阅读说明：本技术 集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备 (Packaging structure and packaging method of integrated module and electronic equipment ) 是由 吴海鸿 于 2020-07-24 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备,其中,所述集成模组的封装结构包括第一基板、多个元器件、传感器以及屏蔽结构,多个元器件包括射频前端模组和阵列天线,多个元器件设置在第一基板上；传感器设于第一基板,用以感测第一基板的温度；屏蔽结构对应射频前端模组设置。本发明通过在第一基板上设置传感器,当第一基板的温度过高时,传感器可以及时感测到温度变化,从而起到监控集成模组温度的作用；通过对应射频前端模组设置屏蔽结构,能够对阵列天线工作时发出的电磁辐射进行屏蔽,以减少阵列天线对射频前端模组的电磁干扰,使射频前端模组稳定运行。(The invention discloses a packaging structure of an integrated module, a packaging method of the packaging structure and electronic equipment, wherein the packaging structure of the integrated module comprises a first substrate, a plurality of components, a sensor and a shielding structure, the plurality of components comprise a radio frequency front-end module and an array antenna, and the plurality of components are arranged on the first substrate; the sensor is arranged on the first substrate and used for sensing the temperature of the first substrate; the shielding structure is arranged corresponding to the radio frequency front end module. According to the invention, the sensor is arranged on the first substrate, and when the temperature of the first substrate is too high, the sensor can sense the temperature change in time, so that the function of monitoring the temperature of the integrated module is achieved; the shielding structure is arranged corresponding to the radio frequency front end module, so that electromagnetic radiation emitted by the array antenna during working can be shielded, the electromagnetic interference of the array antenna on the radio frequency front end module is reduced, and the radio frequency front end module can stably run.)

集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备

技术领域

本发明涉及无线通讯技术领域，具体涉及一种集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备。

背景技术

随着5G时代的来临，得益于阵列天线的应用，数据的传输速率有了飞跃式提升。阵列天线是由多根相同的天线按照一定规律排列组合形成的天线系统。相较于单天线，阵列天线有效增强了天线的方向性，提高了天线的增益，并且通过改变相邻天线之间的相位差，可以实现波束扫描，使最佳发射方向跟随用户移动，保证数据传输的质量。然而，对于5G通信的MIMO阵列天线，需要每个天线单元都配置有PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)以及switch(射频开关)等射频器件，从而导致其射频前端集合了大量的射频器件，以及阵列天线上数量众多的天线，使得5G射频前端的功耗较大，进而产生发热量大的问题。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备，旨在解决射频前端模组发热量大的问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种集成模组的封装结构，所述集成模组的封装结构包括：

第一基板；

多个元器件，包括射频前端模组和阵列天线，多个所述元器件设置在所述第一基板上；

传感器，设于所述第一基板，用以感测所述第一基板的温度；以及，

屏蔽结构，对应所述射频前端模组设置。

可选地，所述多个元器件和所述传感器分设在所述第一基板相对的两个侧面上；和/或，

所述传感器包括电极板和氧化镍薄膜层，所述电极板设于所述第一基板，所述氧化镍薄膜层覆盖在所述电极板背离所述第一基板的一侧上。

可选地，所述第一基板设有所述射频前端模组的一侧为安装侧，所述集成模组的封装结构还包括设于所述第一基板的安装侧的第二基板，所述屏蔽结构设于所述第二基板。

可选地，所述第二基板具有面向所述第一基板的内侧面和背离所述第一基板的外侧面，所述第二基板的内侧面形成有用于容纳所述射频前端模组的第一凹槽；

所述屏蔽结构包括：

金属层，设于所述第二基板的外侧面且对应所述第一凹槽设置；以及，

多个连接件，沿所述金属层的周向间隔布置，且贯穿所述金属层和所述第二基板设置；

其中，多个所述连接件和所述金属层围合成屏蔽区，所述第一凹槽位于所述屏蔽区内。

可选地，所述第二基板上贯设有多个连接孔，多个所述连接孔沿所述金属层的周向间隔布置，且贯穿所述金属层和所述第二基板设置，每一所述连接孔内填充金属填充物以形成所述连接件。

可选地，所述第一基板具有接地层；

多个所述连接件与所述接地层电气连接。

可选地，相邻每两个所述连接件之间的间距小于所述射频前端模组发出的电磁波的1/4波长。

可选地，所述多个元器件还包括阵列天线；

所述第二基板具有面向所述第一基板的内侧面，所述第二基板的内侧面形成有用于容纳所述阵列天线的第二凹槽。

此外，本发明还提出一种集成模组的封装方法，所述集成模组的封装方法包括以下步骤：

提供第一基板、传感器、屏蔽结构以及多个元器件，所述多个元器件包括射频前端模组和阵列天线；

将所述传感器和所述多个元器件分别设置在所述第一基板上；

将所述屏蔽结构对应所述射频前端模组设置。

可选地，所述第一基板设有所述射频前端模组的一侧为安装侧；

所述将所述屏蔽结构对应所述射频前端模组设置的步骤包括：

提供第二基板，所述第二基板具有相对设置的内侧面和外侧面；

在所述第二基板的外侧面形成金属层；

在所述金属层上开孔，以形成多个沿所述金属层的周向间隔布置，且贯穿所述金属层和所述第二基板的连接孔；

向多个所述连接孔内填充金属填充物以形成多个连接件，所述金属层和多个所述连接件共同构成屏蔽结构；

对所述屏蔽结构围合的区域进行刻蚀，以在所述第二基板的内侧面形成第一凹槽；

将所述第二基板对应设置在所述第一基板的安装侧，使所述射频前端模组容置于所述第一凹槽。

可选地，在所述提供第二基板，所述第二基板具有相对设置的内侧面和外侧面的步骤之后，在所述将所述第二基板设置在所述第一基板的安装侧，使所述射频前端模组容置于所述第一凹槽的步骤之前，还包括：

对所述第二基板的内侧面进行刻蚀，以形成与所述阵列天线对应的第二凹槽。

可选地，所述第一基板具有接地层；

在所述将所述第二基板对应设置在所述第一基板的安装侧，使所述射频前端模组容置于所述第一凹槽的步骤之后，还包括：

将多个所述连接件与所述接地层电气连接。

此外，本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括：

温控装置；

如上文所述的集成模组的封装结构；以及，

控制器，与所述温控装置以及所述集成模组的封装结构的传感器电性连接，用以在所述传感器感测到所述集成模组的封装结构的第一基板的温度时，控制所述温控装置工作。

本发明的技术方案中，集成模组的封装结构包括第一基板、设置在第一基板上的多个元器件和传感器、以及屏蔽结构，通过在第一基板上设置传感器，当第一基板的温度过高时，传感器可以及时感测到温度变化，从而起到监控集成模组温度的作用；通过对应射频前端模组设置屏蔽结构，能够对阵列天线工作时发出的电磁辐射进行屏蔽，以减少阵列天线对射频前端模组的电磁干扰，使射频前端模组稳定运行。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明提供的集成模组的封装结构的一实施例的结构示意图；

图2为图1中集成模组的封装结构的传感器的结构示意图；

图3为图1中集成模组的封装结构的俯视图；

图4为本发明提供的集成模组的封装方法的第一实施例的流程示意图；

图5为本发明提供的集成模组的封装方法的第二实施例的流程示意图；

图6为本发明提供的集成模组的封装方法的第三实施例的流程示意图；

图7为本发明提供的集成模组的封装方法的第四实施例的流程示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

随着5G时代的来临，得益于阵列天线的应用，数据的传输速率有了飞跃式提升。阵列天线是由多根相同的天线按照一定规律排列组合形成的天线系统。相较于单天线，阵列天线有效增强了天线的方向性，提高了天线的增益，并且通过改变相邻天线之间的相位差，可以实现波束扫描，使最佳发射方向跟随用户移动，保证数据传输的质量。然而，对于5G通信的MIMO阵列天线，需要每个天线单元都配置有PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)以及switch(射频开关)等射频器件，从而导致其射频前端集合了大量的射频器件，以及阵列天线上数量众多的天线，使得5G射频前端的功耗较大，进而产生发热量大的问题。

当集成模组的温度过高时，集成模组中的金属部件的电阻增加，会导致天线的辐射效率降低；温度变化会导致天线的尺寸以及模组材料的介电常数发生改变，从而使天线的工作频段发生偏移。极端情况下，阵列天线和射频器件等甚至可能被烧毁。

鉴于此，本发明提供一种电子设备，该电子设备可以是移动终端、笔记本电脑、5G基站或者其他5G设备等，所述电子设备包括温控装置、集成模组的封装结构100以及控制器，其中，所述集成模组的封装结构100包括第一基板1、多个元器件、传感器3以及屏蔽结构4，温控装置可以是风机、水冷系统等，控制器与温控装置以及传感器3分别电性连接，用以在传感器3感测到第一基板1的温度时，控制温控装置工作。当第一基板1的温度过高时，传感器3监测到温度参数，并将信号发送给控制器，控制器作出监测温度高于预设的温度阈值时，控制温控装置工作，以对第一基板1进行降温，使集成模组能够在适宜温度下运行，起到了保护集成模组的作用。

图1至图3为本发明提供的集成模组的封装结构100的具体实施例，以下将结合附图对集成模组的封装结构100的结构进行详细说明。

请参阅图1，所述集成模组的封装结构100包括第一基板1、多个元器件、传感器3以及屏蔽结构4，其中，多个元器件包括射频前端模组21和阵列天线(图中未画出)，多个元器件设置在第一基板1上；传感器3设于第一基板1，用以感测第一基板1的温度；屏蔽结构4对应射频前端模组21设置，用以在阵列天线和射频前端模组21之间提供屏蔽。

本发明的技术方案中，集成模组的封装结构100包括第一基板1、设置在第一基板1上的多个元器件和传感器3、以及屏蔽结构4，通过在第一基板1上设置传感器3，当第一基板1的温度过高时，传感器3可以及时感测到温度变化，从而起到监控集成模组温度的作用；通过对应射频前端模组21设置屏蔽结构4，能够对阵列天线工作时发出的电磁辐射进行屏蔽，以减少阵列天线对射频前端模组21的电磁干扰，使射频前端模组21稳定运行。

其中，第一基板1用于安装各种元器件和传感器3，考虑到5G应用下高频损耗较大，第一基板1的材料可以选择损耗低的高阻硅、玻璃或者陶瓷等材料，本实施例优选硅晶圆。

其中，多个元器件可以是需要集成到第一基板1上的天线、射频器件等。本实施例中，多个元器件包括射频前端模组21和阵列天线(图中未画出)，其中，射频前端模组21包括功率放大器、低噪声放大器、射频开关等射频部件。

其中，传感器3为温度传感器3，用于感测第一基板1的温度。传感器3可以安装在第一基板1的任意位置，出于缩小集成模组的封装结构100体积的考虑，传感器3和多个元器件优选为分设在第一基板1相对的两个侧面上，如图1所示，第一基板1具有上侧面和下侧面，多个元器件安装在上侧面，传感器3安装在下侧面，提高了第一基板1的空间利用度，有利于满足5G产品的小型化需求。

其中，屏蔽结构4的作用是为射频前端模组21提供屏蔽环境，以避免受到阵列天线等其他元器件的电磁辐射，屏蔽结构4的具体实现形式本发明不做限制，其可以是任意一种能够起到屏蔽效果的结构，例如，可以是金属网、金属罩等，屏蔽结构4对应射频前端模组21设置，能够对阵列天线工作时发出的电磁辐射进行屏蔽，从而减少阵列天线对射频前端模组21的电磁干扰，使射频前端模组21稳定运行。

参阅图2，本实施例中，传感器3包括电极板31和氧化镍薄膜层32，电极板31设于第一基板1，氧化镍薄膜层32覆盖在电极板31背离第一基板1的一侧上，氧化镍是一种热敏材料，在0～200℃范围内，其热阻随温度呈较好的线性关系，相较市面上常见的传感器3，本实施例在电极板31的中间区域通过磁控溅射生长氧化镍薄膜层32成型的传感器3，不仅具有较好的温度敏感性，而且体积小，有利于集成模组的封装结构100小型化。此外，本实施例传感器3可以自行制备且制备工艺简单，降低了传感器3成本。

可以理解的是，第一基板1的上下两侧均设置有RDL布线层，如图1所示，第一基板1的下侧设置第一布线层11，上侧设置第二布线层12，其中，第二布线层12为射频参考地，即第一基板1的接地层，第一布线层11和第二布线层12通过贯设于第一基板1的电连接孔15电气连接。此外，本实施例优选将传感器3安装在第一基板1的下侧，将元器件安装在第一基板1的上侧(安装侧)，为了保证元器件和传感器3正常工作，传感器3与第一布线层11电连接，同时，在第二布线层12的上方设置第三布线层14，并在第二布线层12和第三布线层14之间填充绝缘层13，绝缘层13上贯设有多个连通第二布线层12和第三布线层14的过孔16，第二布线层12和第三布线层14通过过孔16电气连接，元器件设在第三布线层14上，具体地，第三布线层14具有对应射频前端模组21的布线点以及对应阵列天线的阵列天线布线点141。这种连线方式一方面使基板的高频损耗较小，有利于5G高频场合的应用，另一方面使器件与器件之间的连线更短，有效减少了信号的损耗。

参阅图1，可以在第一基板1的安装侧设置第二基板5，屏蔽结构4设于第二基板5，一方面可以起到屏蔽作用，另一方面第二基板5可以对元器件起到保护作用。第二基板5的材料同样可以选择损耗低的高阻硅、玻璃或者陶瓷等材料，本实施例优选硅晶圆。

第二基板5叠设在第一基板1的安装侧，而使第二基板5具有面向第一基板1的内侧面和背离第一基板1的外侧面。为使第一基板1和第二基板5相互键合时，屏蔽结构4能够罩设射频前端模组21，从而起到屏蔽效果，本实施例第二基板5的内侧面形成有用于容纳射频前端模组21的第一凹槽51。

可以在第一凹槽51的槽底以及槽壁上设置金属屏蔽层，从而形成屏蔽结构4；也可以如图1和图3所示，屏蔽结构4包括金属层41和多个连接件42。金属层41设于第二基板5的外侧面且对应第一凹槽51设置，多个连接件42沿金属层41的周向间隔布置，且贯穿金属层41和第二基板5设置；其中，多个连接件42和金属层41围合成屏蔽区，第一凹槽51位于屏蔽区内。本实施例屏蔽结构4易于加工，且工艺成本较低。

具体地，第二基板5上贯设有多个连接孔，多个连接孔沿金属层41的周向间隔布置，且贯穿金属层41和第二基板5设置，每一连接孔内填充金属填充物以形成连接件42。其中，金属层41和金属填充物的材料优选铜。

进一步地，相邻每两个连接件42之间的间距S小于射频前端模组21发出的电磁波的1/4波长，从而保证了电磁屏蔽效果。

此外，为进一步提高屏蔽效果，多个连接件42与接地层电气连接。

此外，为降低第二基板5对阵列天线辐射频率的影响，本实施例中，第二基板5面向第一基板1的内侧面上形成有第二凹槽52，当第二基板5叠设在第一基板1的安装侧时，第二凹槽52与阵列天线对应，且阵列天线容置于第二凹槽52中，由于第二凹槽52的设置，阵列天线上方的第二基板5厚度变薄，从而增强了阵列天线的辐射效率。

此外，本发明还提出一种集成模组的封装方法，用于制作上述集成模组的封装结构100。图4为本发明提出的集成模组的封装方法的第一实施例。

参阅图4，在本实施例中，所述集成模组的封装方法包括以下步骤：

步骤S10，提供第一基板1、传感器3、屏蔽结构4以及多个元器件，所述多个元器件包括射频前端模组21和阵列天线。

其中，第一基板1用于安装各种元器件和传感器3，考虑到5G应用下高频损耗较大，第一基板1的材料可以选择损耗低的高阻硅、玻璃或者陶瓷等材料，本实施例优选硅晶圆；多个元器件包括射频前端模组21和阵列天线，射频前端模组21包括功率放大器、低噪声放大器、射频开关等射频部件；传感器3为温度传感器3，优选为由电极板31和在电极板31的中间区域通过磁控溅射生长氧化镍薄膜层32共同组成的传感器3；屏蔽结构4的作用是为射频前端模组21提供屏蔽环境，以避免受到阵列天线等其他元器件的电磁辐射，屏蔽结构4的具体实现形式本发明不做限制，其可以是任意一种能够起到屏蔽效果的结构，例如，可以是金属网、金属罩等。

具体实施时，可以先在第一基板1的下侧设置第一布线层11(RDL走线)，在上侧设置第二布线层12，以第二布线层12作为射频参考地，即第一基板1的接地层。同时，在第一基板1上贯设多个电连接孔15(TSV孔)，在每个电连接孔15中填充导通物，例如铜柱、铜丝、银浆等，以使得第一布线层11和第二布线层12之间形成电气连接。然后在第二布线层12上涂布绝缘材料，例如MPI(改性聚酰亚胺)，以形成绝缘层13，涂布时，在绝缘层13上开设多个过孔16，以露出部分第二布线层12。最后，在绝缘层13上电镀生长第三布线层14，以形成用于安装射频前端模组21的射频前端模组21布线点，以及用于设置阵列天线的阵列天线布线点141，在过孔16中填充导通物，使得第三布线层14能够通过过孔16与第二布线层12电气连通。

由于采用了RDL走线和TSV技术，一方面使基板的高频损耗较小，有利于5G高频场合的应用，另一方面使器件与器件之间的连线更短，有效减少了信号的损耗。

步骤S20，将所述传感器3和所述多个元器件分别设置在所述第一基板1上。

优选地，本实施例将传感器3安装在第一基板1的下侧，并与第一布线层11连接；将多个元器件设置在第一基板1的上侧，并与第三布线层14连接，具体地，阵列天线设置在阵列天线布线点141上并与第三布线层14电连接，射频前端模组21采用FC倒装的方式安装在射频前端模组21布线点，使射频前端模组21得底部凸点和第二布线层12键合以形成电连接，并在射频前端模组21的底部进行填充。

步骤S30，将所述屏蔽结构4对应所述射频前端模组21设置。

本实施例中，将屏蔽结构4对应射频前端模组21设置，能够对阵列天线工作时发出的电磁辐射进行屏蔽，从而减少阵列天线对射频前端模组21的电磁干扰，使射频前端模组21稳定运行。具体地，可以将屏蔽结构4设置在第一基板1设有射频前端模组21的一侧，并且将射频前端模组21罩设在其中，从而起到对射频前端模组21的隔离效果。

本实施例方法通过在第一基板1上设置传感器3，当第一基板1的温度过高时，传感器3可以及时感测到温度变化，从而起到监控集成模组温度的作用。当本实施例方法制得的集成模组的封装结构100被应用与智能手机等电子设备时，可以通过传感器3监测到温度参数，并将信号发送给控制器，在控制器作出监测温度高于预设的温度阈值时，控制温控装置工作，以对第一基板1进行降温，从而使集成模组能够在适宜温度下运行，有利于保护集成模组。通过将屏蔽结构4对应射频前端模组21设置，能够对阵列天线工作时发出的电磁辐射进行屏蔽，从而减少阵列天线对射频前端模组21的电磁干扰，使射频前端模组21稳定运行。此外，本实施例方法将阵列天线、射频前端模组21以及传感器3集成在一个封装内，实现了单器件，有利于5G产品的小型化需求。

参阅图5，基于上述第一实施例，提出本发明集成模组的封装方法的第二实施例。

在本实施例中，步骤S30包括：

步骤S31，提供第二基板5，所述第二基板5具有相对设置的内侧面和外侧面。

其中，第二基板5的材料优选硅晶圆。第二基板5的外侧面和内侧面均布设RDL布线，并通过TSV孔，电气连通两侧的RDL层。

步骤S32，在所述第二基板5的外侧面形成金属层41。

在外侧面的RDL层上电镀金属层41，金属层41优选为铜层。

步骤S33，在所述金属层41上开孔，以形成多个沿所述金属层41的周向间隔布置，且贯穿所述金属层41和所述第二基板5的连接孔。

本实施例在金属层41上沿着金属层41的周向间隔开设多个连接孔，并使每一连接孔贯穿金属层41和第二基板5。并且为确保电磁屏蔽效果，相邻每两个连接孔之间的间距S优选为小于射频前端模组21发出的电磁波的1/4波长。

步骤S34，向多个所述连接孔内填充金属填充物以形成多个连接件42，所述金属层41和多个所述连接件42共同构成屏蔽结构4。

在每个连接孔内电镀生长金属填充物，金属填充物与金属层41连接，从而形成连接件42，金属层41和多个连接件42共同围合构成的结构为屏蔽结构4。其中，金属填充物优选为金属铜。

步骤S35，对多个所述屏蔽结构4围合的区域进行刻蚀，以在所述第二基板5的内侧面形成第一凹槽51。

连接件42的下端在第二基板5的内侧面上限定出屏蔽区域，对屏蔽区域进行刻蚀，从而在第二基板5的内侧面形成第一凹槽51，该第一凹槽51应处于多个连接件42和金属层41围合成的区域内。

步骤S36，将所述第二基板5对应设置在所述第一基板1的安装侧，使所述射频前端模组21容置于所述第一凹槽51。

本实施例选用晶圆级封装方法，将第二基板5设置在第一基板1的安装侧，设置时，确保第一凹槽51与射频前端模组21对应，使得射频前端模组21容置于第一凹槽51，从而使射频前端模组21处于屏蔽结构4的罩设下，进而起到了屏蔽作用。此外，第二基板5也可以对元器件起到保护作用。

参阅图6，基于上述第二实施例，提出本发明集成模组的封装方法的第三实施例。

具体实施时，在步骤S31之后，在步骤S36之前，还可以包括：

步骤S37，对所述第二基板5的内侧面进行刻蚀，以形成与所述阵列天线对应的第二凹槽52。

为降低第二基板5对阵列天线辐射频率的影响，本实施例对第二基板5的内侧面上与阵列天线对应的区域进行刻蚀，以在第二基板5的内侧面形成与阵列天线对应的第二凹槽52，在将第二基板5对应设置在第一基板1的安装侧时，阵列天线容置于第二凹槽52中，由于第二凹槽52的设置，阵列天线上方的第二基板5厚度变薄，从而增强了阵列天线的辐射效率。

需要说明的是，步骤S37只需在步骤S31之后，在步骤S36之前进行，其与步骤S32到步骤S35之间不存在先后顺序关系。

进一步地，参阅图7，基于上述第二实施例，提出本发明集成模组的封装方法的第四实施例。

步骤S36之后，还可以包括以下步骤：

步骤S38，将多个所述连接件42与所述接地层电气连接。

在将第二基板5对应设置在第一基板1的安装侧后，第二基板5内侧面上的RDL层与第一基板1上的第三布线层14抵接，将RDL层和第三布线层14通过焊料进行键合，即可实现将多个连接件42与接地层电气连接，从而达到对屏蔽结构4的接地。

此外，还可以在步骤S38之后，对第一基板1的下侧进行植球，然后对两层基板进行切割，以获得单个封装结构，该加工方式加工效率高且成本低，有利于大规模生产。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。