具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实的相同。即使在表示相同的部分的情况下，也存在根据附图而彼此的尺寸、比率不同地表示的情况。

(第一实施方式)

图1是表示第一实施方式的隔离器的俯视图。

图2是图1的A1-A2剖视图。

第一实施方式涉及例如被称为数字隔离器、伽伐尼隔离器、伽伐尼绝缘元件的器件。如图1及图2所示，第一实施方式的隔离器100包括第一电路1、第二电路2、基板5、第一平面线圈11、第二平面线圈12、第一绝缘部21、第二绝缘部22、绝缘部28、绝缘部29、电介质部31、电介质部41、电介质部42、导电体50、金属层62及布线层70。在图1中，省略了绝缘部28及29。

第一平面线圈11、第二平面线圈12及金属层62例如具有圆形的外周，在与基板5的表面垂直的方向(Z方向)上例如以共用中心线CL的方式配置。此外，第一平面线圈11、第二平面线圈12及金属层62的外周并不限定于圆形，例如也可以是多边形、椭圆等。

在实施方式的说明中，使用XYZ正交坐标系。将从第一平面线圈11朝向第二平面线圈12的方向设为Z方向(第一方向)。将与Z方向垂直且沿着基板5的表面并相互正交的2个方向设为X方向(第二方向)和Y方向(第三方向)。另外，为了说明，将从第一平面线圈11朝向第二平面线圈12的方向称为“上”，将其相反方向称为“下”。这些方向基于第一平面线圈11与第二平面线圈12的相对位置关系，与重力的方向无关。

如图2所示，绝缘部20隔着布线层70设置于基板5之上。第一平面线圈11设置于绝缘部20中。第一绝缘部21设置于第一平面线圈11及绝缘部20之上。第二平面线圈12设置于第一绝缘部21之上。第二绝缘部22沿着与Z方向垂直的X-Y面(第一面)而设置于第二平面线圈12的周围。第二绝缘部22与第二平面线圈12接触。

在图1及图2所示的例子中，第一平面线圈11及第二平面线圈12沿X-Y面设置成螺旋状。第一平面线圈11及第二平面线圈12在Z方向上相互对置。第二平面线圈12的至少一部分在Z方向上与第一平面线圈11的至少一部分并排。

电介质部31在Z方向上设置于第一绝缘部21与第二绝缘部22之间。电介质部31的至少一部分沿着X-Y面位于第二平面线圈12的周围。电介体部31与第二平面线圈12接触。

电介质部41设置于第二平面线圈12及第二绝缘部22之上。例如，电介体部41与第二平面线圈12及第二绝缘部22接触。

导电体50沿着第一面设置于第一平面线圈11及第二平面线圈12的周围。具体而言，导电体50包括第一导电部51、第二导电部52及第三导电部53。第一导电部51沿着X-Y面设置于第一平面线圈11的周围。第二导电部52设置于第一导电部51的一部分之上。第二导电部52沿着第一导电部51设置有多个。第三导电部53设置于多个第二导电部52之上。第三导电部53沿着X-Y面位于第二平面线圈12的周围。

在图1所示的例子中，第一平面线圈11的一端(线圈的一端)经由布线60与第一电路1电连接。第一平面线圈11的另一端(线圈的另一端)经由布线73与导电体50电连接。

第二平面线圈12的一端(线圈的一端)经由金属层62及布线63与第二电路2电连接。第二平面线圈12的另一端(线圈的另一端)经由金属层64及布线65与第二电路2电连接。例如，金属层62设置于第二平面线圈12的一端之上。金属层64设置于第二平面线圈12的另一端之上。金属层62的Z方向上的位置及金属层64的Z方向上的位置也可以与第二平面线圈12的Z方向上的位置相同。金属层62及64也可以与第二平面线圈12一体地形成。

如图2所示，在导电体50之上设置有金属层66。导电体50经由金属层66及布线67与未图示的导电部件电连接。例如，导电体50及基板5与基准电位连接。基准电位例如是接地电位。导电体50与基准电位连接，能够防止导电体50成为浮动电位。由此，能够降低由于导电体50的电位的变动而在导电体50与各平面线圈之间产生非预期的绝缘破坏的可能性。

另外，也可以在基板5设置与第一平面线圈11电连接的电路。第一电路1例如是设置于基板5上的电路的一部分。在该情况下，导电体50经由布线层70设置于基板5之上，电路设置于基板5与布线层70之间，从而相对于从基板5及导电体50的外部朝向基板5的电磁波，基板5的电路被导电体50遮蔽。其结果，能够使电路的动作更加稳定化。布线层70包括将第一平面线圈11与导电体50电连接的布线73。

在金属层62及66的周围，沿着X-Y面设置有绝缘部28。绝缘部29设置于绝缘部28之上。

第一电路1及第二电路2中的一个用作发送电路。第一电路1及第二电路2中的另一个用作接收电路。在此，对第一电路1是发送电路、第二电路2是接收电路的情况进行说明。

第一电路1向第一平面线圈11发送适于传递的波形的信号(电流)。当电流流过第一平面线圈11时，产生在螺旋状的第一平面线圈11的内侧通过的磁场。第一平面线圈11的至少一部分在Z方向上与第二平面线圈12的至少一部分并排。产生的磁力线的一部分在第二平面线圈12的内侧通过。由于第二平面线圈12的内侧的磁场的变化，在第二平面线圈12产生感应电动势，电流在第二平面线圈12中流动。第二电路2检测流过第二平面线圈12的电流，生成与检测结果相应的信号。由此，在第一平面线圈11与第二平面线圈12之间，在切断(绝缘)电流的状态下，传递信号。

对隔离器100的各构成要素的材料的一例进行说明。

第一平面线圈11、第二平面线圈12及导电体50例如包含金属。第一平面线圈11、第二平面线圈12及导电体50例如包含从由铜及铝构成的组中选择的至少1种金属。为了抑制传递信号时的第一平面线圈11及第二平面线圈12中的发热，优选这些平面线圈的电阻低。从降低电阻的观点出发，第一平面线圈11及第二平面线圈12优选包含铜。

绝缘部20、第一绝缘部21、第二绝缘部22及绝缘部28包含硅及氧。例如，绝缘部20、第一绝缘部21、第二绝缘部22及绝缘部28包含氧化硅。绝缘部20、第一绝缘部21、第二绝缘部22及绝缘部28也可以还包含氮。

绝缘部29包含聚酰亚胺、聚酰胺等绝缘性树脂。

电介质部31例如包含硅及氮。

电介质部41及42例如包含硅及氮。例如，电介质部41及42包含氮化硅。

基板5包含硅及杂质。杂质为从由硼、磷、砷及锑组成的组中选择的至少1种。

第二平面线圈12也可以包括第一金属层12a及第二金属层12b。第二金属层12b设置于第一金属层12a与第一绝缘部21之间、第一金属层12a与电介质部31之间及第一金属层12a与第二绝缘部22之间。第一平面线圈11也可以包括第三金属层11c及第四金属层11d。第四金属层11d设置于第三金属层11c与绝缘部20之间。第一金属层12a及第三金属层11c包含铜。第二金属层12b及第四金属层11d包含钽。第二金属层12b及第四金属层11d也可以包含钽与氮化钽的层叠膜。通过设置第二金属层12b及第四金属层11d，能够抑制第一金属层12a及第三金属层11c所包含的金属材料向各绝缘部的扩散。

第一导电部51也可以包括金属层51a及51b。金属层51b设置于金属层51a与绝缘部20之间。第二导电部52也可以包括金属层52a及52b。金属层52b设置于金属层52a与第一绝缘部21之间、及金属层52a与第一导电部51之间。第三导电部53也可以包括金属层53a及53b。金属层53b设置于金属层53a与第二绝缘部22之间、金属层53a与电介质部31之间、及金属层53a与第二导电部52之间。金属层51a～53a包含铜。金属层51b～53b包含钽。金属层51b～53b也可以包含钽与氮化钽的层叠膜。通过设置金属层51b～53b，能够抑制金属层51a～53a所包含的金属材料向各绝缘部的扩散。

在实施方式的隔离器100中，在第一平面线圈11与第二平面线圈12之间传递信号时，向第二平面线圈12施加相对于第一平面线圈11正的电压。由此，在第一平面线圈11与第二平面线圈12之间及导电体50与第二平面线圈12之间产生电位差。此时，有时在第二平面线圈12的外周侧的下端产生电场集中，导致第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏。因此，期望降低下端LE1附近(参照图3的(a))的电场强度，避免隔离器100的破坏。

在隔离器100中，如图2所示，从第一平面线圈11的中心线到外周的X方向的距离R1，比从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2短。另外，从第一平面线圈11的中心到内周的距离R3，比从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4短。从金属层62的中心到外周的距离R5，比从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4短(参照图1)。

第一平面线圈11的匝数与第二平面线圈12的匝数相同。在该例子中，第一平面线圈11相对于第二平面线圈12缩小外径而设置。

图3至图5是表示第一实施方式的隔离器100的特性的示意图。

图3的(a)、图4的(a)、图4的(b)、图5的(a)及图5的(b)是表示第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的电场强度分布的示意剖视图。

图3的(a)表示第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的等电位面。在等电位面间的间隔窄的部分，电场强度高，等电位面间的间隔越宽，电场强度越低。在以下的附图的电场分布中也是同样的。

如图3的(a)所示，电场强度在第一平面线圈11的外周的上端UE1及第二平面线圈12的外周的下端LE1变高。第二平面线圈12的下端LE1处的电场强度比第一平面线圈11的上端UE1处的电场强度高。

图3的(b)是表示第二平面线圈12的外周侧的下端LE1的电场强度的曲线图。纵轴为下端LE1的电场强度。横轴是从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2与从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1之差ΔR1(＝R2-R1)。

如图3的(b)所示，ΔR1越大，则下端LE1的电场强度越低。即，越扩大ΔR1，越能够缓和第二平面线圈12的下端LE1及第一平面线圈11的上端UE1处的电场集中，避免第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏。

图4的(a)及(b)是表示第一平面线圈11及第二平面线圈12的内周侧的电场分布的剖视图。第一平面线圈11的内周侧的端部设置于比第二平面线圈12的内周侧的端部更靠近中心线CL(参照图2)的位置。

在图4的(a)所示的例子中，在第二平面线圈12的内周侧的下端LE2产生电场集中。与此相对，在图4的(b)所示的例子中，金属层62设置于第二平面线圈12的中央(参照图1)。金属层62例如设置于在Y方向上比第二平面线圈12的上表面的水平更高的位置。

图4的(c)是表示第二平面线圈12中的内周侧的下端LE2的电场强度的曲线图。纵轴为下端LE2的电场强度。横轴为从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4和从第一平面线圈11的中心到内周的距离R3之差ΔR2(＝R4-R3)(参照图2)。

图4的(c)中示出了不配置金属层62的情况下的特性A和配置了金属层62的情况下的特性B。在特性A中，随着ΔR2变大，下端LE2处的电场强度上升。与此相对，在特性B下，下端LE2处的电场强度不上升，图3的(a)的下端LE1处的电场强度如图3的(b)那样减少。

这样，通过配置金属层62，由此能够缓和第二平面线圈12的内周侧的下端LE的电场集中，而避免第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏。

图5的(a)及(b)是表示第一平面线圈11及第二平面线圈的外周侧的其他电场分布的剖视图。

在图5的(a)所示的例子中，第一平面线圈11与第二平面线圈12的Z方向的间隔T1，比基板5与第一平面线圈11的Z方向的间隔T2宽。与此相对，在图5的(b)所示的例子中，间隔T1比间隔T2窄。

在图5的(b)所示的例子中，在基板5与第一平面线圈11的外周侧的端部之间产生等电位面蔓延那样的电场分布。由此，第一平面线圈11的内周侧的上端UE2的电场强度上升。

这样，为了避免第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏，优选第一平面线圈11与第二平面线圈12的Z方向的间隔T1比基板5与第一平面线圈11的Z方向的间隔T2宽。

图6～图8是分别表示第一实施方式的变形例的隔离器110、120及130的示意剖视图。

在图6所示的隔离器110中，从金属层62的中心到外周的X方向的距离R5，比从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4短，金属层62配置于由第二平面线圈12的内周包围的空间。金属层62在未图示的部分与第二平面线圈12电连接。

金属层62的至少一部分在沿着基板5的表面的方向(例如X方向)上与第二平面线圈12的内周对置。由此，能够进一步降低第二平面线圈12的内周侧的下端LE2(参照图4的(b))的电场强度。

金属层62例如包括金属层62A和金属层62B。金属层62A设置于与第二平面线圈12的内周对置的位置。金属层62包括金属层62a及62b。金属层62b例如以与第二绝缘部22及电介质部31接触的方式设置。金属层62b设置于第二绝缘部22与金属层62a之间、电介质部31与金属层62a之间。金属层62a包括与第二平面线圈12的金属层12a相同的材料，金属层62b包括与第二平面线圈12的金属层12b相同的材料。

金属层62B设置于金属层62A之上，与金属层62A电连接。布线63例如被接合在金属层62B上。

在图7所示的隔离器120中，从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1，比从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2短，从第一平面线圈11的中心到内周的距离R3，比从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4长。

即，第一平面线圈11的外周与内周的间隔(R1-R3)设置得比第二平面线圈12的外周与内周的间隔(R2-R4)窄。由此，能够降低第二平面线圈12的内周侧的下端LE2的电场强度(参照图3的(a)及(b)。另外，通过配置金属层62，能够进一步降低下端LE2的电场强度(参照图4的(b))。

在该例中也是，第一平面线圈11的匝数与第二平面线圈12的匝数相同。例如，通过缩小第一平面线圈11的绕组的X方向的宽度及绕组间的空间的宽度中的至少任意一个，由此能够缩小第一平面线圈11的外周与内周的间隔(R1-R3)。

通过使第一平面线圈11的匝数与第二平面线圈12的匝数相同，由此能够容易地进行第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的磁耦合的设计。

在图8所示的隔离器130中，金属层62在Z方向上位于比第二平面线圈12的上表面靠上的水平。此外，从金属层62的中心到外周的距离R5比从第二平面线圈的中心到内周的距离R4长。换言之，第二平面线圈12包括位于第一绝缘部21与金属层62之间的部分。由此，能够进一步降低第二平面线圈12的内周侧的下端LE2的电场强度。

这样，在隔离器100～130中，通过使从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2比从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1长，由此降低第二平面线圈12的外周侧的下端LE1的电场强度。进而，通过配置金属层62，能够降低第二平面线圈12的内周侧的下端LE2的电场强度，而避免第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏。

另外，为了实现第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的期望的绝缘耐受量，隔离器100～130所示的第一平面线圈11、第二平面线圈12及金属层62的构成能够相互组合。

图9是表示比较例的隔离器100r和第一实施方式的变形例的隔离器100p的示意剖视图。

隔离器100r具备第一平面线圈11、第二平面线圈12、金属层62及导电体50r。从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1(参照图2)与从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2(参照图2)相同。

导电体50r包括第一导电部51r、第二导电部52及第三导电部53，以包围第一平面线圈11及第二平面线圈12的方式设置。例如，从第一导电部51r到第一平面线圈11的距离R1，与从第三导电部53到第二平面线圈12的距离R2大致相同。

隔离器100p具备第一平面线圈11、第二平面线圈12、金属层62及导电体50p。从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1(参照图2)，比从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2(参照图2)短。

导电体50p包括第一导电部51p、第二导电部52及第三导电部53，以包围第一平面线圈11及第二平面线圈12的方式设置。例如，从第一导电部51p到第一平面线圈11的距离R1，与从第三导电部53到第二平面线圈12的距离R2大致相同。

即，第一导电部51p与第一导电部51r相比朝向第一平面线圈11延伸的更长。例如，在基板5与第一导电部51p之间，在基板5的表面侧设置与第一平面线圈11连接的电路(未图示)的情况下，在隔离器100p中，与隔离器100r相比，能够配置于更接近第一平面线圈11的位置。由此，在隔离器100p中，例如，能够使X方向的尺寸缩小使第一导电部51p向第一平面线圈11的方向延伸的长度Lx。

(第二实施方式)

图10是表示第二实施方式的隔离器200的示意剖视图。另外，在图10中，省略了基板5与绝缘部20之间的布线层70。在以下的附图中也是同样的。

如图10所示，在隔离器200中，使从金属层62的中心到外周的距离R5，比从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2长。在该例子中，从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2与从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1相同。另外，从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4也可以与从第一平面线圈11的中心到内周的距离R3相同。

图11的(a)及(b)是表示第二实施方式的隔离器200的特性的示意图。图11的(a)是表示第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的电场分布的剖视图。图11的(b)是表示第二平面线圈12的外周侧的下端LE1处的电荷强度的曲线图。

如图11的(a)所示，可知在第一平面线圈11的外周侧的上端UE1、第二平面线圈12的外周侧的下端LE1及金属层62的外周，等电位面的间隔变窄，电场强度上升。

例如，金属层62的外周位于距第一平面线圈11的距离长的位置，有助于由电场集中引起的绝缘破坏的可能性小。另外，第一平面线圈11的上端UE1处的电场强度比第二平面线圈12的下端LE1的电场强度低。因此，为了避免第一平面线圈11与第二平面线圈之间的绝缘破坏，只要降低第二平面线圈12的下端LE1处的电场强度即可。

图11的(b)是表示第二平面线圈12的下端LE1处的电场强度的变化的曲线图。纵轴为下端LE1的电场强度，横轴为从金属层62的中心至外周的距离R5与从第二平面线圈12的中心至外周的距离R2之差ΔR3(＝R5-R2)。

如图11的(b)所示，若使ΔR3大于零，则下端LE1处的电场强度降低。即，通过使金属层62的端部从第二平面线圈12的外周向外侧突出，由此能够降低第二平面线圈12的下端LE1的电场强度。同时，第一平面线圈11的上端UE1处的电场强度也进一步降低。

这样，在隔离器200中，通过使从金属层62的中心到外周的距离R5比从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2长，由此能够缓和第二平面线圈12的下端LE2处的电场集中，而避免第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏。

图12是表示第二实施方式的变形例的隔离器210的示意剖视图。在隔离器210中，使从金属层62的中心到外周的距离R5比从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2长。

并且，从第二平面线圈12的中心到外周的距离R2，比从第一平面线圈11的中心到外周的距离R1长。另外，从第二平面线圈12的中心到内周的距离R4，比从第一平面线圈11的中心到内周的距离R3短。由此，能够进一步缓和第二平面线圈12的下端LE2处的电场集中，而避免第一平面线圈11与第二平面线圈12之间的绝缘破坏。

另外，第二实施方式的隔离器并不限定于上述的例子，例如也可以配置图2所示的第一平面线圈11及第二平面线圈12。

(第三实施方式)

图13是表示第三实施方式的隔离器的俯视图。

图14是表示第三实施方式的隔离器的截面结构的示意图。

在第三实施方式的隔离器300中，如图13所示，第一平面线圈11的外周部的一端经由布线73与导电体50电连接。第一平面线圈11的另一端经由布线60与第一电路1电连接。

如图14所示，第一电路1设置于基板5中。第二电路2设置于与基板5分离的基板6中。金属层62经由布线63与设置于基板6之上的金属层69电连接。金属层64经由布线65与设置于基板6之上的金属层68电连接。第二电路2与金属层68及69电连接。

在隔离器300中，在比基板5靠上侧的结构中，能够应用已经说明的各实施方式的结构。由此，能够降低第二平面线圈12的端面的下端附近的电场强度。

图15是表示第三实施方式的第一变形例的隔离器的俯视图。

图16是图15的A1-A2剖视图。图17是图15的B1-B2剖视图。

图18是表示第三实施方式的第一变形例的隔离器的截面结构的示意图。

如图15所示，第一变形例的隔离器310包括第一结构体10-1和第二结构体10-2。

如图15、图16和图18所示，第一结构体10-1包括平面线圈11-1、平面线圈12-1、绝缘部21-1、绝缘部22-1、电介质部31a、电介质部41a、电介质部42a、导电体50a、金属层62a、金属层64a及金属层66a。

平面线圈11-1、平面线圈12-1、绝缘部21-1、绝缘部22-1、电介质部31a、电介质部41a、电介质部42a、导电体50a、金属层62a、金属层64a及金属层66a的结构，例如分别与图2所示的第一平面线圈11、第二平面线圈12、第一绝缘部21、第二绝缘部22、电介质部31、电介质部41、电介质部42、导电体50、金属层62、金属层64及金属层66的结构相同。

如图15、图17及图18所示，第二结构体10-2包括平面线圈11-2、平面线圈12-2、绝缘部21-2、绝缘部22-2、电介质部31b、电介质部41b、电介质部42b、导电体50b、金属层62b、金属层64b及金属层66b。

平面线圈11-2、平面线圈12-2、绝缘部21-2、绝缘部22-2、电介质部31b、电介质部41b、电介质部42b、导电体50b、金属层62b、金属层64b及金属层66b的结构，例如分别与图2所示的第一平面线圈11、第二平面线圈12、第一绝缘部21、第二绝缘部22、电介质部31、电介质部41、电介质部42、导电体50、金属层62、金属层64及金属层66的结构相同。

如图15所示，金属层62a通过布线63与金属层62b电连接。金属层64a通过布线65与金属层64b电连接。

金属层66a通过布线67a与其他导电部件电连接。金属层66b通过布线67b与其他导电部件电连接。

如图18所示，第一电路1设置于基板5中。第一结构体10-1设置于基板5之上。第二电路2设置于基板6中。第二结构体10-2设置于基板6之上。平面线圈11-1的一端与导电体50a电连接。平面线圈11-1的另一端与第一电路1电连接。平面线圈11-2的一端与导电体50b电连接。平面线圈11-2的另一端与第二电路2电连接。

在隔离器310中，在比基板5靠上侧的结构及比基板6靠上侧的结构中，能够应用已经说明的各实施方式的结构。由此，能够降低平面线圈12-1的端面的下端附近的电场强度。另外，能够降低平面线圈12-2的端面的下端附近的电场强度。在图15至图18所示的隔离器310中，一对平面线圈11-1及平面线圈12-1与一对平面线圈11-2及平面线圈12-2串联连接。换言之，第一电路1与第二电路2之间通过串联连接的两对平面线圈而双重地绝缘。根据隔离器310，与由一对平面线圈进行一重绝缘的结构相比，能够提高绝缘可靠性。

图19是表示第三实施方式的第二变形例的隔离器的俯视图。

图20是表示第三实施方式的第二变形例的隔离器的截面结构的示意图。

如图19及图20所示，第三实施方式的第二变形例的隔离器320与隔离器300的不同点在于，第一平面线圈11的两端与第一电路1电连接这一点。导电体50与第一电路1及第一平面线圈11电分离。如果导电体50被设定为基准电位，则第一电路1、第一平面线圈11及导电体50之间的电连接关系能够适当变更。

图21是表示第三实施方式的第三变形例的隔离器的示意图。

第三变形例的隔离器330包括第一结构体10-1、第二结构体10-2、第三结构体10-3及第四结构体10-4。第一结构体10-1包括平面线圈11-1和平面线圈12-1。第二结构体10-2包括平面线圈11-2和平面线圈12-2。第三结构体10-3包括平面线圈11-3和平面线圈12-3。第四结构体10-4包括平面线圈11-4和平面线圈12-4。各个平面线圈是线圈。第一电路1包括差动驱动电路1a、电容C1及电容C2。第二电路2包括差动接收电路2a、电容C3及电容C4。

例如，差动驱动电路1a、电容C1、电容C2、平面线圈11-1、平面线圈11-2、平面线圈12-1及平面线圈12-2形成于未图示的第一基板之上。平面线圈11-1的一端与第一恒定电位连接。平面线圈11-2的另一端与电容C1连接。平面线圈11-1的一端与第二恒定电位连接。平面线圈11-2的另一端与电容C2连接。

差动驱动电路1a的一个输出与电容C1连接。差动驱动电路1a的另一个输出与电容C2连接。电容C1连接在差动驱动电路1a与平面线圈11-1之间。电容C2连接在差动驱动电路1a与平面线圈11-2之间。

平面线圈11-1和平面线圈12-1隔着绝缘部层叠。平面线圈11-2和平面线圈12-2隔着其他绝缘部层叠。平面线圈12-1的一端与平面线圈12-2的一端连接。

例如，差动接收电路2a、电容C3、电容C4、平面线圈11-3、平面线圈11-4、平面线圈12-3及平面线圈12-4形成于未图示的第二基板上。平面线圈11-3的一端与第三恒定电位连接。平面线圈11-3的另一端与电容C3连接。平面线圈11-4的一端与第四恒定电位连接。平面线圈11-4的另一端与电容C4连接。

差动接收电路2a的一个输入与电容C3连接。差动接收电路2a的另一个输入与电容C4连接。平面线圈11-3和平面线圈12-3隔着绝缘部层叠。平面线圈11-4和平面线圈12-4隔着其他绝缘部层叠。平面线圈12-3的一端与平面线圈12-4的一端连接。平面线圈12-3的另一端与平面线圈12-1的另一端连接。平面线圈12-4的另一端与平面线圈12-2的另一端连接。

对动作进行说明。在变压器(或隔离器)中，传输调制后的信号。在图21中，Vin表示调制后的信号。在信号的调制中，例如使用边缘触发方式或开-关键控(On-Off Keying)方式。无论哪种方法，Vin都是使原来的信号位移向高频带的信号。

差动驱动电路1a根据Vin而使平面线圈11-1及平面线圈11-2中流过彼此相反方向的电流i0。平面线圈11-1及11-2产生相互反向的磁场(H1)。平面线圈11-1的匝数与平面线圈11-2的匝数相同时，产生的磁场的大小彼此相等。

通过磁场H1在平面线圈12-1中产生的感应电压与在通过磁场H1平面线圈12-2中产生的感应电压相加。电流i1在平面线圈12-1及12-2中流动。平面线圈12-1及12-2分别通过接合线与平面线圈12-3和平面线圈12-4连接。接合线例如包含金。接合线的直径例如为30μm。

由平面线圈12-1及12-2相加后的感应电压被施加到平面线圈12-3及12-4。在平面线圈12-3及平面线圈12-4中流过与流过平面线圈12-1及平面线圈12-2的电流i1相同值的电流i2。平面线圈12-3及12-4产生相互反向的磁场(H2)。平面线圈12-3的匝数与平面线圈12-4的匝数相同时，产生的磁场的大小彼此相等。

通过磁场H2在平面线圈11-3产生的感应电压的方向与通过磁场H2在平面线圈11-4产生的感应电压的方向相反。在平面线圈11-3和11-4中流过电流i3。另外，平面线圈11-3中产生的感应电压的大小与平面线圈11-4中产生的感应电压的大小相同。对差动接收电路2a施加使平面线圈11-3和11-4分别产生的感应电压的加法，传输调制后的信号。

图22是表示第四实施方式的封装件的立体图。

图23是表示第四实施方式的封装件的截面结构的示意图。

如图22所示，第四实施方式的封装件400包括金属部件81a～81f、金属部件82a～82f、金属层83a～83f、金属层84a～84f、密封部90及多个隔离器330。

在图示的例子中，封装件400包括4个隔离器330。即，图21所示的第一结构体10-1～第四结构体10-4的组被设置有4个。

多个第一结构体10-1及第二结构体10-2设置于金属部件81a的一部分之上。例如，多个第一结构体10-1及第二结构体10-2设置于1个基板5之上。基板5与金属部件81a电连接。在基板5中，设置有与各个第一结构体10-1及第二结构体10-2对应的多个第一电路1。

多个第三结构体10-3及第四结构体10-4设置于金属部件82a的一部分至上。多个第三结构体10-3及第四结构体10-4设置于1个基板6之上。基板6与金属部件82a电连接。在基板6中，设置有与各个第三结构体10-3及第四结构体10-4对应的多个第二电路2。

金属部件81a进一步与金属层83a电连接。金属层83a与各第一结构体10-1及第二结构体10-2的导电体50a电连接。金属部件82a进一步与金属层84a电连接。金属层84a与各第三结构体10-3及第四结构体10-4的导电体50b电连接。

金属部件81b～81e分别与金属层83b～83e电连接。金属层83b～83e分别与多个第一电路1电连接。金属部件81f与金属层83f电连接。金属层83f与多个第一电路1电连接。

金属部件82b～82e分别与金属层84b～84e电连接。金属层84b～84e分别与多个第二电路2电连接。金属部件82f与金属层84f电连接。金属层84f与多个第二电路2电连接。

密封部90覆盖金属部件81a～81f和82a～82f各自的一部分、金属层83a～83f、金属层84a～84f及多个隔离器330。

金属部件81a～81f分别具有端子T1a～T1f。金属部件82a～82f分别具有端子T2a～T2f。端子T1a～T1f及T2a～T2f未被密封部90覆盖，而是露出于外部。

例如，端子T1a及T2a与基准电位连接。向端子T1b～T1e输入向各个第一电路1的信号。向端子T2b～T2e输出来自各个第二电路2的信号。端子T1f与用于驱动多个第一电路1的电源连接。端子T2f与用于驱动多个第二电路2的电源连接。

根据第四实施方式，能够降低在封装件400中产生隔离器的破坏的可能性。在此，说明了设置有4个隔离器330的例子，但也可以在封装件400中设置1个以上的其他隔离器。

以上，例示了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更等。这些实施方式及其变形例包含在发明的范围或主旨内，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。另外，前述的各实施方式能够相互组合来实施。