隙比第1部分53d1与金属板51之间的间隙更早地形成的示例。该情况下，图9所示的第1高度H11可以大于图10所示的第2高度H12。这是因为，在第2抗蚀剂图案53d与金属板51之间形成间隙的时机越晚，则壁面整体的高度被维持得越大。第1高度H11与第2高度H12之差例如为0μm以上、可以为0.1×T以上、可以为0.2×T以上、也可以为0.3×T以上。T为蒸镀掩模20的厚度。另外，第1高度H11与第2高度H12之差例如为0.7×T以下、可以为0.5×T以下、也可以为0.4×T以下。由此，能够在抑制蒸镀掩模20的强度降低的同时，增加在有机EL基板92所形成的蒸镀层99的有效面积。

第1高度H11与第2高度H12之差的范围可以由上述多个上限的候补值中的任意一者与上述多个下限的候补值中的任意一者的组合来确定，例如，可以为0μm以上0.7×T以下、可以为0.1×T以上0.7×T以下、可以为0.2×T以上0.5×T以下、也可以为0.3×T以上0.4×T以下。另外，第1高度H11与第2高度H12之差的范围也可以由上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0μm以上0.3×T以下、可以为0.1×T以上0.3×T以下、可以为0.1×T以上0.2×T以下、也可以为0.2×T以上0.3×T以下。另外，第1高度H11与第2高度H12之差的范围也可以由上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来确定，例如，可以为0.4×T以上0.7×T以下、可以为0.4×T以上0.5×T以下、也可以为0.5×T以上0.7×T以下。

实施例

接着，通过实施例更具体地说明本发明的实施方式，但只要不超出其要点，则本发明的实施方式不限于下述实施例的记载。

(实施例1)

准备具有图8～图10所示的结构的蒸镀掩模20。蒸镀掩模20的各部分的尺寸如下所述。

·第1壁面区划31a的高度H1：3μm

·第2壁面区划31b的高度H2：4μm

·第1部分32a的第1尺寸L1：48μm

·第2部分32b的第2尺寸L2：46μm

接着，对蒸镀掩模20的强度进行评价。具体而言，抓住蒸镀掩模20的一对边缘部17a、17b沿着蒸镀掩模20的长度方向对蒸镀掩模20施加1kgf的张力时，确认蒸镀掩模20是否出现起伏形状。蒸镀掩模20的强度越小则越容易出现起伏形状。起伏形状可以包括沿着与蒸镀掩模20的长度方向交叉的宽度方向排列的多个峰部。在以下的说明中，也将在蒸镀掩模20的宽度方向上排列的多个峰部之间的间隔的平均值称为起伏形状的周期。

对蒸镀掩模20施加1kgf的张力后，蒸镀掩模20未出现目视可确认的起伏形状。

接着，使用蒸镀掩模20，实施使蒸镀材料98附着于基板92上而形成蒸镀层99的蒸镀工序。接着，测定蒸镀层99的尺寸中的图9和图10所示的厚度E1。另外，将厚度E2设定为厚度E1的95％，计算出图9所示的尺寸L4和图10所示的尺寸L3。结果，尺寸L4为40μm，尺寸L3为40μm。另外，基于尺寸L2、L4计算出图9的距离K1，基于尺寸L1、L3计算出图10的距离K2。结果，距离K1为3μm，距离K2为4μm。需要说明的是，K1＝(L2－L4)/2，K2＝(L1－L3)/2。

(实施例2)

准备具有图8～图10所示的结构的蒸镀掩模20。蒸镀掩模20的各部分的尺寸如下所述。

·第1壁面区划31a的高度H1：2μm

·第2壁面区划31b的高度H2：4μm

·第1部分32a的第1尺寸L1：48μm

·第2部分32b的第2尺寸L2：46μm

接着，与实施例1的情况同样地，对蒸镀掩模20的强度进行评价。对蒸镀掩模20施加1kgf的张力后，蒸镀掩模20未出现目视可确认的起伏形状。

接着，与实施例1的情况同样地，实施使用蒸镀掩模20的蒸镀工序。另外，与实施例1的情况同样地，计算出尺寸L4和尺寸L3。结果，尺寸L4为42μm，尺寸L3为40μm。另外，基于尺寸L2、L4计算出距离K1，基于尺寸L1、L3计算出距离K2。结果，距离K1为2μm，距离K2为4μm。

(实施例3)

准备具有图8～图10所示的结构的蒸镀掩模20。蒸镀掩模20的各部分的尺寸如下所述。

·第1壁面区划31a的高度H1：2μm

·第2壁面区划31b的高度H2：3μm

·第1部分32a的第1尺寸L1：48μm

·第2部分32b的第2尺寸L2：46μm

接着，与实施例1的情况同样地，对蒸镀掩模20的强度进行评价。对蒸镀掩模20施加1kgf的张力，结果蒸镀掩模20出现目视可确认的起伏形状，但起伏形状的周期大，具体为30mm以上。另外，观测到沿蒸镀掩模20的宽度方向排列的2个峰部。

接着，与实施例1的情况同样地，实施使用蒸镀掩模20的蒸镀工序。另外，与实施例1的情况同样地，计算出尺寸L4和尺寸L3。结果，尺寸L4为42μm，尺寸L3为42μm。另外，基于尺寸L2、L4计算出距离K1，基于尺寸L1、L3计算出距离K2。结果，距离K1为2μm，距离K2为3μm。

(比较例1)

准备具有图8～图10所示的结构的蒸镀掩模20。蒸镀掩模20的各部分的尺寸如下所述。

·第1壁面区划31a的高度H1：4μm

·第2壁面区划31b的高度H2：4μm

·第1部分32a的第1尺寸L1：48μm

·第2部分32b的第2尺寸L2：46μm

接着，与实施例1的情况同样地，对蒸镀掩模20的强度进行评价。对蒸镀掩模20施加1kgf的张力后，蒸镀掩模20未出现目视可确认的起伏形状。

接着，与实施例1的情况同样地，实施使用蒸镀掩模20的蒸镀工序。另外，与实施例1的情况同样地，计算出尺寸L4和尺寸L3。结果，尺寸L4为38μm，尺寸L3为40μm。另外，基于尺寸L2、L4计算出距离K1，基于尺寸L1、L3计算出距离K2。结果，距离K1为4μm，距离K2为4μm。

(比较例2)

准备具有图8～图10所示的结构的蒸镀掩模20。蒸镀掩模20的各部分的尺寸如下所述。

·第1壁面区划31a的高度H1：2μm

·第2壁面区划31b的高度H2：2μm

·第1部分32a的第1尺寸L1：48μm

·第2部分32b的第2尺寸L2：46μm

接着，与实施例1的情况同样地，对蒸镀掩模20的强度进行评价。对蒸镀掩模20施加1kgf的张力后，蒸镀掩模20出现目视可确认的起伏形状。另外，起伏形状的周期小，具体为小于20mm。另外，观测到沿蒸镀掩模20的宽度方向排列的3个峰部。

接着，与实施例1的情况同样地，实施使用蒸镀掩模20的蒸镀工序。另外，与实施例1的情况同样地，计算出尺寸L4和尺寸L3。结果，尺寸L4为42μm，尺寸L3为44μm。另外，基于尺寸L2、L4计算出距离K1，基于尺寸L1、L3计算出距离K2。结果，距离K1为2μm，距离K2为2μm。

将实施例1～3和比较例1～2的结果归纳示于图36中。在图36的有效面积的列中，“很好”是指从第1端32的第1部分32a至蒸镀层99的有效边缘部99e的距离K1为2μm以下。另外，“好”是指距离K1超过2μm且为3μm以下。另外，“差”是指距离K1为4μm以上。另外，在图36的强度的列中，“很好”是指蒸镀掩模未出现目视可确认的起伏形状。另外，“好”是指在蒸镀掩模的宽度方向出现目视可确认的起伏形状，但在蒸镀掩模的宽度方向上排列的起伏形状的峰部的个数为2个以下。另外，“差”是指蒸镀掩模出现目视可确认的起伏形状且在蒸镀掩模的宽度方向上排列的起伏形状的峰部的个数为3个以上。根据实施例1～3，通过使高度H1小于高度H2，能够在增加蒸镀层99的有效面积的同时抑制蒸镀掩模20的变形的产生。