阅读说明：本技术 掩膜板及采用该掩膜板进行蒸镀的方法 (Mask plate and method for evaporation by adopting same ) 是由 黎倩 曾佳 于 2020-04-27 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种掩膜板及采用该掩膜板进行蒸镀的方法。该掩膜板包括：掩膜板本体,包括多个间隔分布的通孔,包括主孔和与主孔连通的延伸孔,主孔用于使蒸镀材料透过制成像素图形,延伸孔用于使蒸镀材料透过制成像素图形的连接图形；沿预设方向排列的相邻两个通孔,与待蒸镀基板需要制成的沿预设方向排列的相间隔的两个像素图形一一对应；掩膜板本体上,沿预设方向排列的相邻两个通孔之间的最小间隔距离,大于或等于像素图形在预设方向上的尺寸,小于或等于通孔在所述预设方向上的最大尺寸。采用该一个掩膜板可以制作待蒸镀基板上的像素图形和像素图形的连接图形,能够解决现有技术掩膜板进行图形化的材料蒸镀,存在工艺复杂和蒸镀机时浪费的问题。(The invention provides a mask plate and a method for performing evaporation by adopting the mask plate. This mask plate includes: the mask plate body comprises a plurality of through holes distributed at intervals, and comprises a main hole and an extension hole communicated with the main hole, wherein the main hole is used for enabling the evaporation material to penetrate through the main hole to form a pixel pattern, and the extension hole is used for enabling the evaporation material to penetrate through a connection pattern which is formed into the pixel pattern; two adjacent through holes arranged along the preset direction correspond to two spaced pixel patterns which are required to be manufactured on the substrate to be evaporated and are arranged along the preset direction one by one; on the mask plate body, the minimum spacing distance between two adjacent through holes arranged along the preset direction is larger than or equal to the size of the pixel graph in the preset direction, and is smaller than or equal to the maximum size of the through holes in the preset direction. The mask plate can be used for manufacturing pixel graphs and connection graphs of the pixel graphs on a substrate to be subjected to vapor deposition, and the problems that the mask plate in the prior art is complicated in process and wasted in the process of an evaporation machine due to the fact that the mask plate is used for carrying out patterned material vapor deposition can be solved.)

掩膜板及采用该掩膜板进行蒸镀的方法

技术领域

本发明涉及显示面板制造技术领域，尤其是指一种掩膜板及采用该掩膜板进行蒸镀的方法。

背景技术

有机电致发光显示(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)作为一种新型的显示技术，由于具有主动发光、发光亮度高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，受到了越来越多的关注，成为可能取代液晶显示的下一代显示技术。

另外，利用OLED显示技术的特点，OLED显示面板还能够满足透明显示的要求。通常OLED显示面板包括阳极、阴极和设置于阳极与阴极之间的发光功能层。对于透明显示来说，穿透率是一项重要的参数。而制成阴极的材料透过率在50％～60％，会大大降低透明显示面板的穿透率，为了提高穿透率，一般会采用图形化阴极的方式，阴极材料仅在显示区域留存，透明区域阴极材料去除。

在制成图形化阴极的基础上，图形化阴极还需要通过边缘区域和Vss走线搭接，实现电流的流通，因此图形化阴极除了需要布置在显示区域外，还需要对应的搭接桥，来保证电路接通。现有技术制作图形化的阴极，为保证掩膜板的制作强度，在进行掩膜板张网固定时不会产生变形，针对图形化的阴极制备通常需要2张掩膜板，并通过两次的蒸镀过程，存在工艺复杂和蒸镀机时浪费的问题。

发明内容

本发明技术方案的目的是提供一种掩膜板及采用该掩膜板进行蒸镀的方法，解决采用现有技术掩膜板进行图形化的材料蒸镀，存在工艺复杂和蒸镀机时浪费的问题。

本发明实施例提供一种掩膜板，其中，包括：

掩膜板本体，包括多个间隔分布的通孔，包括主孔和与所述主孔连通且平行于预设方向的延伸孔，所述主孔用于使蒸镀材料透过以制成待蒸镀基板上的像素图形，所述延伸孔用于使蒸镀材料透过以制成所述像素图形的连接图形，所述连接图形与所述像素图形连接；

其中，沿所述预设方向排列的相邻两个所述通孔，与所述待蒸镀基板需要制成的沿所述预设方向排列的相间隔的两个像素图形一一对应；

所述掩膜板本体上，沿所述预设方向排列的相邻两个所述通孔之间的最小间隔距离，大于或等于所述像素图形在所述预设方向上的尺寸，且小于或等于所述通孔在所述预设方向上的最大尺寸。

可选地，所述的掩膜板，其中，每一所述延伸孔相较于所连通的所述主孔向所述预设方向凸出。

可选地，所述的掩膜板，其中，所述延伸孔沿所述预设方向上的尺寸，大于或等于所述待蒸镀基板上沿所述预设方向上相邻的两个像素图形之间的间隔距离。

可选地，所述的掩膜板，其中，所述延伸孔包括第一延伸孔和第二延伸孔，其中所述第一延伸孔相较于所连通的所述主孔向所述预设方向凸出，所述第二延伸孔相较于所连通的所述主孔向所述预设方向的相反方向凸出。

可选地，所述的掩膜板，其中，所述第一延伸孔和所述第二延伸孔沿所述预设方向上的尺寸，均小于或等于所述待蒸镀基板上沿所述预设方向上相邻的两个像素图形之间的间隔距离。

可选地，所述的掩膜板，其中，所述第一延伸孔的沿所述预设方向上的尺寸，等于所述第二延伸孔的沿所述预设方向上的尺寸。

可选地，所述的掩膜板，其中，所述主孔包括平行于所述预设方向的中心线，所述第一延伸孔与所述第二延伸孔均形成为关于所述中心线对称的结构。

可选地，所述的掩膜板，其中，所述第一延伸孔的远离所述第二延伸孔的内壁面为平面或圆弧曲面；所述第二延伸孔的远离所述第一延伸孔的内壁面为平面或圆弧曲面。

可选地，所述的掩膜板，其中，每一所述通孔的形状、尺寸均相同。

本发明实施例还提供一种采用如上任一项所述的掩膜板进行蒸镀的方法，其中，所述方法包括：

提供待蒸镀基板；

将所述掩膜板本体与所述待蒸镀基板进行对位；

执行第一蒸镀工序，使蒸镀材料透过所述掩膜板本体上的多个所述通孔沉积在所述待蒸镀基板上，所述待蒸镀基板上制成多列沿预设方向排列的多个第一像素图形和与每一第一像素图形连接的连接图形；

将所述掩膜板本体沿所述预设方向平移预设距离；

执行第二蒸镀工序，使蒸镀材料透过所述掩膜板本体上的多个所述通孔沉积在所述待蒸镀基板上，在每一列沿预设方向的多个第一像素图形中，相邻两个第一像素图形之间制成第二像素图形和与所述第二像素图形连接的连接图形，且每一所述第二像素图形的连接图形与相邻的所述第一像素图形连接，或者与相邻的所述第一像素图形的连接图形相连接。

可选地，所述的方法，其中，所述预设距离等于所述第一像素图形的第一中心线与所述第二像素图形的第二中心线之间的距离；

所述第一中心线为所述第一像素图形的垂直于所述预设方向的中心线；

所述第二中心线为所述第二像素图形的垂直于所述预设方向的中心线。

可选地，所述的方法，其中，所述待蒸镀基板上制成的多个所述第一像素图形和多个所述第二像素图形相组合，形成为OLED发光单元的阴极层。

本发明具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：

本发明实施例所述掩膜板，利用该一个掩膜板可以制作待蒸镀基板上的像素图形和像素图形的连接图形，能够解决现有技术进行图形化的材料蒸镀，需要通过两个不同结构的掩膜板，分别制作像素图形和连接图形，造成工艺复杂和蒸镀机时浪费的问题。

附图说明

图1为OLED显示面板设置图形化的阴极结构的剖面示意图；

图2为图形化的阴极结构的平面结构示意图；

图3为本发明实施例其中一实施方式的掩膜板的结构示意图；

图4为采用图3所示实施方式的掩膜板的蒸镀过程示意图；

图5为本发明实施例另一实施方式的掩膜板的结构示意图；

图6为采用图5所示实施方式的掩膜板的蒸镀过程示意图；

图7为采用本发明实施例所述掩膜板的蒸镀过程流程图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

为解决采用现有技术掩膜板进行图形化的材料蒸镀，存在工艺复杂和蒸镀机时浪费的问题，本发明实施例提供一种掩膜板，采用该一个掩膜板可以制作待蒸镀基板上的像素图形和像素图形的连接图形，能够解决现有技术进行图形化的材料蒸镀，需要通过两个不同结构的掩膜板，分别制作像素图形和连接图形，造成工艺复杂和蒸镀机时浪费的问题。

可选地，本发明实施例所述掩膜板，可以用于制作OLED显示面板的阴极层。为清楚说明本发明实施例所述掩膜板的结构和工作原理，以下结合OLED显示面板的阴极层的制备说明本发明实施例进行详细说明。

如图1所示，OLED显示面板的显示区包括设置在衬底1上的驱动电路层和位于驱动电路层上的发光器件层。其中，驱动电路层包括依次制作于衬底1上的有源层101、栅绝缘层102、栅极103、层间绝缘层104、源/漏极层105、在源/漏极层105远离衬底1一侧设置的平坦层107；该发光器件层包括第一电极202、在第一电极202远离衬底1的一侧设置的发光层204和在发光层204远离衬底1的一侧设置的第二电极205；可选地，第二电极205上设置有隔垫层206。另外，发光器件层还包括像素限定层203，设置于第一电极202上，发光层204设置于像素限定层203中。其中，第一电极202与源/漏极层105通过平坦层107的过孔连接，通过驱动电路层向第一电极202输入驱动电压，利用第一电极202与第二电极205之间的电压差，能够驱动发光层204发光。

本发明实施例中，可选地，第一电极202为阳极，第二电极205为阴极。发光层204包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

在OLED显示面板的结构中，整个显示区域的第二电极205与显示面板的VSS走线连接，实现电流的接通。为便于制造，整个显示区域的第二电极205通常布置为整面的结构形式，也即对应不同像素单元的第二电极205均连接为一体结构。但采用该结构形式的第二电极，在制作透明的OLED显示面板时，制成第二电极的材料透过率在50％～60％，会大大降低透明显示面板的穿透率，为了提高穿透率，一般会采用图形化阴极的方式，阴极材料仅在像素区域部分保留，去除像素区域之间的透明区域的第二电极205的材料，如图2所示，在待蒸镀基板50上，所制成的第二电极205的电极层包括与像素单元10对应的像素图形20以及连接在相邻像素图形20之间的连接图形30，通过连接图形30将各个像素图形20连接至VSS走线40，以使所制成的各个像素图形20接通线路。

采用本发明实施例所述掩膜板，可以通过一次蒸镀工艺制作待蒸镀基板上的像素图形和连接图形，以达到简化蒸镀工艺和节省蒸镀机时的效果。

具体地，本发明实施例所述掩膜板的其中一实施方式，如图3所示，并结合图2，所述掩膜板包括：

掩膜板本体300，包括多个间隔分布的通孔301，所述通孔301用于使蒸镀材料透过以制成待蒸镀基板上的像素图形20和平行于预设方向a的连接图形30，该连接图形30与像素图形20连接；

其中，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301，与待蒸镀基板50需要制成的沿预设方向a排列的相间隔的两个像素图形20一一对应；

所述掩膜板本体300上，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离，大于或等于像素图形20在预设方向a上的尺寸，且小于或等于通孔301在预设方向a上的最大尺寸。

参阅图2所示，以VSS走线40在待蒸镀基板50上沿待蒸镀基板50的相对两个边缘设置为例，可选地，该预设方向a垂直于该相对两个边缘。所需要制成的待蒸镀基板50上，包括多列的沿预设方向a排列的像素图形20，每一列的沿预设方向a排列的像素图形20中，每一像素图形20通过相连接的连接图形30与相邻的像素图形20连接，以能够使整列的每一像素图形20连接至VSS走线40。

结合图2和图3所示，本发明实施例中，所述掩膜板的掩膜板本体300上，包括多个间隔分布的通孔301，每一通孔301既用于使蒸镀材料透过以制成待蒸镀基板50上的像素图形20，还用于制成像素图形20的平行于预设方向a的连接图形30，因此相较于待蒸镀基板50上所制成的像素图形20，通孔301形成为不同的形状。

进一步，本发明实施例中，在掩膜板本体300上，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301，与待蒸镀基板50需要制成的沿预设方向a排列的相间隔的两个像素图形20一一对应。举例说明，掩膜板本体300上的沿预设方向a排列且相邻的第一通孔3011与第二通孔3012，与待蒸镀基板50需要制成的沿预设方向a排列的相间隔的第一个像素图形2001与第二个像素图形2002分别一一对应。也即是说，具体地，第一通孔3011用于使蒸镀材料透过制成第一个像素图形2001，第二通孔3012用于使蒸镀材料透过制成第二个像素图形2002。

在此基础上，本实施方式中，第一通孔3011还用于使蒸镀材料透过制成第一个像素图形2001连接至第三个像素图形2003的连接图形30，以及第二通孔3012还用于使蒸镀材料透过制成第二个像素图形2002连接至第四个像素图形2004的连接图形30，其中第三个像素图形2003位于第一个像素图形2001的沿预设方向a的一侧，第四个像素图形2004位于第二个像素图形2002的沿预设方向a的一侧。

本发明实施例中，如图3所示，并结合图2，在掩膜板本体300上，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b，大于或等于像素图形20在预设方向a上的尺寸c，且小于或等于通孔301在预设方向a上的最大尺寸d。

本发明实施例中，结合图2和图3所示，每一所述通孔301包括：

主孔310和与主孔310连通且平行于预设方向a的延伸孔320，主孔310用于使蒸镀材料透过制成像素图形20，延伸孔320用于使蒸镀材料透过制成像素图形20的连接图形30。

其中一实施方式，如图3所示，延伸孔320相较于主孔310沿预设方向a设置，也即相较于所连通的主孔310向预设方向a凸出。

需要说明的是，本发明实施例中所提及的预设方向a为由主孔310朝向其中一侧的方向，延伸孔320沿预设方向a设置也即为相较于主孔310，延伸孔320朝预设方向a延伸凸出。

该实施方式中，可选地，每一通孔301的延伸孔320相较于所连通的主孔310向预设方向a凸出，也即均朝向主孔310的同一侧。

该实施方式中，如图3所示，以沿预设方向a排列的第一通孔3011与第二通孔3012为例，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b为：第二通孔3012的主孔310靠近第一通孔3011的内壁面，与第一通孔3011的延伸孔320靠近第二通孔3012的内壁面之间的垂直距离。

进一步地，通孔301在预设方向a上的最大尺寸d为：主孔310的远离延伸孔320的内壁面，与延伸孔320的远离主孔310的内壁面之间的距离，其中该主孔310与延伸孔320属于同一通孔301。

采用该实施结构的掩膜板，结合图2和图4所示，在待蒸镀基板50制成多个像素图形20时，可以先将掩膜板本体300与待蒸镀基板50进行对位，之后执行第一蒸镀工序，使蒸镀材料透过掩膜板本体300上的多个通孔301沉积在待蒸镀基板50上，待蒸镀基板50上制作多列沿预设方向a排列的多个第一像素图形210和与每一第一像素图形210连接的连接图形30。采用该第一蒸镀工序制成的待蒸镀基板50，相较于所需要制成的待蒸镀基板50，在每一列沿预设方向a排列的相邻两个第一像素图形210之间，还预留有所需要制成的像素图形20的制备空间，因此在制成多个第一像素图形210之间，将掩膜板本体300朝预设方向a平移预设距离，使多个通孔301分别与待蒸镀基板50上相邻两个第一像素图形210之间的预留制备空间进行对位，执行第二蒸镀工序，使蒸镀材料透过掩膜板本体300上的多个通孔，能够在每一列沿预设方向a的多个第一像素图形210中，相邻两个第一像素图形210之间制成第二像素图形220和与第二像素图形220连接的连接图形30，利用第一像素图形210的连接图形30和第二像素图形220的连接图形30，能够使第二像素图形220与相邻的第一像素图形210连接，从而在待蒸镀基板50上制成图2所示的电极层。

本发明实施例中，通过使沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b，大于或等于像素图形20在预设方向a上的尺寸c，能够保证在进行一次蒸镀之后，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301所对应蒸镀形成的第一像素图形210之间能够预留该两个第一像素图形210之间所需要形成的第二像素图形220的蒸镀区域；进一步，通过使沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b，小于或等于通孔301在预设方向a上的最大尺寸，能够保证分别蒸镀形成的第一像素图形210与第二像素图形220能够通过连接图形30相互连接，不会产生间隔空间。

在图3所示实施方式中，由于每一通孔301的延伸孔320相较于所连通的主孔310均沿预设方向a设置，为保证分别蒸镀形成的相邻的第一像素图形210与第二像素图形220能够通过连接图形30相互连接，延伸孔320沿预设方向a上的尺寸，大于或等于待蒸镀基板50上沿预设方向a上相邻的两个像素图形20之间的间隔距离。

可选地，该实施方式中，主孔310沿预设方向a的中心线与延伸孔320沿预设方向a的中心线相重合。

可选地，该实施方式中，待蒸镀基板50上所需要制成的每一像素图形20的形状、尺寸相同，相应地在掩膜板本体300上，每一通孔301的形状、尺寸相同，在此基础上，在掩膜板本体300上沿预设方向a排列的相邻两个通孔301的主孔310的中心线之间为第一距离时，待蒸镀基板50上所需要制成沿预设方向a相邻两个像素图形20的中心线之间为第二距离时，第一距离为第二距离的两倍。结合图4，在执行第一蒸镀工序，制成多个第一像素图形210之后，沿预设方向a平移第二距离，则能够在沿预设方向a排列的相邻两个第一像素图形210之间制作第二像素图形220。

需要说明的是，本发明实施例所述掩膜板中，掩膜板本体300上所设置通孔301的形状不限于为图3所示。

本发明实施例还提供如图5所示另一实施方式的掩膜板，该实施方式中：与上一实施方式相同，结合图2所示，掩膜板本体300包括多个间隔分布的通孔301，通孔301用于使蒸镀材料透过以制成待蒸镀基板上的像素图形20和平行于预设方向a的连接图形30，该连接图形30与像素图形20连接。

每一所述通孔301包括：

主孔310和与主孔310连通且平行于预设方向a的延伸孔320，主孔310用于使蒸镀材料透过制成像素图形20，延伸孔320用于使蒸镀材料透过制成像素图形20的连接图形30。

该实施方式中，延伸孔320包括：相较于主孔310沿预设方向a设置的第一延伸孔321，以及相较于主孔310沿预设方向a的相反方向e设置的第二延伸孔322。

采用该实施方式，每一通孔301呈加号的形状。

基于该实施方式，如图5和图2所示，在掩膜板本体300上，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301，与待蒸镀基板50需要制成的沿预设方向a排列的相间隔的两个像素图形20一一对应。举例说明，掩膜板本体300上的沿预设方向a排列且相邻的第一通孔3011和第二通孔3012，与待蒸镀基板50需要制成的沿预设方向a排列的相间隔的第一个像素图形2001与第二个像素图形2002分别一一对应。也即是说，具体地，第一通孔3011用于使蒸镀材料透过制成第一个像素图形2001，第二通孔3012用于使蒸镀材料透过制成第二个像素图形2002。

在此基础上，本实施方式中，第一通孔3011还用于使蒸镀材料透过制成第一个像素图形2001连接至第三个像素图形2003的连接图形30的至少一部分，以及制成第一个像素图形2001连接至第五个像素图形2005的连接图形30的至少一部分；第二通孔3012还用于使蒸镀材料透过制成第二个像素图形2002连接至第四个像素图形2004的连接图形30的至少一部分，以及制成第二个像素图形2002连接至第三个像素图形2003的连接图形30的至少一部分。其中，第三个像素图形2003位于第一个像素图形2001的沿预设方向a的一侧，第五个像素图形2005位于第一个像素图形2005的沿预设方向a的相反方向e的一侧，第四个像素图形2004位于第二个像素图形2002的沿预设方向a的一侧。

因此，该实施方式中，通过在主孔310的相对两侧分别设置延伸孔320，使蒸镀材料透过后能够分别制成像素图形20相对两侧的连接图形30的至少一部分。

本发明实施例中，可选地，如图5所示，主孔310包括平行于预设方向a的中心线，第一延伸孔321与第二延伸孔322均形成为关于该中心线对称的结构。也即，主孔310、第一延伸孔321和第二延伸孔322的分别沿预设方向a的心线相重合。

如图5所示，以沿预设方向a排列的第一通孔3011与第二通孔3012为例，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b为：第二通孔3012的第二延伸孔322靠近第一通孔3011的内壁面，与第一通孔3011的第一延伸孔321靠近第二通孔3012的内壁面之间的距离。

进一步地，通孔301在预设方向a上的最大尺寸d为：第一延伸孔321的远离第二延伸孔322的内壁面，与第二延伸孔322的远离第一延伸孔321的内壁面之间的距离，其中该主孔310与延伸孔320属于同一通孔301。

采用该实施结构的掩膜板，结合图2和图6所示，在待蒸镀基板50制成多个像素图形20时，可以先将掩膜板本体300与待蒸镀基板50进行对位，之后执行第一蒸镀工序，使蒸镀材料透过掩膜板本体300上的多个通孔301沉积在待蒸镀基板50上，待蒸镀基板50上制作多列沿预设方向a排列的多个第一像素图形210和与每一第一像素图形210连接朝两侧延伸的连接图形30的至少一部分。

采用该第一蒸镀工序制成的待蒸镀基板50，相较于所需要制成的待蒸镀基板50，在每一列沿预设方向a排列的相邻两个第一像素图形210之间，还预留有所需要制成的像素图形20的制备空间，因此在制成多个第一像素图形210之间，将掩膜板本体300朝预设方向a平移预设距离，使多个通孔301分别与待蒸镀基板50上相邻两个第一像素图形210之间的预留制备空间进行对位，执行第二蒸镀工序，使蒸镀材料透过掩膜板本体300上的多个通孔，能够在每一列沿预设方向a的多个第一像素图形210中，相邻两个第一像素图形210之间制成第二像素图形220和与第二像素图形220连接的连接图形30的至少一部分，且该部分连接图形30与第一蒸镀工序中所制成的第一像素图形210的连接图形30相连接，因此利用第一像素图形210的连接图形30和第二像素图形220的连接图形30，能够使第二像素图形220与相邻的第一像素图形210连接，从而在待蒸镀基板50上制成图2所示的电极层。

因此，该实施方式中，通过使沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b，大于或等于像素图形20在预设方向a上的尺寸c，能够保证在进行一次蒸镀之后，沿预设方向a排列的相邻两个通孔301所对应蒸镀形成的第一像素图形210之间能够预留该两个第一像素图形210之间所需要形成的第二像素图形220的蒸镀区域；进一步，通过使沿预设方向a排列的相邻两个通孔301之间的最小间隔距离b，小于或等于通孔301在预设方向a上的最大尺寸，能够保证分别蒸镀形成的第一像素图形210与第二像素图形220能够通过连接图形30相互连接，不会产生间隔空间。

该实施方式中，为避免第一延伸孔321和第二延伸孔322的设置影响像素图形210的蒸镀成型，第一延伸孔321和第二延伸孔322沿预设方向a上的尺寸，均小于或等于待蒸镀基板500上沿预设方向a上相邻的两个像素图形20之间的间隔距离。

可选地，第一延伸孔321的沿预设方向a上的尺寸，等于第二延伸孔322的沿预设方向a上的尺寸。

进一步，该实施方式中，待蒸镀基板50上所需要制成的每一像素图形20的形状、尺寸相同，相应地在掩膜板本体300上，每一通孔301的形状、尺寸相同，在此基础上，在掩膜板本体300上沿预设方向a排列的相邻两个通孔301的中心线之间为第一距离时，待蒸镀基板50上所需要制成沿预设方向a相邻两个像素图形20的中心线之间为第二距离时，第一距离为第二距离的两倍。结合图6，在执行第一蒸镀工序，制成多个第一像素图形210之后，沿预设方向a平移第二距离，则能够在沿预设方向a排列的相邻两个第一像素图形210之间制作第二像素图形220。

本发明实施例中，可选地，第一延伸孔321的远离第二延伸孔322的内壁面为平面或圆弧曲面；第二延伸孔322的远离第一延伸孔321的内壁面为平面或圆弧曲面，通过设置为圆弧曲面，相较于设置为平面，更能够使相应的延伸孔的长度增大。需要说明的是，内壁面的形状不作特别的限定，只要不会影响蒸镀过程即可。

采用本发明实施例所述掩膜板，利用一个掩膜板，执行两次的蒸镀工序，能够在待蒸镀基板上制作出图形化的材料层，该两次蒸镀工序无需进行掩膜板更换，相较于现有技术利用两个不同掩膜板的两次蒸镀工序，能够简化蒸镀工艺，节省蒸镀机时。

此外，本发明实施例所述掩膜板，所设置的通孔301在掩膜板本体300上相互分离，能够满足掩膜板的强度制作要求。

本发明实施例还提供一种采用如上任一项所述的掩膜板进行蒸镀的方法，如图7所示，并结合图3和图5，所述方法包括：

S710，提供待蒸镀基板；

S720，将所述掩膜板本体与所述待蒸镀基板进行对位；

S730，执行第一蒸镀工序，使蒸镀材料透过所述掩膜板本体上的多个所述通孔沉积在所述待蒸镀基板上，所述待蒸镀基板上制成多列沿预设方向排列的多个第一像素图形和与每一第一像素图形连接的连接图形；

S740，将所述掩膜板本体沿所述预设方向平移预设距离；

S750，执行第二蒸镀工序，使蒸镀材料透过所述掩膜板本体上的多个所述通孔沉积在所述待蒸镀基板上，在每一列沿预设方向的多个第一像素图形中，相邻两个第一像素图形之间制成第二像素图形和与所述第二像素图形连接的连接图形，且每一所述第二像素图形的连接图形与相邻的所述第一像素图形连接，或者与相邻的所述第一像素图形的连接图形相连接。

可选地，所述预设距离等于所述第一像素图形的第一中心线与所述第二像素图形的第二中心线之间的距离；

所述第一中心线为所述第一像素图形的垂直于所述预设方向的中心线；

所述第二中心线为所述第二像素图形的垂直于所述预设方向的中心线。

可选地，所述待蒸镀基板上制成的多个所述第一像素图形和多个所述第二像素图形相组合，形成为OLED发光单元的阴极层。

采用本发明实施例所述掩膜板进行蒸镀的方法，具体原理和过程可以参阅以上的说明，在此不再赘述。

本发明实施例所述蒸镀的方法，利用一个掩膜板，执行两次的蒸镀工序，无需进行掩膜板更换，能够在待蒸镀基板上制作出图形化的材料层，相较于现有技术利用两个不同掩膜板的两次蒸镀工序，能够简化蒸镀工艺，节省蒸镀机时。

以上所述的是本发明的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本发明所述原理前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。