阅读说明：本技术 可移动掩蔽元件 (Movable masking element ) 是由 拉尔夫·林登贝格 于尔根·格里尔迈尔 岭·灿 约翰·M·怀特 马库斯·哈尼卡 于 2017-06-26 设计创作，主要内容包括：提供了一种沉积设备。沉积设备包括第一沉积源和第二沉积源,经构造为用于在基板接收面积中沉积材料。沉积设备包括掩蔽元件。掩蔽元件经构造为用于掩蔽在第一方向上延伸的基板边缘区域。掩蔽元件经构造以在至少第一方向上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件上的积累。(A deposition apparatus is provided. The deposition apparatus includes a first deposition source and a second deposition source configured for depositing material in a substrate receiving area. The deposition apparatus includes a masking element. The masking element is configured for masking an edge region of the substrate extending in the first direction. The masking element is configured to move in at least a first direction to compensate for accumulation of deposition material on the masking element.)

可移动掩蔽元件

技术领域

本文描述的实施方式涉及一种用于在基板上沉积材料的沉积设备，更具体地涉及一种包括用于掩蔽基板的边缘区域的掩蔽元件的沉积设备。

背景技术

已知用于在基板上沉积材料的数种方法。例如，基板可通过物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺等等涂覆。通常，所述工艺在处理设备或处理腔室中执行，待涂覆的基板位于所述处理设备或处理腔室中。在设备中提供沉积材料。在执行PVD工艺的情况下，例如，沉积材料可能处于气相。多种材料可用于沉积在基板上。其中，可以使用许多不同的金属，但也可使用氧化物、氮化物或碳化物。通常，PVD工艺适用于薄膜涂层。

所涂覆材料可在数个应用和数个技术领域中使用。例如，应用于微电子领域中，诸如生产半导体装置。此外，用于显示器的基板经常通过PVD工艺涂覆。另外的应用包括绝缘面板、有机发光二极管(OLED)面板，但也包括硬盘、CD、DVD和类似物。

在涂覆工艺中，使用掩模可以是有用的，例如，为了更好地限定待涂覆的面积。在一些应用中，仅应当涂覆基板的部分，且由掩模覆盖未被涂覆的部分。在一些应用中，诸如在大面积基板涂覆设备中，期望不涂覆基板的边缘。排除边缘后，可能提供无涂层的基板边缘，并且防止涂覆基板的背侧。

然而，由于掩模定位在基板前方，在材料沉积工艺中的掩模也暴露于沉积材料。因此，在处理期间沉积材料在掩模表面上积累。由于在掩模上沉积的材料，这可以导致修改的掩模形状。例如，随着沉积材料层在掩模上生长，可减小掩模孔的周边或边界。经常，对掩模执行清洁程序，用于确保由掩模覆盖的面积的精确尺寸。这个清洁程序打断材料沉积工艺并且由此是时间及成本密集的。

鉴于上述，本公开内容的目的在于提供克服本领域中的至少一些问题的沉积设备和沉积方法。

发明内容

根据实施方式，提供了一种沉积设备。沉积设备包括第一沉积源和第二沉积源，经构造为用于在基板接收面积中沉积材料。沉积设备包括掩蔽元件。掩蔽元件经构造为用于掩蔽在第一方向上延伸的基板边缘区域。掩蔽元件经构造以在至少第一方向上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件上的积累。

根据另一实施方式，提供了一种沉积方法。沉积方法包括使用第一沉积源和第二沉积源在基板上沉积材料。基板包含在第一方向上延伸的基板边缘区域。沉积方法包括使用在第一位置中布置的掩蔽元件掩蔽基板边缘区域。沉积方法包括使掩蔽元件从第一位置移动到第二位置以补偿沉积材料在掩蔽元件上的积累，其中第二位置在第一方向上距第一位置达一定距离处。

附图说明

对本领域普通技术人员充分且有利的公开在说明书的剩余部分中更具体地阐述，包括参考附图，其中：

图1a至图1c图示了根据本文描述的实施方式的沉积设备；

图2a至图2b示出了根据本文描述的实施方式的经构造以移动的掩蔽元件；

图3a至图3d示出了根据本文描述的实施方式的经构造以移动的掩蔽元件；

图4a至图4b示出了根据本文描述的实施方式的经构造以移动的掩蔽元件；

图5a至图5b图示了根据本文描述的实施方式的包括多个沉积源的沉积设备。

具体实施方式

现将详细参考各种实施方式，在图示中示出它们的一或多个示例。在下文对附图的描述中，相同元件符号是指相同部件。一般来说，仅描述了相对于单独实施方式的差异。通过解释方式来提供每个示例，而非意欲作为限制。另外，示出或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其它实施方式或与其它实施方式结合以产生另外实施方式。描述意欲包括这样的修改和变化。

如本文所使用，术语“沉积”可以更具体地指层沉积。层沉积工艺或涂覆工艺是其中材料在基板上沉积以在基板上形成所沉积材料层的工艺。例如，层沉积工艺可指溅射工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺和类似工艺。层沉积工艺可在处理腔室中执行，特定来说在真空处理腔室中执行，待涂覆的基板位于所述腔室中。

根据实施方式，提供了一种沉积设备。沉积设备包括第一沉积源和第二沉积源，经构造为用于在基板接收面积中沉积材料。沉积设备包括掩蔽元件。掩蔽元件经构造为用于掩蔽在第一方向上延伸的基板边缘区域。掩蔽元件经构造以在至少第一方向上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件上的积累。

图1a至图1c图示了根据本文描述的实施方式的沉积设备100。图1a至图1c所示的示例性沉积设备100用于处理竖直定向的基板160。然而，本文描述的实施方式不限于竖直定向的基板，并且根据本文描述的实施方式，也可以考虑基板160的其它定向。

图1a图示了沉积设备100的俯视图。沉积设备100包括用于在基板接收面积中涂覆基板160的第一沉积源110和第二沉积源120。在图1a中示出的实施方式中，第一沉积源110和第二沉积源120各自包括可旋转靶。第一沉积源110具有旋转轴112。第二沉积源120具有旋转轴122。第一沉积源110和第二沉积源120不限于可旋转靶，并且根据本文描述的实施方式，也可以考虑其它类型的沉积源。

图1a图示了第一方向102。在图1a中，如由双箭头指出，第一方向102与页面平行。如图所示，基板160与第一方向102平行。

图1a图示了第二方向104。在图1a中，第二方向104与页面垂直。如图所示，基板160与第二方向104平行。第一沉积源110的旋转轴112和第二沉积源120的旋转轴122在第二方向104上延伸。在图1a所示的示例性实施方式中，其中竖直地定向基板160，第一方向102是水平方向，且第二方向104是竖直方向。

图1a所示的沉积设备100包括掩蔽元件150。掩蔽元件150也在图1b中图示，图1b提供沉积设备100的侧视图。掩蔽元件150覆盖基板160的基板边缘区域162以防止或减少由第一沉积源110和/或第二沉积源120射出的待在基板边缘区域162上沉积的材料。

在图1b的侧视图中，如由双箭头指出，第二方向104与页面平行，并且第一方向102与页面垂直。

图1c提供了沉积设备100的正视图。为了便于呈现，在图1c中未图示沉积设备100的第一沉积源110和第二沉积源120。如图1c所示，基板边缘区域162在第一方向102上延伸。掩蔽元件150在第一方向102上延伸。

在图1c的正视图中，第一方向102和第二方向104均与页面平行。

根据本文描述的实施方式，掩蔽元件150经构造以在至少第一方向102上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。

图2a图示了在第一位置202中的掩蔽元件150。例如，在部分沉积循环期间，掩蔽元件150可余留在第一位置中达某一时间段。尽管掩蔽元件150在第一位置202中，材料由第一沉积源110和第二沉积源120(在图2a中未图示)射出用于在基板160上沉积。在掩蔽元件150在第一位置202中的情况下，基板边缘区域162由掩蔽元件150掩蔽。

由于掩蔽元件150掩蔽基板边缘区域162，由第一沉积源110和第二沉积源120射出的沉积材料在掩蔽元件150上积累。沉积材料在掩蔽元件150上的生长影响掩蔽元件150的有效形状。例如，在掩蔽元件150的边缘部分上形成的材料的厚度可改变此边缘部分的有效形状。若掩蔽元件150保留在第一位置202中达较长时间段，则由于在掩蔽元件150上沉积的沉积材料的积累，由掩蔽元件150掩蔽的基板160的区域形状将在沉积工艺的过程中改变。例如，这可以导致在基板160上沉积的层的不均匀。

为了补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累，根据本文描述的实施方式，掩蔽元件150经构造以在第一方向102上移动。如图2b所示，掩蔽元件150相对于基板160从第一位置202移动到第二位置204。第二位置204在第一方向102上距第一位置202达距离220处。

在图2a至图2b所示的示例性实施方式中，如由图2a中的箭头292指出，从第一位置202到第二位置204的移动是在第一方向102上的侧向移动。如图2a至图2b中示出的掩蔽元件150的移动是与第一方向102平行的移动。然而，掩蔽元件150的移动也可在不同的方向上，例如，具有沿着第一方向102的分量和沿着第二方向104的分量的成角度方向，只要第二位置204在第一方向102上偏离第一位置202即可。

图2b图示了在第二位置204中的掩蔽元件150。在第一位置202中的掩蔽元件150在图2b中用虚线指出。掩蔽元件150在第一方向102上从第一位置202移动到第二位置204达距离220。如图2b中示出，在第二位置204中的掩蔽元件150可掩蔽基板边缘区域162的至少部分。

掩蔽元件150可保留在第二位置204中达某一时间段，例如，达沉积循环的部分。尽管掩蔽元件150在第二位置204中，材料由第一沉积源110和第二沉积源120(图2b中未图示)射出用于在基板160上沉积。

当如图2a所示遮蔽元件150在第一位置202中时，与距沉积源达一距离的掩蔽元件150的区域相比，直接面对一个沉积源(例如，第一沉积源110或第二沉积源120)的掩蔽元件150的区域可以较高速率接收沉积材料。由此，与距沉积源达一距离的掩蔽元件150的区域相比，沉积材料可在直接面对一个沉积源的掩蔽元件150的区域中更快地积累。例如，沉积材料可根据沉积轮廓在掩蔽元件150上积累，所述沉积轮廓在面对沉积源的位置处具有一或多个峰值并且在第一方向上远离沉积源的位置中具有一或多个谷。从而，掩蔽元件150的有效形状(即，当考虑到沉积材料在掩蔽元件150上积累时掩蔽元件的形状)以相对于第一方向102不均匀的方式变化。根据本文描述的实施方式，掩蔽元件150从第一位置202到第二位置204的移动(其中第二位置204在第一方向102上距第一位置202达一定距离处)补偿沉积材料沿着第一方向102在掩蔽元件150上的不均匀积累。

鉴于上述，本文描述的实施方式允许减少通过沉积材料在掩蔽元件上积累而导致的在基板上沉积的层的不均匀性。特别地在基板边缘处，改进的层均匀性(例如，层厚度和/或电阻率的均匀性)因此由本文描述的实施方式提供。由于层均匀性影响后续工艺(诸如例如，蚀刻)以及其中使用经涂覆基板的装置(例如，显示器面板)的性能，本文描述的实施方式因此提供改进的装置性能。另外，本文描述的实施方式也允许平均化在掩蔽元件上沉积的材料层的峰和谷。由此，提供了增加的掩蔽元件寿命。

根据本文描述的实施方式的掩蔽元件150经构造为用于在沉积工艺中控制材料在基板160上的沉积。当基板160的基板边缘区域162应当保持没有沉积材料或基本上没有沉积材料时，掩蔽元件150是理想的。这可能是由于稍后的应用和/或对已涂覆基板的搬运而仅应当涂覆基板160的限定面积的情况。例如，将用作显示器部分的基板160应当具有预定义尺寸。使用掩蔽元件涂覆大面积基板，以便掩蔽基板的基板边缘区域162和/或防止背侧涂覆基板160。此方法允许在基板上可靠、稳定涂覆。

掩蔽元件150适用于掩蔽基板区域，例如，基板边缘区域162。“掩蔽”基板160的区域的概念可包括减少和/或阻碍材料在基板160的区域上的沉积。

根据实施方式，掩蔽元件150可为或包括一件掩蔽材料，诸如碳纤维材料或金属，如铝、钛、不锈钢、镍铁合金或类似物。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可为或包括边缘排除掩模或边缘排除掩模的部分。边缘排除掩模可由数个部件或部分构成，所述部件或部分可以形成框架。掩模框架可再次具有数个框架部分或框架部件。这可以是有利的，因为认为与整体框架相比，由不同部件组装的框架的生产更具成本效益。根据本文描述的实施方式的掩蔽元件150可指边缘排除掩模或边缘排除掩模的部分，例如，边缘排除掩模的框架部分。掩蔽元件150(例如，边缘排除掩模的框架部分)可经构造以独立于其它部件(例如，边缘排除掩模的其它框架部分)移动。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可经构造为用于掩蔽在第一方向102上延伸的基板边缘部分162。掩蔽元件150可在第一方向102上延伸。掩蔽元件150可具有伸长形状。例如，掩蔽元件150可为在第一方向102上延伸并且具有第一端和第二端的伸长元件。掩蔽元件150可具有长度和宽度，其中长度远大于宽度。第一方向102可为掩蔽元件150的纵向方向(例如，长度方向)。掩蔽元件150在第一方向102上的长度可远大于掩蔽元件150的宽度，例如，在第二方向104上的宽度。

基板边缘区域(例如，基板边缘区域162)指基板的薄周边面积。基板边缘区域可具有长度和宽度，其中基板边缘区域的长度可远大于基板边缘区域的宽度。基板边缘区域可在第一方向102上延伸。基板边缘区域可具有在第一方向102上的长度，所述长度远大于基板边缘区域的宽度，例如，在第二方向104上的宽度。基板边缘区域可布置在基板的单侧处。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，基板的基板边缘区域可具有基板160的面积的约5％或更小的面积，更特定地约2％或更小，仍更特定地在基板面积的约1％至约2％之间。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，基板边缘区域的宽度可为8mm或更小，更特定地6mm或更小。取决于所考虑的基板160的应用，基板边缘区域的宽度可在第一方向102上沿着基板长度对称，但也可沿着此宽度变化。例如，在基板边缘区域的中间部分处的基板边缘区域的宽度可为从3mm至6mm。例如，在基板边缘区域的拐角面积处的基板边缘区域的宽度可从0mm至6mm。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，在第一方向102上的基板边缘区域的长度可等于在第一方向102上的基板的长度。掩蔽元件150可经构造为用于掩蔽在第一方向102上沿着基板160的整个长度延伸的基板边缘区域。此实施方式在图1c中示出。

或者，在第一方向102上的基板边缘区域的长度可小于在第一方向102上的基板的长度。掩蔽元件可经构造为用于掩蔽在第一方向102上在基板长度的部分之上延伸的基板边缘区域。可能取决于产品功能或制造工艺，掩蔽元件可经构造为用于掩蔽基板边缘的一或多个区段或部分。由掩蔽元件150掩蔽的基板边缘区域的长度可为在第一方向102上的基板160的长度的从80％至100％，特定地从90％至100％。

图3a至图3d图示了根据本文描述的实施方式的沉积设备100。

图3a图示了在沉积工艺的初始阶段在第一位置202中的掩蔽元件150。在图3a所示的掩蔽元件150上尚未沉积材料。

如与图3a相比，图3b图示了在沉积工艺的后续阶段在第一位置202中的掩蔽元件150。沉积材料300的层已在掩蔽元件150上积累。在掩蔽元件150上的沉积材料包括峰310和320，所述峰分别在面对第一沉积源110和第二沉积源120的位置处。在沉积材料300的层中的谷可在第一方向102上距沉积源达一定距离的位置处形成。例如，谷330在第一沉积源110与第二沉积源120之间的位置中形成。

图3c图示了短暂地在掩蔽元件150已经从第一位置202移动到第二位置204之后的在第二位置204中的掩蔽元件150。在示例性实施方式中，在第一位置202与第二位置204之间的距离220是在第一沉积源110与第二沉积源120之间的距离350的约1/2。峰310和320不再面对沉积源，而是位于在第一方向102上距沉积源一定距离的位置中。例如，峰310在第一沉积源110与第二沉积源120之间的位置中。继而，谷330面对第二沉积源120。随着材料继续在第二方向204上的掩蔽元件150上沉积，与进一步从沉积源移除的掩蔽元件150的区域(例如，峰310和320)相比，沉积材料可在掩蔽元件150面对沉积源的区域(例如，谷330)中更快速地积累。

与图3c相比，图3d图示了在沉积工艺的后续阶段在第二位置204中的掩蔽元件150。如图所示，在掩蔽元件150上沉积的沉积材料300的层厚度沿着第一方向102基本上平均化，即，均匀。由此，如图3b至图3c所示的包括峰和谷的不均匀沉积轮廓已经通过使掩蔽元件150从第一位置202移动到第二位置204来补偿。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可经构造以在第一方向102上移动以补偿(例如，平均化)在掩蔽元件150上沉积的材料的沉积轮廓。沉积轮廓可包括一或多个峰和一或多个谷。

例如，在其中掩模不在第一方向102上移动的系统中，在完整靶寿命处的掩模上的沉积轮廓的峰可具有最大厚度，例如，约60mm。在完整靶寿命处的沉积轮廓的谷可具有最小厚度，例如，约45mm。相比之下，在根据本文描述的实施方式掩蔽元件150在第一方向102上移动(例如，移动了距离350的约50％的距离或在沉积源之间的间距)的情况下，可平均化在掩蔽元件150上积累的沉积材料的厚度，例如，至约52.5mm。因此减小在掩蔽元件150上沉积的材料的峰厚度。从而，改进在基板上沉积的层的层均匀性。此外，可以增加最小与最大沉积厚度比。另外，可对本文描述的实施方式提供掩蔽元件的寿命增加(例如，寿命增加14％或更多)。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可经构造以在第一方向102上移动达一距离，所述距离取决于在第一沉积源110与第二沉积源120之间的距离350。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，第一沉积源110在距第二沉积源120达第一距离(例如，图3a至图3d所示的距离350)处布置。第一距离可为在第一方向102上的距离。掩蔽元件150可经构造以在第一方向102上移动达第二距离，例如，图3c所示的距离220。第二距离可为第一距离的从30％至70％，更特定地从40％至60％，例如，50％。随着第二距离变得更接近第一距离的50％，进一步增强平均化在掩蔽元件150上的沉积轮廓的峰和谷的影响。根据实施方式，第二距离可取决于从沉积源到相邻沉积源或系统中的其它部件的最小需要距离或由所述最小需要距离确定，所述最小需要距离可影响沉积源或其它部件的功能。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，在第一沉积源110与第二沉积源120之间的第一距离(例如，距离350)为从250至350mm，更特定地280至320mm，例如，约300mm。

如图3a至图3d中示出，在第一沉积源110与第二沉积源120之间的第一距离可为从第一沉积源110的中心到第二沉积源120的中心的距离350。第一距离可为从第一沉积源110的中心轴或旋转轴到第二沉积源120的中心轴或旋转轴的距离350。中心到中心的距离可取决于在第一方向上的沉积源的尺寸，例如，宽度。从第一沉积源的周边到第二沉积源的周边的距离可为从约0至3mm至多达数百mm，特定地从0mm至300mm，更特定地从3mm至300mm。从第一或沉积源的周边到可能影响源的相邻部件的距离可以在相同范围内。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150经构造以在至少第二方向104上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。

图4a至图4b图示了根据本文描述的实施方式的沉积设备100。为了便于呈现而未图示第一沉积源110和第二沉积源120。图4a至图4b所示的掩蔽元件150经构造以在第一方向102和第二方向104上移动以补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。

图4a图示了在第一位置202中的掩蔽元件150。图4b图示了在第二位置204中的掩蔽元件150。第二位置204在第一方向102上距第一位置202达距离220处。第二位置在第二方向104上距第一位置202达距离420处。与第一位置202中的掩蔽元件150相比，图4b所示的掩蔽元件150已经侧向(在第一方向102)和向上(在第二方向104上)移动。

图4a至图4b所示的沉积设备100包括致动器410，所述致动器用于在第一方向102和第二方向104上移动掩蔽元件150。

根据本文描述的实施方式，进行掩蔽元件150在第二方向104上的移动用于补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。当如图4a所示掩蔽元件150在第一位置202中时，由第一沉积源110和第二沉积源120射出的沉积材料在掩蔽元件150上积累。沉积材料在掩蔽元件150上的生长影响掩蔽元件150的有效形状。例如，在掩蔽元件150的边缘上形成的材料厚度可增加在第二方向104上的掩蔽元件150的有效宽度。通过使掩蔽元件150从第一位置202移动到第二位置204，其中第二位置在第二方向104上距第一位置202达距离420处，可以补偿掩蔽元件150的增加有效宽度。由此，可以确保随着沉积材料的厚度在掩蔽元件150的边缘上积累，由掩蔽元件150掩蔽的基板160的区域宽度基本上保持固定。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可经构造以在第二方向104上移动达从0mm至30mm的距离，特定地从10至30mm，更特定地15至30mm，例如，约20mm。掩蔽元件150可经构造以在第二方向104上移动达基板160在第一方向102上的边缘长度的从0.03％至3％的范围中，更特定地从0.2％至2％，例如，从0.5％至1％。

掩蔽元件150在第二方向104上的移动可为相对于基板160或基板接收面积的向外移动。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可经构造以在第二方向104上递增地移动，例如，每分钟数微米。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150从第一位置到第二位置204的移动可包括从第一位置202到中间位置的第一移动和/或从中间位置到第二位置204的第二移动。第一移动可基本上与第一方向102平行，并且第二移动可基本上与第二方向104平行，或反之亦然。替代或额外地，掩蔽元件150从第一位置202到第二位置204的移动可包括沿着成角度方向的移动。成角度方向或对角方向可为相对于第一方向102和相对于第二方向104的角度。

例如，如由对角定向的箭头490指出，图4a至图4b所示的掩蔽元件150可通过沿着成角度方向或对角方向移动掩蔽元件150而从第一位置202移动到第二位置204。或者，掩蔽元件150可从第一位置202移动到第二位置204，例如，通过首先沿着与第一方向102平行的直线向右移动掩蔽元件150，接着沿着与第二方向104平行的直线向上移动，或反之亦然。作为另外的选项，掩蔽元件150可通过先前替代方案的组合从第一位置202移动到第二位置204。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，在材料在基板160上和/或在掩蔽元件150上沉积时进行掩蔽元件150(例如，在第一方向102和/或第二方向104上)的移动。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可相对于基板160移动。在移动掩蔽元件150时基板160可保持在基本上固定的位置中。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可相对于第一沉积源110、第二沉积源120和/或沉积设备100的任何另外的沉积源移动。在移动掩蔽元件150时沉积源可保持在基本上固定的位置中。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可在与基板160或基板接收面积平行或基本上平行的平面中移动。当在两个平面之间存在从0至15°(更特定地0至10°)的小角度时，可认为两个平面基本上平行。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150(例如，在第一方向102和/或第二方向104上)的移动是平移移动。

根据本文描述的实施方式，例如，在第一方向102和/或第二方向104上移动掩蔽元件以补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。此种类型的移动大体与仅出于对准掩蔽元件150(例如，相对于基板160的对准)的目的而进行的掩蔽元件150的移动不同。特定来说，无论已经在掩蔽元件150上沉积的沉积材料的量如何，可进行出于对准目的的掩蔽元件150的移动。相比之下，根据本文描述的实施方式，掩蔽元件150的移动取决于在沉积工艺期间沉积材料在掩蔽元件150上的积累，并且移动掩蔽元件150以补偿此种积累。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，第一方向102可与基板160或基板接收面积平行或基本上平行。概念“基本上平行”可包括第一方向102相对于基板或基板接收面积呈小角度，其中所述角度可从0度至15度，更特定地从0度到10度。

在其中在沉积工艺中基板基本上竖直定向的实施方式中，第一方向可为基本上水平的方向。基本上水平的方向可包括相对于竖直方向呈从75度到90度(更特定地从80度至90度)的角度的方向。

根据可以与本文描述的实施方式相结合的实施方式，沉积源(诸如例如，第一沉积源110和/或第二沉积源120)可在第二方向104上延伸。第一沉积源110、第二沉积源120和/或任何另外的沉积源可具有伸长形状，例如，基本上圆柱形的形状。伸长形状可在第二方向上延伸。第一沉积源110、第二沉积源120和/或任何另外的沉积源可包括纵轴，例如旋转轴。纵轴或旋转轴可在第二方向104上延伸。

第二方向104与第一方向102不同。第二方向104可与第一方向102垂直或基本上垂直。基本上垂直的两个方向可包括呈从75度至90度(更特定地从80度至90度)的角度的方向。

第二方向104可与沉积设备的基板或基板接收面积平行或基本上平行。

在其中基板在沉积工艺中基本上竖直定向的实施方式中，第二方向104可为基本上竖直的方向。基本上竖直的方向可包括与准确竖直方向偏离小角度(例如，从0度至15度的角度，特定地从0度至10度的角度)的方向。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积设备100可包括2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、16或甚至更多个沉积源。

图5a至图5b图示了根据本文描述的实施方式的沉积设备100。图5a至图5b所示的示例性沉积设备100包括沉积阵列，所述沉积阵列包括六个沉积源110、120、530、540、550和560。每一个沉积源具有在第二方向104上延伸的旋转轴。沉积阵列具有间距510。

沉积阵列的间距可指在沉积阵列的相邻沉积源之间的距离，特定地在第一方向102上的距离。更具体地，沉积阵列的间距可指在沉积阵列的相邻沉积源的旋转轴之间的距离。

图5a图示了在第一位置202中的掩蔽元件。图5b图示了在第二位置204中的掩蔽元件150。第二位置204在第一方向102上距第一位置202达距离220处。例如，距离220可为间距510的约50％。通过使掩蔽元件150从第一位置202移动到第二位置204，在掩蔽元件150上沉积的沉积材料的峰可偏移到在沉积阵列的相邻沉积源之间的位置。由此，如上文讨论，从第一位置202到第二位置204的移动允许平均化在掩蔽元件150上积累的沉积材料的沉积轮廓。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积设备100可包括多个沉积源，所述沉积源用于在基板接收面积中沉积材料。多个沉积源可在基板或基板接收面积的相同侧面上布置。

多个沉积源可包括第一沉积源110、第二沉积源120、第三沉积源、可选的第四沉积源、和可选的甚至更多沉积源。多个沉积源的相邻沉积源可在第一方向102上距彼此基本上固定距离处布置。

多个沉积源可为沉积阵列。在第一沉积源110与第二沉积源120之间的第一距离(诸如例如图3a至图3d所示的距离350)可等于沉积阵列的间距，例如，图5a至图5b所示的间距510。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150经构造以从第一位置202移动到第二位置204，其中在第一方向102上从第一位置到第二位置的距离为沉积阵列的间距的从30％至70％，更特定地40％至60％，例如约50％。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积阵列的间距可为从250mm至350mm，更特定地从280mm至320mm，例如，约300mm。本文描述的实施方式从而提供高于在本领域中已知的系统的间距。由于间距更高，减小了溅射线圈重叠。由此，可以进一步减小在掩蔽元件上沉积的材料的沉积轮廓的峰的最高高度。继而，这增加掩蔽元件的寿命。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积设备可包括用于移动掩蔽元件的一或多个致动器，例如，致动器410。一或多个致动器可经构造为用于在第一方向102上和/或在第二方向104上移动掩蔽元件150。一或多个致动器可连接到掩蔽元件150。例如，致动器可包括马达或线性致动器。根据本文描述的实施方式的沉积设备100可包括用于向一或多个致动器提供电力的一或多个电源、用于接收信号的移动控制器和/或构件，所述信号用于触发掩蔽元件的移动。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积设备可包括控制单元，所述控制单元用于控制掩蔽元件150的移动。

控制单元可经构造为用于根据本文描述的实施方式控制一或多个致动器。

控制单元可经构造为用于取决于在掩蔽元件150上沉积的沉积材料的特性而控制掩蔽元件150在第一方向102和/或第二方向104上的移动。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，例如，在沉积材料的预定时间段之后，掩蔽元件150可在控制单元的控制下移动。驱动掩蔽元件150的速度或掩蔽元件150移动的时刻可由控制单元基于预定的沉积速率和/或基于测量的数据来计算。例如，某一工艺的参数可用于确定在掩蔽元件150上的沉积速率，并且因此，例如，确定将移动掩蔽元件150的速度。例如，查询表可用于确定掩蔽元件150的移动速度或将移动掩蔽元件150的时刻。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150的移动可基于在掩蔽元件150上的沉积材料层的测量结果来控制。沉积设备100可包括一或多个传感器，所述传感器用于测量在掩蔽元件150上沉积的材料的量或沉积轮廓。例如，可测量特性(诸如在掩蔽元件上的材料层的厚度)，并且可由控制单元基于测量控制掩蔽元件的移动。控制单元可包括一或多个查询表，所述查询表用于控制在第一方向102和/或第二方向104上的掩蔽元件的移动。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，例如，沉积设备100的沉积源可适用于执行溅射工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺和类似物。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，第一沉积源110、第二沉积源120和/或本文描述的任何另外的沉积源可经构造为用于真空沉积。沉积设备100可为真空沉积设备。沉积源可在真空处理腔室中布置。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积源可为或包括阴极组件。沉积源可包括靶，特定地可旋转靶。可旋转靶可为围绕沉积源的旋转轴(例如，如图1a所示的第一沉积源110的旋转轴112)可旋转的。可旋转靶可具有弯曲表面，例如圆柱形表面。可旋转靶可为围绕旋转轴旋转的，所述旋转轴为圆柱体或管的轴。可旋转靶可包括背管。形成靶的靶材料可安装在背管上，所述靶材料可含有在涂覆工艺期间待沉积到基板上的材料。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，第一沉积源110、第二沉积源120和/或任何另外的沉积源可各自包括可旋转靶，所述可旋转靶具有在第二方向104上延伸的旋转轴。

沉积源可包括磁体组件。磁体组件可布置在沉积源的可旋转靶中。磁体组件可被布置为使得由沉积源溅射的靶材料朝向基板溅射。磁体组件可产生磁场。磁场可导致在溅射沉积工艺期间在磁场附近形成一或多个等离子体区域。在可旋转靶内的磁体组件的位置影响在溅射沉积工艺期间靶材料溅射远离阴极组件的方向。

根据另一实施方式，提供了一种沉积方法。沉积方法包括使用第一沉积源110和第二沉积源120在基板160上沉积材料。基板160包括在第一方向102上延伸的基板边缘区域162。方法包括使用在第一位置202上布置的掩蔽元件150掩蔽基板边缘区域162。方法包括使掩蔽元件150从第一位置202移动到第二位置204以补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。第二位置204在第一方向102上距第一位置202达一距离处。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，第一沉积源110可布置在距第二沉积源120达第一距离处，例如，距离350。掩蔽元件150可在第一方向102上从第一位置202移动到第二位置204达第二距离，例如，距离220。第二距离可为第一距离的从30％至70％，更特定地40％至60％，例如50％。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，掩蔽元件150可从第一位置202移动到第二位置204以补偿在掩蔽元件150上沉积的材料的沉积轮廓。沉积轮廓可包括一或多个峰和一或多个谷。在掩蔽元件从第一位置202移动到第二位置204之前，例如，正好在掩蔽元件从第一位置202移动到第二位置204之前，沉积轮廓可包括面对第一沉积源的第一峰、面对第二沉积源的第二峰和/或面对第一和第二沉积源之间的位置的第一谷。在掩蔽元件150从第一位置202移动到第二位置204之后，例如正好在掩蔽元件150从第一位置202移动到第二位置204之后，第一谷可面对第一沉积源或第二沉积源。第一峰和/或第二峰可在第一方向上距第一沉积源和第二沉积源达一距离的位置中。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，第二位置204在第二方向104上距第一位置202达一距离处。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积方法可包括使用在第二位置204中布置的掩蔽元件150掩蔽基板边缘区域162的至少一部分。

例如，基板边缘区域162的仅一部分可由第二位置204中的掩蔽元件150掩蔽。由第二位置204中的掩蔽元件掩蔽的基板160的区域可为与由第一位置202中的掩蔽元件150掩蔽的基板边缘区域162不同的另外的基板边缘区域。例如，在第一方向102上的另外的基板边缘区域的长度可等于在第一方向102上的基板160的长度。或者，在第一方向102上的另外的基板边缘区域的长度可小于在第一方向102上的基板160的长度。

或者，整个基板边缘区域162可由在第二位置204中布置的掩蔽元件150掩蔽。由第二位置204中的掩蔽元件150掩蔽的基板160的区域可与由第一位置202中的掩蔽元件150掩蔽的基板160的区域相同或基本上相同。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积方法可包括使掩蔽元件150从第二位置204移动到第三位置以补偿沉积材料在掩蔽元件150上的积累。第三位置可在第一方向102和/或第二方向104上距第二位置204达一距离处。在第一方向102上的距离可为在第一沉积源与第二沉积源之间的第一距离的从30％至70％，更具体地从40％至60％，例如，50％。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，基板是大面积基板。

如本文使用的术语“基板”涵盖非柔性基板(例如，玻璃基板、晶片、透明晶体(诸如蓝宝石)切片或类似物、或玻璃板)和柔性基板(诸如卷材或箔纸)。根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的一些实施方式，本文描述的实施方式可以用于显示器PVD，即，在用于显示器市场的大面积基板上的溅射沉积。根据一些实施方式，大面积基板或相应载具(其中载具可承载一个基板或多个基板)可具有至少0.67m²的大小。所述大小可为约0.67m²(0.73x0.92 m-第4.5代)至约8m²，更具体地约2m²至约9m²或甚至高达12m²。基板或载具(对此提供根据本文描述的实施方式的结构、设备(诸如阴极组件)和方法)可以是如本文描述的大面积基板。例如，大面积基板或载具可以是第4.5代(对应于约0.67m²的基板(0.73x0.92m))、第5代(对应于约1.4m²的基板(1.1mx1.3m))、第7.5代(对应于约4.29m²的基板(1.95mx2.2 m))、第8.5代(对应于约5.7m²的基板(2.2mx2.5 m))、或甚至第10代(对应于约8.7m²的基板(2.85mx3.05m))。可以相似地实现甚至更大的代诸如第11代和第12代以及对应的基板面积。

根据可与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积设备可包括用于接收基板的基板接收面积。基板接收面积可具有大小和/或形状，所述大小和/或形状对应于根据本文描述的实施方式考虑的基板的大小和/或形状。

根据可以与本文描述的其它实施方式相结合的实施方式，沉积方法是静态沉积方法。

在静态沉积与动态沉积之间的区别如下，并且特别地适用于大面积基板处理，诸如处理竖直定向的大面积基板。动态溅射是直线工艺，其中基板临近沉积源连续或准连续地移动。动态溅射具有以下优点：在基板移动到沉积面积中之前可以稳定溅射工艺，并且随后随着基板经过沉积源而保持固定。再者，动态沉积可以具有如下例如关于颗粒产生的缺点。这可能特别地应用于TFT背板沉积。应当注意，术语静态沉积工艺(如与动态沉积工艺相比是不同的)不排除基板的每一次移动，熟练技术人员了解这一点。例如，静态沉积工艺可以包括在沉积期间的静态基板位置、在沉积期间的摆动基板位置、在沉积期间基本上固定的平均基板位置、在沉积期间的抖动基板位置、在沉积期间的摇晃基板位置、或它们的组合。由此，静态沉积工艺可以被理解为具有静态位置的沉积工艺、具有基本上静态位置的沉积工艺、或具有基板的部分静态位置的沉积工艺。从而，如本文描述的静态沉积工艺可以明确地与动态沉积工艺进行区分，而用于静态沉积工艺的基板位置不必在沉积期间完全不具有基板或阴极组件的任何移动。

虽然上述内容针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可能设计出其它和另外实施方式，并且本公开内容的范围是由随附权利要求书确定。