具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种掩模板及显示面板的制作方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

如图1所示，掩模板100’上设有蒸镀口110’，掩模板100’未设置避让槽，采用此掩模板100’作为遮挡，使材料沉积在第一层结构210’上对应蒸镀口110’的区域，形成第二层结构220’；在上述沉积过程中，蒸镀口110’的内壁与掩模板100’的连接处容易与第一层结构210’的边界接触，造成第一层结构210’的边界刮伤，第一层结构210’的边界受到剐蹭后会产生碎屑，碎屑容易造成产品不良，例如，当第一层结构210’为阴极时，第一层结构210’的边界受到剐蹭后所产生的碎屑具有导电特性，碎屑容易造成走线短路，导致不良。

请参阅图2、图4、图6和图8，本申请实施例提供一种掩模板100，掩模板100设置有蒸镀口110和避让槽120；

蒸镀口110沿第一方向X贯穿掩模板100；

避让槽120沿第一方向X设于掩模板100的一侧，避让槽120环绕蒸镀口110设置，避让槽120与蒸镀口110连通，避让槽120在第一方向X上的深度H1小于掩模板100在第一方向X上的厚度。在此实施例中，第一方向X为掩模板100的厚度方向。

请参阅图2、图4、图6和图8，同时结合图3、图5、图7和图9，采用本申请实施例的掩模板100在第一层结构250上制作第二层结构260，第一层结构250设于基板200上，在基板200的设有第一层结构250的一侧设置掩模板100，由于不需要在第一层结构250的边界区域沉积材料，因此，蒸镀口110的面积小于第一层结构250的面积，避免裸露第一层结构250的边界区域，防止在第一层结构250的边界区域也形成第二层结构260；以掩模板100为遮挡，使材料穿过蒸镀口110沉积于第一层结构250，从而在第一层结构250上形成第二层结构260。在上述沉积过程中，由于掩模板100上设有避让槽120，避让槽120环绕蒸镀口110设置，避让槽120与蒸镀口110连通，采用上述掩模板100在第一层结构250上制作第二层结构260时，掩模板100的避让槽120能避开第一层结构250的边界，防止刮伤第一层结构250的情况发生，避免产生碎屑而导致不良的情况发生；此外，避让槽120的深度H1小于掩模板100的厚度，即避让槽120不是完全贯穿掩模板100设置的，因此避让槽120不会改变蒸镀口110的开口图案，不会影响第二层结构260的图案形状。

可选的，在本实施例中，第一层结构250可以为阴极，第二层结构260可以为用于保护阴极的公共层，采用上述掩模板100在阴极上制作公共层时，掩模板100的避让槽120能避开阴极的边界，防止刮伤阴极的情况发生，避免产生导电碎屑而导致显示面板不良的情况发生；此外，避让槽120的深度H1小于掩模板100的厚度，即避让槽120不是完全贯穿掩模板100设置的，因此避让槽120不会改变蒸镀口110的开口图案，不会影响公共层的图案形状。当然，根据实际情况的选择和具体选择，第一层结构250和第二层结构260可以为其他层结构，在此不做唯一限定。

具体的，如图2、图4、图6和图8所示，同时结合图3、图5、图7和图9，蒸镀口110包括沿第一方向X依次连通的沉积口111、限位口112和导向口113，避让槽120环绕沉积口111设置，避让槽120与沉积口111连通。在此结构下，导向口113用于引导材料进入，限位口112用于限定材料的沉积角度，沉积口111用于供材料沉积于第一层结构250上，通过沉积口111、限位口112和导向口113的配合，可以调整材料的沉积精度。

值得一提的是，为了保证沉积精度，本申请实施例的避让槽120与沉积口111连通，且避让槽120通过沉积口111与限位口112连通，即避让槽120并不与限位口112直接连通，如此设置，材料不会从限位口112直接进入避让槽120，在实际沉积过程中，会有极少的材料经限位口112进入沉积口111并扩散至避让槽120后沉积在第一层结构250上，即避让槽120的设置对限位口112限定材料的沉积角度的作用不会造成很大的影响，有效保证了材料的沉积精度。

具体的，如图2、图4、图6和图8所示，掩模板100设有依次连接的避让壁130、第一侧壁140和第二侧壁150，具体来说，避让壁130的一端连接掩模板100一侧的表面，掩模板100的另一端连接第一侧壁140的一端，第一侧壁140的另一端连接第二侧壁150的一端，第二侧壁150的另一端连接掩模板100另一侧的表面；在此实施例中，避让壁130围合形成避让槽120，第一侧壁140围合形成限位口112，第二侧壁150围合形成导向口113。

具体的，如图2、图4、图6和图8所示，避让壁130包括平面、锥面和弧面中的至少一种。

可选的，如图2和图3所示，避让壁130包括依次连接的第一平面131和第二平面132，具体来说，第一平面131的一端连接掩模板100一侧的表面，第一平面131的另一端连接第二平面132的一端，第二平面132的另一端连接第一侧壁140的远离第二侧壁150的一端。此结构下，第一平面131和第二平面132依次连接形成避让第一层结构250的避让壁130，防止避让壁130刮伤第一层结构250。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，组成避让壁130的平面的数量可以做适当调整，在此不做唯一限定。

具体的，如图2和图3所示，第一平面131和掩模板100的一侧的表面之间的夹角α为60度～90度，第一平面131和第二平面132之间的夹角β为90度～120度，例如，第一平面131与掩模板100的一侧的表面的夹角α可以为60度、65度、70度、75度、80度、85度或90度，第一平面131与第二平面132的夹角β为90度、95度、100度、105度、110度、115度或120度。此设置下，可以防止避让壁130刮伤第一层结构250的边界。

进一步地，如图2和图3所示，第二平面132可以平行于掩模板100的一侧的表面，在此情况下，第一平面131和掩模板100的一侧的表面之间的夹角α与第一平面131和第二平面132之间的夹角β互补。

可选的，如图4和图5所示，避让壁130为第一弧面133，第一弧面133为朝远离沉积口111的方向凹陷的形状，如此设置，可以防止避让壁130刮伤第一层结构250的边界。可以理解的是，虽然图4和图5所示的实施例中避让壁130仅为一个弧面，但根据实际情况的选择和具体需求，避让壁130可以由更多弧面组成，在此不做唯一限定。

可选的，如图6和图7所示，避让壁130包括依次连接的第一锥面134和第二锥面135，具体来说，第一锥面134的一端连接掩模板100一侧的表面，第一锥面134的另一端连接第二锥面135的一端，第二锥面135的另一端连接第一侧壁140的远离第二侧壁150的一端。此结构下，第一锥面134和第二锥面135依次连接形成避让第一层结构250的避让壁130，防止避让壁130刮伤第一层结构250。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，组成避让壁130的锥面的数量可以做适当调整，在此不做唯一限定。

可选的，如图8和图9所示，避让壁130包括依次连接的第一连接面136、第二连接面137和第三连接面138，第一连接面136为平面，第二连接面137为锥面，第三连接面138为弧面，即避让壁130为平面、锥面和弧面三者的组合面。此结构下，第一连接面136、第二连接面137和第三连接面138依次连接形成避让第一层结构250的避让壁130，防止避让壁130刮伤第一层结构250。可以理解的是，根据实际情况的选择和具体需求，避让壁130也可以为包括平面、锥面和弧面三者中的任意两种的组合面，且避让壁130所包含的平面、锥面和弧面的数量可以做适当调整，在此不做唯一限定。

可选的，如图3、图5、图7和图9所示，避让壁130具有间隔设于第一层结构250的远离基板200的一侧且与部分第一层结构250在第一方向X上重叠的部分，避让壁130在第一方向X上与第一层结构250重叠的部分的宽度W为第一层结构250的边界和第二层结构260的边界之间的距离，具体来说，避让壁130在第一方向X上与第一层结构250重叠的部分的宽度W大于0毫米且小于3毫米，例如，避让壁130在第一方向X上与第一层结构250重叠的部分的宽度W可以为0.25毫米、0.5毫米、0.75毫米、1毫米、1.25毫米、1.5毫米、1.75毫米、2毫米、2.25毫米、2.5毫米或2.75毫米。此设置下，可以避免材料沉积在第一层结构250的边界和第二层结构260的边界之间的区域。

可选的，如图2、图4、图6和图8所示，避让槽120在第一方向X上的深度H1大于或等于第二层结构260的厚度，具体来说，避让槽120在第一方向X上的深度H1大于60纳米且小于100纳米，例如，避让槽120在第一方向X上的深度H1可以为65纳米、70纳米、75纳米、80纳米、85纳米、90纳米或95纳米。此设置下，可以防止材料沉积在第一层结构250的边界和第二层结构260的边界之间的区域。

具体的，如图2、图4、图6和图8所示，同时结合图3、图5、图7和图9，限位口112由沉积口111朝导向口113的方向呈渐缩设置，即限位口112的开口面积由沉积口111朝导向口113的方向逐渐减小，此结构下，限位口112的靠近导向口113的一侧的开口的口径最小，可以限定材料从导向口113进入限位口112的角度，而限位口112由沉积口111朝导向口113的方向呈渐缩设置，可以防止材料在限位口112内堵塞的情况发生，使得材料能从限位口112进入沉积口111并最终沉积在第一层结构250上。

可选的，如图2、图4、图6和图8所示，第一侧壁140和掩模板100的一侧的表面之间的夹角θ大于或等于30度且小于90度，例如，第一侧壁140和掩模板100的一侧的表面之间的夹角θ可以为30度、35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度、70度、75度、80度或85度，从而使得限位口112由沉积口111朝导向口113的方向呈渐缩设置。

可选的，如图2、图4、图6和图8所示，限位口112沿第一方向X的深度H2大于0微米且小于8微米，例如，限位口112沿第一方向X的深度H2为0.5微米、1微米、1.5微米、2微米、2.5微米、3微米、3.5微米、4微米、4.5微米、5微米、5.5微米、6微米、6.5微米、7微米或7.5微米。此设置下，随着材料朝靠近沉积口111的方向逐渐进入限位口112，材料的移动速率下降，若限位口112的深度H2较大，则材料容易堵塞限位口112，造成沉积异常，上述深度范围可以保证限位口112限定材料的沉积角度，又能避免限位口112的深度H2过长而导致材料容易堵塞限位口112的情况发生。

具体的，如图2、图4、图6和图8所示，同时结合图3、图5、图7和图9，导向口113由沉积口111朝导向口113的方向呈渐扩设置，即导向口113的开口面积由沉积口111朝导向口113的方向逐渐增大，此结构下，可以引导材料进入导向口113，保证足够的材料从导向口113进入限位口112，有效提高沉积效率。

可选的，如图2、图4、图6和图8所示，第二侧壁150和掩模板100的一侧的表面之间的夹角γ大于90度且小于或等于150度，例如，第二侧壁150和掩模板100的一侧的表面之间的夹角γ可以为95度、100度、105度、110度、115度、120度、125度、130度、135度、140度、145度或150度，从而使得导向口113由沉积口111朝导向口113的方向呈渐扩设置。

可选的，如图2、图4、图6和图8所示，导向口113沿第一方向X的深度H3大于0微米且小于8微米，例如，导向口113沿第一方向X的深度H3为0.5微米、1微米、1.5微米、2微米、2.5微米、3微米、3.5微米、4微米、4.5微米、5微米、5.5微米、6微米、6.5微米、7微米或7.5微米。此设置下，随着材料朝靠近沉积口111的方向逐渐进入导向口113，材料的移动速率下降，若导向口113的深度H3较大，则材料容易堵塞导向口113，造成沉积异常，上述深度范围可以保证导向口113的导向作用，又能避免导向口113的深度H3过长而导致材料容易堵塞导向口113的情况发生。

请参阅图10，同时结合图1至图9，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：

步骤B1、提供如上所述的掩模板100，将掩模板100置于基板200上，基板200设有第一层结构250，第一层结构250罩设于避让槽120内，第一层结构250与掩模板100间隔设置，且蒸镀口110对应部分第一层结构250设置；

步骤B2、以掩模板100为遮挡，在第一层结构250上沉积材料，得到设于第一层结构250上的第二层结构260，第二层结构260的面积小于第一层结构250的面积。本实施例中，步骤B2通过蒸发源400蒸发材料在第一层结构250上沉积材料，也即步骤B2是通过蒸镀的方式将材料沉积于第一层结构250上；且在沉积过程中，采用膜厚监测仪300监测第一层结构250上所沉积的材料层的膜厚，从而控制第二层结构260的膜厚。

由于本实施例提供的显示面板的制作方法采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此同样具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

可选的，在本实施例中，第一层结构250可以为阴极，第二层结构260可以为用于保护阴极的公共层，采用上述掩模板100在阴极上制作公共层时，掩模板100的避让槽120能避开阴极的边界，防止刮伤阴极的情况发生，避免产生导电碎屑而导致显示面板不良的情况发生；此外，避让槽120的深度H1小于掩模板100的厚度，即避让槽120不是完全贯穿掩模板100设置的，因此避让槽120不会改变蒸镀口110的开口图案，不会影响公共层的图案形状。当然，根据实际情况的选择和具体选择，第一层结构250和第二层结构260可以为其他层结构，在此不做唯一限定。

具体的，如图3、图5、图7和图9所示，基板200上划分为红色子像素210、绿色子像素220和蓝色子像素230等多个区域，基板200的一侧依次层叠设有阳极(图未示)和有机材料层240，第一层结构250设于有机材料层240的远离阳极的一侧，即本申请实施例所制得的显示面板为OLED显示面板。

可选的，如图3、图5、图7和图9所示，避让壁130具有间隔设于第一层结构250的远离基板200的一侧且与部分第一层结构250在第一方向X上重叠的部分，避让壁130在第一方向X上与第一层结构250重叠的部分的宽度W为第一层结构250的边界和第二层结构260的边界之间的距离，具体来说，避让壁130在第一方向X上与第一层结构250重叠的部分的宽度W大于0毫米且小于3毫米，例如，避让壁130在第一方向X上与第一层结构250重叠的部分的宽度W可以为0.25毫米、0.5毫米、0.75毫米、1毫米、1.25毫米、1.5毫米、1.75毫米、2毫米、2.25毫米、2.5毫米或2.75毫米。此设置下，可以避免材料沉积在第一层结构250的边界和第二层结构260的边界之间的区域。

可选的，如图2、图4、图6和图8所示，避让槽120在第一方向X上的深度大于或等于第二层结构260的厚度，具体来说，避让槽120在第一方向X上的深度大于60纳米且小于100纳米，例如，避让槽120在第一方向X上的深度可以为65纳米、70纳米、75纳米、80纳米、85纳米、90纳米或95纳米。此设置下，可以防止材料沉积在第一层结构250的边界和第二层结构260的边界之间的区域。

以上对本申请实施例所提供的一种掩模板100及显示面板的制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。