具体实施方式

示例实现的以下详细描述参考附图。不同附图中的相同附图标记可以标识相同或相似的元件。

确定变压器结构的插入损耗量的一个因素是变压器结构的初级线圈与变压器结构的次级线圈之间的耦合。随着使用变压器结构的操作频率增加(例如，增加至毫米波频率或更高频率)，变压器结构的尺寸变小，这使得实现高耦合系数并且从而降低插入损耗变得更加困难。用于减小变压器结构中的插入损耗的现有技术包括使用堆叠结构或交错结构(例如，在变压器匝之间具有至少所需的最小间隔)。其它选择也是可能的，诸如使用特殊设计的布局(例如，四线组合器)或基于不同尺寸的变压器结构的设计。

通常，提供具有两个厚金属层(例如，具有等于或大于大约1微米(μm)的厚度)的金属堆叠的制造技术被用于制造毫米波集成电路。然而，在某些情况下，制造技术可以提供仅具有单个厚金属层的金属堆叠。在这种情况下，堆叠结构是不可行的(例如，由于堆叠结构需要至少两个厚金属层以形成初级线圈和次级线圈)，因此交错结构(例如，初级线圈和次级线圈被形成在单个厚金属层上)是用于实现变压器结构的典型候选。质量(Q)因子和电迁移方面都受益于交错结构的使用。然而，由于最小的间距要求(例如，线圈的匝之间的间距量是一定的)，具有交错设计的变压器结构对于某些初级电感和次级电感不能实现低插入损耗，因为所需的间距限制了变压器结构的线圈之间的可实现的耦合。

本文描述的一些实现提供了具有堆叠和交错的设计的变压器结构。在一些实现中，具有堆叠和交错的设计的变压器结构(在本文中称为堆叠/交错的变压器结构)可以具有第一线圈和第二线圈，其中第一线圈的匝基本上沿第一线圈的匝在横向方向(例如，以提供基本上沿第一线圈的匝的横向耦合)以及基本上沿第一线圈的匝在竖直方向(例如，以提供基本上沿第一线圈的匝的竖直耦合)都与第二线圈的匝重叠。

在一些实现中，堆叠/交错的变压器结构减少了插入损耗并且增加了初级线圈与次级线圈之间的耦合系数(例如，相比于单独的堆叠结构，相比于单独的交错结构)。即，通过采用交错和堆叠的架构的组合，堆叠/交错的变压器结构可以获得堆叠方法和交错方法两者的优点。附加地，本文描述的堆叠/交错的变压器结构设计不影响初级线圈或次级线圈的尺寸或总体结构，这意味着堆叠/交错的变压器结构可以容易地被集成到电流集成电路设计中。在一些实现中，当在雷达收发器系统中使用时，本文描述的堆叠/交错的变压器结构可以增加发射器的输出功率并且降低低噪声放大器的噪声系数，这两者都影响雷达收发器系统的信噪比(SNR)，意味着堆叠/交错的变压器结构可以提高雷达图像的质量。

在一些实现中，堆叠/交错的变压器结构包括交错的结构，在该交错的结构中，初级线圈和次级线圈两者都被形成在厚金属层上。此外，堆叠/交错的变压器结构包括使用连接到初级绕组或次级绕组的附加的绕组几何形状的堆叠的结构，该堆叠的结构被形成在厚金属层下方的薄(例如，具有小于大约1μm的厚度的)金属层上。在此，堆叠和交错的架构的组合增加了初级线圈与次级线圈之间的耦合。

值得注意的是，当制造技术提供具有单个厚金属层的金属堆叠时，堆叠/交错的变压器结构可能特别有用。然而，堆叠/交错的变压器结构可以在其它情况下(诸如，当制造技术提供具有两个厚金属层的金属堆叠时)使用，并且仍然提供上述益处。例如，当制造技术提供具有两个厚金属层的金属堆叠时，可以通过包括与上匝平行的横向绕组来实现堆叠/交错的变压器结构，从而增加变压器结构的耦合系数。

图1A-图1H是与包括堆叠和交错的架构的变压器结构100的第一示例实现相关联的图。在一些实现中，变压器结构100被集成在半导体器件中。在一些实现中，变压器结构100可以被用于实现被包括在需要低插入损耗和/或高磁耦合的功率放大器或另一种类型的电路(例如，低噪声放大器)中的组合器、分离器等中的线圈。

图1A示出了变压器结构100的第一示例实现的二维(2D)平面图，图1B示出了变压器结构100的第一示例实现的三维(3D)视图，图1C示出了变压器结构100的第一示例实现的3D横截面，图1D示出了变压器结构100的第一示例实现的3D分解图。

在一些实现中，变压器结构100可以包括具有一个或多个匝的第一线圈102以及具有一个或多个匝的第二线圈104。例如，如图1A-图1D所示，变压器结构100可以包括第一线圈102和第二线圈104，每个线圈具有单个匝。值得注意的是，在其它实现中，第一线圈102和/或第二线圈104可以具有多个匝，并且第一线圈102的匝数不必与第二线圈104的匝数匹配。在一些实现中，第一线圈102是变压器结构100的初级线圈，并且第二线圈104是变压器结构100的次级线圈。备选地，在一些实现中，第一线圈102是变压器结构100的次级线圈，并且第二线圈104是变压器结构100的初级线圈。

在一些实现中，为了提供堆叠和交错的结构，第一线圈102的匝基本上沿第一线圈102的匝在横向方向与第二线圈104的匝重叠并且基本上沿第一线圈102的匝在竖直方向与第二线圈104的匝重叠。例如，在一些实现中，第一线圈102的匝沿第一线圈102的匝的四分之一以上(即，匝的长度的25％)在横向方向与第二线圈104的匝重叠，并且沿第一线圈102的匝的四分之一以上在竖直方向与第二线圈104的匝重叠。在一些实现中，如在图1C的横截面中指示的，在横向方向的重叠由第一线圈102的第一部分102a提供，而在竖直方向的重叠由第一线圈102的第二部分102b提供。

值得注意的是，在第一示例实现中，第一线圈102是变压器结构100的外部线圈，并且第二线圈104是变压器结构100的内部线圈。然而，在另一个实现中，第一线圈102可以是变压器结构100的内部线圈，并且第二线圈104可以是变压器结构100的外部线圈。在这种情况下，如在变压器结构100的第一示例实现中所示，第二部分102b向外(例如，从内部线圈朝着外部线圈)延伸而不是向内(例如，从外部线圈朝着内部线圈)延伸。

在一些实现中，第一部分102a从金属堆叠的第一金属层(例如，厚金属层)形成，并且第二部分102b从金属堆叠的第二金属层(例如，薄金属层，从顶部起第二个金属层)形成。在此，如图1C所示，第一部分102a可以通过第一金属层与第二金属层之间的通孔结构102c基本上沿第一线圈102的匝被连接到第二部分102b。在一些实现中，第二线圈104由第一金属层形成。在变压器结构100的第一示例实现中，第一线圈102在第一金属层和第二金属层中被实现(例如，使得第一线圈102在第二线圈104的下方延伸)，而第二线圈104在第一金属层中被实现。由于这种堆叠和交错的结构，将基本上沿第一线圈102的匝在第一线圈102与第二线圈104之间存在横向耦合和竖直耦合。此外，第一线圈102在第二线圈104下方的延伸改善了第二线圈104与基板的绝缘，而导致第一线圈102与基板之间的耦合增加。

值得注意的是，在第一线圈102上的平行金属路径的添加(即，第二部分102b)可以导致第一线圈102的Q因子与第二线圈104的Q因子之间的差异。然而，在许多应用中，初级线圈和次级线圈上不需要相等的Q因子。此外，由于线圈的布局需要地下通道，因此在许多情况下，常规变压器结构布局中的初级线圈和次级线圈的Q因子不同。在一些情况下，变压器结构100的堆叠/交错的架构不仅可以不增加Q因子中的这种差异，而且可以帮助恢复第一线圈102的Q因子与第二线圈104的Q因子之间的平衡。此外，堆叠/交错的变压器结构可以具有增加的寄生电容，该寄生电容使自谐振频率(SRF)偏移很小的量(例如，几吉赫兹的量级)。然而，SRF通常远远超出变压器结构100的操作频率，因此，这种偏移不会显著影响变压器结构100的性能。

图1E-图1H是示出由变压器结构100的第一示例实现提供的变压器性能参数的模拟改进的示例的图(例如，其中第一线圈102是外部线圈并且第二线圈104是内部线圈)。在与图1E-图1H相关联的示例中，第一线圈102是次级线圈并且第二线圈104是初级线圈。在图1E-图1H中，与变压器结构100的第一示例实现的性能参数相对应的线被标记为“TS100”，并且与常规的变压器结构(仅具有交错结构的变压器结构)的性能参数相对应的线被标记为“ILTS”。

图1E示出了由变压器结构100的第一示例实现提供的插入损耗中的改进。如图1E所示，在变压器结构的可能的操作范围内(例如，在大约60吉赫兹(GHz)至大约100GHz之间)，变压器结构100的第一示例实现与常规的变压器结构相比可以将插入损耗减小大约0.18分贝(dB)。

图1F示出了由变压器结构100的第一示例实现提供的耦合系数(K)的改进。如图1F所示，变压器结构100的第一示例实现与常规的变压器结构相比可以将耦合系数增加大约0.06(即，大约9％)。

图1G示出了由变压器结构100的第一示例实现提供的初级线圈和次级线圈的Q因子的匹配的改进。在图1G中，变压器结构100的第一示例实现的初级线圈的Q因子被标识为“TS100_P”，变压器结构100的第一示例实现的次级线圈的Q因子被标识为“TS100_S”，常规的变压器结构的初级线圈的Q因子被标识为“ILTS_P”，并且常规的变压器结构的次级线圈的Q因子被标识为“ILTSs”。如图1G所示，在变压器结构100的第一示例实现中，变压器结构100的第一示例实现的初级线圈和次级线圈的Q因子比常规的变压器结构的初级线圈和次级线圈的Q因子更紧密地匹配。

图1H示出了对变压器结构100的第一示例实现的电感的影响。在图1H中，变压器结构100的第一示例实现的初级线圈的电感被标识为“TS100_P”，变压器结构100的第一示例实现的次级线圈的电感被标识为“TS100_S”，常规的变压器结构的初级线圈的电感被标识为“ILTS_P”，并且常规的变压器结构的次级线圈的电感被标识为“ILTS_S”。如图1H所示，在变压器结构100的第一示例实现中，变压器结构100的第一示例实现的次级线圈的电感可以低于常规的变压器结构的次级线圈的电感。此外，如图所示，变压器结构100的第一示例实现的初级线圈和次级线圈比常规的变压器结构的初级线圈和次级线圈的电感更紧密地匹配。

如上所述，提供图1A-图1H作为示例。其它示例可以与关于图1A-图1H描述的示例不同。提供图1A-图1H中所示的线圈、匝和层的数目和布置作为示例。实际上，与图1A-图1H所示的匝、层和线圈相比，可能存在附加的匝、附加的层、较少的匝、较少的层、不同的线圈、不同的匝、不同的层、不同形状的线圈、不同形状的匝、不同形状的层、不同布置的线圈、不同布置的匝或不同布置的层。此外，提供图1A-图1H中所示的线圈、匝和层的尺寸作为示例。实际上，与图1A-图1H所示的线圈、匝和/或层相比，线圈、匝和/或层可以具有不同的尺寸或相对的尺寸。

图2A-图2D是示出由变压器结构100的第二示例实现提供的变压器性能参数的改进的图。在变压器结构100的第二示例实现中，第一线圈102是内部线圈并且第二线圈104是外部线圈(例如，使得第一线圈102的第二部分102b在第二线圈104的下方向外延伸)。在与图2A-图2D相关联的示例中，第一线圈102是初级线圈并且第二线圈104是次级线圈。在图2A-图2D中，与变压器结构100的第二示例实现的性能参数相对应的线被标记为“TS100”，并且与常规的变压器结构(仅具有交错的结构的变压器结构)的性能参数相对应的线被标记为“ILTS”。

图2A示出了由变压器结构100的第二示例实现提供的插入损耗的改进。如图2A所示，在变压器结构的可能的操作范围内(例如，在大约60GHz至大约100GHz之间)，与常规的变压器结构相比，变压器结构100的第二示例实现可以将插入损耗减小大约0.30dB。

图2B示出了由变压器结构100的第二示例实现提供的耦合系数的改进。如图2B所示，与常规的变压器结构相比，变压器结构100的第二示例实现可以将耦合系数增加大约0.07(即，大约10％)。

图2C示出了由变压器结构100的第二示例实现提供的初级线圈和次级线圈的Q因子的变化。在图2C中，变压器结构100的第二示例实现的初级线圈的Q因子被标识为“TS100_P”，变压器结构100的第二示例实现的次级线圈的Q因子被标识为“TS100_S”，常规的变压器结构的初级线圈的Q因子被标识为“ILTS_P”，并且常规的变压器结构的次级线圈的Q因子被标识为“ILTS_S”。如图2C所示，在变压器结构100的第二实现中，变压器结构100的第二示例实现的初级线圈与次级线圈的Q因子中的差异在大多数频率下可以大于常规的变压器结构的初级线圈与次级线圈的Q因子之间的差异。在一些实现中，可以设计与变压器结构100的第二示例实现相关联的Q因子之间的差异，以便提供期望的Q因子中的差异。

图2D示出了对变压器结构100的第二示例实现的电感的影响。在图2D中，变压器结构100的第二示例实现的初级线圈的电感被标识为“TS100_P”，变压器结构100的第二示例实现的次级线圈的电感被标识为“TS100_S”，常规的变压器结构的初级线圈的电感被标识为“ILTS_P”，并且常规的变压器结构的次级线圈的电感被标识为“ILTS_S”。如图2D所示，在变压器结构100的第二示例实现中，在操作范围内，变压器结构的第二示例实现的初级线圈的电感可以低于常规的变压器结构的初级线圈的电感，并且在整个操作范围内，变压器结构100的第二示例实现的次级线圈的电感可以低于常规的变压器结构的次级线圈的电感。

如上所述，提供图2A-图2D作为示例。其它示例可以与关于图2A-图2D描述的示例不同。

图3A-图3J是与变压器结构100的第三示例实现相关联的图。变压器结构100的第三示例实现是2:1变压器。图3A示出了变压器结构100的第三示例实现的2D平面图，图3B示出了变压器结构100的第三示例实现的3D视图，图3C示出了变压器结构100的第三示例实现的3D横截面，并且图3D示出了变压器结构100的第三示例实现的3D分解图。值得注意的是，图3A-图3D示出了1:2功率组合器的一半。

在一些实现中，如上所述，变压器结构100可以包括具有一个或多个匝的第一线圈102和具有一个或多个匝的第二线圈104。例如，如图3A-3D所示，变压器结构100可以包括具有一个匝的第一线圈102和具有两个匝的第二线圈104。

在一些实现中，如上所述，为了提供堆叠和交错的结构，第一线圈102的匝基本上沿第一线圈102的匝在横向方向与第二线圈104的匝重叠，并且基本上沿第一线圈102的匝在竖直方向与第二线圈104的匝重叠。在一些实现中，如图3C的横截面所示，横向方向上的重叠由第一线圈102的第一部分102a提供，而竖直方向的重叠由第一线圈102的第二部分102b提供。

值得注意的是，在第三示例实现中，第一线圈102是变压器结构100的中间线圈，并且第二线圈104包括变压器结构100的内部线圈(形成第一匝)和变压器结构100的外部线圈(形成第二匝)。如图所示，在第三示例实现中，第二部分102b朝向第二线圈104的外部线圈向外延伸。然而，在另一个实现中，第一线圈102的第二部分102b可以向内延伸(例如，在第二线圈104的内部线圈的下方)。

图3E-图3J是示出由变压器结构100的第三示例实现(例如，组合器)提供的变压器性能参数中的模拟改进的示例的图。在与图3E-图3J相关联的示例中，第一线圈102是次级线圈并且第二线圈104是初级线圈。在图3E-图3J中，与变压器结构100的第三示例实现的性能参数相对应的线被标记为“TS100”，并且与常规的组合变压器结构(例如，仅具有交错的结构的变压器结构)的性能参数相对应的线被标记为“ILTS”。

图3E示出了由变压器结构100的第三示例实现提供的插入损耗的改进。如图3E所示，在变压器结构的可能的操作范围内(例如，大约60GHz至大约100GHz之间)，与常规的组合变压器结构相比，变压器结构100的第三示例实现可以将插入损耗减小大约0.14dB。

图3F示出了由变压器结构100的第三示例实现提供的耦合系数的改进。如图3F所示，与常规的组合变压器结构相比，变压器结构100的第三示例实现可以将耦合系数增加大约8％。

图3G示出了由变压器结构100的第三示例实现提供的初级线圈和次级线圈的Q因子匹配中的改进。在图3G中，变压器结构100的第三示例实现的初级线圈的Q因子被标识为“TS100_P”，变压器结构100的第三示例实现的次级线圈的Q因子被标识为“TS100_S”，常规的组合变压器结构的初级线圈的Q因子被标识为“ILTS_P”，并且常规的组合变压器结构的次级线圈的Q因子被标识为“ILTS_S”。如图3G所示，在变压器结构100的第三示例实现中，变压器结构100的第三示例实现的初级线圈和次级线圈的Q因子比常规的组合变压器结构的初级线圈和次级线圈的Q因子更紧密地匹配。

图3H示出了对变压器结构100的第三示例实现的电感的影响。在图3H中，变压器结构100的第三示例实现的初级线圈的电感被标识为“TS100_P”，变压器结构100的第三示例实现的次级线圈的电感被标识为“TS100_S”，常规的组合变压器结构的初级线圈的电感被标识为“ILTS_P”，并且常规的组合变压器结构的次级线圈的电感被标识为“ILTS_S”。如图3H所示，在变压器结构100的第三示例实现中，变压器结构100的第三示例实现的次级线圈的电感可以低于常规的组合变压器结构的次级线圈的电感。

图3I示出了使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器对散射参数的影响。在图3I中，使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器的散射参数S21、S11和S22是标记为“TS100”的虚线，而使用常规的组合变压器结构的功率放大器的散射参数S21、S11和S22是标记为“ILTS”的实线。如图3I所示，在使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器的散射参数中，与使用常规的组合变压器结构的功率放大器的散射参数没有显著不同。

图3J示出了使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器的输出功率和功率附加效率(PAE)中的改进。在图3J中，使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器的输出功率被标识为“TS100_Pout”，使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器的PAE被标识为“TS100_PAE”，使用常规的组合变压器结构的功率放大器的输出功率被标识为“ILTS_Pout”，并且使用常规的组合变压器结构的功率放大器的PAE被标识为“ILTS_SAE”。如图3J所示，在使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器中，输出功率和PAE两者都高于使用常规的组合变压器结构的功率放大器的输出功率和PAE。因此，在不改变功率放大器的频率中心的情况下(如图3I中的散射参数所示)，在使用变压器结构100的第三示例实现的功率放大器中(如图3J所示)，输出功率和PAE两者都被改善。

如上所述，提供图3A-图3J作为示例。其它示例可以与关于图3A-图3J描述的示例不同。提供图3A-图3J中所示的线圈、匝和层的数目和布置作为示例。实际上，与图3A-图3J所示的匝、层和线圈相比，可能存在附加的匝、附加的层、较少的匝、较少的层、不同的线圈、不同的匝、不同的层、不同形状的线圈、不同形状的匝、不同形状的层、不同布置的线圈、不同布置的匝或不同布置的层。此外，提供图3A-图3J中所示的线圈、匝和层的尺寸作为示例。实际上，与图3A-图3J所示的线圈、匝和/或层相比，线圈、匝和/或层可以具有不同的尺寸或相对的尺寸。

图4是如本文所述的用于提供堆叠/交错的变压器结构的示例过程400的流程图。

如图4所示，过程400可以包括形成具有至少一个匝的第一线圈(框410)。例如，如上所述，可以形成具有至少一个匝的第一线圈。

如图4进一步所示，过程400可以包括形成具有至少一个匝的第二线圈，其中第一线圈的匝的第一部分被形成为基本上沿第一线圈的匝的第一部分在第一方向与第二线圈的匝重叠，并且第一线圈的匝的第二部分被形成为基本上沿第一线圈的匝的第二部分在第二方向与第二线圈的匝重叠(框420)。例如，如上所述，可以形成具有至少一个匝的第二线圈。在一些实现中，第一线圈的匝的第一部分被形成为基本上沿第一线圈的匝的第一部分在第一方向与第二线圈的匝重叠。在一些实现中，第一线圈的匝的第二部分被形成为基本上沿第一线圈的匝的第二部分在第二方向与第二线圈的匝重叠。在一些实现中，第二方向垂直于第一方向。

过程400可以包括附加的实现，诸如以下描述的和/或结合本文中其它地方描述的一个或多个其它过程的任何单个实现或实现的任何组合。

在第一实现中，第一线圈和第二线圈被集成在半导体器件中。

在第二实现中，单独地或与第一实现组合，第一线圈的匝的第一部分被形成为沿第一线圈的匝的至少四分之一在第一方向与第二线圈的匝重叠，并且第一线圈的匝的第二部分被形成为沿第一线圈的匝的至少四分之一在第二方向与第二线圈的匝重叠。

在第三实现中，单独地或与第一实现和第二实现中的一个或多个实现组合，第一线圈是变压器结构的初级线圈，并且第二线圈是变压器结构的次级线圈。

在第四实现中，单独地或与第一实现至第三实现中的一个或多个实现组合，第一线圈是变压器结构的次级线圈并且第二线圈是变压器结构的初级线圈。

在第五实现中，单独地或与第一实现至第四实现中的一个或多个实现组合，第一线圈的匝的第一部分从金属堆叠的第一金属层形成，并且第一线圈的第二部分从金属堆叠的第二金属层形成，第一线圈的匝的第一部分基本上沿第一线圈的匝被连接到第一线圈的匝的第二部分。

在第六实现中，单独地或与第一实现至第五实现中的一个或多个实现组合，第二线圈从第一金属层形成。

尽管图4示出了过程400的示例块，但是在一些实现中，过程400可以包括与图4描述的框相比更多的框、更少的框、不同的框或不同布置的框。附加地或备选地，可以并行执行过程400的框中的一个或多个框。

前述公开提供了说明和描述，但并不旨在穷举或将实现限制为所公开的精确形式。可以根据以上公开进行修改和变型，或者可以从实现的实践中获得修改和变型。

如本文中使用的，术语“部件”旨在被广义地解释为硬件、固件和/或硬件和软件的组合。

显然，本文所述的系统和/或方法可以以硬件、固件或硬件和软件的组合的不同形式来实现。用于实现这些系统和/或方法的实际的专用控制硬件或软件代码并不限制实现。因此，本文中不参考特定软件代码来描述系统和/或方法的操作和行为——应理解，可以将软件和硬件设计为基于本文的描述来实现系统和/或方法。

即使特征的特定组合在权利要求中叙述和/或在说明书中公开，这些组合也不旨在限制各种实现的公开。实际上，许多这些特征可以以权利要求中未具体叙述和/或说明书中未公开的方式进行组合。尽管下面列出的每个从属权利要求可能仅直接依据一个权利要求，但是各种实现的公开包括每个从属权利要求与权利要求集合中的每个其它权利要求组合。

除非明确说明，否则本文使用的任何元件、行为或指令都不被解释为关键或必要的。另外，如本文使用的，冠词“一”和“一个”旨在包括一个或多个项目，并且被与“一个或多个”互换使用。此外，如本文使用的，冠词“该”旨在包括结合冠词“该”引用的一个或多个项目，并且可以与“一个或多个”互换使用。此外，如本文使用的，术语“集合”旨在包括一个或多个项目(例如，相关项目、不相关项目、相关项目和不相关项目的组合等)，并且可以与“一个或多个”互换使用。在旨在仅一项的情况下，使用短语“仅一项”或类似的语言。而且，如本文使用的，术语“具有(has)”、“具有(have)”、“拥有”等旨在是开放式术语。此外，除非另有明确说明，否则短语“基于”旨在表示“至少部分地基于”。而且，如本文使用的，除非另有明确说明(例如，如果与“或者”或“仅其中一个”结合使用)，否则当以串联方式使用时，术语“或”旨在是包括性的，并且可以与“和/或”互换使用。此外，为了便于描述，本文中可以使用空间相对术语(诸如“在……下方”、“下方”、“在……上方”、“上方”等)，以描述如图所示的一个元件或特征与另一个(另一些)元件或特征的关系。除了在图中描述的方位以外，空间相对术语还旨在涵盖使用或操作中的装置、设备和/或元件的不同方位。该装置可以以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)，并且在此使用的空间相对描述语可以同样地被相应地解释。