成膜掩模的制造方法
阅读说明：本技术 成膜掩模的制造方法 (Method for manufacturing film formation mask ) 是由 崎尾进 岸本克彦 于 2019-04-01 设计创作，主要内容包括：一种成膜掩模的制造方法,该成膜掩模具有在以拉伸在框架上的状态固定的掩模基材的有源区域形成部排列成矩阵状的多个开口部,包括：工序A,准备初始状态的掩模基材,初始状态的掩模基材以规定的条件被拉伸的状态下固定于框架,使得能够规定xy面；工序B,准备所确定的多个开口部的每一个在xy面中的位置的目标坐标数据；工序C：对多个开口部的每一个,预测由于形成开口部而产生的从目标坐标数据开始的位移量,生成减去位移量的校正数据；以及工序D：在基于目标坐标数据和校正数据确定的位置形成多个开口部的每一个；在工序C中关于多个开口部的每一个的校正数据与形成多个开口部的顺序相关联,且在工序D中多个开口部按照顺序形成。(A method for manufacturing a film formation mask having a plurality of openings arranged in a matrix in active region forming portions of a mask base material fixed in a stretched state on a frame, comprising: a step (A) of preparing a mask base material in an initial state, the mask base material in the initial state being fixed to a frame in a state of being stretched under a predetermined condition so that an xy plane can be defined; a step B of preparing target coordinate data of the position of each of the plurality of openings specified in the xy plane; and a step C: predicting a displacement amount from the target coordinate data, which is caused by forming the opening portion, for each of the plurality of opening portions, and generating correction data by subtracting the displacement amount; and a step D: forming each of a plurality of openings at a position determined based on the target coordinate data and the correction data; the correction data for each of the plurality of openings in step C is associated with the order in which the plurality of openings are formed, and the plurality of openings are formed in order in step D.)
技术领域
本发明涉及成膜掩模的制造方法，特别是涉及适用于高精细的有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示装置的量产的成膜掩模的制造方法。成膜掩模指的是包括薄膜沉积技术(例如Physical Vapor Deposition(PVD)、Chemical Vapor Deposition(CVD)等。)中使用的掩模。以下，以作为PVD的一种的真空蒸镀法为例进行说明。
背景技术
近年来，有机EL显示装置已实用化。在当前量产的中小型的有机EL显示装置中，有机EL层的形成主要使用真空蒸镀法来进行。有机EL层例如包含空穴输送层、电子输送层及配置于它们之间的有机发光层。空穴输送层还可以兼作有机发光层。将至少包含有机发光层和电子输送层的且由有机材料形成的层称为有机EL层。
有机EL显示装置具有：针对每个像素至少一个有机EL元件(OrganicLightEmitting Diode：OLED)和控制向每个OLED供给的电流的至少一个TFT(ThinFilmTransistor)。以下，将有机EL显示装置称为OLED显示装置。如上所述，针对每个OLED，具有TFT等开关元件的OLED显示装置被称为有源矩阵型OLED显示装置。另外，形成TFT和OLED的基板被称为元件基板。包含TFT的驱动电路被称为背板电路(或简称为“背板”)，OLED形成在背板上。
在可进行彩色显示的有机EL显示装置中，例如由R像素、G像素、B像素构成一个彩色显示像素。构成彩色显示像素的不同颜色的像素有时也被称为原色像素。本说明书中的像素有时也称为“点”，彩色显示像素称为“像素”。例如，表示分辨率的ppi(pixel perinch)表示1英寸所包含的“像素”的数量。
另外，在用三种不同颜色的像素构成一个彩色显示像素的情况下，三种不同颜色的像素的形状、大小也可以彼此不同。例如，可以增大发光效率低的蓝色的像素，减小发光效率高的绿色的像素。或者，也可以由一个红色像素、一个绿色像素以及两个蓝色像素构成一个彩色显示像素。另外，像素排列可以是条纹排列、三角形排列，也可以是公知的各种排列。
有机EL层使用按颜色来准备的成膜掩模并通过真空蒸镀法形成。除了有机EL层以外，在有机EL层上形成的电极层(例如阴极层)也可以使用成膜掩膜通过例如溅射法形成。另外，在有机EL层下形成的电极层(例如阳极层)，由于有机EL层不会暴露于显影液中，所以可以通过光刻工艺形成。
以往，作为成膜掩模，使用在金属层(金属板)上以规定的图案形成有多个开口部的金属掩模(Fine Metal Mask：有时被称为FMM。)(例如，专利文献1)。为了对应OLED显示装置的高精细化，提出有能够形成比金属掩模更高精细的图案的且具有树脂层与磁性金属层层叠而成的层叠体的成膜掩模(以下，称为“层叠型掩模”。)(例如，专利文献2、3)。
在本说明书中，将形成有成膜掩模的开口部(成膜的物质通过的贯通孔)的部件称为掩模基材。在金属掩模中，金属层(典型地为磁性金属层)为掩模基材，在层叠型掩模中，树脂层与磁性金属层的层叠体内的树脂层为掩模基材。另外，将成膜掩模的部分中与作为成膜对象的元件基板(例如形成有背板的阶段性元件)的有源区域(也称为“元件形成区域”或“显示区域”。)紧贴的部分称为有源区域形成部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2006-188748号公报
专利文献2：特开2017-82313号公报
专利文献3：特开2015-10270号公报
专利文献4：专利第4173329号公报(美国专利第673854号说明书)
发明内容
发明要解决的问题
对于金属掩模和层叠型掩模中的任一个，为了提高有源区域形成部的平面性，进行掩模基材的拉伸。这是因为，有源区域形成部的平面性低时，即有源区域形成部的掩模基材有松弛时，有源区域形成部与元件基板的表面之间产生间隙，发生不能成膜为规定的形状这样的问题。
但是，根据本发明人的研究，如果在拉伸的掩模基材上形成开口部，则通过形成开口部，有时掩模基材内的应变(应力)的方向和大小的分布(简称为“应变分布(应力分布)”。)发生变化，存在开口部的位置发生位移(偏离)这样的问题。
由于掩模基材被拉伸(受到朝向面内的外侧的张力)，因此在掩模基材内产生应变(应力)。该应变(应力)是掩模基材内的位置的函数。即，根据掩模基材内的位置，应变(应力)的方向和大小不同。每当在掩模基材上形成开口部时掩模基材的应变(应力)分布发生变化。因此，最终得到的开口部的位置的精度也依赖于开口部形成的顺序。例如，在形成超过200ppi的高精细的开口图案的情况下特别成为问题。
进而，在对应于多个有源区域的成膜掩模，即对应于提取多个OLED显示装置的母基板而使用的成膜掩模中，由于掩模基材内的应变(应力)分布根据有源区域形成部的位置而不同，因此产生与上述相同的问题。
例如，在专利文献4中，涉及制作粒子射线用掩模的方法，公开了如下内容：预测通过在掩模基材(未加工品)上形成所期望的图案的多个开口部而产生的应变，形成产生与所预测的应变相反的应变那样的所期望的图案的多个开口部。
然而，由于专利文献4并未考虑形成多个开口部的顺序，即形成多个开口部的过程中的应变的变化，因此无法解决上述课题。
而且，无法应对掩模基材的厚度的偏差(多个掩模基材间的偏差以及每个掩模基材内的位置的偏差)。
本发明是为了解决上述技术问题的至少一个而完成的，其目的在于，抑制制造具有被拉伸的掩模基材(例如金属掩模的金属层或者层叠掩模的树脂层)的成膜掩模的过程中的由掩模基材的应变(应力)分布的变化引起的开口部的位置的位移引起的位置精度的降低。
用于解决问题的方案
根据本发明的实施方式，提供以下项目中记载的解决方案。
[项目1]
一种成膜掩模的制造方法，该成膜掩模具有：框架；掩模基材，其以被拉伸的状态固定设于所述框架；以及多个开口部，其设置于所述掩模基材的有源区域形成部，排列为具有m行n列的矩阵状，所述成膜掩模的制造方法，具备：
工序A，准备初始状态的掩模基材，所述初始状态的掩模基材以规定的条件被拉伸的状态下固定于所述框架，使得能够规定xy面；工序B，准备所确定的所述多个开口部的每一个在xy面中的位置的目标坐标数据；
工序C，对所述多个开口部的每一个，预测因形成开口部而产生的从所述目标坐标数据位移的位移量，生成减少所述位移量的校正数据；以及
工序D，在基于所述目标坐标数据和所述校正数据确定的位置上形成所述多个开口部的每一个，
在所述工序C中，关于所述多个开口部的每一个的所述校正数据与形成所述多个开口部的顺序相关联，且
在所述工序D中，所述多个开口部按照所述顺序形成。
[项目2]
如项目1所述的成膜掩模的制造方法，所述工序C包括工序CS，该工序CS通过使用有限元法的模拟，求出根据形成所述多个开口部的顺序形成开口部时的所述掩模基材的整体的应变分布，基于此预测所述多个开口部的每一个的位移量，生成所述校正数据，所述工序CS包括：
工序CS1，基于即将形成第k个开口部之前的所述掩模基材的整体的应变分布，求出要形成第k个开口部的所述掩模基材上的位置的位移量D1(k)；
工序CS2，基于形成有所述多个开口部的全部之后的所述掩模基材的整体的应变分布，求出要形成第k个开口部的所述掩模基材上的位置的位移量D2(k)；以及
工序CS3，从D1(k)以及D2(k)求出所述第k个开口部的校正数据C(k)。
[项目3]
如项目2所述的制造方法，在所述工序CS中，预先提供用于求出所述初始状态的所述掩模基材的整体的应变分布的初始参数(杨氏模量Yx0、Yy0、剪切弹性模量Gxy0、泊松比Pxy0、密度ρ0、张力Tx0、Ty0、尺寸Lx0、Ly0、Lz0)。
[项目4]
如项目2所述的制造方法，所述工序C在所述工序CS中包含求出用于求出所述初始状态的所述掩模基材的整体的应变分布的初始参数(杨氏模量Yx0、Yy0、剪切弹性模量Gxy0、泊松比Pxy0、密度ρ0、张力Tx0、Ty0、尺寸Lx0、Ly0、Lz0)中的至少Lz0在xy面中的分布的工序CSP，
所述工序CSP还包括：工序CSP1，通过使用有限元法的模拟，求出按照形成所述多个开口部的顺序，以与所述多个开口部中的每一个分别对应的方式，形成具有所述掩模基材的厚度的40％以下的深度d的多个凹部时的所述掩模基材的整体的应变分布；
工序CSP2，对形成的所述多个凹部的位置进行测定；
工序CSP3，对基于在所述工序CSP1中得到的应变分布而求出的所述多个凹部的每一个的位移量DP与根据在所述工序CSP2中得到的所述多个凹部的位置而求出的所述多个凹部的每一个的位移量DM进行比较；以及
工序CSP4，基于通过所述工序CSP3得到的比较结果，以使所述位移量DP与所述位移量DM之差变小的方式，求得所述初始参数内、Lz0在xy面中的分布。
[项目5]
如项目2或4所述的制造方法，所述工序C在所述工序CS中包含求出用于求出所述初始状态的所述掩模基材的整体的应变分布的初始参数(杨氏模量Yx0、Yy0、剪切弹性模量Gxy0、泊松比Pxy0、密度ρ0、张力Tx0、Ty0、尺寸Lx0、Ly0、Lz0)中的至少一个的工序CSD，所述工序CSD还包括：工序CSD1，通过使用有限元法的模拟，求出在所述有源区域形成部的外侧形成有至少一个虚拟开口部时的所述掩模基材的整体的应变分布；
工序CSD2，对形成的所述至少一个虚拟开口部的位置进行测定；工序CSD3，对基于所述工序CSD1中得到的应变分布求出的所述至少一个虚拟开口部的位移量DPd和根据由所述工序CSD2得到的所述至少一个虚拟开口部的位置求出的所述至少一个虚拟开口部的位移量DMd进行比较；以及
工序CSD4，根据所述工序CSD3得到的比较结果，以使所述位移量DPd与所述位移量DMd的差变小的方式，求得所述初始参数中的至少一个参数。
[项目6]
如项目1至5中任一项所述的制造方法，所述掩模基材以磁性金属层形成。
[项目7]
如项目1至5中任一项所述的制造方法，所述掩模基材以树脂层形成。
[项目8]
如项目7所述的制造方法，所述成膜掩模还具有磁性金属层，该磁性金属层具有使形成于所述树脂层的所述多个开口部露出的至少一个贯通孔。
发明效果
根据本发明的实施方式，例如，能够抑制在制造具有被拉伸的掩模基材的成膜掩模的过程中的由掩模基材的应变(应力)分布的变化引起的开口部的位置的位移引起的位置精度的降低。
附图说明
图1是通过本发明的实施方式的制造方法制造的成膜掩模100A示意性的俯视图。
图2是成膜掩模100A的有源区域形成部10A的部分10p的示意性的俯视图。
图3是通过本发明的实施方式的制造方法制造的成膜掩模100B的示意性截面图，示出了沿着图3中的3A-3A线的截面。
图4是成膜掩模100B的示意性的俯视图。
图5是用于说明在本发明的实施方式的制造方法的模拟中，求出因在掩模基材上形成开口部而引起的应变分布的变化所引起的开口部的位置的位移量的原理的示意图。
图6是表示在本发明的实施方式的制造方法中的模拟中，求出因在掩模基材上形成开口部而引起的应变分布的变化所引起的开口部的位置的位移量的结果的示例的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明根据本发明的实施方式的成膜掩模的制造方法。此外，本发明的实施方式并不限于以下例示的实施方式。
首先，说明通过本发明的实施方式的制造方法优选制造的成膜掩模的示例。本发明的实施方式的制造方法不限于以下例示的成膜掩模，例如，可广泛应用于通过在专利文献1至3中记载的在拉伸的掩模基材形成开口部而制造的成膜掩模的制造。为了参考，将专利文献1至3的内容全部引用于本说明书中。
参照图1和图2，对通过本发明的实施方式的制造方法优选制造的成膜掩模100A的结构进行说明。图1是成膜掩模100A的示意性的俯视图，图2是成膜掩模100A的有源区域形成部10A的部分10p的示意性的俯视图。成膜掩模100A为金属掩模。
成膜掩模100A如图1所示具备磁性金属层10A和框架30A。磁性金属层10A包括多个开口部11A。多个开口部11A形成为与形成在元件基板(背板)上的多个像素的尺寸、形状及位置对应。框架30A为框状，固定于磁性金属层20A的周边部。框架30A例如由殷钢形成。
在图2所示的示例中，多个开口部11A被配置为矩阵状。开口部11A的尺寸、形状及位置可以根据所形成的有机EL层的每个发光色而不同。成膜掩模100A的掩模构件是磁性金属层10A。磁性金属层10A优选使用线性热膨胀系数αM小的(具体来说不到6ppm/℃)磁性金属材料。例如，能够优选使用Fe-Ni系合金(殷钢)、Fe-Ni-Co系合金等。开口部11A的形成例如能够通过激光加工来进行。
接着，参照图3及图4，说明通过本发明的实施方式的制造方法优选制造的成膜掩模100B的结构。成膜掩模100B为层叠型掩模。图3及图4分别是示意性地示出成膜掩模100B的截面图及俯视图。图3表示沿着图4中的3A-3A线的截面。此外，图3及图4示意地表示成膜掩模100B的一例，当然并不限于图示各构成要素的尺寸、个数、配置关系、长度的比率等的示例。在后述的其它附图中也是同样的。
如图3及图4所示，成膜掩模100B具备树脂层10B、磁性金属层20B以及框架30B。在使用成膜掩模100B进行蒸镀工序时，成膜掩模100B以磁性金属层20B位于蒸镀源侧、树脂层10B位于蒸镀对象物(形成有底板的元件基板)侧的方式配置。
树脂层10B包括多个开口部11B。多个开口部11B形成为与形成在元件基板(背板)上的多个像素的尺寸、形状及位置对应。在图4所示的示例中，多个开口部11B被配置为矩阵状。开口部11B的尺寸、形状及位置可以根据所形成的有机EL层的每个发光色而不同。成膜掩模100B的掩模构件是树脂层10B。
作为树脂层10B的材料，例如能够优选使用聚酰亚胺。聚酰亚胺的热膨胀系数小，强度、耐化学试剂性和耐热性优异。作为树脂层10B的材料，也可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等其它树脂材料。
树脂层10B的厚度没有特别限定。但是，当树脂层10B过厚时，有时导致蒸镀膜的一部分形成得比期望的厚度薄(称为“阴影”)。从抑制产生阴影的观点出发，树脂层10B的厚度优选为25μm以下。另外，从树脂层10B本身的强度及耐清洗性的观点出发，树脂层10B的厚度优选为3μm以上。
磁性金属层20B形成在树脂层10B上。如后所述，磁性金属层20B例如通过镀覆法形成于树脂层10B上。磁性金属层20B与树脂层10B紧贴。磁性金属层20B具有掩模部20a和以包围掩模部20a的方式配置的周边部20b。掩模部20a是指有源区域形成部的磁性金属层20B。
磁性金属层20B的掩模部20a具有使树脂层10B的多个开口部11B露出的多个贯通孔(狭缝)21。在图4所示的示例中，在行方向上排列有多个在列方向上延伸的贯通孔21。从成膜掩模100B的法线方向观察时，各贯通孔21具有比树脂层10的各开口部11B大的尺寸，各贯通孔21内设置至少一个(在此为多个)开口部11B。
磁性金属层20B例如通过无电镀或电镀而形成。优选镍(Ni)镀层、镍合金镀层。优选由聚酰亚胺形成树脂层10B，使磁性金属层20B的热膨胀系数与树脂层10B一致。
磁性金属层20B的厚度没有特别限定。但是，如果磁性金属层20B过厚，则磁性金属层20B有可能因自重而挠曲或者产生阴影。从抑制由自重引起的挠曲和阴影的发生的观点出发，磁性金属层20B的厚度优选为100μm以下，更优选为25μm以下。另外，如果磁性金属层20B过薄，则后述的蒸镀工序中的磁卡盘的吸引力降低，有时成为成膜掩模100B与工件之间产生间隙的原因。另外，有可能产生断裂、变形，有时处理变得困难。因此，磁性金属层20B的厚度优选为5μm以上。
框架30B为框状，固定于磁性金属层20B的周边部20b。即，磁性金属层20B的不与框架30B重叠的区域为掩模部20a，与框架30B重叠的区域为周边部20b。框架30B例如由金属材料形成。框架30B优选使用线性热膨胀系数αM小的(具体来说不到6ppm/℃)磁性金属材料。例如，能够优选使用Fe-Ni系合金(殷钢)、Fe-Ni-Co系合金等。
在成膜掩模100B中，如图3所示，磁性金属层20B整体与树脂层10B接合。树脂层10B及磁性金属层20B从框架30B受到层面内方向的张力。如后所述，在拉伸工序中，树脂层10B以及磁性金属层20B在通过拉伸装置(或者还具备焊接功能的拉伸焊接装置)而在向规定的层面内方向上被拉伸的状态下固定于框架30B。
在成膜掩模100B的制造方法中，在树脂层10B上的从磁性金属层20B的各贯通孔21内露出的区域形成各开口部11B。
开口部11的形成例如能够通过激光加工来进行。在激光加工中使用脉冲激光。在此，使用YAG激光的三次谐波，对树脂层10的预定的区域照射波长为355nm的激光L2。此时，以使激光L2的照射方向成为从上向下的方向的方式，使加工对象物(包含框架30、磁性金属层20及树脂层10的结构体)上下反转。激光L2的能量密度例如为0.5J/cm2。激光加工通过使激光L2的焦点对准树脂层10的表面并进行多次发射来进行。发射次数根据树脂层10的厚度确定。发射频率例如设定为60Hz。
此外，激光加工的条件不限于上述的条件，以能够加工树脂层10B的方式适当选择。例如，也可以准备光束直径大的激光，例如通过具有与50个×50个或100个×100个开口部11B对应的开口的光掩模照射激光，从而在每个块形成开口部11。
如上所述，当通过向架设的掩模基材照射例如激光而依次形成多个开口部时，存在由于形成开口部，掩模基材内的应变(应力)分布变化，开口部的位置发生位移(偏移)这样的问题。这是上述金属掩模、层叠型掩模或者树脂掩模(层叠型掩模中的省略了磁性金属层的掩模)的制造方法中共通的问题。
为了解决上述问题，本发明的实施方式的成膜掩模的制造方法具有以下的工序。
工序A：准备以规定的条件被拉伸的状态下固定于所述框架的初始状态的掩模基材使得能够规定的xy面。掩模基材是指以拉伸状态形成有多个开口部的金属掩模的磁性金属层、层叠型掩模或树脂掩模的树脂层，初始状态是指以拉伸状态未形成开口部的状态。
工序B：准备所确定的多个开口部的每一个在xy面中的位置的目标坐标数据。
工序C：对多个开口部的每一个，预测由于形成开口部而产生的从目标坐标数据开始的位移量，生成减去位移量的校正数据。此时，关于多个开口部的每一个的校正数据与形成多个开口部的顺序相关联。即，由于掩模基材的整体的应变分布根据形成开口部的顺序而变化，因此生成考虑了该变化的校正数据。
工序D：在基于目标坐标数据和校正数据确定的位置形成多个开口部的每一个。此时的顺序与在工序C中考虑的顺序相同。
工序C可以通过有限元法、边界元法等模拟应变(应力)分布的公知的方法来执行。例如，能够使用ANSYSShell1811(ANSYS是ANSYS公司的注册商标)等市场上销售的有限元法的程序来执行。
例如，工序C包括工序CS，该工序CS通过使用有限元法的模拟，求出根据形成多个开口部的顺序形成开口部时的掩模基材的整体的应变分布，基于此预测多个开口部的每一个的位移量，生成校正数据。
工序CS例如包括：工序CS1，如图5示意性地表示那样，基于即将形成第k个开口部之前的掩模基材的整体的应变分布，求出要形成第k个开口部的掩模基材上的位置的位移量D1(k)；工序CS2，基于形成有多个开口部的全部之后的掩模基材的整体的应变分布，求出要形成第k个开口部的掩模基材上的位置的位移量D2(k)；以及工序CS3，从D1(k)以及D2(k)求出第k个开口部的校正数据C(k)。由图5可知，位移量D1(k)以及D2(k)由矢量表示，校正数据C(k)只要以抵消D2(k)-D1(k)的方式成为D1(k)-D2(k)即可。
接着，在图1和图2中所示的成膜掩模100A的制造方法中示出适用了本发明的实施方式的示例。
掩模基材的材料为殷钢，用于模拟的参数如下所示。
掩模基材的尺寸Lx0、Ly0、Lz0：410mm、330mm、0.01mm
杨氏模量Yx0、Yy0：1.41X105MPa
泊松比Pxy0：0.29(剪切弹性模量Gxy0由杨氏模量和泊松比求出)张力Tx0、Ty0：x方向上0.114％、Y方向上0.037％的强制的位移。
开口部的尺寸为0.64mm(X)×0.3mm(Y)
开口部的排列间距：0.94mm(X，Y)
开口部的数量：351(X)X266(Y)＝93366个
元素数设为1、599、276，元素类型设为ANSYShell181。
图6是表示上述模拟中，求出因在掩模基材上形成开口部而引起的应变分布的变化所引起的开口部的位置的位移量的结果的示例的示意图。黑圆点(虚线)为目标坐标数据(TM)，黑四边形(实线)为模拟结果(SM)。
从图6中的最下行(第1行)到最上行(266行)各形成一行开口部，每次都用有限元法计算掩模基材的整体的应变分布，求出各开口部的位移量。黑四边形表示形成全部开口部后的各开口部的位移量。为了容易理解，示出各行的5个开口部的位移量的1000倍的结果。
由图6可知，由于因形成开口部而产生的相对于目标坐标数据的位移，开口部的位置精度降低。通过进行校正以抵消该位移量，从而能够提高开口部的位置精度。
但是，掩模基材在整体上存在不能用单一的参数(上述的初始状态的参数)表示的情况。在高精细的金属掩模(FMM)、层叠掩模中，由于使用薄的掩模基材，因此有时厚度产生不均匀的分布，另外，该不均匀的分布大多根据每个掩模基材而不同。
在存在掩模基材的厚度的偏差(多个掩模基材间的偏差及每个掩模基材内的位置的偏差)的情况下，优选不使开口部贯通，例如在与所有开口部对应的位置形成具有深度为掩模基材的厚度的例如40％以下(例如20％)的深度的凹部(100％贯通)，测定形成的多个凹部的xy面的位置，以与测定结果匹配的方式，使模拟所使用的掩模基材的参数(杨氏模量Yx、Yy、剪切弹性模量Gxy、泊松比Pxy、密度ρ、张力Tx、Ty、尺寸Lx、Ly、Lz)内的厚度Lz的分布(偏差)最佳化。
具体而言，例如，工序C只要在工序CS中包括工序CSP，在工序CSP中，至少求出用于求出初始状态的掩模基材的整体的应变分布的初始参数(杨氏模量Yx0、Yy0、剪切弹性模量Gxy0、泊松比Pxy0、密度ρ0、张力Tx0、Ty0、尺寸Lx0、Ly0、Lz0)中的Lz0在xy面中的分布，工序CSP包括通过使用有限元法的模拟，求出按照形成多个开口部的顺序，以与多个开口部的每一个对应的方式，形成有具有掩模基材的厚度的40％以下的深度d的多个凹部时的掩模基材的整体的应变分布的工序CSP1、测定形成的多个凹部的位置的工序CSP2、对根据工序CSP1中得到的应变分布求出的多个凹部各自的位移量DP和根据工序CSP2中得到的多个凹部的位置求出的多个凹部各自的位移量DM进行比较的工序CSP3以及根据工序CSP3中得到的比较结果，求出初始参数内Lz0在xy面中的分布的工序CSP4，以使位移量DP与位移量DM之差变小。
多个开口部优选按本申请人的WO/2019/043866中记载的顺序形成。若以WO/2019/043866所记载的顺序形成多个开口部，则能够减小因形成开口部而产生的位移量，因此结果能够进一步提高开口部的位置精度。为了参考，将WO/2019/043866的全部公开内容援引于本说明书中。
另外，如美国专利第57633121号说明书所记载的那样，也可以在有源区域的外侧设置应力释放用开口部。也可以使用该应力释放用开口部求出掩模基材的参数。
例如，工序C只要在工序CS中包括工序CSD，在工序CSD中求出用于求出初始状态的掩模基材的整体的应变分布的初始参数(杨氏模量Yx0、Yy0、剪切弹性模量Gxy0、泊松比Pxy0、密度ρ0、张力Tx0、Ty0、尺寸Lx0、Ly0、Lz0)中的至少一个，工序CSD可以包括通过使用有限元法的模拟，求出在有源区域形成部的外侧形成有至少一个虚拟开口部时的掩模基材的整体的应变分布的工序CSD1、测定形成的至少一个虚拟开口部的位置工序CSD2、对根据工序CSD1中得到的应变分布求出的至少一个虚拟开口部的位移量DPd和根据工序CSD2中得到的至少一个虚拟开口部的位置求出的至少1个虚拟开口部的位移量DMd进行比较的工序CSD3以及根据工序CSD3得到的比较结果，以位移量DPd与位移量DMd的差变小的方式，求出初始参数的至少一个的工序CSD4。
在上述的模拟的示例中，按每行形成开口部，每次都用有限元法计算掩模基材的整体的应变分布，求出各开口部的位移量，当然，也可以逐一形成开口部，每次用有限元法计算掩模基材的整体的应变分布，求出各开口部的位移量。优选一次形成的开口部的数量及形成开口部的顺序优选与实际在掩模基材上形成开口部时相同，但考虑到模拟的负荷(计算时间)，也可以单一化或简化。另外，元素分割的数量可以根据掩模基材的大小、所要求的精度适当设定。开口部的形状不限于例示的长方形，可根据需要适当变更为正方形、圆或椭圆等。
本发明的实施方式的成膜掩模的制造方法例如能够使用公知的激光加工机进行。例如，激光加工机具有：平台，其将掩模基材保持在规定的xy面的规定的位置，并且能够在xy面内移送；激光照射装置，其向平台上的掩模基材的指定的部位照射激光；以及计算机，其控制激光照射装置和平台。
激光照射装置可以具有射出激光的激光光源和使激光朝向规定方向和/或对光束轮廓进行整形的光学系统等。计算机按照规定的顺序向规定的位置照射规定的能量密度的激光(例如，通过调整脉冲激光的脉冲宽度、脉冲间隔、次数)，向激光照射装置和平台发送指令。计算机还具备存储有例如通过上述的有限元法求出应变分布(应力分布)的程序(例如ANSYSY Shell181)的存储装置，使用输入的数据(例如开口部的目标坐标数据、开口部的大小、形状、形成开口部的顺序、掩模基材的参数等)，通过处理器进行上述的模拟，将基于目标坐标数据和校正数据确定形成开口部的位置的指令发送至激光照射装置和平台。
产业上的实用性
本发明的实施方式适用于制造例如在有机EL器件的制造中使用的成膜掩模。
附图标记说明
10 树脂层
11A、11B 开口部
20B 磁性金属层
20a 掩模部
20a1 实心部
20a2 非实心部
20b 周边部
100A、100B 成膜掩模