具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的各实施方式中，对于相互相同或等同的部分赋予相同的标号而进行说明。

(第1实施方式)

参照图1～图3对第1实施方式的半导体模组S1进行说明。半导体模组S1例如适合用于为了向汽车的行驶用马达供给电力而将直流电流变换为交流电流的电力变换装置等，可以称作“电源卡(power card)”。

在图1中，用虚线表示在后述的第2热沉3中的其他截面中与外部连接的布线部分。在图2中，用虚线表示将后述的绝缘层25方便地划分的区域的边界。此外，图2相当于在图3中用单点划线表示的II－II间的剖视图。

(结构)

本实施方式的半导体模组S1如图1所示，具有第1热沉1、半导体装置2、第2热沉3、引线框4、接合件5和封固件6。半导体模组S1是两个热沉1、3夹着半导体装置2对置配置、将由半导体装置2产生的热经由这些热沉1、3从两面向外部释放的两面散热构造。

第1热沉1如图1所示，是具备具有表面及背面的关系的上表面1a及下表面1b的板状，例如由Cu(铜)或Fe(铁)等金属材料等构成。第1热沉1在上表面1a上经由由焊料形成的接合件5而搭载半导体装置2，并且下表面1b从封固件6露出。第1热沉1在本实施方式中成为半导体装置2的通电中的电流路径，例如如图1所示，上表面1a侧的一部分延伸设置至封固件6的外部。即，第1热沉1在本实施方式中起到散热部件及布线的两个作用。另外，第1热沉1可以称作“第1散热部件”。

半导体装置2如图2所示，是具有表面2a和背面2b的板状，具有半导体元件20、封固件21、第1电极22、第2电极23和再布线层24。半导体装置2是如下这样的扇出(fanout)型的封装构造(以下称作“FO封装构造”)，即：作为再布线层24的一部分而具有与第2电极23连接的第2布线27，并且第2布线27的一端延伸设置至比半导体元件20的外轮廓靠外侧。另外，半导体装置2是FO封装构造即可，既可以是晶片级的封装构造，也可以是面板级的封装构造。

半导体装置2如图1所示，配置在第1热沉1的上表面1a的外轮廓内侧。半导体装置2是以下构造：一部分伸出到比第2热沉3中的对置的另一面3b的外轮廓靠外侧，第2布线27的一端延伸设置至该伸出的部分。这是为了不需要与引线框4的引线连接、以及半导体装置2与第2热沉3之间的散热块，与以往相比能够实现薄型化及低热阻化。详细情况后述。

半导体元件20主要由硅、碳化硅等半导体材料构成，例如是MOS晶体管、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体元件，通过通常的半导体工艺制造。半导体元件20在形成有第1电极22及第2电极23的面的相反面形成有未图示的第3电极，第3电极经由接合件5而与第1热沉1的上表面1a电连接。

封固件21如图2所示，是将半导体元件20的周围覆盖的部件，例如由环氧树脂等任意的树脂材料构成。封固件21将半导体元件20的端面覆盖，并且和半导体元件20中的与形成有第1电极22的面相反侧的面一起构成半导体装置2的背面2b。

第1电极22、第2电极23及未图示的第3电极例如由Cu等金属材料构成，通过电镀等形成在半导体元件20的一面上。第1电极22及第3电极是一对，成为半导体元件20的主要的电流路径。第1电极22例如是发射极电极。第2电极23形成有多个，其中的至少1个例如被作为栅极电极，用于控制第1电极22与第3电极之间的电流的通断。此外，多个第2电极23中的与栅极电极不同的电极例如还被用作元件上的传感器用端子等。

另外，第1电极22、第2电极23利用后述的制造方法，与第1布线26、第2布线27同样地，通过电镀而由Cu等金属材料构成，从而与由Al(铝)等材料构成的情况相比，散热性提高。

再布线层24如图2所示，具有绝缘层25、连接于第1电极22的第1布线26、和连接于第2电极23的第2布线27，通过通常的再布线技术形成在半导体元件20及封固件21之上。

绝缘层25例如由聚酰亚胺等绝缘性材料构成，通过任意的涂布工序等形成。

第1布线26及第2布线27例如由Cu的金属材料等构成，通过电镀等形成。第1布线26在俯视中形成在半导体元件20的外轮廓内侧，其一端经由接合件5而与第2热沉3电连接及热连接。第2布线27在俯视中一端延伸设置到比半导体元件20的外轮廓靠外侧，并经由接合件5而与引线框4电连接。第2布线27例如如图3所示，形成有多个，都是一端延伸设置到半导体元件20的外轮廓的外侧。另外，在图3中表示了形成有5个第2布线27、分别与不同的第2电极23连接的例子，但第2电极23及第2布线27的数量是任意的。

第2热沉3如图1所示，是具备具有表面及背面的关系的一面3a及另一面3b的板状，由与第1热沉1同样的材料构成。第2热沉3在本实施方式中与半导体装置2的表面2a的一部分对置配置。第2热沉3在本实施方式中经由接合件5而与第1布线26电连接，从而与第1热沉1同样地成为半导体元件20的电流路径，在图1的其他截面中，另一面3b侧的一部分延伸设置至封固件6的外部。即，第2热沉3在本实施方式中起到散热部件及布线的两个作用。另外，第2热沉3可以称作“第2散热部件”。

引线框4例如由Cu、Fe等金属材料构成，如图1所示，经由接合件5而与半导体装置2中的第2布线27电连接。引线框4例如具备与第2电极23相同数量的多个导体。另外，关于这些导体，在封固件6形成之前，邻接的多个导体被未图示的系杆(tie bar)连结，而在封固件6形成后，系杆通过冲压等而被除去从而这些导体成为分离的状态。此外，引线框4也可以与第2热沉3作为同一部件而构成，在封固件6形成之前被用未图示的系杆连结。该情况下，也通过在封固件6形成后通过冲压等将系杆除去，从而引线框4成为与第2热沉3分离的状态。

接合件5是将半导体模组S1的构成要素彼此接合的接合件，为了电连接而使用具有导电性的材料、例如焊料等。另外，接合件5并不限定于焊料，但采用至少与线材不同的材料。

封固件6例如由环氧树脂等热硬化性树脂等构成，如图1所示，将热沉1、3的一部分、半导体装置2、引线框4的一部分及接合件5覆盖。

以上是本实施方式的半导体模组S1的基本结构。

(效果)

接着，关于本实施方式的半导体模组S1的效果，与图4所示的以往构造的半导体模组S100对比而进行说明。

首先，对以往构造的半导体模组S100简单地进行说明。另外，半导体模组S100的构造是周知的，所以这里主要对与半导体装置2的不同点进行描述。

以往构造的半导体模组S100如图4所示，具有半导体装置101、夹着它对置配置的热沉1、3、散热块102、线材103、引线框4、接合件5和封固件6。

半导体装置101如图4所示，包括具备第1电极22、第2电极23及未图示的第3电极的半导体元件20，不同于半导体装置2，不具有封固件21及再布线层24。半导体装置101经由接合件5搭载在第1热沉1上，并且配置在第1热沉1的上表面1a的外轮廓内侧且第2热沉3的另一面3b的外轮廓内侧。

散热块102由Cu等金属材料构成，如图4所示，其一方的面经由接合件5而与半导体元件20的第1电极22连接，另一方的面经由接合件5而与第2热沉3连接。散热块102构成半导体元件20的电流路径，并且起到将由半导体元件20产生的热向第2热沉3传输的作用。此外，为了使半导体元件20与第2热沉3的间隙成为规定值以上、防止与第2电极23连接的线材103接触到第2热沉3而短路，从而配置散热块102。

线材103由Al(铝)、Au(金)等金属材料构成，通过引线键合而与第2电极23及引线框4接合，将它们电连接。

上述以往的半导体模组S100由于需要将散热块102配置到半导体装置101与第2热沉3之间而确保间隙，所以是难以进行进一步的薄型化的构造。此外，半导体模组S100在半导体装置101与第2热沉3之间具有两层的接合件及1个散热块102，相应地热阻变大。

相对于此，本实施方式的半导体模组S1中，半导体装置2为具有再布线层24的结构，并且以其一部分伸出到比第2热沉3的另一面3b的外轮廓靠外侧的方式配置。此外，半导体模组S1的构造是，半导体装置2中的延伸设置到比第2热沉3的另一面3b的外轮廓靠外侧的第2布线27经由由焊料构成的接合件5而与引线框4接合。由此，在半导体模组S1中，能够将半导体装置2与第2热沉3直接焊接，不再需要散热块102及线材103。

结果，将半导体装置2与第2热沉3连接的仅为1层的接合件5，厚度对应于散热块102及1层的接合件5而减小，并且成为热阻较小的构造的半导体模组。从另一观点看，半导体装置2通过被做成FO封装构造，能够进行与引线框4的焊接，也可以说成为适合于两面散热构造的半导体模组的薄型化及低热阻化的构造。此外，通过将半导体装置2做成具有再布线层24的结构，能够使第1电极22及第2电极23的平面尺寸、以及半导体元件20的平面尺寸变小，还能够期待成本方面改善的效果。

另外，也可以考虑仅减小第2热沉3的面积，将没有形成再布线层24的半导体元件20的第2电极23配置到比第2热沉3的外轮廓靠外侧，用线材103将第2电极23与引线框4连接。

但是，在该方法的情况下，虽然不需要散热块102而相应地热阻变小，但是关于第2热沉3的平面尺寸也变小，相应地热阻变大。结果，这样的构造的半导体模组与以往相比散热性能有可能不变，甚至反而变差。此外，为了将线材103连接，必须增大第2电极23的平面尺寸，随之，半导体元件20的平面尺寸变大，所以担心成本方面变差。进而，在使用线材103的情况下，为了防止短路而需要布线长度，并且电感变大，所以当与交流电源连接时，在高频信号中容易产生噪声。

因而，使用被做成FO封装构造的半导体装置2的半导体模组S1除了成为与以往相比薄型化及低热阻化的构造以外，还能期待高频信号的噪声降低及由半导体元件20的小型化带来的成本降低的效果。

(制造方法)

接着，参照图5A～图6C对本实施方式的半导体模组S1的制造方法的一例进行说明。

首先，如图5A所示，准备通过通常的半导体工艺制造出的半导体元件20，将半导体元件20中的之后形成第1电极22及第2电极23的面粘贴并保持于支承基板110。另外，作为该支承基板110，例如使用表面具备与硅的密接性高的未图示的粘着性片的任意结构。

接着，准备未图示的金属模，通过压缩成形等，将被支承基板110保持的半导体元件20用环氧树脂等树脂材料覆盖，并通过加热等进行硬化，从而如图5B所示，将封固件21成形。然后，将由封固件21覆盖的半导体元件20从支承基板110剥离。

接着，在半导体元件20露出的面上，通过旋涂法等涂布含有聚酰亚胺等感光性树脂材料的溶液并进行干燥，如图5C所示，形成构成绝缘层25的第1层251。

并且，如图5D所示，在通过光刻法进行第1层251的布图后，通过溅射等真空成膜法形成由Cu等构成的第1晶种(seed)层281。

然后，如图5E所示，形成将第1层251及第1晶种层281覆盖的抗蚀剂层253。抗蚀剂层253能够使用感光性的树脂材料，与第1层251同样通过旋涂法等形成。

接着，通过与第1层251的布图同样的工序，进行抗蚀剂层253的布图，如图5F所示，形成包含将第1层251除去后的区域的开口部。

接着，通过电镀等形成Cu等的镀层，如图5G所示，形成第1电极22及第2电极23，接着，形成第1布线26的一部分和第2布线27的一部分。

接着，如图5H所示，在将抗蚀剂层253通过剥离液等除去后，通过蚀刻液将第1晶种层281中的通过抗蚀剂层253的除去而露出的部分除去。

然后，如图5I所示，与第1层251同样地使用感光性的树脂材料，通过旋涂法形成构成绝缘层25的第2层252后，通过光刻法进行布图。

接着，如图5J所示，通过溅射等真空成膜法，形成由Cu等构成的第2晶种层282。在形成第2晶种层282后，通过与上述同样的工序，将抗蚀剂层253成膜在第2层252上，并进行布图，从而如图5K所示，形成将第2层252、第1布线26的一部分及第2布线27的一部分覆盖的抗蚀剂层253。

接着，通过电镀等形成由Cu等构成的第1布线26及第2布线27的其余部分之后，通过剥离液将抗蚀剂层253除去，将通过抗蚀剂层253的除去而露出的第2晶种层282用蚀刻液等除去。由此，如图5L所示，在半导体元件20及封固件21上形成具备第1布线26和第2布线27的再布线层24。

接着，如图5M所示，将封固件21中的再布线层24的相反侧的面通过研磨等而减薄，使半导体元件20露出。然后，在半导体元件20的露出面上，通过溅射等真空成膜法，形成未图示的第3电极。另外，未图示的第3电极既可以仅形成在半导体元件20的露出面，也可以除了该露出面以外还形成在封固件21中的包括再布线层24的相反侧的面的研磨面的整个面。在前者的情况下，通过使用未图示的金属掩模，能够仅在半导体元件20的露出面形成第3电极。

通过上述的工序，能够制造半导体装置2，但也可以采用上述以外的其他任意的半导体工艺。例如，在图5A所示的准备半导体元件20的工序中，也可以准备形成有第3电极的半导体元件20。在此情况下，在将第3电极用封固件21覆盖后，通过将封固件21减薄而使第3电极露出，并无特别障碍。这样，关于半导体装置2的制造工序，也可以适当变更。

接着，如图6A所示，准备由Cu等金属材料构成的第1热沉1，将半导体装置2焊接到其上。另外，第1热沉1例如通过在对由Cu构成的金属板施以冲压加工后利用干式蚀刻形成与外部的电源等连接的布线部分等任意工序得到。

接着，如图6B所示，在对半导体装置2的第1布线26及第2布线27上涂布焊料后，在第1布线26上载置另外准备的第2热沉3，在第2布线27上载置引线框4，进行焊接。由此，如图6C所示，半导体装置2在平面视图中成为如下状态：配置在第1热沉1的外轮廓内侧，并且一部分从第2热沉3的外轮廓伸出，并且在该伸出的部分与引线框4连接。另外，半导体装置2优选如图6C所示，平面尺寸比至少一方的热沉中的与半导体装置2连接的部分大。这是为了在接着说明的封固件6的成形中容易地填充树脂材料，抑制发生气孔。此外，第2热沉3通过与第1热沉1同样的工序得到。进而，引线框4例如通过对由Cu构成的金属板施以冲压加工等任意工序而得到。除此以外，也可以在将半导体装置2与第2热沉3及引线框4焊接后，将半导体装置2与第1热沉1焊接。

接着，如图6D所示，准备包括上模301和下模302、具有与封固件6的外形对应的腔室303的金属模300。然后，将焊接了热沉1、3及引线框4的半导体装置2投入到该腔室303内。在将该工件投入后，将环氧树脂等树脂材料从未图示的注入口注入到腔室303内，通过加热等使其硬化而将封固件6成形。在封固件6的成形后，将工件从金属模300脱模，通过利用冲压加工等将引线框4的系杆除去，能够制造本实施方式的半导体模组S1。

根据本实施方式，将被做成FO封装构造的半导体装置2与第2热沉3及引线框4直接焊接，从而成为不需要散热块102及线材103的两面散热构造的半导体模组S1。因此，与具备散热块102及线材103的以往的半导体模组S100相比，成为薄型化及低热阻化的半导体模组S1。

(第2实施方式)

参照图7对第2实施方式的半导体模组S2进行说明。在图7中，在其他截面中，用虚线表示从后述的传热绝缘基板7延伸设置到外部的布线。

本实施方式的半导体模组S2如图7所示，在第1热沉1与半导体装置2之间以及半导体装置2与第2热沉3之间分别配置有合计2个传热绝缘基板7，在这一点上与上述第1实施方式不同。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

传热绝缘基板7如图7所示，依次层叠有导电部71、绝缘部72和热传导部73。一方的传热绝缘基板7的导电部71经由接合件5而与半导体装置2连接，并且热传导部73经由未图示的焊料等而与第1热沉1连接。另一方的传热绝缘基板7的导电部71经由接合件5而与半导体装置2连接，并且热传导部73经由未图示的焊料等而与第2热沉3连接。

传热绝缘基板7的导电部71、绝缘部72及热传导部73都由热传导性高的材料构成，整体上热传导性提高，另一方面，导电部71和热传导部73通过绝缘部72而在电气上独立。通过经由该传热绝缘基板7，半导体模组S2被做成半导体装置2与第1热沉1及第2热沉3在电气上独立并且热连接的结构。换言之，本实施方式的半导体模组S2也可以说是第1散热部件包括第1热沉1和传热绝缘基板7、第2散热部件包括第2热沉3和传热绝缘基板7、传热绝缘基板7侧与半导体装置2连接而得到的构造。

传热绝缘基板7例如导电部71主要由Cu等金属材料构成，绝缘部72主要由Al₂O₃(氧化铝)或AlN(氮化铝)等绝缘性材料构成，热传导部73主要由Cu等金属材料构成。作为传热绝缘基板7，例如使用DBC(Direct Bonded Copper的简称)基板。

传热绝缘基板7中的导电部71的一部分被作为与外部的电源等连接的布线，或者连接着引线框4等其他布线，能够进行与半导体元件20的电交换。

通过本实施方式，也由于散热块102及线材103是不需要的构造，所以能得到与上述第1实施方式同样的效果。

此外，半导体模组S2是以下构造：半导体装置2和热沉1、3被传热绝缘基板7绝缘，当与外部的冷却器等连接时，不需要另外使绝缘层夹在冷却器等与半导体模组S2之间。因此，该半导体模组S2可以期待与外部的冷却器等连接时的可靠性变高的效果。

(第3实施方式)

参照图8～图10对第3实施方式的半导体模组S3进行说明。

本实施方式的半导体模组S3如图8所示，与上述第1实施方式的不同点在于，半导体装置2具有两个半导体元件20和中继部件29，除了热沉1、3以外还具有热沉8、9。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

半导体装置2在本实施方式中具有2个部分(以下，为了方便而称作“元件部”)，该元件部具有具备各种电极的半导体元件20和形成在其上的第1布线26及第2布线27。此外，半导体装置2具有在这两个元件部之间在厚度方向上贯通的中继部件29。

在以下的说明中，为了将两个半导体元件20区别而容易理解，如图8所示，为了方便而将与热沉1、3连接的半导体元件20称作“第1半导体元件201”，将另一方称作“第2半导体元件202”。另外，在本实施方式中，对将这些半导体元件201、202做成相同结构的例子进行说明。

第1半导体元件201及第2半导体元件202例如如图9所示，都形成有第1布线26及多个第2布线27，两个元件部以朝向一致的方式配置。另外，关于由图9的单点划线表示的II－II间的截面结构以及与热沉1、3的连接，与上述第1实施方式的半导体装置2相同。

中继部件29例如如图8所示，具有第1部件29a和第2部件29b，是在半导体装置2的厚度方向上将热沉与不同于该热沉的部件电连接的部件。中继部件29例如由Cu等金属材料构成，通过电镀等形成。具体而言，例如，在分离的两个半导体元件201、202之间，作为第2部件29b而配置Cu柱，将它们用封固件21覆盖。在图8所示的例子中，对于该第2部件29b而言，其厚度方向的尺寸与形成有第1电极22的半导体元件201、202相同，在由封固件21覆盖后，与半导体元件201、202中的形成第1电极22的一侧的面一起露出。然后，在再布线层24的形成时，通过在Cu柱上将作为其余部的第1部件29a用与再布线层24同样的方法延伸设置，能够形成中继部件29。另外，由封固件21覆盖的柱由具有导电性的材料构成即可，也可以是Cu以外。中继部件29例如如图8所示，为了将第1热沉1及第4热沉9连接而使用，成为两个半导体元件20之间的电流路径。中继部件29在图8所示的例子中被配置在半导体装置2中的从第2热沉3露出的部分且位于第1热沉1的外轮廓内侧的部分。关于该中继部件29的平面布局的例子在后面叙述。

第3热沉8如图8所示，与第1热沉1同样，呈具有处于表面及背面的关系的上表面8a和下表面8b的板状，由Cu等金属材料构成。第3热沉8在上表面8a上经由接合件5而搭载半导体装置2中的具备第2半导体元件202的元件部，并且下表面8b从封固件6露出。第3热沉8与第1热沉1隔开规定以上的间隔配置，以使得不与第1热沉1直接连接、即不短路。即，第3热沉8面向半导体装置2中的与第1热沉1面对的背面2b并且与第1热沉1隔着封固件6而配置。另外，也能够将第3热沉8称作“第3散热部件”。

第4热沉9如图8所示，与第2热沉3同样，呈具有处于表面及背面的关系的一面9a和另一面9b的板状，由Cu等金属材料构成。第4热沉9的另一面9b与半导体装置2中的具备第2半导体元件202的元件部面对，并且经由接合件5而与第2半导体元件202电连接。第4热沉9的一面9a从封固件6露出。第4热沉9从使得不与第2热沉3直接连接而短路的观点来看，与第2热沉3隔开规定以上的间隔而配置。即，第4热沉9面向半导体装置2中的与第2热沉3面对的表面2a并且与第2热沉3隔着封固件6而配置。另外，可以将第4热沉9称作“第4散热部件”。

另外，半导体装置2中的具备第2半导体元件202的元件部配置在第3热沉8的上表面8a的外轮廓内侧。此外，该元件部中的第2布线27的一端配置在比第4热沉9的另一面9b的外轮廓靠外侧，与上述第1实施方式同样，在图8的其他截面中与引线框4焊接。

即，本实施方式的半导体模组S3，在封固件6内具备被做成两面散热构造的两个元件部，它们经由中继部件29串联地电连接。将这样的半导体模组S3可以称作“2in1构造”。

接着，参照图10对4个热沉1、3、8、9与中继部件29的平面布局的一例进行说明。

例如，半导体模组S3如图10所示，是在对置配置的热沉1、3以及对置配置的热沉8、9的各自之间配置有具备两个半导体元件20的半导体装置2的结构。此外，半导体模组S3还具备配置在第1热沉1与第3热沉8之间、经由中继部件29而与第2热沉3电连接的第5热沉10。

在这样的结构中，半导体装置2具备两个中继部件291、292。例如，第1中继部件291如图10所示，从相对于一面3a的法线方向来看，配置在第1热沉1与第4热沉9重叠的部分，经由接合件5而与各个热沉连接。第2中继部件292从相对于一面3a的法线方向来看，配置在第2热沉3与第5热沉10重叠的部分，经由接合件5而与各个热沉连接。这样的布局的半导体模组S3成为关于两个半导体元件20分别通过通断的控制而将电流值适当变更的结构。

此外，如图10所示，多个引线框4在第2热沉3及第4热沉9的外轮廓外侧与形成于两个元件部的未图示的第2布线27连接。因此，在本实施方式那样的2in1构造下，也不需要散热块102及线材103，与以往相比薄型化及低热阻化。

根据本实施方式，能得到与上述第1实施方式同样的效果。

(第3实施方式的变形例)

参照图11对作为第3实施方式的变形例的半导体模组S4进行说明。半导体模组S4如图11所示，中继部件29的截面形状被变更，这一点与上述第3实施方式不同。

中继部件29在本变形例中被做成在剖视下具有至少1处阶差部的形状。此外，中继部件29如图11所示，第2部件29b被做成具有阶差部的形状，第1部件29a将位置错开而延伸设置，从而从半导体装置2的表面2a露出的部分和从半导体装置2的背面2b露出的部分相偏移(offset)。中继部件29基本上通过在上述第3实施方式中描述过的方法形成。例如，首先，将作为第2部件29b而具有阶差部的Cu柱的一部分用封固件21覆盖。此时，第2部件29b与上述第3实施方式同样，与半导体元件201、202中的形成第1电极22的一侧的面一起，与其相同侧的面从封固件21露出。然后，在平面视图中，在与该Cu柱中的从背面2b露出的部分相偏移了的位置，将第1部件29a通过与再布线层24同样的方法在厚度方向上延伸设置。由此，中继部件29成为具有阶差部的形状，并且从表面2a露出的部分和从背面2b露出的部分相偏移。另外，在本变形例中，由封固件21覆盖的柱既可以是柱状，也可以是具有阶差部的形状(例如在剖视下为L字状等)，是任意的。此外，中继部件29在柱为前者的情况下，在形成了在平面视图中从柱的外轮廓伸出的部分后，通过在该伸出的部分上将其余部分在厚度方向上延伸设置而形成。中继部件29在柱为后者的情况下，通过在从在柱的形成再布线层24的一侧的面即封固件21的背面侧露出的部分偏移了的位置将其余部分在厚度方向上延伸设置而形成。通过上述的方法，以从半导体装置2的表面2a露出的部分和从背面2b侧露出的部分相偏移的方式形成的中继部件29成为至少具有1个阶差部的截面形状。由此，不仅薄型化，还能得到平面尺寸小型化的效果。

具体而言，在如上述第3实施方式那样中继部件29的截面形状为长方形的情况下，为了防止中继部件29与第2热沉3短路，需要使第1热沉1的宽度尺寸比第2热沉3大。此外，如图11所示，第1热沉1与第3热沉8的间隔以及第2热沉3与第4热沉9的间隔从防止它们之间的短路的观点来看都需要设为规定值以上的X。考虑到这些，在上述第3实施方式中，第1热沉1的宽度尺寸成为对于第2热沉3除了至少与第4热沉9的间隔X以外还加上用来连接中继部件29的空间量而得到的尺寸。

相对于此，在本变形例中，中继部件29被做成在半导体装置2内弯折的形状，与第4热沉9连接的部分和与第1热沉1连接的部分相偏移。结果，如图11所示，中继部件29即使一端侧连接于第1热沉1中的从第2热沉3伸出了X宽度的部分，从一端侧偏移了的另一端侧也能够与第4热沉9连接。

因而，在本变形例中，第1热沉1的宽度尺寸能够比上述第3实施方式小。此外，连接该中继部件29的另一端侧的第4热沉9因为同样的理由，不需要与第3热沉8相比多余地增大宽度尺寸，能够使宽度尺寸比上述第3实施方式小。由此，半导体模组S4通过使第1热沉1及第4热沉9的宽度尺寸变小，平面尺寸相比上述第3实施方式变小。

根据本变形例，除了起到与上述第3实施方式同样的效果，还成为得到平面尺寸也能够小型化的效果的半导体模组S4。

(第4实施方式)

参照图12、图13对第4实施方式的半导体模组进行说明。

在图12中，为了容易观察后述的引线框4的应力缓和部42，将本实施方式的半导体模组的构成要素中的半导体装置2的一部分、第2热沉3的一部分及引线框4以外的构成要素省略。此外，在图12中，为了说明的方便，设沿纸面左右方向的方向为X方向，设相对于纸面平面正交的方向为Y方向，设在纸面平面中与X方向正交的方向为Z方向，将这些方向用箭头等表示。这关于后述的图16也是同样的。

在图13中，因为与图12同样的理由，省略半导体装置2的一部分、引线框4及接合件5以外的构成要素，并将图12所示的X、Y、Z各方向用箭头等表示。这关于后述的图14、图15、图17也是同样的。

本实施方式的半导体模组例如如图12所示，与上述第1实施方式的不同点在于，经由接合件5而与半导体装置2的第2布线27连接的引线框4具备应力缓和部42。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

以下，为了说明的方便，如图12所示，将引线框4的两端中的与第2布线27连接的一侧的端部称作“第1端部4a”，将相反侧的端部称作“第2端部4b”。此外，将沿着引线框4从第1端部4a朝向第2端部4b的方向称作“延伸设置方向”。

引线框4在本实施方式中具备应力缓和部42，该应力缓和部42缓和在制造工序中在引线框4中的第1端部4a侧产生的应力，减小作用于将第2布线27与引线框4连接的接合件5的负荷。具体而言，在制造半导体模组的工序中，在将引线框4经由接合件5而与第2布线27连接后的冷却工序中，起因于引线框4的热收缩而在第1端部4a产生应力，由于该应力而在接合件5上作用负荷。由于该负荷会使接合件5产生裂纹，所以从确保接合可靠性的观点来看，优选的是减小在第1端部4a侧产生的应力。即，使应力集中于应力缓和部42，通过使该部位弹性或塑性变形而减小上述的应力以及对接合件5的负荷，防止接合件5产生裂纹。

引线框4例如如图12所示，呈在第1端部4a与第2端部4b之间具有延伸设置方向变化的边界部分即边界部41的形状。具体而言，引线框4例如可以做成如下形状：包括第1端部4a的一部分及包括第2端部4b的一部分沿着X方向，它们之间的一部分沿着Z方向。在此情况下，引线框4的延伸设置方向从X方向变化为Z方向，其边界是边界部41。

此外，引线框4的第1端部4a与边界部41之间的一部分被做成延伸设置方向与其他部分不同的应力缓和部42。具体而言，例如如图13所示，引线框4被做成包括第1端部4a的规定部分的延伸设置方向沿着X方向、在达到边界部41的中途延伸设置方向变化为Y方向侧的应力缓和部42。换言之，引线框4在本实施方式中，通过设置应力缓和部42，从第1端部4a到边界部41的部分呈大致L字形状。此外，引线框4在平面视图中成为从第1端部4a到边界部41的部分和从第2端部4b到边界部41的部分不配置为同一直线状的平面形状。即，引线框4是从第1端部4a到边界部41的部分呈与直线状不同的形状的结构。

在从第1端部4a到边界部41的部分是直线状的情况下，在将引线框4用接合件5连接于半导体装置2后的冷却工序中，引线框4沿着延伸设置方向热收缩，产生图14的中空箭头所示的应力。如果该热应力较大，则有可能接合件5产生裂纹从而半导体模组的可靠性下降。应力缓和部42通过在从第1端部4a到边界部41的部分使其延伸设置方向变化，起到缓和作用于接合件5的热应力的作用。另外，应力缓和部42例如通过对由金属材料构成的板材施以冲压加工来形成。

根据本实施方式，成为如下效果的半导体模组：除了上述第1实施方式的效果以外，还能够得到抑制将半导体装置2的第2布线27与引线框4连接的接合件5产生裂纹、进而可靠性提高的效果。

(第4实施方式的变形例)

应力缓和部42是能够缓和在第1端部4a侧产生的应力的构造即可，并不限于上述的例子。应力缓和部42例如也可以如图15所示那样，在平面视图中在XY平面上呈大致U字形状。

此外，应力缓和部42例如也可以如图16所示，在剖视下呈在Z方向上变形的大致U字形状。在此情况下，引线框4例如如图17所示，在俯视下，成为从第1端部4a到边界部41的部分和从第2端部4b到边界部41的部分位于同一直线上的结构。但是，由于通过应力缓和部42，在从边界部41到第1端部4a的中途，引线框4的延伸设置方向变化，所以在与半导体装置2连接后的冷却工序中在第1端部4a产生的热应力被减小。

另外，应力缓和部42从加工精度的观点来看优选形成为，与从第1端部4a到边界部41的部分位于同一平面。此外，为了使应力集中于应力缓和部42、使该部位弹性或塑性变形，如上述那样，应力缓和部42也可以做成如下形状：不仅是引线框4的延伸设置方向的朝向，宽度及厚度也局部地与其他部位不同。换言之，应力缓和部42是在从第1端部4a到边界部41之间引线框4的厚度、宽度及延伸设置方向中的至少1个的状态与其他部位不同的部位。此外，这里所述的引线框4的宽度，是指相对于延伸设置方向正交的方向上的尺寸。

通过本变形例，也能得到与上述第4实施方式同样的效果。

(第5实施方式)

参照图18～图20对第5实施方式的半导体模组进行说明。

在图18中，为了使后述的形成于第2热沉3的凹部31容易观察，将封固件6省略，并将其外轮廓用双点划线表示。

本实施方式的半导体模组例如如图18所示，与上述第1实施方式的不同点在于，在与半导体装置2的第1布线26连接的第2热沉3的另一面3b形成有凹部31。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

在本实施方式中，第2热沉3为如下形状：在另一面3b中的与接合于半导体装置2的第1布线26的区域不同的区域中形成有朝向一面3a凹陷的凹部31，能够确保半导体装置2与第2热沉3之间的间隙。具体而言，第2热沉3如图19所示，另一面3b包括接合于半导体装置2的接合区域3ba和比接合区域3ba靠另一面3b的外轮廓侧的区域即非接合区域3bb，非接合区域3bb的至少一部分为凹部31。

凹部31例如将非接合区域3bb中的位于接合区域3ba附近的一部分区域作为接合附近区域3bc，呈从接合附近区域3bc的端部朝向另一面3b的外轮廓而倾斜的锥状。凹部31例如可以通过冲压、切削、铸造或蚀刻等任意加工方法形成。凹部31例如如图20所示，使凹部31所成的面为倾斜面，设接合区域3ba所成的面与倾斜面所成的角度中的锐角为锥角θ，锥角θ优选为45°以下。这是为了确保用来使来自半导体装置2的传热向外部扩散的第2热沉3的区域，防止半导体装置2的散热性下降。

凹部31呈如下形状：非接合区域3bb中的另一面3b的外轮廓侧的与半导体装置2的间隙D2大于接合附近区域3bc的与半导体装置2的间隙D1。这是为了使得在封固件6的形成时封固材料容易流入到半导体装置2与第2热沉3的间隙中、确保封固件的填充性。

例如，在另一面3b整体是平坦面的情况下，当接合件5的厚度为100μm或其以下、使包含填料的封固材料流入时，填料不易进入到半导体装置2与第2热沉3的间隙中，有可能发生气孔。如果在封固件6中产生这样的气孔，则当反复进行半导体模组的发热/冷却的循环时，缓和接合件5的热应力的作用变弱，有可能产生裂纹，从确保可靠性的观点看并不优选。

相对于此，在本实施方式中，第2热沉3在另一面3b具备凹部31，半导体装置2与第2热沉3的间隙随着从接合附近区域3bc朝向外侧而变宽。因此，即使在接合件5的厚度较薄并且使用包含填料的封固材料的情况下，该封固材料也容易流入到半导体装置2与第2热沉3的间隙中，填充性提高，抑制封固件6的气孔的产生。

根据本实施方式，成为如下效果的半导体模组：除了上述第1实施方式的效果以外，进一步提高半导体装置2与第2热沉3的间隙中的封固件6的填充性，抑制封固件6中的气孔的产生，可靠性进一步提高。

(第5实施方式的变形例)

第2热沉3的凹部31只要是在形成封固件6时构成封固件6的树脂材料被填充到半导体装置2与第2热沉3的间隙中的形状即可，并不限于上述的锥状。凹部31也可以例如如图21所示那样为阶梯形状。在此情况下，第2热沉3的另一面3b的非接合区域3bb的与半导体装置2的间隙也是另一面3b的外缘部分大于接合附近区域3bc。因此，能够确保半导体装置2与第2热沉3的间隙中的封固件的填充性。

通过本变形例，也能得到与上述第5实施方式同样的效果。

(第6实施方式)

参照图22对第6实施方式的半导体模组进行说明。

本实施方式的半导体模组例如如图22所示，与上述第1实施方式的不同点在于，半导体装置2中的第1布线26及第2布线27的一部分粗糙化而成为粗糙化部261、271。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

第1布线26在本实施方式中如图22所示，从构成再布线层24的绝缘层25露出的部分粗糙化而成为粗糙化部261。在本实施方式中，第2布线27的被绝缘层25覆盖的部分及从绝缘层25露出的部分粗糙化而成为粗糙化部271。粗糙化部261、271例如可以通过在日本特开2019－181710号公报等中记载的粗糙化镀层法、或在用通常的镀层形成工序形成了布线后用激光照射等后处理工序进行粗糙化的方法等任意方法形成。

粗糙化部261、271与没有粗糙化的情况相比，增大了与接合件5及绝缘层25的界面处的比表面积，提高了与接触的材料的密接性，从而起到使半导体模组的可靠性提高的作用。

另外，这里所述的“粗糙化部”，例如表示由日本工业标准(JIS)设定的计算平均表面粗糙度Ra(单位：μm)为0.3以上。

根据本实施方式，成为如下效果的半导体模组：除了上述第1实施方式的效果以外，还提高了半导体装置2的再布线层24内的第2布线27的密接性以及布线26、27与接合件5的密接性，接合可靠性进一步提高。

(第7实施方式)

参照图23对第7实施方式的半导体模组进行说明。

在图23中，为了容易观察后述的引线框4的罩层43，在本实施方式的半导体模组的构成要素中，省略了半导体装置2的一部分、第2热沉3的一部分及引线框4以外的构成要素。

本实施方式的半导体模组在引线框4设有罩层43这一点上与上述第1实施方式不同。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

引线框4在本实施方式中具备罩层43，该罩层43将第1端部4a侧的一部分区域、即包括与第2布线27连接的部分的规定区域覆盖。罩层43为了防止当用接合件5将引线框4与第2布线27连接时熔融的接合件5伸出到例如第2热沉3侧等不希望的区域、引线框4与不希望的区域发生短路而形成。例如，在接合件5被涂布于半导体装置2、且熔融了的接合件5伸出到第2热沉3侧的情况下，伸出的接合件5可能将第2热沉3与引线框4直接连接而发生短路。罩层43被做成抑制这样的接合件5向不希望的区域的浸润扩散的结构。

具体而言，罩层43通过由接合件5的浸润性比引线框4高的任意材料构成，起到控制熔融了的接合件5的浸润扩散方向的作用。例如，在引线框4由Cu构成、接合件5为焊料的情况下，罩层43例如由Au(金)、Ag(银)、Sn(锡)或它们的合金等构成。罩层43例如通过蒸镀或溅射等任意方法形成。

设第2布线27中的从绝缘层露出的部分为露出部，设引线框4中的与第2布线27的露出部相面对的部分为对置部，罩层43将从对置部到第2端部4b侧的规定区域连续地覆盖。由此，当熔融了的接合件5与罩层43接触时，接合件5沿着罩层43向第2端部4b侧浸润扩散，所以抑制了向第2热沉3侧伸出。

根据本实施方式，成为如下效果的半导体模组：除了上述第1实施方式的效果以外，还能在制造工序中防止接合件5向不希望的方向流动，抑制绝缘不良。

另外，在上述中，以将接合件5涂布到半导体装置2之后连接具备罩层43的引线框4的制造工序为例进行了说明。但是，并不限定于该制造工序，也可以预先在半导体装置2的背面2b和第1布线26及第2布线27上涂布接合件5，并将具备罩层43的引线框4连接于半导体装置2。在此情况下，能够将半导体装置2与第1热沉1、第2热沉3及引线框4一起接合，能够实现制造工序的简化。

此外，引线框4只要是能够抑制接合件5的浸润扩散的结构即可，也可以是不具有罩层43的结构。例如，引线框4也可以不形成罩层43，通过使相当于罩层43的区域以外的浸润性成为比其他区域差的状态来抑制接合件5的浸润扩散。作为使引线框4处的接合件5的浸润性局部地变差的方法，例如可以举出激光照射等。即，引线框4只要是具备接合件5的浸润性相对较高的区域和较低的区域、接合件5的浸润性相对较高的区域从第1端部4a向第2端部4b侧延伸的结构即可。这在以下叙述的变形例中也是同样的。

(第7实施方式的变形例)

引线框4例如也可以如图24所示，在比与第2布线27面对的对置部靠第2端部4b侧的从对置部隔开规定间隔的部位形成槽部44。在此情况下，罩层43形成为，将引线框4中的至少从对置部到槽部44的区域覆盖。

槽部44例如如图24所示，起到在多余量的接合件5被涂布到第2布线27上时将该多余量吸收、防止接合件5流到不希望的区域中的作用。槽部44例如通过V槽加工或半蚀刻法等任意的加工方法而被做成大致V字状的槽，但只要是接合件5中的多余的量能流入的形状即可，其形状及深度等是任意的。槽部44若从对置部过于远离，则难以将接合件5的多余量吸收，所以例如在比边界部41靠第1端部4a侧的距对置部为规定范围内的区域中形成。

根据本变形例，在多余的接合件5被涂布到半导体装置2的情况下，也能够用槽部44将多余量吸收，抑制接合件5伸出到不希望的区域，成为进一步提高了上述第7实施方式中的效果的构造的半导体模组。

(第8实施方式)

参照图25～图27对第8实施方式的半导体模组进行说明。

在图25中，为了使后述的突起部2c容易观察，省略了第1热沉1的一部分及封固件6。

本实施方式的半导体模组例如如图25所示，与上述第1实施方式的不同点在于，在半导体装置2形成有突起部2c，半导体装置2和第2热沉3不在不希望的部位接触。在本实施方式中，主要对该不同点进行说明。

半导体装置2在本实施方式中例如如图26所示，在第1布线26侧的表面2a的外轮廓附近的区域形成有多个突起部2c。这是为了防止在制造工序中半导体装置2的端部朝向第2热沉3侧翘曲的情况下半导体装置2的表面2a与第2热沉3的另一面3b的端部在大范围中接触、将它们的间隙堵塞所带来的封固件6的填充不良。

即，突起部2c形成在半导体装置2中的因翘曲带来的变动较大的外轮廓附近，是在半导体装置2翘曲的情况下先于半导体装置2的表面2a而与第2热沉3的另一面3b抵接的部位。由此，突起部2c起到以下作用：确保半导体装置2与第2热沉3的间隙，帮助封固材料流入到这些间隙中，防止在封固件6中产生气孔。

突起部2c由树脂材料或金属材料等任意的材料构成。突起部2c在由树脂材料构成的情况下，例如可以通过灌封等任意的湿式成膜法形成。突起部2c在由金属材料构成的情况下，例如可以通过电镀等任意的方法形成。突起部2c在后者的情况下，采用与半导体装置2中的传送例如高频信号等电信号的电路部分在电气上独立的结构。

另外，突起部2c既可以仅与第2热沉3抵接，也可以与第2热沉3接合。例如，突起部2c可以做成包含焊料的结构而与第2热沉3接合，在此情况下，可以在半导体装置2侧设置焊接的构造。由此，还可期待进一步提高半导体装置2的散热性的效果。

突起部2c例如为柱状，如图26所示，在半导体装置2中的翘曲较大而能够与第2热沉3抵接的区域中配置有多个。具体而言，将半导体装置2的表面2a中的外轮廓附近的规定区域中的、与第2热沉3的另一面3b面对的区域设为外缘区域2aa，突起部2c形成在外缘区域2aa。突起部2c例如散布在比第1布线26靠外侧的外缘区域2aa，成为将第1布线26包围那样的配置。

另外，突起部2c只要抑制因半导体装置2的翘曲而半导体装置2的表面2a与第2热沉3的另一面3b接触的情况、不阻碍封固件的流入即可，并不限定于上述的配置及形状的例子。例如，突起部2c也可以如图27所示那样为壁状，也可以为其他任意形状，在外缘区域2aa内可以适当变更配置。

根据本实施方式，成为如下效果的半导体模组：除了上述第1实施方式的效果以外，即使在制造工序中发生半导体装置2的翘曲，也能确保半导体装置2与第2热沉3的间隙，抑制封固件6中产生气孔，可靠性进一步提高。

(其他实施方式)

将本发明依据实施例进行了描述，但应理解的是本发明并不限定于该实施例及构造。本发明也包含各种各样的变形例及等价范围内的变形。除此以外，各种各样的组合及形态、进而仅包含它们的一要素、包含其以上或其以下的其他组合及形态也落入在本发明的范畴及思想范围中。

(1)例如，在上述第3实施方式及其变形例中，也可以如图28所示，做成在半导体装置2与各热沉1、3、8、9之间配置有传热绝缘基板7的结构。在此情况下，中继部件29与传热绝缘基板7的导电部71电连接，与各热沉1、3、8、9在电气上独立但被热连接。

(2)此外，在上述第3实施方式及其变形例中，对两个元件部被1个封固件6覆盖的2in1构造进行了说明，但也可以将元件部的数量设为3以上。在此情况下，也成为能得到比以往薄型化及低热阻化的效果的半导体模组。

(3)在上述各实施方式中，说明了将半导体装置2的第1布线26及第2布线27做成比绝缘层25的外表面向外侧突出的形状的例子，但也可以如图29所示那样做成比绝缘层25的外表面向内侧凹陷的形状。

(4)在上述第2实施方式中，说明了第1散热部件包括第1热沉1及传热绝缘基板7、第2散热部件包括第2热沉3及传热绝缘基板7的例子。但是，也可以如图30所示那样第1散热部件及第2散热部件仅由传热绝缘基板7构成。

此外，关于在上述(1)中说明的上述第3实施方式的其他变形例也同样，也可以如图31所示那样将第1至第4散热部件仅用传热绝缘基板7构成。在此情况下，半导体模组成为仅由1个传热绝缘基板7构成第1、第3散热部件、并且仅由1个传热绝缘基板7构成第2、第4散热部件的构造。该传热绝缘基板7被做成导电部71中的与半导体元件201连接的部分及与半导体元件202连接的部分在电气上独立的结构，而对于热传导部73，也可以不进行布图。

(5)在上述第1、第2实施方式中，以将半导体装置2内的半导体元件20做成产生厚度方向的电流的所谓纵型结构的例子为前提进行了说明，但半导体元件20并不限定于此。例如，半导体元件20也可以是将第1电极22、第2电极23及第3电极形成在同一面内的结构。

(6)在上述第1实施方式中，第2热沉3例如也可以如图32所示那样，在比与半导体装置2接合的区域靠外侧的位置形成将一面3a与另一面3b相连的贯通孔32。贯通孔32在将封固件6成形时起到用来使构成封固件6的树脂材料(以下称作“封固材料”)填充到半导体装置2与第2热沉3之间的作为填充路径的作用。

具体而言，贯通孔32例如如图33所示，在将接合了第1热沉1、半导体装置2、第2热沉3及引线框4而成的工件设置到金属模310中之后，在投入了封固材料时成为该封固材料流入的路径。另外，工件被配置为，第2热沉3的一面3a不与金属模310的内壁接触。并且，封固材料如在图33中箭头所示那样，从一面3a朝向另一面3b流动，将半导体装置2与第2热沉3的间隙填充。此外，通过在使封固件硬化后例如通过研磨使第2热沉3的一面3a露出，能够制造图32所示的半导体模组。由此，与上述第5实施方式同样，成为封固件6的填充性提高的结构的半导体模组。

此外，贯通孔32例如也可以如图34所示那样形成于上述第5实施方式及其变形例中的第2热沉3。在此情况下，贯通孔32形成在第2热沉3的凹部31，与凹部31一起实现使半导体装置2与第2热沉3的间隙中的封固件6的填充性提高的作用。

另外，贯通孔32也可以形成于上述第3实施方式及其变形例中的第2热沉3。在此情况下，如果在第4热沉9中形成相当于贯通孔32的贯通孔，则封固件6的填充性进一步提高，所以是优选的。

(7)在第2散热部件及第4散热部件的一部分或全部由传热绝缘基板7构成的情况下，传热绝缘基板7例如可以如图35所示那样在导电部71的外周部分形成阶差部74。由此，封固件6容易进入到传热绝缘基板7与半导体装置2的表面2a的间隙中，成为封固件6的填充性提高的结构的半导体模组。