阅读说明：本技术 半导体装置及半导体装置的制造方法 (Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device ) 是由 丸山力宏 于 2020-02-26 设计创作，主要内容包括：提供半导体装置及半导体装置的制造方法。能高精度地将分别形成于壳体和金属基板的孔位置对准。半导体装置(10)的壳体(30)具备沿金属基板(20)的侧面包围侧面的侧壁部(32a～32d)；以及覆盖被侧壁部(32a～32d)包围的金属基板(20)的正面上并与安装孔(21a～21d)对应地形成有贯通的环孔(35c、35d)的被覆部(33)。在俯视时隔着环孔(35c、35d)对置的侧壁部(32a～32d)的内侧分别形成有突起部(36a、36b)。这样,金属基板被插入到被壳体(30)的侧壁部(32a～32d)包围的区域而被可靠地固定。此外,分别将这样插入的金属基板的安装孔和壳体的环孔高精度地位置对准。(A semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device are provided. The holes formed in the housing and the metal substrate can be aligned with high accuracy. A case (30) of a semiconductor device (10) is provided with side wall portions (32 a-32 d) that surround side surfaces along the side surfaces of a metal substrate (20); and a covering part (33) which covers the front surface of the metal substrate (20) surrounded by the side wall parts (32 a-32 d) and is provided with penetrating annular holes (35c, 35d) corresponding to the mounting holes (21 a-21 d). Protrusions (36a, 36b) are formed on the inner sides of the side wall portions (32 a-32 d) facing each other with the annular holes (35c, 35d) therebetween in a plan view. Thus, the metal substrate is inserted into the region surrounded by the side wall portions (32 a-32 d) of the case (30) and is reliably fixed. Further, the mounting hole of the metal substrate thus inserted and the annular hole of the case are respectively aligned with high accuracy.)

半导体装置及半导体装置的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置例如包括IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)、SBD(SchottkyBarrier Diode：肖特基势垒二极管)等半导体元件。该半导体装置将接合有IGBT和FWD的基板配置在金属基板上，在该金属基板上设置覆盖IGBT等的壳体(例如参照专利文献1)。

另外，在半导体装置的壳体和金属基板分别形成有贯穿的孔。如果在壳体安装金属基板，则这些孔对准而作为将半导体装置安装于外部设备等时的紧固孔发挥功能。对于这样构成的紧固孔，伴随着向壳体安装金属基板而产生的错位，需要即使壳体的孔和金属基板的孔存在些许错位也确保有效孔径。因此，为了应对错位，形成于金属基板的孔的直径形成得较大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-195717号公报

发明内容

技术问题

然而，在金属基板的外形尺寸、形成于金属基板的孔的位置存在限制的情况下，形成于金属基板的孔的直径无法形成得较大。因此，如果将这样的金属基板设置于壳体，则可能无法充分确保安装时的紧固孔的有效孔径。

本发明是鉴于该情况而完成的，目的在于提供能够将分别形成于壳体和金属基板的孔高精度地位置对准的半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，具有：平板状的金属基板，其在俯视时呈矩形状，在周边形成有贯通的安装孔；壳体，其具备侧壁部和被覆部，上述侧壁部沿着上述金属基板的侧面包围上述侧面，上述被覆部覆盖被上述侧壁部包围的上述金属基板的正面上，并与上述安装孔对应地形成有贯通的环孔，在俯视时隔着上述环孔对置的上述侧壁部的内侧分别形成有突起部。

另外，根据本发明的一个观点，提供上述半导体装置的制造方法。

发明效果

根据公开的技术，能够将分别形成于壳体和金属基板的孔高精度地位置对准，能够确保安装时的紧固孔的有效孔径。

附图说明

图1是用于说明实施方式的半导体装置的图。

图2是用于说明实施方式的半导体装置所含的金属基板的图。

图3是用于说明实施方式的半导体装置所含的壳体的图(之一)。

图4是用于说明实施方式的半导体装置所含的壳体的图(之二)。

图5是用于说明实施方式的半导体装置所含的半导体单元的图。

图6是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法的图。

图7是用于说明向实施方式的半导体装置的壳体***金属基板的图。

图8是实施方式的半导体装置的***有金属基板的壳体的截面图。

图9是用于说明实施方式的半导体装置的另一制造方法的图(之一)。

图10是用于说明实施方式的半导体装置的另一制造方法的图(之二)。

图11是第1变形例的半导体装置所含的壳体的图。

图12是第2变形例的半导体装置所含的壳体和金属基板的图。

图13是用于说明第3变形例的半导体装置所含的突起部的图。

符号说明

10：半导体装置

20、20a：金属基板

21a～21f：安装孔

22a～22d：侧面

23a：正面

23b：背面

24：塌角面

30、30a：壳体

31：收纳区域

32a～32d：侧壁部

32a1～32d1：外部连接端子

33：被覆部

34a～34d：环孔区域

35a～35f：环孔

36a～36d：突起部

36b1：锥部

36b2：平坦部

37：开口部

38：壳体盖

39：环

40：半导体单元

41：陶瓷电路基板

42：绝缘板

43a～43c：电路图案

44：金属板

45、46：半导体芯片

具体实施方式

以下，参照附图，使用图1对实施方式的半导体装置进行说明。图1是用于说明实施方式的半导体装置的图。应予说明，在实施方式中，正面是指图1的半导体装置10朝向上侧的面，背面是指在图1的半导体装置10中朝向下侧的面。除了图1以外，正面和背面也是指同样的方向性。

半导体装置10具有金属基板20、包围配置于金属基板20上的半导体单元(省略图示)的壳体30以及闭塞壳体30的开口部(省略图示)的壳体盖38。另外，半导体装置10在其四角形成有环孔35a、35d。应予说明，在图1中，仅示出4个环孔中的环孔35a、35d。在环孔35a、35d中螺合有用于针对冷却片等或外部设备等进行紧固的螺钉。

接下来，使用图2～图5对半导体装置10的各构成的详细情况进行说明。图2是用于说明实施方式的半导体装置所含的金属基板的图。应予说明，图2的(A)表示金属基板20的正面23a的俯视图，图2的(B)表示图2的(A)中的单点划线X-X处的截面图。图3和图4是用于说明实施方式的半导体装置所含的壳体的图。应予说明，图3的(A)表示壳体30的正面，图3的(B)表示壳体30的背面。图4的(A)、图4的(B)分别表示图3的(A)、图3的(B)中的单点划线X1-X1、X2-X2处的截面图。另外，图5是用于说明实施方式的半导体装置所含的半导体单元的图。应予说明，图5的(A)表示半导体单元40的俯视图，图5的(B)表示图5的(A)中的单点划线X-X处的截面图。

首先，如图2所示，金属基板20在俯视时呈矩形状且呈平板状，具有侧面22a～22d。金属基板20在周边分别形成有贯通的安装孔21a～21d。应予说明，金属基板20的侧面22a～22d的厚度优选为1mm以上且5mm以下，例如为2.8mm以上且3.2mm以下。安装孔21a～21d的直径为5.2mm以上且5.8mm以下。另外，这样的金属基板20由导热性优异的铝、铁、银、铜或至少包含这些中的一种的合金等金属构成。此外，为了提高金属基板20的耐腐蚀性，例如可以通过电镀处理等使镍和/或金等金属形成于金属基板20的表面。具体而言，除了镍、金以外，还有镍-磷合金、镍-硼合金等。此外，可以在镍-磷合金上层叠金。另外，这样的金属基板20可以通过从金属板冲压而得，在各角部形成贯通孔而得到安装孔21a～21d。另外，金属基板20可以以使背面23b成为凸状(向下凸)的方式预先施加初期翘曲。

如图3和图4所示，壳体30具备侧壁部32a～32d和被覆部33。如后所述，侧壁部32a～32d与金属基板20的侧面22a～22d相对应地在角部具备曲面而一体地形成。即，侧壁部32a、32b与金属基板20的长边方向的侧面22a、22b相对应。侧壁部32c、32d与金属基板20的短边方向的侧面22c、22d相对应。被覆部33沿着侧壁部32a～32d形成于侧壁部32a～32d，呈具备开口部37的框状。应予说明，如上所述，图3所示的壳体30的侧壁部32a～32d表示与金属基板20的侧面22a～22d对应地在角部具备曲面的情况。不限于此，如果金属基板20的角部大致呈直角，则壳体30的侧壁部32a～32d的角部也大致呈直角。另外，可以在这样的侧壁部32a～32d分别设置从半导体装置10的正面沿垂直上方延伸的外部连接端子32a1～32d1。

另外，在被覆部33具备形成有贯通的环孔35a～35d的环孔区域34a～34d。如后所述，在将金属基板20安装于壳体30时，这样的环孔区域34a～34d以使金属基板20不会过多地进入壳体30内的方式支撑金属基板20。此外，此时，形成于环孔区域34a～34d的环孔35a～35d与金属基板20的安装孔21a～21d接近并对置。另外，被覆部33根据需要与后述的电连接于半导体芯片的外部连接端子一体成型。另外，在使螺钉螺合于环孔35a～35d的情况下，可以向该环孔35a～35d嵌入金属制的环(省略图示)，利用与嵌入的环的直径相适应的螺钉。或者，可以不使用环而利用与该环孔35a～35d的直径相适应的螺钉。

另外，在壳体30中，在俯视时隔着环孔35a～35d对置的侧壁部32a～32d的内侧分别形成有突起部36a、36b。侧壁部32a～32d和突起部36a、36b可以由相同的材料一体地构成。例如，在隔着环孔35b的侧壁部32a、32b分别形成有突起部36a。在隔着环孔35b的侧壁部32c、32d分别形成有突起部36b。这样，俯视时隔着环孔35a～35d的突起部36a、36b形成于对置的侧壁部32a～32d的平行的区域。另外，在为对置的侧壁部32c、32d的距离L1、对置的突起部36b的距离L2的情况下，(L1-L2)/2优选在0.05mm以上且0.5mm以下的范围。进一步优选在0.15mm以上且0.3mm以下的范围。另外，(L1-L2)/2可以是金属基板20的侧面22a～22d的厚度的1/20倍以上且1/10倍以下。另外，这也同样适用于对置的侧壁部32a、32b和对置的突起部36a。

这样的壳体30例如由热塑性树脂构成，侧壁部32a～32d和被覆部33一体地构成。作为这样的树脂，有聚苯硫醚(PPS)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)树脂、聚丁二酸丁二醇酯(PBS)树脂、聚酰胺(PA)树脂或丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)树脂等。

接下来，如图5所示，半导体单元40具备陶瓷电路基板41和配置于陶瓷电路基板41上的半导体芯片45、46。陶瓷电路基板41具有绝缘板42、形成于绝缘板42的背面的金属板44和形成于绝缘板42的正面的电路图案43a～43c。应予说明，电路图案43a～43c的形状、个数为一个例子。绝缘板42由导热性优异的氧化铝、氮化铝、氮化硅等导热性高的陶瓷构成。金属板44由导热性优异的铝、铁、银、铜或至少包含这些中的一种的合金等金属构成。电路图案43a～43c由导电性优异的铜或铜合金等金属构成。作为具有这样的构成的陶瓷电路基板41，例如可以使用DCB(Direct Copper Bonding：直接铜键合)基板、AMB(Active MetalBrazed：活性金属钎焊)基板。陶瓷电路基板41可以将半导体芯片45、46产生的热介由电路图案43a、43b、绝缘板42和金属板44传导到图5中下侧而进行散热。应予说明，电路图案43a～43c的厚度优选为0.1mm以上且1mm以下，更优选为0.2mm以上且0.5mm以下。

半导体芯片45包括例如IGBT、功率MOSFET等开关元件。这样的半导体芯片45例如在背面具备作为主电极的输入电极(漏电极或集电电极)，在正面具备控制电极(栅电极)和作为主电极的输出电极(源电极或发射电极)。上述半导体芯片45的背面侧通过焊料(省略图示)接合到电路图案43a、43b上。半导体芯片46包含例如SBD、FWD等二极管。这样的半导体芯片46在背面具备作为主电极的输出电极(阴极电极)，在正面具备作为主电极的输入电极(阳极电极)。上述半导体芯片46的背面侧通过焊料(省略图示)接合到电路图案43a、43b上。

接下来，使用图6～图8对这样的半导体装置10的制造方法进行说明。图6是用于说明实施方式的半导体装置的制造方法的图。图7是用于说明实施方式的半导体装置的金属基板向壳体***的图。应予说明，图7(A)表示图7(B)的单点划线X-X处的截面图，图7(B)表示半导体装置10的背面的俯视图。图8是实施方式的半导体装置的***有金属基板的壳体的截面图。应予说明，图8是由图7(A)的虚线包围的区域的放大图。

首先，准备金属基板20、壳体30和半导体单元40等这类半导体装置10的构成部件(步骤S1)。接下来，介由焊料(省略图示)在金属基板20的正面23a的预定的区域上接合半导体单元40(步骤S2)。此时，接合根据需要的个数的半导体单元40。接下来，在壳体30的侧壁部32a～32d的背面侧的周围和接合了半导体单元40的金属基板20的外周边的至少一方涂布粘接剂(步骤S3)。

接下来，如图7所示，向被壳体30的侧壁部32a～32d覆盖的收纳区域31***金属基板20(步骤S4)。在此时的图7中，省略了接合到金属基板20上的半导体单元40的记载。应予说明，金属基板20可以被压入到壳体30的收纳区域31。例如，如图3所示，在壳体30中，侧壁部32c、32d间的距离L1比突起部36b间的距离L2长。此时压入之前的金属基板20的长边方向的长度L3设定为比距离L1短，且比距离L2长(距离L1＞长度L3＞距离L2)。距离L1-距离L2优选为大于0mm且0.6mm以下，进一步优选为大于0mm且0.3mm以下。另外，距离L1-长度L3优选为大于0mm且0.6mm以下，进一步优选为大于0mm且0.3mm以下。另外，长度L3-距离L2优选为大于0mm且0.6mm以下，进一步优选为大于0mm且0.3mm以下。应予说明，虽然省略图示，但是对于金属基板20的短边方向的长度，也是金属基板20相对于壳体30同样的长度的关系。被压入到壳体30的金属基板20的侧面22a～22d分别通过形成于壳体30的侧壁部32a～32d的突起部36a、36b，以点的方式被位置精度高地可靠地夹持。即，在金属基板20的侧面22a～22d与壳体30的侧壁部32a～32d之间设置有间隙。通过使未图示的粘接剂进入这样设置的间隙，从而能够确保用于将金属基板20可靠地粘接于壳体30而充分的粘接剂的厚度。

另外，金属基板20可以不压入到壳体30的收纳区域31，单纯地在收纳区域31通过突起部36a、36b嵌合。如图3所说明，在壳体30中侧壁部32c、32d间的距离L1比突起部36b间的距离L2长。此时，在不压入的情况下，金属基板20的长边方向的长度L3当然比距离L1短，还设定为与距离L2相同或比距离L2短(距离L1＞距离L2≥长度L3)。距离L1-距离L2优选为大于0mm且0.6mm以下，进一步优选为大于0mm且0.3mm以下。另外，距离L2-长度L3优选为0mm以上且0.6mm以下，进一步优选为0mm以上且0.3mm以下。应予说明，虽然省略图示，但是对于金属基板20的短边方向的长度，也是金属基板20相对于壳体30同样的长度的关系。这样被***到壳体30的金属基板20的侧面22a～22d分别通过形成于壳体30的侧壁部32a～32d的突起部36a、36b，以点的方式被位置精度良好地支撑。即，在金属基板20的侧面22a～22d与壳体30的侧壁部32a～32d之间设置有间隙。通过使未图示的粘接剂进入到如此设置的间隙，能够确保用于将金属基板20可靠地粘接于壳体30而充分的粘接剂的厚度。

另外，壳体30的被覆部33的环孔区域34a～34d(其中，在图7中示为环孔区域34c、34d)维持被***的金属基板20相对于壳体30的收纳区域31的深度方向的位置。并且，使形成于环孔区域34a～34d的环孔35a～35d(其中，在图7中示为环孔35c、35d)接近于金属基板20的安装孔21a～21d(其中，在图7中示为安装孔21c、21d)。

例示安装孔21d和环孔35d并使用图8对此时的金属基板20的安装孔21a～21d和壳体30的环孔35a～35d的详细情况进行说明。以下，对于其他安装孔21a～21c和环孔35a～35c也是同样。应予说明，示出在形成于图8所示的壳体30的直径W1的环孔35d中嵌入金属制且直径W2(＜直径W1)的环39的情况。如上所述，向壳体30的收纳区域31***金属基板20。此时，突起部36b在半导体装置10的背面侧形成有锥部36b1，在收纳区域31侧形成有从锥部36b1起持续平坦的平坦部36b2。因此，金属基板20通过突起部36b的锥部36b1而容易***到收纳区域31内，利用平坦部36b2向金属基板20的主面方向平行地按压。此时，金属基板20的侧面22c与壳体30的侧壁部32c之间的间隙G可以为0.05mm以上且0.9mm以下的范围。优选为0.05mm以上且0.5mm以下的范围。进一步优选为0.15mm以上且0.3mm以下的范围。应予说明，突起部36b的纵向的高度H1优选为0.8mm以上且4.5mm以下，例如为1.8mm以上且2mm以下，突起部36b的平坦部36b2的纵向的高度H2优选为0.5mm以上且2.5mm以下，例如为0.9mm以上且1.1mm以下。另外，金属基板20的厚度T如上所述优选为1mm以上且5mm以下，例如为2.8mm以上且3.2mm以下。这样，金属基板20***到壳体30的收纳区域31，而被可靠地固定。应予说明，此时，金属基板20以塌角面24成为背面23b的方式***。通过使金属基板20的塌角面24的相反面成为正面23a，从而金属基板20的侧面22c与突起部36b可靠地固定，并且其正面23a可靠地抵接到环孔区域34d。并且，金属基板20的直径W3的安装孔21d与壳体30的环孔35d位置对准。因此，在存在金属基板20的外形尺寸、安装孔21d的形成位置的制约，无法将形成于金属基板20的安装孔21d的直径W3形成得较大的情况下，安装孔21d也能够适当地位置对准于壳体30的环孔35d。由此，能够确保作为目标的有效孔径。应予说明，此时的有效孔径为直径W2、W3。应予说明，只要是得到作为目标的有效孔径的范围，则允许安装孔21d与环孔35d的错位。例如，在图8中直径W2、W3为5.5mm的情况下，如果直径W2、W3为5.5mm±0.3mm的范围，则得到有效孔径。

另外，在半导体装置10中，在俯视时隔着环孔35d对置的侧壁部32a、32b的平行的位置分别形成有突起部36a。此外，在隔着环孔35d对置的侧壁部32c、32d的平行的位置分别形成有突起部36b。由此，即使金属基板20产生翘曲和/或起伏，也能够将金属基板20的安装孔21d精度良好地位置对准于壳体30的环孔35d。另外，具备这样***的金属基板20的半导体装置10的环孔35d和安装孔21d利用螺钉螺合于外部设备并固定，随着半导体单元40的驱动而发热。这样，由于发热而导致因金属基板20与半导体单元40的热膨胀系数之差而产生翘曲。特别是，由于半导体装置10的环孔35d和安装孔21d通过螺钉固定，所以应力集中于环孔35d和安装孔21d的周边。因此，在半导体装置10中，在俯视时隔着环孔35d对置的侧壁部32a、32b的平行的位置分别形成有突起部36a。此外，在隔着环孔35d对置的侧壁部32c、32d的平行的位置分别形成有突起部36b。能够将通过这样形成的突起部36a、36b而***的金属基板20可靠地固定。

接下来，在金属基板20上的1个半导体单元40内，用导线(省略图示)将多个半导体单元40间电连接(步骤S5)。这样的导线由导电性优异的铝、铜等金属，或至少含有这些中的一种的合金等构成。另外，它们的直径优选为100μm以上且1mm以下。接下来，从壳体30的开口部37注入密封部件(省略图示)，而将壳体30内的半导体单元40、导线等密封(步骤S6)。该密封部件为硅胶、环氧树脂等。在这样密封之后，利用壳体盖38盖上壳体30的开口部37。或者可以不使用壳体盖38，用密封部件密封到壳体30的开口部37而使密封部件从开口部37露出而固化。利用这样的方法也能够得到半导体装置10。

另外，上述的半导体装置10的制造方法为一个例子。使用图9和图10对上述以外的半导体装置10的另一制造方法进行说明。图9和图10是用于说明实施方式的半导体装置的另一制造方法的图。应予说明，在图9和图10中，对与图6相同的工序标注相同的步骤编号，省略说明的详情。首先，如图9所示，可以在步骤S1、S2之后进行步骤S5的导线连接的工序后，进行步骤S3、S4、S6。或者，如图10所示，在步骤S1、S2之后进行步骤S5的导线连接的工序。其中，在该步骤S5中，在金属基板20上的1个半导体单元40内，仅对多个半导体单元40间的一部分进行导线连接。然后，在步骤S3、S4之后再次进行步骤S5。在这里进行的步骤S5中，进行第一次进行的导线连接以外的剩余的位置的导线连接，最后，进行步骤S6。利用这样的方法也能够得到半导体装置10。这里，示出用导线(省略图示)电连接的方法。金属基板20上的1个半导体单元40内，将多个半导体单元40间电连接不限于导线，可以用带、引线框等导电性的布线部件连接。

上述半导体装置10在俯视时呈矩形状，具有在周边形成有贯通的安装孔21a～21d的平板状的金属基板20和壳体30。壳体30具备：沿着金属基板20的侧面22a～22d包围侧面22a～22d的侧壁部32a～32d；以及覆盖被侧壁部32a～32d包围的金属基板20的正面23a上，并与安装孔21a～21d对应地形成有贯通的环孔35a～35d的被覆部33。在这样的半导体装置10中，在俯视时隔着环孔35a～35d对置的侧壁部32a～32d的内侧分别形成有突起部36a、36b。这样，金属基板20***到被壳体30的侧壁部32a～32d包围的区域而可靠地被固定。此外，这样***的金属基板20的安装孔21a～21d与壳体30的环孔35a～35d分别高精度地位置对准。应予说明，在上述半导体装置10中，以介由焊料在金属基板20上接合半导体单元40的情况为例进行说明。对此，可以代替半导体单元40，而在金属基板20上依次形成绝缘板和电路图案，在电路图案上接合半导体芯片。

在这样的半导体装置10中，通过使突起部的形成位置、突起部的形状等不同而能够得到与上述同样或上述更佳的效果。以下，对这样的半导体装置10的变形例进行说明。

(第1变形例)

在第1变形例中，使用图11对在半导体装置10的壳体30的侧壁部32a～32d的突起部36a、36b间也分别形成有突起部36c、36d的情况进行说明。图11是第1变形例的半导体装置所含的壳体的图。应予说明，在图11中示出壳体30的背面。这样分别形成于壳体30的侧壁部32a～32d的突起部36a间和突起部36b间的大致中央部的突起部36c、36d支撑被***的金属基板20的侧面22a～22d的中央部。因此，即使在金属基板20产生翘曲和/或起伏，也能够使金属基板20的安装孔21d高精度地位置对准于壳体30的环孔35d。另外，即使金属基板20因为伴随着半导体单元40的驱动的发热而导致金属基板20的正面23a和背面23b的中央部向上凸或向下凸地大幅翘曲，也能够利用突起部36c、36d固定金属基板20。

(第2变形例)

在第2变形例中，使用图12对根据规格、设计等在半导体装置10中安装孔和环孔设置于2个位置的情况进行说明。图12是第2变形例的半导体装置所含的壳体和金属基板的图。应予说明，图12的(A)表示壳体30a的背面侧，图12的(B)表示金属基板20a的正面23a侧。在第2变形例的壳体30a的被覆部33的侧壁部32c、32d的中央部附近，隔着开口部37对置地分别形成有环孔35e、35f。另一方面，金属基板20a还与壳体30a的环孔35e、35f对应地分别形成有安装孔21e、21f。此时，在俯视壳体30a时，隔着环孔35e、35f对置的侧壁部32a～32d的内侧的平行的位置分别形成有突起部36a、36b。例如，在隔着环孔35e的侧壁部32a、32b分别形成有突起部36a。在隔着环孔35e的侧壁部32c、32d分别对置地形成有突起部36b。这样，突起部36a、36b形成在俯视时隔着环孔35e、35f而对置的侧壁部32a～32d的平行的区域。另外，在第2变形例中，与图3的情况同样地为对置的侧壁部32c、32d的距离L1，对置的突起部36b的距离L2的情况下，(L1-L2)/2优选在0.05mm以上且0.5mm以下的范围。进一步优选在0.15mm以上且0.3mm以下的范围。另外，(L1-L2)/2可以为金属基板20的侧面22a～22d的厚度的1/20倍以上且1/10倍以下。另外，这对于对置的侧壁部32a、32b和对置的突起部36a也同样适用。此外，在第2变形例的情况下，与第1变形例同样地，可以在壳体30a的侧壁部32a、32b的突起部36a间分别形成有突起部36c。由此，即使金属基板20a产生翘曲和/或起伏，也能够使金属基板20a的安装孔21e、21f高精度地位置对准于壳体30a的环孔35e、35f。另外，即使金属基板20a因为伴随着半导体单元40的驱动的发热而导致金属基板20a的正面23a和背面23b的中央部向上凸或向下凸地大幅翘曲，也能够利用突起部36c固定金属基板20a。

(第3变形例)

在第3变形例中，使用图13对突起部的形状的例子进行说明。图13是用于说明第3变形例的半导体装置所含的突起部的图。应予说明，图13示出例如图8的单点划线X-X处的截面图。这样的图13的(A)所示的突起部36b呈半圆形状且金属基板20抵接的一侧呈曲面。另外，图13的(B)所示的突起部36b呈尖塔状且金属基板20抵接的一侧的顶点呈曲面。如果是这样的突起部36b，则金属基板20容易进入收纳区域31内，利用突起部36b的曲面，以点的方式支撑金属基板20的侧面22c。并且，金属基板20相对于其主面方向被平行地按压。这样，金属基板20被***到壳体30的收纳区域31，被位置精度良好地可靠地固定。应予说明，对图13所示的突起部36b的形状而言，突起部36a、36c、36d也可以采用同样的形状，不限于壳体30的侧壁部32c，壳体30的侧壁部32a、32b、32d也同样地形成。