阅读说明：本技术 一种硅基对位方法 (Silicon-based alignment method ) 是由 孙晨 吕磊 晋芳铭 于 2019-11-11 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种硅基对位方法,其特征在于,包括如下步骤：在硅基基板上制作对位标记；在掩膜板上开设掩膜板开孔；对位光源由上方照射,进行硅基基板上对位标记与下方掩膜板开孔对应抓取对位。本发明硅基对位方法,结构简单,可大大简化蒸镀结构,可实现精确的硅基对位,具有较好的应用前景。(The invention discloses a silicon-based alignment method which is characterized by comprising the following steps: manufacturing an alignment mark on a silicon-based substrate; opening a mask plate opening on the mask plate; and irradiating the alignment light source from the upper part, and correspondingly grabbing and aligning the alignment mark on the silicon-based substrate and the opening of the mask plate at the lower part. The silicon-based alignment method has a simple structure, can greatly simplify the evaporation structure, can realize accurate silicon-based alignment, and has a good application prospect.)

一种硅基对位方法

技术领域

本发明属于OLED微显示技术领域，更具体地说，涉及一种硅基对位方法。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示技术将基底与芯片集成一体并且采WOLED+CF模式实现全彩显示，具备超高分辨率、体积小易携带、可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品等优点，受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。

硅基OLED微显示的衬底材质为单晶硅，而单晶硅为不透明材质，这就使得传统的用于透明玻璃基板蒸镀的对位系统不再适用。目前，硅基OLED 蒸镀所使用的对位机构繁琐复杂，增加设备工作量，且增加了设备采购及保养成本。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，适用于硅基OLED微显示蒸镀对位的硅基对位方法。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种硅基对位方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅基基板上制作对位标记；在掩膜板上开设掩膜板开孔；对位光源由上方照射，进行硅基基板上对位标记与下方掩膜板开孔对应抓取对位。

为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：

在所述硅基基板上设有基板开孔，在所述硅基基板上挖孔时形成十字型预留标记。

所述对位标记包括设于所述硅基基板上的预留标记，在所述预留标记上涂金属镀层形成所述对位标记。

所述金属镀层在金属阳极制作时镀上。

所述掩膜板开孔外边缘尺寸小于硅基基板上基板开孔的外边缘尺寸。

对位时，对位光源由上方穿过硅基基板上的基板开孔，对位标记中心与下方掩膜板开孔重合即完成硅基对位。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明硅基对位方法，结构简单，可大大简化蒸镀结构，可实现精确的硅基对位，具有较好的应用前景。

附图说明

下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为硅基结构制作示意图；

图2为硅基基板在蒸镀腔室的状态示意图；

图3为对位效果示意图；

附图标记：1、预留标记，2、金属镀层，

4、硅基基板，41、基板开孔，5、掩膜板，51、掩膜板开孔，6、对位光源。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

本发明这种硅基对位方法，包括如下步骤：在硅基基板4上制作对位标记；在掩膜板5上开设掩膜板开孔51；对位光源6由上方照射，进行硅基基板4上对位标记与下方掩膜板开孔51对应抓取对位。

本发明中，如图1中所示，在硅基基板4上设有基板开孔41，在硅基基板4上挖孔时形成十字型预留标记1。对位标记包括设于硅基基板4上的预留标记1，在预留标记1上涂金属镀层2形成对位标记。金属镀层2在对位光源6照射时可形成光反射层，便于准确的抓取对位。

优选的，金属镀层在金属阳极制作时镀上，方便加工制作。

本发明中，掩膜板开孔51外边缘尺寸小于硅基基板4上基板开孔41的外边缘尺寸。使得对位光源6在穿过硅基挖空部分抓取到掩膜板5的掩膜板开孔，实现精准对位。

对位时，对位光源6由上方穿过硅基基板4上的基板开孔41，对位标记中心与下方掩膜板开孔51重合即完成硅基对位。

本发明为一种硅基对位方法，包括mark制作，基于硅基基板1制作对位标记，便于硅基对位抓取，掩膜板5上设有掩膜板开孔51，在硅基基板4上预留标记1上镀金属镀层2。蒸镀对位时由上至下依次是对位光源6、硅基基板4 以及掩膜板5，其中，在硅基基板4上的挖基板开孔41时留

图形，作硅基对位mark并在后续金属阳极制作时在图案上镀金属层，形成光反射层以便 mark抓取；其中，硅基挖空的基板开孔41处的外边缘尺寸大于mask的mark孔，使得对位光源在穿过硅基挖空部分抓取到mask的mark(不限于图中的圆形)，以实现精准对位。

本发明这种硅基对位方法，在对位时，首先要制作硅基对位mark，包括基于硅基基板4上的基板开孔，mask上的掩膜板开孔51。其中掩膜板上的开孔面积小于硅基最大开孔，保证在对位时光源可透过硅基，抓取mask的mark开孔，对位时，对位光源6由上方穿过硅基基板4上的基板开孔41，对位标记中心与下方掩膜板开孔51重合即完成硅基对位，对位过程简单，且可降低镀膜设备制作及采购成本。

本发明硅基对位方法，结构简单，可大大简化蒸镀对位结构，延长对位光源的使用寿命，降低成本，可实现精确的硅基对位，具有较好的应用前景。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，但是本发明并不受限于上述方式，只要采用本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进或直接应用于其它场合的，均落在本发明的保护范围内。