阅读说明：本技术 一种SiC MOSFET器件结构 (SiC MOSFET device structure ) 是由 陈利 陈彬 于 2021-08-22 设计创作，主要内容包括：本发明涉及半导体器件技术领域,具体为一种SiCMOSFET器件结构,包括封装壳体、引脚、凹槽、镀银层、散热块、散热鳍、耳板、导热膜、硅胶片、导热柱和镂空槽。本发明结构巧妙,装置的引脚上开有凹槽,引脚上开有镂空槽,且镂空槽位于凹槽内,用镊子夹持住引脚远离封装壳体靠近凹槽处,然后弯折引脚,在凹槽和镂空槽的作用下,大大降低了引脚折弯处的结构强度,此时可轻松的将引脚由凹槽处折弯,不仅方便了引脚的折弯,同时限定了装置的折弯位置,避免了装置因引脚的硬度高,引脚折弯困难,以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生,有利于装置的安装。(The invention relates to the technical field of semiconductor devices, in particular to a SiCMOS MOSFET device structure which comprises a packaging shell, pins, grooves, a silver coating, a heat dissipation block, heat dissipation fins, lug plates, a heat conduction film, a silica gel sheet, heat conduction columns and hollow grooves. The pin bending device is ingenious in structure, the pin of the pin bending device is provided with the groove, the pin is provided with the hollowed groove, the hollowed groove is positioned in the groove, the pin is clamped by tweezers and is far away from the position, close to the groove, of the packaging shell, then the pin is bent, under the action of the groove and the hollowed groove, the structural strength of the bent position of the pin is greatly reduced, the pin can be easily bent from the groove, the pin is conveniently bent, the bending position of the pin is limited, the problems that the pin is difficult to bend due to high hardness of the pin and the bending position is not correct during bending are avoided, and the situation that the pin is bent more or less is caused due to the fact that the bending position is not correct during bending is facilitated, and the device is convenient to install.)

一种SiC MOSFET器件结构

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种SiC MOSFET器件结构。

背景技术

SiC MOSFET中文名称碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称碳化硅金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，虽然现有的Si MOSFET器件技术已经较为成熟，但是其仍然存在以下不足：

现有的Si MOSFET器件的引脚都是一块扁平的板，且具有较强的硬度，由于SiMOSFET器件尺寸较小，加上引脚具有较强的硬度，当安装Si MOSFET 器件，需要弯折引脚时，此时需要花费较多的时间和力气才能将引脚弯折成功，而且在弯折的过程中，弯折位置很难把控，容易出现弯折过多或者过少的情况，不便于Si MOSFET器件的安装，同时现有的Si MOSFET器件大都是塑料壳体直接封装，装置的散热能力较差，影响Si MOSFET器件的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SiC MOSFET器件结构，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种SiC MOSFET 器件结构，包括封装壳体，所述封装壳体的一侧设置有引脚，所述引脚中部处的顶面开有凹槽，所述引脚远离封装壳体一端的底部处为斜面，所述引脚上开设有镂空槽，所述镂空槽位于凹槽内，所述封装壳体的顶板开设有矩形镂空槽，所述矩形镂空槽内安装有具有散热块的导热机构。

优选的，所述导热机构包括散热块，所述散热块固定安装在封装壳体顶板的矩形镂空槽内，所述散热块的底面贴附安装有导热膜，所述导热膜的底面贴附安装有硅胶片，所述散热块内竖直固定安装有多根导热柱。

优选的，所述散热块的顶面贴附安装有散热鳍，所述散热鳍为铝制散热鳍。

优选的，所述散热块的外部固定套接有耳板，所述耳板与封装壳体的顶板相触，所述耳板与封装壳体接触处涂有防水密封胶。

优选的，所述散热块为铝合金块，所述散热块与封装壳体顶板的矩形镂空槽过度配合。

优选的，所述导热柱为石墨烯导热柱，所述导热柱的顶端与散热块的顶面位于同一水平面上，所述导热柱的底端与散热块的底面面位于同一水平面上。

优选的，所述引脚远离封装壳体一端处的倾斜面与水平面之间的夹角处在30°—50°之间，所述引脚一端处的倾斜面上镀有镀银层。

优选的，所述凹槽的底部处为弧状，所述导热膜为石墨烯导热膜。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

本发明结构巧妙，装置的引脚上开有凹槽，引脚上开有镂空槽，且镂空槽位于凹槽内，用镊子夹持住引脚远离封装壳体靠近凹槽处，然后弯折引脚，在凹槽和镂空槽的作用下，大大降低了引脚折弯处的结构强度，此时可轻松的将引脚由凹槽处折弯，不仅方便了引脚的折弯，同时限定了装置的折弯位置，避免了装置因引脚的硬度高，引脚折弯困难，以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生，有利于装置的安装。

本发明含有导热机构，相较于传统的直接密封的方式，在导热机构的作用下，装置内部的热量可由硅胶片、导热膜传递给散热块以及散热块内的导热柱，然后散发出去，有利于装置内部热量的及时散出，避免了装置内部器件因散热较差导致器件老化和运行时不稳定情况的发生，有利于保证装置的使用寿命。

附图说明

图1为本发明中的立体结构示意图；

图2为本发明中的图1正视结构示意图；

图3为本发明中的图1的俯视结构示意图；

图4为本发明中的图1的右视剖面结构示意图；

图5为本发明中的散热块与导热柱连接结构示意图。

图中：1、封装壳体；2、引脚；3、凹槽；4、镀银层；5、散热块；6、散热鳍；7、耳板；8、导热膜；9、硅胶片；10、导热柱；11、镂空槽。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术工作人员员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1至图5，本发明提供一种技术方案：一种SiC MOSFET器件结构，包括封装壳体1，封装壳体1的一侧设置有引脚2，引脚2中部处的顶面开有凹槽3，引脚2远离封装壳体1一端的底部处为斜面，引脚2上开设有镂空槽11，镂空槽11位于凹槽3内，封装壳体1的顶板开设有矩形镂空槽，矩形镂空槽内安装有具有散热块5的导热机构。

本实施例中，如图1、图2、图4和图5所示，导热机构包括散热块5，散热块5固定安装在封装壳体1顶板的矩形镂空槽内，散热块5的底面贴附安装有导热膜8，导热膜8的底面贴附安装有硅胶片9，散热块5内竖直固定安装有多根导热柱10。

本实施例中，如图1、图2、图3和图4所示，散热块5的顶面贴附安装有散热鳍6，散热鳍6为铝制散热鳍。

本实施例中，如图1、图2、图3和图4所示，散热块5的外部固定套接有耳板7，耳板7与封装壳体1的顶板相触，耳板7与封装壳体1接触处涂有防水密封胶。

本实施例中，如图4所示，散热块5为铝合金块，散热块5与封装壳体1 顶板的矩形镂空槽过度配合。

本实施例中，导热柱10为石墨烯导热柱，导热柱10的顶端与散热块5 的顶面位于同一水平面上，导热柱10的底端与散热块5的底面面位于同一水平面上。

本实施例中，如图1和图2所示，引脚2远离封装壳体1一端处的倾斜面与水平面之间的夹角处在30°—50°之间，引脚2一端处的倾斜面上镀有镀银层4。

本实施例中，如图2和图4所示，凹槽3的底部处为弧状，导热膜8为石墨烯导热膜。

本发明的工作过程如下：

如图1、图2、图3、图4和图5所示，装置封装壳体1内部的其余结构为现有技术，文中不做过多赘述，装置的引脚2上开有凹槽3，引脚2上开有镂空槽11，且镂空槽11位于凹槽3内，同时引脚2的一端处的底面为斜面，当装置需要水平安装将引脚2折弯时，此时用镊子夹持住引脚2远离封装壳体1靠近凹槽3处，然后弯折引脚2，在凹槽3和镂空槽11的作用下，大大降低了引脚2折弯处的结构强度，此时可轻松的将引脚2由凹槽3处折弯，折弯后引脚2一端处的斜面与电路板引脚焊接处接触，在凹槽3和镂空槽11 的作用下，不仅方便了引脚2的折弯，同时限定了装置的折弯位置，避免了装置因引脚2的硬度高，在安装时，引脚2折弯困难，以及折弯时因折弯位置不对导致多折或者少折情况的发生，有利于装置的安装；

同时装置的封装壳体1上安装有导热机构，封装装置时，封装壳体1封装完毕后，将散热块5放置在封装壳体1的矩形镂空槽内，然后使用密封胶对耳板7和封装壳体1之间密封，相较于传统的直接密封的方式，在导热机构的作用下，装置内部的热量可由硅胶片9、导热膜8传递给散热块5以及散热块5内的导热柱10，然后散发出去，有利于装置内部热量的及时散出，避免了装置内部器件因散热较差导致器件老化和运行时不稳定情况的发生，有利于保证装置的使用寿命。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术工作人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。