发明内容

本发明的目的是提供一种模制的空气腔封装，其中不发生上述问题或至少在较小程度上不发生上述问题。根据本发明，使用权利要求1的模制的空气腔封装来实现该目的，模制的空气腔封装的特征在于，所述下部相对于所述封装的中心具有内部区域和外部区域，并且所述模制的空气腔封装还包括多个单独的第一盖支撑元件以及多个单独的第二盖支撑元件，所述多个单独的第一盖支撑元件形成在所述内部区域和所述盖基座中的一者中，所述多个单独的第二盖支撑元件形成在所述内部区域和所述盖基座中的另一者中，其中，每个第一盖支撑元件朝向相应的第二盖支撑元件延伸并抵接相应的第二盖支撑元件，从而形成布置为与所述上部和盖侧壁间隔开的相应的柱。

作为使用以连续的方式围绕封装的整个周边布置的硬止动特征的替代，本发明提出使用由第一盖支撑元件和第二盖支撑元件形成的间隔开的柱。通过仅使用有限数量(例如三或四个)的柱，能够以更可预测的方式限定盖相对于主体的位置。这在柱布置在封装的外边角的情况下尤其适用。此外，通过不将第一盖支撑元件和第二盖支撑元件布置在盖侧壁的上部的上表面或下表面中，而是布置在盖基座或内部区域中，可以实现对盖支撑元件的更可靠的限定。更具体地说，本申请人已经发现，盖基座和内部区域的制造公差小于盖侧壁的下表面和上部的上表面的制造公差。此外，通过将硬止动特征布置成远离上表面和盖侧壁，更多的区域可用于布置粘合剂，从而提高密封的可靠性。

上部的上表面和盖侧壁的下表面可以共同限定出沟道，粘合剂布置在所述沟道中。所述沟道可以从腔中起始并并且出口位于封装的外表面上。此外，粘合剂封阻沟道，从而提供封装的气密密封。沟道可以围绕模制的空气腔封装的周边延伸。此外，所述盖侧壁的下表面和所述上部的上表面优选地不彼此抵接，而仅使用中间粘合剂连接。以这种方式，仅使用第一盖支撑元件和第二盖支撑元件来实现盖在盖的最终位置相对于主体的对准。

当从所述腔的内部观察时，优选地，所述沟道朝着所述沟道的出口渐宽。这种渐宽的目的是在将盖固定到主体的过程中促使沟道内的粘合剂相对于模制的空气腔封装中心向外流动。以这种方式，可以防止粘合剂流入到所述腔中的情况。

盖可以由与主体相同或不同的模制化合物制成。例如，所述盖和/或所述主体的模制化合物可包括热固性化合物，例如罗普拉斯特热固性塑料，或热塑性化合物，例如液晶聚合物。

所述主体能够以间隔开的方式将所述多个封装接触部相对于所述安装衬底固定，从而将所述多个封装接触部与所述安装衬底电气隔离，并且其中，所述上部可形成整体连接到所述下部的外部区域的环；此外，封装接触部可各自包括引线，封装接触端可各自包括引线端，其中，多个引线延伸穿过固化的模制化合物形成的主体，其中，每个引线端支撑在所述下部的所述内部区域的支撑表面上或嵌入在所述下部的所述内部区域的支撑表面中。模制的空气腔封装可进一步包括用于将引线端连接到半导体管芯的键合线。在这种情况下，所述多个单独的第一盖支撑元件形成在所述内部区域的所述支撑表面和所述盖基座中的一者中，并且所述多个单独的第二盖支撑元件形成在所述内部区域的所述支撑表面和所述盖基座中的另一者中。

对于每个引线，所述支撑表面包括凹部，相应的所述引线被至少部分地接纳在所述凹部中。通常，在模制过程中，引线端被按压到模具上。在不存在引线的位置处，将布置模制化合物。因此，在一些实施例中，每个引线的上表面将与支撑表面的其余部分共面。

所述第一盖支撑元件中的至少一个(优选地，所有第一盖支撑元件)可被形成在所述内部区域的所述支撑表面中并且可被整体连接到所述主体，并且，相应的所述第二盖支撑元件可被形成在所述盖基座中并且可被整体连接到所述盖基座。此外，盖基座可以呈四边形形状，例如正方形或矩形，并且第二盖支撑元件中的一些可以形成在盖基座的与盖侧壁间隔开的相应边角中。多个第二盖支撑元件包括三个所述第二盖支撑元件并且每个所述第二盖支撑元件布置在所述盖基座的相应的边角中，并且优选地包括四个所述第二盖支撑元件。

替代性地，所述第二盖支撑元件中的至少一个可被形成在所述内部区域的所述支撑表面中并且可被整体连接到所述主体，并且，相应的所述第一盖支撑元件可被形成在所述盖基座中并且可被整体连接到所述盖基座。此外，盖基座可以呈四边形形状，并且第一盖支撑元件中的一些可以形成在盖基座的与盖侧壁间隔开的相应边角中。多个第一盖支撑元件包括三个所述第一盖支撑元件并且每个所述第一盖支撑元件布置在所述盖基座的相应的边角中，并且优选地包括四个所述第一盖支撑元件。

每个所述第二盖支撑元件可由所述内部区域的支撑表面的非凹陷且非突出的区域形成，或者由盖基座的非凹陷且非突出的区域形成。优选地，所述非凹陷且非突出的区域是平坦的。

每个所述封装接触部包括信号焊盘，所述信号焊盘的向内的表面形成相应的封装接触端。在这种情况下，所述模制的空气腔封装还包括用于将所述信号焊盘的向内的表面连接到所述半导体管芯的键合线。模制的空气腔可以为四方扁平无引脚封装、功率四方扁平无引脚封装或双边扁平无引脚封装中的一个。在这种或其它封装中，安装衬底可以是管芯焊盘和/或可以提供半导体管芯上的电路与安装封装的印刷电路板上的接地面之间的热和电接触。替代性地，诸如铜或铜基衬底的导热衬底可用于这种或其它封装中。

替代性地，所述模制的空气腔封装可为焊垫网格阵列封装，其中，所述安装衬底包括印刷电路板，其中，所述封装接触部各自包括形成在所述印刷电路板的外表面上的相应焊垫。在这种情况下，所述封装接触部各自还包括形成在所述印刷电路板的内表面上的焊盘，所述焊盘形成相应的封装接触端。所述半导体管芯可使用形成在所述印刷电路板的内表面上的所述焊盘倒装到所述印刷电路板上。替代性地，所述模制空气腔封装进一步包括用于将所述封装接触端连接到所述半导体管芯的键合线。

每个所述第二盖支撑元件可朝向相应的第一盖支撑元件延伸并抵接相应的第一盖支撑元件以共同形成相应的柱。在该实施例中，第一盖支撑元件和第二盖支撑元件都是柱形的。

替代性地，每个所述第二盖支撑元件可包括凹部，对应的第一盖支撑元件被接纳在所述凹部中。

例如，多个第二盖支撑元件包括至少三个第二盖支撑元件，其中，在将所述盖布置在所述主体上期间，所述至少三个第二盖支撑元件中的两个第二盖支撑元件的凹部的形状限制了所述盖和所述主体之间向平行于所述安装衬底的相互不同的方向的相对运动。例如，所述第二盖支撑元件的所述凹部包括凹槽和细长槽中的一个。其余的第二盖支撑元件不需要具有对相对运动的限制功能。

替代性地，多个第二盖支撑元件包括至少三个第二盖支撑元件，其中，所述至少三个第二盖支撑元件中的两个第二盖支撑元件的凹部具有与相应的第一盖支撑元件的形状互补的形状，使得：在将所述盖布置在所述主体上期间限制所述盖和主体之间的在所有平行于所述安装衬底的方向上的相对运动。

所述上部的上表面可包括一个或多个第一对准结构，并且，所述盖侧壁的下表面可包括一个或多个第二对准结构，其中，所述第一对准结构和所述第二对准结构被配置成在将所述盖布置在所述主体上期间配合，以促使所述盖和所述主体相互移动到使所述第一盖支撑元件和所述第二盖支撑元件彼此抵接的位置。所述一个或多个第一对准结构和第二对准结构可以被配置为执行粗略对准，在粗略对准期间，在所述第一对准结构和第二对准结构之间存在物理接触。此后，盖子和主体可以相互移动，以使盖子和主体进入如下所述的位置：在所述位置，第一盖支撑元件和第二盖支撑元件对准并彼此抵接，并且在所述位置，第一对准结构和第二对准结构不再直接物理接触。第一对准结构和第二对准结构可至少部分地形成所述沟道的壁。例如，第一对准结构可包括上部的上表面中的凹部，第二对准结构可包括朝向上部的上表面中的凹部延伸的相应突起，或者反之亦然。附加地或替代性地，第一对准结构和第二对准结构可包括匹配的成角度的表面，所述成角度的表面相对于封装的中心和导热衬底的下表面向上和向外延伸。

安装衬底可包括导热衬底。在后一种情况下，所述半导体可包括导电的硅衬底，横向扩散金属氧化物半导体“LDMOS”晶体管布置在所述导电的硅衬底上，并且，所述LDMOS晶体管的接地通过所述硅衬底和所述导热衬底实现。替代性地，所述半导体可包括绝缘的氮化镓衬底，场效应晶体管“FET”布置在所述绝缘的氮化镓衬底上，并且，所述FET的接地通过所述氮化镓衬底中的通孔和所述导热衬底实现。LDMOS晶体管或FET可以形成多尔蒂(Doherty)放大器的一部分。在此，应注意的是，绝缘的氮化镓衬底还包括生长在诸如硅、碳化硅或蓝宝石的绝缘衬底上的绝缘的氮化镓外延层。

此外，本发明不限于单个半导体管芯。相反，多个半导体管芯可以安装在相同或不同的导热衬底或管芯焊盘上。

根据另一方面，本发明提供了一种电子设备，其包括如上文限定的模制的空气腔封装。这种设备可以包括用于移动通讯的基站或基站发射机，或者固态烹饪设备。