蒸镀掩模的制作方法

文档序号:93898 发布日期:2021-10-12 浏览:56次 >En<

阅读说明:本技术 蒸镀掩模的制作方法 (Method for producing vapor deposition mask ) 是由 木村辽太郎 西之原拓磨 于 2021-03-22 设计创作,主要内容包括:对于蒸镀掩模单元的制作,要求除了高精度地形成高精细的图案以外,还不产生缺陷图案的技术。本发明的蒸镀掩模的制作方法包括:在第1支承基板的第1面的内侧区域,以第1膜厚形成第1抗蚀剂掩模的步骤,在形成有第1抗蚀剂掩模的第1面上,以第1膜厚以下的第2膜厚形成剥离层的步骤,除去第1抗蚀剂掩模的步骤,在剥离层上配置覆盖剥离层且端部扩展至剥离层的外侧的感光性抗蚀剂膜的步骤,与感光性抗蚀剂膜紧贴地设置第2支承基板的步骤,将第1支承基板从剥离层分离,使感光性抗蚀剂膜和剥离层留存在第2支承基板上的步骤,将超出剥离层的感光性抗蚀剂膜除去的步骤,将感光性抗蚀剂膜的端面曝光的步骤,在剥离层上形成蒸镀掩模图案的步骤。(For the production of a vapor deposition mask unit, a technique is required in which a high-definition pattern is formed with high accuracy and a defective pattern is not generated. The method for manufacturing a vapor deposition mask of the present invention includes: the method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a1 st resist mask with a1 st film thickness in a region inside a1 st surface of a1 st support substrate, a step of forming a lift-off layer with a2 nd film thickness of 1 st film thickness or less on the 1 st surface on which the 1 st resist mask is formed, a step of removing the 1 st resist mask, a step of disposing a photosensitive resist film covering the lift-off layer and having an end portion extending to the outside of the lift-off layer on the lift-off layer, a step of disposing a2 nd support substrate in close contact with the photosensitive resist film, a step of separating the 1 st support substrate from the lift-off layer to leave the photosensitive resist film and the lift-off layer on the 2 nd support substrate, a step of removing the photosensitive resist film beyond the lift-off layer, a step of exposing an end face of the photosensitive resist film to light, and a step of forming a vapor deposition mask pattern on the lift-off layer.)

蒸镀掩模的制作方法

技术领域

本发明的一个实施方式涉及蒸镀掩模的制作方法。例如,涉及在有机电致发光元件的制作中,在形成发光层等时使用的蒸镀掩模的制作方法。

背景技术

真空蒸镀法作为薄膜制作技术之一为人们所知。真空蒸镀法是如下所述的技术:通过在高真空下对材料进行加热,使材料升华或蒸发(下面,将升华和蒸发统称为气化)而生成材料的蒸气,通过使该蒸气在目标区域(下面,称为蒸镀区域)固化、堆积而形成材料的薄膜。在真空蒸镀法中,为了使得有选择地在期望的区域形成材料的薄膜,而在该期望的区域以外的区域不形成薄膜,使用金属制的掩模(参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-87840号公报

专利文献2:日本特开2013-209710号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在像素由有机电致发光元件(下面,也称为“有机EL元件”)形成的显示装置(下面,也称为“有机EL显示装置”)的制造工序中,为了形成有机EL元件,可使用真空蒸镀法。为了按每个像素形成有机EL元件的发光层,可使用具有与像素尺寸和间距相应的微细的开口图案的真空蒸镀用的蒸镀掩模。此时,当在蒸镀掩模中例如存在本来应该开口的部分被堵塞等缺陷时,该缺陷会直接成为有机EL显示装置的像素的缺陷而成为问题。因此,对于蒸镀掩模的制作,要求除了高精度地形成高精细的图案以外,还不产生缺陷图案的技术。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个实施方式的蒸镀掩模的制作方法包括:在第1支承基板的第1面的内侧区域,以第1膜厚形成第1抗蚀剂掩模的步骤,在形成有第1抗蚀剂掩模的第1面上,以第1膜厚以下的第2膜厚形成剥离层的步骤,除去第1抗蚀剂掩模的步骤,在剥离层上配置覆盖剥离层且端部扩展至剥离层的外侧的感光性抗蚀剂膜的步骤,与感光性抗蚀剂膜紧贴地设置第2支承基板的步骤,将第1支承基板从剥离层分离,使感光性抗蚀剂膜和剥离层留存在第2支承基板上的步骤,将超出剥离层的感光性抗蚀剂膜除去的步骤,将感光性抗蚀剂膜的端面曝光的步骤,和在剥离层上形成蒸镀掩模图案的步骤。

附图说明

图1表示由本发明一个实施方式的方法制作的蒸镀掩模单元的示意性平面图。

图2表示沿着图1所示的A1-A2线的截面结构。

图3A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图3B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图3C是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图4A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图4B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图5A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图5B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图6A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图6B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图7A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图7B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图8A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图8B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图9A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图9B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图9C是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图10A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图10B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

图11是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模单元的方法的示意性截面图。

图12A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模单元的方法的示意性截面图。

图12B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模单元的方法的示意性截面图。

图13A是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模单元的方法的示意性截面图。

图13B是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模单元的方法的示意性截面图。

图14是表示制作本发明一个实施方式的蒸镀掩模的方法的示意性截面图。

附图标记说明

100…蒸镀掩模单元,102…蒸镀掩模,103…开口,104…掩模图案,106…连接部,108…支承框架,110…第1支承基板,112…第2支承基板,114…第1抗蚀剂掩模,116…剥离层,118…开口部,120…内侧区域,122…外侧区域,124…粘接层,126…第1光掩模,128…第2光掩模,129…遮光部,130…透光部,132…外周部,134…内侧部,136…曝光区域,138…第2抗蚀剂掩模,140…虚拟图案(dummy pattern),142…保护膜,144…光固性树脂膜,145…剥离膜,146…保护膜,148…第3抗蚀剂掩模,150…框型收纳治具,152…收纳部,154…框型部。

具体实施方式

下面,参照附图等对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明可以以多种不同的方式实施,不应限定于下面例示的实施方式的记载内容来进行解释。为了使说明更明确,有时附图与实际的方式相比,示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等,但是,只不过是一个例子,并不是对本发明的解释进行限定。另外,在本说明书和各图中,对于与关于已经出现的图在前面说明过的构成要素相同的构成要素,有时标注相同的附图标记(或在数字之后标注a、b等附图标记)而适当省略详细的说明。对各构成要素附加的“第1”、“第2”的文字,是用于区别各构成要素的方便起见的标识,只要没有特别的说明,就不具有其以外的含义。

在本说明书中,在表述为某个部件或区域位于另一个部件或区域之“上(或下)”时,只要没有特别的说明,就不仅包括位于另一个部件或区域的正上方(或正下方)的情况,而且还包括位于另一个部件或区域的上方(或下方)的情况,即,也包括在另一个部件或区域的上方(或下方)且在它们之间还包含其它的构成要素的情况。

[第1实施方式]

1.蒸镀掩模单元的结构

图1和图2表示使用由本发明一个实施方式的方法制作的蒸镀掩模的蒸镀掩模单元100的示意性结构。图1表示蒸镀掩模单元的示意性平面图,图2表示沿着图1所示的A1-A2线的截面结构。

如图1所示,蒸镀掩模单元100包括:至少1个蒸镀掩模102;包围至少1个蒸镀掩模102的支承框架108;和将支承框架108和至少1个蒸镀掩模102连接的连接部106。图1表示至少1个蒸镀掩模102由多个蒸镀掩模102构成,多个蒸镀掩模102分别经由连接部106被固定于支承框架108的方式。

如图1的插入放大图所示的那样,蒸镀掩模102具有多个开口103。在蒸镀掩模102中,多个开口103排列在规定区域内而形成1个掩模图案104。蒸镀掩模102可以包含多个这样的掩模图案104。蒸镀掩模102在没有形成掩模图案104的区域与连接部106连接,被保持在支承框架108上。

如图2所示,蒸镀掩模102为金属的板状部件,多个开口103为贯穿板状部件的贯通孔。设置支承框架108是为了将蒸镀掩模102支承为平板状。支承框架108可以为了保持多个蒸镀掩模102而设置有格子状的框。蒸镀掩模单元100中,支承框架108与母玻璃基板的尺寸对应,掩模图案104与要在母玻璃基板中制作的各个显示面板对应地配置,多个开口103与显示面板内的像素的排列对应地配置。

连接部106具有将蒸镀掩模102和支承框架108连接,并将它们彼此固定的功能。因此,虽然支承框架108不与蒸镀掩模102直接接触,但是连接部106在蒸镀掩模102的非开口部(没有形成掩模图案104的区域)与蒸镀掩模102接触、并且与支承框架108的侧面接触。

图1和图2所示的一个例子表示在支承框架108上保持有多个蒸镀掩模102的方式,但是本发明的一个实施方式并不限于此,例如,也可以具有在支承框架108上经由连接部106保持一个蒸镀掩模102的结构。

这样的蒸镀掩模单元100可在显示面板的制造工序中的形成有机EL元件的工序中使用。具体而言,可在利用真空蒸镀形成有机EL元件的发光层等的工序中使用。在真空蒸镀的工序中,配置成母玻璃基板侧的蒸镀区域与蒸镀掩模102侧的掩模图案104匹配,材料的蒸气通过多个开口103,材料堆积在蒸镀区域。

蒸镀掩模102、连接部106含有镍(Ni)、铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)等0价金属。蒸镀掩模102和连接部106的材料的组成可以彼此相同。蒸镀掩模102和连接部106的制造方法将在后面进行说明,它们可以利用镀覆法(利用电解镀覆进行因此也被称为“电铸”)来制作。支承框架108也含有0价金属,作为该金属,可选自镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、铬(Cr)、锰(Mn)等。例如,支承框架108可以由含有铁(Fe)和铬(Cr)的合金、或者铁(Fe)、镍(Ni)、锰(Mn)的合金形成,在该合金中可以含有碳(C)。

2.金属掩模单元的制作方法

接下来,参照附图对本发明的一个实施方式的蒸镀掩模和蒸镀掩模单元的制作方法的一个例子进行说明。这些图为蒸镀掩模和蒸镀掩模单元100的示意性截面图,与图2对应。

图3A表示在第1支承基板110的第1面上形成第1抗蚀剂掩模114的阶段(步骤)。第1支承基板110是金属制的,由玻璃、石英、陶瓷、塑料等绝缘物、或者铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、铬(Cr)、钼(Mo)、锰(Mn)等金属或它们的合金形成。作为合金,例如可以是含有铁(Fe)和铬(Cr)的合金、铁(Fe)、镍(Ni)和锰(Mn)的合金,在合金中可以含有碳(C)。例如,第1支承基板110例如可以由以铁(Fe)为主要成分且含有铬(Cr)、镍(Ni)的不锈钢形成。

第1抗蚀剂掩模114使用感光性的树脂材料,通过光刻法形成。作为感光性的树脂材料,可以使用涂敷型的光致抗蚀剂或者干膜抗蚀剂(DFR)。当在图1所示的蒸镀掩模单元100中配置多个蒸镀掩模102时,第1抗蚀剂掩模114具有将它们(多个蒸镀掩模102全部)包围的框状的形态。

图3B表示形成剥离层116的阶段(步骤)。剥离层116形成在形成有第1抗蚀剂掩模114的第1支承基板110的第1面上的、从框状的第1抗蚀剂掩模114露出的区域。剥离层116例如由与形成蒸镀掩模102的金属材料相同的金属材料形成。剥离层116例如由镍(Ni)、铜(Cu)、钛(Ti)、铬(Cr)等0价金属材料形成。由这样的金属材料形成的剥离层116可以利用镀覆法来制作。例如,剥离层116可通过在第1支承基板110上镀镍来制作。在利用镀覆法形成剥离层116时,可以对第1支承基板110进行清洗,在第1面上涂敷脱模剂。

图3C表示除去第1抗蚀剂掩模114的阶段(步骤)。利用剥离液除去第1抗蚀剂掩模114。在第1抗蚀剂掩模114被除去了的区域形成开口部118。换句话说,通过从第1支承基板110上除去第1抗蚀剂掩模114,剥离层116隔着开口部118被分离为内侧区域120和外侧区域122。剥离层116的厚度形成为20μm以上200μm以下,例如40μm以上150μm以下。剥离层116可通过利用镀覆法、溅射法或化学气相沉积(CVD)法形成在第1支承基板110上。存在形成在第1支承基板110上的剥离层116的膜厚的均匀性在外周部降低的情况。在这样的情况下,也可以通过预先在第1支承基板110上设置第1抗蚀剂掩模114来将剥离层116分离为内侧的区域和外侧的区域。

在该情况下,优选如图4A所示的那样,第1抗蚀剂掩模114的膜厚d1形成为与剥离层116的设计膜厚d2相同或者比其厚。在利用镀覆法形成剥离层116的情况下,剥离层116从具有导电性的第1支承基板110上向膜厚增加的方向生长。通过使剥离层116成为在生长至期望的设计膜厚d2时,第1抗蚀剂掩模114的上表面不与剥离层116接触的程度的膜厚,能够良好地进行后面的第1抗蚀剂掩模的剥离工序。

如果假设如图4B所示的那样,将剥离层116形成为比第1抗蚀剂掩模114厚(d2>d1),那么剥离层116会生长成覆盖第1抗蚀剂掩模114的上表面。当在这样的状态下除去第1抗蚀剂掩模114时,会产生剥离层116的一部分剥落的问题。即,会产生下述问题:当将第1抗蚀剂掩模114浸渍在剥离液中时,第1抗蚀剂掩模114膨润,与此相伴,覆盖第1抗蚀剂掩模114的上表面的剥离层116的一部被顶起而剥落。

为了消除这样的问题,通过如上所述使第1抗蚀剂掩模114的膜厚大于剥离层116的膜厚,能够防止剥离层116的意外的剥离。如图4A所示,第1抗蚀剂掩模114为从剥离层116的上表面突出的形状,但是通过在形成剥离层116之后、进入下一工序之前将第1抗蚀剂掩模114除去,能够消除对后面的工序的影响。

图5A表示在剥离层116上设置粘接层124的阶段(步骤)。粘接层124优选使用在未曝光的状态下具有规定的粘接力或粘合力的抗蚀剂膜。作为这样的抗蚀剂膜,例如可以使用干膜抗蚀剂。粘接层124优选具有覆盖剥离层116的内侧区域120整个面、且端部扩展至剥离层116的外侧的大小。粘接层124的端部可以扩展至剥离层116的外侧区域122。通过作为膜状的部件提供的剥离层116具有这样的大小,能够可靠地覆盖剥离层116的内侧区域。

可以如图5B所示的那样,进行不将粘接层124的外周部曝光而将粘接层124的内侧区域曝光的处理。具体而言,可以进行使粘接层124的包含与剥离层116的端部重叠的区域的外周部132为不曝光区域,而使粘接层124的比外周部132靠内侧的区域为曝光区域来进行曝光,并使曝光面固化的处理。优选外侧区域122(进行曝光处理的区域)的至少一部分与剥离层116重叠。粘接层124的选择性曝光可以使用光掩模进行。在作为粘接层124使用的感光性干膜抗蚀剂为正型的情况下,可使用以包围透光部130的方式形成有遮光部129的第1光掩模126。通过这样的曝光处理,可在粘接层124形成与外侧区域122(不曝光区域)相比固化的、粘接力降低的区域(外侧区域122的内侧的区域)。

干膜抗蚀剂如前文所述会因曝光处理而失去表面的粘合力,但是在未曝光的状态下已经与其它表面接触的部位,即使在因光照射而固化后,也维持其粘接力。

图6A表示使粘接层124与第2支承基板112的第1面紧贴,将剥离层116和第1支承基板110一起粘贴的阶段(步骤)。此时,粘接层124的大部分已被曝光,其表面失去了粘合力。因此,第2支承基板112在粘接层124的未曝光的外周部132被固定。另一方面,粘接层124与剥离层116的界面在曝光前的时间点已经密合,虽然会因曝光而失去粘合力,但是还会保持某种程度的密合力。第2支承基板112由与第1支承基板110同样的材料形成。

另外,未曝光的外周部132与剥离层116的界面,通过在贴合后进行烘焙处理,能够增加密合性。作为该情况下的烘焙处理的条件,作为一个例子可以列举60℃、1小时。

图6B表示将剥离层116从第1支承基板110剥离的阶段(步骤)。通过对剥离层116与第1支承基板110的界面作用物理的力,能够将剥离层116从第1支承基板110剥离。例如,能够通过将具有锐利的前端的治具抵靠在第1支承基板110与剥离层116的界面而形成成为剥离开始区域的部分,然后以将第1支承基板110剥下的方式施加外力,来将剥离层116从第1支承基板110剥离。

在该阶段,剥离层116的与外侧区域122对应的部分保持留存在第1支承基板110上的状态,没有被转载至第2支承基板112上。通过这样预先将剥离层116分离为内侧区域120和外侧区域122,能够仅将内侧区域120粘贴在第2支承基板112上。此外,在该阶段,粘接层124的外周部132的一部分成为超出剥离层116而留存的状态。

图7A表示将超出剥离层116的粘接层124的外周部132除去的阶段(步骤)。利用药液将超出剥离层116的粘接层124的外周部132的一部分除去。具体而言,外周部132为未曝光部分,因此,能够通过用光致抗蚀剂的显影液进行处理(显影)而将超出的部分除去。此外,药液并不限于显影液,也可以使用能够表现出同样的作用的碱性溶液。

图8A表示在第2支承基板112上,超出剥离层116的粘接层124的外周部132的一部分已被除去的状态。粘接层124的外周部132的一部分为未曝光部分,但是被粘接层124覆盖,因此即使相对于显影液的溶解性为高的状态也会留存。粘接层124的内侧的区域在前面的工序中已进行了曝光处理,相对于显影液的可溶性下降,并且被剥离层116和第2支承基板112夹着,因此留存。因此,通过该显影液的处理,能够将粘接层124的外周部132的一部分有选择地除去。其结果是,能够使粘接层124的粘接力强的外周部132(未曝光部分)沿着剥离层116的外周留存。通过形成这样的结构,能够将剥离层116稳定地保持在第2支承基板112上。此外,通过预先将粘接层124的外周部132的超出部分除去,能够防止在后面的工序中该超出部分意外地剥离而成为发尘源。

图7B表示将粘接层124从端面曝光而使其固着在第2支承基板112和剥离层116上的阶段(步骤)。第2支承基板112和剥离层116由金属形成,因此,可以以对粘接层124的端面照射光的方式进行曝光处理。曝光处理在粘接层124的整个外周进行。通过该曝光处理,在粘接层124的外周部形成曝光区域136。

图8B表示粘接层124的端面曝光的方式。通过对粘接层124的端面照射光,从端面起的规定的区域固化而固着在第2支承基板112和剥离层116上。粘接层124处于由第2支承基板112和剥离层116夹着的状态,通过曝光处理形成端部固化的曝光区域136,因此,能够防止在后面的工序中意外的剥离。

这样,依照本实施方式,在形成剥离层116后将第1抗蚀剂掩模114除去,在将剥离层116转载至第2支承基板112后对粘接层124的端部区域进行显影将超出区域除去,从而能够防止蒸镀掩模单元的制造工序中的灰尘、异物的产生。

图9A表示在设置有剥离层116的第2支承基板112上形成第2抗蚀剂掩模138的阶段(步骤)。第2抗蚀剂掩模138以规定的图案形成。即,有选择地形成在形成多个开口103和后述的虚拟图案(虚设图案)140的区域。例如,在剥离层116上涂敷负型的光致抗蚀剂,隔着光掩模进行曝光,使得有选择地对形成多个开口103和虚拟图案140的区域进行曝光。另外,在剥离层116上涂敷正型的光致抗蚀剂,隔着光掩模进行曝光,使得有选择地对非开口部进行曝光。然后,通过进行显影,能够得到图案化的第2抗蚀剂掩模138。另外,为了能够容易地将剥离层116从蒸镀掩模单元100剥离,优选在剥离层116的外缘部也形成第2抗蚀剂掩模138。

图9B表示利用镀覆法,在没有被第2抗蚀剂掩模138覆盖的区域形成镀覆图案,来形成蒸镀掩模102的阶段(步骤)。镀覆图案的形成可以是在一个阶段进行,也可以是分几个阶段进行。在以多个阶段进行的情况下,可以采用在不同的阶段形成不同的金属的方式进行镀覆。此外,镀覆可以采用镀覆图案的上表面比第2抗蚀剂掩模138的上表面低的方式进行,也可以采用镀覆图案的上表面比第2抗蚀剂掩模138的上表面高的方式进行。在后者的情况下,可以通过对表面进行研磨来进行镀覆图案上表面的平坦化。然后,如图9C所示,通过使用剥离液的蚀刻和/或灰化将第2抗蚀剂掩模138除去,能够在剥离层116上制作由多个开口103形成掩模图案的蒸镀掩模102。

此外,如图9B和图9C所示,在形成蒸镀掩模102时,形成与蒸镀掩模102隔开间隔的虚拟图案140。虚拟图案140构成为在俯视时包围多个蒸镀掩模102。虚拟图案140和蒸镀掩模102同时形成,因此,它们能够具有彼此相同的组成和厚度。

图10A表示用于对蒸镀掩模102的掩模图案104进行保护的保护膜142的一个方式。作为保护膜142,可以使用干膜抗蚀剂。保护膜142例如具有由剥离膜145和保护膜146夹着光固性树脂膜144的结构。光固性树脂膜144中含有负型的光固性树脂。即,含有通过光而固化的高分子或低聚物。光固性树脂膜144的厚度可以任意选择,例如可以选自20μm以上500μm以下、50μm以上200μm以下、或50μm以上120μm以下的范围。保护膜146含有高分子材料。作为高分子材料,例如可以选自聚烯烃、聚酰亚胺、聚酯、聚苯乙烯或含氟聚烯烃等。

图10B表示在蒸镀掩模102上配置有保护膜142的状态。保护膜142配置成:在将剥离膜145剥离后,由蒸镀掩模102和保护膜146夹着光固性树脂膜144。保护膜142设置成至少覆盖全部掩模图案104。

接下来,对光固性树脂膜144进行曝光。具体而言,如图11所示,将具有遮光部129和透光部130的第2光掩模128以透光部130与掩模图案104重叠的方式配置,隔着第2光掩模128进行曝光。由此,被曝光的部分相对于显影液的溶解性下降。

图12A表示在对光固性树脂膜144进行曝光后,将保护膜146剥离并进行显影,在掩模图案104上形成有第3抗蚀剂掩模148的状态。在剥离层116上形成有多个掩模图案104的情况下,如图示的那样,分别对每个掩模图案104设置第3抗蚀剂掩模148。此外,在虚拟图案140上,要在后面的工序中形成支承框架,因此,没有设置第3抗蚀剂掩模148。

图12B表示在虚拟图案140上配置支承框架108的阶段(步骤)。在形成有多个掩模图案104时,在各个掩模图案之间配置支承框架108。支承框架108可以具有外廓的图案的宽度较宽、形成在外廓的图案的内侧的图案(形成在掩模图案104之间的图案)的宽度较窄的形态。

图13A表示使用镀覆法形成连接部106的阶段(步骤)。连接部106主要从蒸镀掩模102的表面中的没有被支承框架108和第3抗蚀剂掩模148覆盖的部分生长。其结果是,如图12A所示的那样,形成与蒸镀掩模102的上表面和支承框架108的侧面相接的连接部106。利用该连接部106将蒸镀掩模102和支承框架108固定。

连接部106可以形成为其厚度与第3抗蚀剂掩模148的厚度相同。或者连接部106也可以形成为其厚度小于第3抗蚀剂掩模148的厚度,还可以如图12A所示的那样形成为其厚度大于第3抗蚀剂掩模148的厚度。在连接部106的厚度大于第3抗蚀剂掩模148的厚度的情况下,能够对蒸镀掩模102与支承框架108之间提供更牢固的结合力。另一方面,通过以具有第3抗蚀剂掩模148的厚度以下的厚度的方式形成连接部106,能够防止在第3抗蚀剂掩模148上形成连接部106,因此,能够防止在除去第3抗蚀剂掩模148时连接部106被破坏或者由此导致掩模图案104破损等问题。

通过使用剥离液将第3抗蚀剂掩模148剥离,如图13B所示,能够在第2支承基板112上形成蒸镀掩模单元100。然后,通过将剥离层116从第2支承基板112剥离,进而将剥离层116从蒸镀掩模102剥离,能够得到图2所示的蒸镀掩模单元100。

在本实施方式的蒸镀掩模单元100的制造工序中,在将剥离层116转载至第2支承基板112后,在对光固性树脂膜144进行曝光和显影而形成第2抗蚀剂掩模138的阶段(图12A至图12B)、和使用剥离液将第2抗蚀剂掩模138除去的阶段(图13A至图13B),使用药液进行湿式处理。在进行这样的湿式处理的情况下,也预先(在前面的工序的阶段)将对剥离层116进行固着的粘接层124的不需要的部分除去,因此,能够防止在后面的工序中产生灰尘、异物。由此,能够提高蒸镀掩模单元100的制造成品率。例如,能够防止在掩模图案104中附着堵塞开口103的尘埃或异物。

[第2实施方式]

在第1支承基板110上形成剥离层116时,可以代替形成第1抗蚀剂掩模114而使用治具。图14表示其一个例子,可以将第1支承基板110放入框型收纳治具150中,来制作剥离层116。

框型收纳治具150可以被分割成:收纳第1支承基板110的收纳部152;和覆盖第1支承基板110的外缘部的框型部154。通过使框型部154相对于收纳部152可拆装,能够进行第1支承基板110的安装、拆除。通过使用这样的框型收纳治具150,框型部154成为掩模,能够使得不在第1支承基板110的周边部形成剥离层116。

在利用镀覆法形成剥离层116的情况下,将收纳有第1支承基板110的框型收纳治具150浸渍在镀浴中,进行镀覆处理。由此,能够在第1支承基板110的第1面形成剥离层116。

依照本实施方式,能够省略形成第1抗蚀剂掩模114的工序,能够使蒸镀掩模单元100的制造工序简化。框型收纳治具150能够重复利用,因此,能够节约资源、削减制造成本。形成剥离层116以后的工序与第1实施方式相同,在本实施方式中也能够得到同样的作用效果。

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