阅读说明：本技术 一种smd-1e金属陶瓷贴片15kw瞬态电压抑制二极管 (15KW transient voltage suppression diode for SMD-1E metal ceramic paster ) 是由 石仙宏 罗显全 杨晓东 李应明 柯栋栋 于 2020-06-30 设计创作，主要内容包括：本发明提供的一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管,包括绝缘座；绝缘座内安装有芯片,芯片的两端面分别固结有一个电极片,两个电极片分别与第一引脚和第二引脚连接,所述第一引脚封闭在绝缘座的下端,绝缘座的上端通过盖板封闭。通过使用钼铜材料作为电极片,使单芯片的瞬态电压抑制二极管峰值脉冲功率达到15KW,通过使用梁式引线与电极连接,避免了钼铜材料表面不平整导致线路之间接触不良。(The invention provides an SMD-1E metal ceramic paster 15KW transient voltage suppression diode, which comprises an insulating base; the chip is installed in the insulating seat, two end faces of the chip are respectively and fixedly connected with an electrode plate, the two electrode plates are respectively connected with the first pin and the second pin, the first pin is sealed at the lower end of the insulating seat, and the upper end of the insulating seat is sealed through the cover plate. Through using the molybdenum-copper material as the electrode slice, the peak pulse power of the transient voltage suppression diode of the single chip reaches 15KW, and through using the beam lead to be connected with the electrode, poor contact between circuits caused by uneven surface of the molybdenum-copper material is avoided.)

一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管

技术领域

本发明涉及一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管。

背景技术

瞬态电压抑制二极管在电路中的用量较大，少则几只，多的达几十甚至上百只，如此多的用量势必占据电路版大量的空间，不利于产品的集成化、小形化；峰值脉冲功率15KW及以下的瞬态电压抑制二极管，需要使用热沉提高吸收脉冲功率的能力，传统在峰值脉冲功率15KW及以下的瞬态电压抑制二极管通常使用金属轴向封装，占用空间大，不利于电路板线路的设计。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管，包括绝缘座；绝缘座内安装有芯片,芯片的两端面分别固结有一个电极片，两个电极片分别与第一引脚和第二引脚连接，所述第一引脚封闭在绝缘座的下端，绝缘座的上端通过盖板封闭。

本发明的芯片焊盘尺寸最大为8.5mm×8.5mm，还需要保证产品的间隙距离，所以将芯片设计尺寸最大为8mm×8mm。在此面积上，使用常用的铜热沉可以实现研制指标，但由于铜(热膨胀系数18×10-6/℃、热传导系数380w/m.k)与硅(热膨胀系数3.5×10-6/℃)相差较大，不能满足产品温度循环(-55℃～150℃，500次)要求；使用钼则峰值脉冲功率远远不足15KW。为了平衡峰值脉冲功率15KW和热匹配性要求，使用了铜钼铜(膨胀系数7.8×10-6/℃，热传导系数240w/m.k)材料作为瞬态电压抑制二极管热沉，并在产品芯片两面都使用热沉，以提高热吸收能力。由于铜钼铜为冲压成型，表面不是非常平整，不能采用传统的锲形键合方式，设计了梁式引线，采用钎焊进行连接。

所述芯片下端面的电极片直接与芯片固结，芯片上端面处的电极片通过引线与第二引脚连接。

所述引线为桥梁式引线。

所述引线包括第一连接片、连接桥、第二连连接片，第一连接片固定与芯片连接，第二连连接片通过导线与第二引脚连接，第一连接片和第二连连接片之间通过连接桥连接。

所述连接桥顶端为平面且其高度大于第一连接片或第二连连接片的高度。

所述导线为若干等间距且相互平行的铜柱，其沿第二连连接片的长度方向依次连接在第二连连接片和第二引脚之间。

所述第二引脚安装在导线孔内，导线孔设置在绝缘座内壁底部的支撑台上。

所述第一引脚的边缘固结在支撑台内边缘上。

所述绝缘座侧壁顶端与连接桥顶端在同一水平线上，盖板中部加工有凹槽使盖板的中部不与连接桥接触。

所述芯片的下端面边缘加工有倒角。

本发明的有益效果在于：通过使用钼铜材料作为电极片，使单芯片的瞬态电压抑制二极管峰值脉冲功率达到15KW，通过使用梁式引线与电极连接，避免了钼铜材料表面不平整导致线路之间接触不良。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明的绝缘座和引线结构示意图；

图中：1-绝缘座，11-导线孔，12-支撑台，2-电极片，3-芯片，31-倒角，4-引线，41-第一连接片，42-连接桥，43-第二连连接片，5-盖板，6-第一引脚，7-第二引脚，8-电极引线。

具体实施方式

下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。

一种SMD-1E金属陶瓷贴片15KW瞬态电压抑制二极管，包括绝缘座1；绝缘座1内安装有芯片3,芯片3的两端面分别固结有一个电极片2，两个电极片2分别与第一引脚6和第二引脚7连接，所述第一引脚6封闭在绝缘座1的下端，绝缘座1的上端通过盖板5封闭。

所述芯片3下端面的电极片2直接与芯片3固结，芯片3上端面处的电极片2通过引线4与第二引脚7连接。

所述引线4为桥梁式引线。

所述引线4包括第一连接片41、连接桥42、第二连连接片43，第一连接片41固定与芯片3连接，第二连连接片43通过导线与第二引脚7连接，第一连接片41和第二连连接片43之间通过连接桥42连接。

所述连接桥42顶端为平面且其高度大于第一连接片41或第二连连接片43的高度。

所述导线为若干等间距且相互平行的铜柱，其沿第二连连接片43的长度方向依次连接在第二连连接片43和第二引脚7之间。

所述第二引脚7安装在导线孔11内，导线孔11设置在绝缘座1内壁底部的支撑台12上。

所述第一引脚6的边缘固结在支撑台12内边缘上。

所述绝缘座1侧壁顶端与连接桥42顶端在同一水平线上，盖板5中部加工有凹槽使盖板5的中部不与连接桥42接触。

所述芯片3的下端面边缘加工有倒角31。

本发明瞬态电压抑制二极管产品的峰值脉冲功率15KW及以下(脉冲波形为10/1000μs)、500A下正向低于1.65V，防静电8KV，使用单只芯片，比传统的金属轴向产品体积小30％，可承受的峰值脉冲电流达500A(脉冲波形为10/1000μs)，采用陶瓷贴片封装形式，热阻低至0.3K/W。