阅读说明：本技术 覆晶薄膜及其制造方法 (Chip on film and method for manufacturing the same ) 是由 周一安 王林志 董崔健 席克瑞 孔祥建 刘金娥 秦锋 于 2020-05-27 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种覆晶薄膜及其制造方法。本发明实施例提供一种覆晶薄膜的制造方法,包括：在母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层；图案化第一光阻层以形成具有第一图案化光阻层和第一镂空区的第一中间基板；至少在第一镂空区暴露的第一种子层上形成第一金属层；去除第一图案化光阻层及未被第一镂空区内的第一金属层覆盖的第一种子层,以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板。根据本发明实施例的覆晶薄膜及其制造方法,能够使其中金属层具有较高的精度和较厚的厚度。(The invention discloses a chip on film and a manufacturing method thereof. The embodiment of the invention provides a manufacturing method of a chip on film, which comprises the following steps: sequentially forming a first seed layer and a first light resistance layer on the mother substrate; patterning the first photoresist layer to form a first intermediate substrate having a first patterned photoresist layer and a first hollow area; forming a first metal layer on the first seed layer exposed at least in the first hollow area; and removing the first patterned photoresist layer and the first seed layer which is not covered by the first metal layer in the first hollow-out area to form the initial conductive substrate with the first patterned conductive layer. According to the chip on film and the manufacturing method thereof, the metal layer has higher precision and thicker thickness.)

覆晶薄膜及其制造方法

技术领域

本发明涉及电子电路领域，具体涉及一种覆晶薄膜及其制造方法。

背景技术

通常，电子设备(例如显示设备)包括设置有集成电路芯片的柔性电路板，其称为覆晶薄膜(Chip On Film，COF)，显示设备中的覆晶薄膜通常绑定在显示面板的绑定区，用于驱动显示装置。

然而，常规的柔性电路板工艺的精度有限，无法满足覆晶薄膜的需求。

发明内容

本发明提供一种覆晶薄膜及其制造方法，能够使其中金属层具有较高的精度和较厚的厚度。

第一方面，本发明实施例提供一种覆晶薄膜的制造方法，包括：提供母基板；在母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层；图案化第一光阻层以形成具有第一图案化光阻层和第一镂空区的第一中间基板，第一中间基板通过第一镂空区暴露至少部分第一种子层；至少在第一镂空区暴露的第一种子层上形成第一金属层；去除第一图案化光阻层及未被第一镂空区内的第一金属层覆盖的第一种子层，以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板，其中，初始导电基板在第一方向上划分为第一绑定区、第二绑定区及夹设于第一绑定区和第二绑定区之间的走线区。

第二方面，本发明实施例提供一种覆晶薄膜，覆晶薄膜包括：母基板；第一图案化导电层，位于母基板上且具有第一图案，第一图案化导电层包括第一图案化种子层和第一图案化金属层，第一图案化种子层位于母基板上且具有第一图案，第一图案化金属层位于第一图案化种子层背向母基板的一侧且具有第一图案，第一图案化种子层在母基板上的正投影与第一图案化金属层在母基板上的正投影重叠。

根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，通过第一种子层在第一中间基板的第一镂空区内形成第一金属层，使得第一金属层的精度基本上等于第一中间基板中图案化第一光阻层的精度，由于图案化第一光阻层能够具有较高的精度，从而使得第一金属层具有较高的精度。并且，由于较厚的整层金属难以刻蚀出精度较高的金属布线层，本发明实施例的第一金属层在形成第一中间基板之后于第一镂空区内形成，从而保证精度的同时能够具有较厚的厚度。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法的流程示意图；

图2示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的俯视示意图；

图3至图14示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法的一个实施例的各步骤的结构示意图；

图15至图33示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法的另一个实施例的各步骤的结构示意图；

图34示出图2中沿线B-B的一个实施例的截面结构示意图；

图35示出图2中沿线B-B的另一个实施例的截面结构示意图。

图中：

100-母基板；

200-第一中间基板；210-第一图案化光阻层；220-第一镂空区；

300-初始导电基板；310-第一图案化导电层；311-第一图案化种子层；312-第一图案化金属层；

400-第二中间基板；410-第二图案化光阻层；420-第二镂空区；

500-第二导电基板；510-第二图案化导电层；511-第二图案化种子层；512-第二图案化金属层；

600-平坦化层；610-连接孔；

700-第一导电基板；710-第三图案化导电层；

810-第一保护层；820-第二保护层；

900-封装材料；

F1-第一种子层；F2-第一光阻层；F3-第一金属层；F4-第二种子层；F5-第二光阻层；F6-第二金属层；F7-第三金属层；BA1-第一绑定区；BA2-第二绑定区；LA-走线区；C1-芯片；J1-引脚。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

覆晶薄膜中的布线层通常采用柔性电路板工艺来制造，其通过对整层金属进行刻蚀以得到金属布线层。

然而，随着显示设备中显示面板的分辨率的提高使得连接于显示面板的覆晶薄膜中金属布线的密度增加，并且在金属布线的密度增加的同时需要保证金属布线与覆晶薄膜中的芯片良好接触。

申请人在设计覆晶薄膜的过程中发现增加覆晶薄膜中金属布线层的厚度能够使覆晶薄膜中的芯片与金属布线层更好地接触。并且，申请人发现较厚的整层金属难以刻蚀出精度较高的金属布线层。

为解决上述问题，本发明提供一种覆晶薄膜及其制造方法，能够使覆晶薄膜中金属层具有较高的精度和较厚的厚度。

请参阅图1，图1示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法的流程示意图。

如图1所示，本发明实施例提供一种覆晶薄膜的制造方法。

其中，覆晶薄膜可用于显示装置。覆晶薄膜可以包括柔性电路板及设置于柔性电路板上的芯片。

本发明实施例提供的覆晶薄膜的制造方法包括：

S110：提供母基板。

母基板可包括透明的或不透明的绝缘材料。母基板可以包括一层或多个层。母基板可包括柔性的有机材料层，例如聚酰亚胺类树脂层。母基板还可包括无机材料层，例如氧化硅层、氮化硅层。

在一些实施例中，母基板包括补强层及设置在补强层上的柔性基层。其中，补强层可用于增加母基板的强度，以便于后续方法中在母基板上形成其他层结构。补强层也可在后续方法步骤中剥离去除。补强层可以是无机材料层，例如氧化硅层、氮化硅层。柔性基层可以包括一层或多个层。柔性基层可以包括有机材料层，例如聚酰亚胺类树脂层。柔性基层还可包括无机材料层，例如氧化硅层、氮化硅层。

S120：在母基板上依次形成第一种子层及第一光阻层。

第一种子层可作为电镀工艺时的导电层和籽晶层。第一种子层可以是金属材料，例如铜。第一种子层可通过溅射工艺在母基板上整层形成。

第一光阻层形成在第一种子层背向母基板一侧的表面上。第一光阻层可以是光刻胶层。第一光阻层例如可通过旋涂工艺形成。

S130：图案化第一光阻层以形成具有第一图案化光阻层和第一镂空区的第一中间基板，第一中间基板通过第一镂空区暴露至少部分第一种子层。

其中，可采用具有光刻图案的掩膜版对第一光阻层进行曝光及显影工艺，以形成具有第一镂空区的第一中间基板。

S140：至少在所述第一镂空区暴露的所述第一种子层上形成第一金属层。

其中，第一金属层可以采用电镀的方式形成或者溅射的方式形成。

当采用电镀的方式形成第一金属层时，第一种子层可作为电镀工艺的导电层和籽晶层。其中，第一金属层可仅形成于第一镂空区暴露的第一种子层上，即第一金属层位于第一中间基板的第一镂空区内。可通过控制电镀的速率和时间来控制第一金属层的厚度。通过电镀工艺能够制备厚度较厚的第一金属层。第一金属层的厚度可以为1μm至9μm，例如4μm。

当采用溅射的方式形成第一金属层时，第一金属层在第一图案化光阻层上及第一镂空区暴露的第一种子层上形成。其中，在第一图案化光阻层上的第一金属层可在后续方法步骤中去除。

S150：去除第一图案化光阻层及未被第一镂空区内的第一金属层覆盖的第一种子层，以形成具有第一图案化导电层的初始导电基板，其中，初始导电基板在第一方向上划分为第一绑定区、第二绑定区及夹设于第一绑定区和第二绑定区之间的走线区。

其中，可通过灰化工艺或合适的湿法或干法刻蚀工艺去除第一图案化光阻层。可通过湿法或干法刻蚀工艺去除未被第一镂空区内的第一金属层覆盖的第一种子层。

第一方向可以是覆晶薄膜的长度延伸方向。初始导电基板例如可以在第一绑定区可具有与如显示面板的外部设备电连接的第一端子。初始导电基板例如可以在第二绑定区可具有与芯片电连接的第二端子。走线区可包括引线。第一端子和第二端子可通过引线电连接。

根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，通过第一种子层在第一中间基板的第一镂空区内形成第一金属层，使得第一金属层的精度基本上等于第一中间基板中图案化第一光阻层的精度，由于图案化第一光阻层能够具有较高的精度，从而使得第一金属层具有较高的精度。并且，本发明实施例的第一金属层在形成第一中间基板之后于第一镂空区内形成，从而保证精度的同时能够具有较厚的厚度。

请一并参阅图2和图3至图14，图2示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的俯视示意图，图3至图14示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法的一个实施例的各步骤的结构示意图。其中，图3至图14中各步骤的结构示意图为沿图2的沿线B-B的截面结构示意图。

在一些具体的实施例中，如图2所示，覆晶薄膜具有第一绑定区BA1、第二绑定区BA2及夹设于第一绑定区BA1和第二绑定区BA2之间的走线区LA。

如图3至图14所示，本发明实施例提供的覆晶薄膜的制造方法，包括：

S201：如图3所示，提供母基板100。

其中，如图3所示，母基板100可包括补强层110及位于补强层110上的柔性基层120。补强层110可以是无机材料层，例如玻璃基板。柔性基层120可以是有机材料层，聚酰亚胺类树脂层。提供母基板100的步骤S201具体可包括提供补强层110及在补强层110上设置柔性基层120。

S202：如图4所示，在母基板100上依次形成第一种子层F1及第一光阻层F2。

其中，第一种子层F1可以是金属层，例如铜。第一种子层F1可通过溅射工艺沉积在柔性基层120背向补强层110一侧的表面。

第一光阻层F2可以是光刻胶层。第一光阻层F2可通过旋涂工艺形成在第一种子层F1背向补强层110一侧的表面。

S203：如图5所示，图案化第一光阻层F2以形成具有第一图案化光阻层210和第一镂空区220的第一中间基板200，第一中间基板200通过第一镂空区220暴露至少部分第一种子层F1。

其中，可通过曝光和显影工艺图案化第一光阻层F2，形成具有第一镂空区220的第一中间基板200。

S204：如图6所示，至少在第一镂空区220暴露的第一种子层F1上形成第一金属层F3，第一金属层F3至少形成于第一镂空区220。

其中，第一金属层F3例如可以是铜。可以以第一种子层F1作为电镀工艺的导电层在第一镂空区220暴露的第一种子层F1上电镀形成第一金属层F3。第一金属层F3仅形成于第一镂空区220暴露的第一种子层F1上。

S205：如图7和图8所示，去除第一图案化光阻层210及未被第一镂空区220内的第一金属层F3覆盖的第一种子层F1，以形成具有第一图案化导电层310的初始导电基板300，其中，初始导电基板300在第一方向上对应于第一绑定区BA1、第二绑定区BA2及夹设于第一绑定区BA1和第二绑定区BA2之间的走线区LA。

其中，可通过灰化工艺或合适的湿法或干法刻蚀工艺去除第一图案化光阻层210。可通过湿法或干法刻蚀工艺去除未被第一镂空区220内的第一金属层F3覆盖的第一种子层F1。

形成的第一图案化导电层310可以包括第一图案化种子层311和第一图案化金属层312。

本发明实施例提供的覆晶薄膜的制造方法，还包括：

S206：如图9所示，在初始导电基板300的第一图案化导电层310上进一步形成第三金属层F7，第三金属层F7包覆第一图案化导电层310暴露的表面，以形成具有第三图案化导电层710的第一导电基板700。

第三金属层F7可用于保护第一图案化导电层310，例如用于防止第一图案化导电层310被氧化。第三金属层F7的材料可以是锡。可以以第一图案化导电层310为作为电镀工艺的导电层在第一图案化导电层310暴露的表面电镀形成第三金属层F7。

S207：如图10所示，在走线区LA设置第一保护层810，第一保护层810覆盖走线区LA内的第三图案化导电层710并填充其中各导体之间的间隙。

第一保护层810可以是绝缘层。第一保护层810可以是阻焊剂，材料例如可以是树脂。第一保护层810可以使得第三图案化导电层710与其他层电绝缘，也可以保护第三图案化导电层710在其他工艺(例如焊接工艺)步骤中不被损伤。第一保护层810例如可通过丝网印刷或模板印刷形成。

在第一图案化导电层310上未形成第三金属层F7的实施例中，第一保护层810可以覆盖走线区LA内的第一图案化导电层310并填充其中各导体之间的间隙。

在设置第一保护层810的步骤S207，本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法可以包括切割覆晶薄膜的步骤，以形成合适尺寸的覆晶薄膜。

本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，还包括：

S208：如图11所示，在第二绑定区BA2内设置具有引脚J1的芯片C1，并使芯片C1的引脚J1与第三图案化导电层710键合连接。

其中，引脚J1与第三图案化导电层710接触并形成电连接，芯片C1可通过引脚J1与第三图案化导电层710接收和发送电信号。

在第一图案化导电层310上未形成第三金属层F7的实施例中，芯片C1的引脚J1可与第一图案化导电层310键合连接。引脚J1与第一图案化导电层310接触并形成电连接。

S209：如图12所示，在芯片C1与母基板100之间填充封装材料900，使封装材料900包覆相连接的引脚J1和第三图案化导电层710。

封装材料900例如可以是环氧树脂。封装材料900能够固定引脚J1和第三图案化导电层710，使引脚J1与第三图案化导电层710之间良好接触。

在第一图案化导电层310上未形成第三金属层F7的实施例中，封装材料900可包覆相连接的引脚J1和第一图案化导电层310。封装材料900能够固定引脚J1和第一图案化导电层310，使引脚J1与第一图案化导电层310之间良好接触。

S210：如图13所示，在第二绑定区BA2设置第二保护层820，第二保护层820至少包覆封装材料900。

第二保护层820可以是绝缘层。第二保护层820的材料可与第一保护层810的材料相同。第二保护层820可以使得引脚J1和第三图案化导电层710与其他层电绝缘，也可以保护引脚J1和第三图案化导电层710在其他工艺(例如焊接工艺)步骤中不被损伤。第二保护层820例如可通过丝网印刷或模板印刷形成。

S211：如图14所示，去除补强层110。可通过使补强层110与柔性基层120分离以去除补强层110。

根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，通过第一种子层F1在第一中间基板200的第一镂空区220内形成第一金属层F3，使得第一金属层F3的精度基本上等于第一中间基板200中图案化第一光阻层210的精度，由于图案化第一光阻层210能够具有较高的精度，从而使得第一金属层F3具有较高的精度。并且，本发明实施例的第一金属层F3在形成第一中间基板200之后于第一镂空区220内形成，从而保证精度的同时能够具有较厚的厚度。

根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，由于覆晶薄膜是柔性的，且柔性基层120是相对薄的和柔性的，因而设置补强层110有助于支撑第一图案化导电层310及其他各层的形成。

请一并参阅图2和图15至图33，图2示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的俯视示意图，图15至图33示出根据本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法的另一个实施例的各步骤的结构示意图。其中，图15至图33中各步骤的结构示意图为沿图2的沿线B-B的截面结构示意图。

在另一些具体的实施例中，覆晶薄膜可以具有多层布线层，多层布线层可层叠设置。在如下的实施例中，以覆晶薄膜具有两层布线层为例进行说明。

本发明实施例提供的覆晶薄膜的制造方法，包括：

S301：如图15所示，提供母基板100。

其中，如图15所示，母基板100可包括补强层110及位于补强层110上的柔性基层120。补强层110可以是无机材料层，例如玻璃基板。柔性基层120可以是有机材料层，聚酰亚胺类树脂层。提供母基板100的步骤S301具体可包括提供补强层110及在补强层110上设置柔性基层120。

本发明实施例提供的覆晶薄膜的制造方法，还包括在母基板100上形成中间布线层的步骤。

S302：如图16所示，在母基板100上依次形成第二种子层F4及第二光阻层F5。

其中，第二种子层F4可以是金属层，例如铜。第二种子层F4可通过溅射工艺沉积在柔性基层120背向补强层110一侧的表面。

第二光阻层F5可以是光刻胶层。第二光阻层F5可通过旋涂工艺形成在第二种子层F4背向补强层110一侧的表面。

S303：如图17所示，图案化第二光阻层F5以形成具有第二图案化光阻层410和第二镂空区420的第二中间基板400，第二中间基板400通过第二镂空区420暴露至少部分第二种子层F4。

其中，可通过曝光和显影工艺图案化第二光阻层F5，形成具有第二镂空区420的第二中间基板400。

S304：如图18所示，至少在第二镂空区420暴露的第二种子层F4上形成第二金属层F6。

其中，第二金属层F6例如可以是铜。可以以第二种子层F4作为电镀工艺的导电层在第二镂空区420暴露的第二种子层F4上电镀形成第二金属层F6。第二金属层F6仅形成于第二镂空区420暴露的第二种子层F4上。

在一些可选地实施例中，第二金属层F6可采用溅射的方式形成，第二金属层F6在第二图案化光阻层410上及第二镂空区420暴露的第二种子层F4上形成。其中，第二图案化光阻层410上的第二金属层F6可在后续方法步骤中去除。

S305：如图19和20所示，去除第二图案化光阻层410及未被第二镂空区420内的第二金属层F6覆盖的第二种子层F4以形成具有第二图案化导电层510的第二导电基板500。

其中，可通过灰化工艺或合适的湿法或干法刻蚀工艺去除第二图案化光阻层410。可通过湿法或干法刻蚀工艺去除未被第二镂空区420内的第二金属层F6覆盖的第二种子层F4。

形成的第二图案化导电层510可以包括第二图案化种子层511和第二图案化金属层512。

S306：如图21所示，在第二导电基板500上设置平坦化层600，平坦化层600填充第二图案化导电层510中各导体之间的间隙。

平坦化层600可以是有机材料层。平坦化层600可以是绝缘层。平坦化层600例如可通过旋涂工艺形成。

S307：如图22所示，在平坦化层600背向母基板100的表面开设连接孔610，连接孔610暴露至少部分第二图案化导电层510。

可以通过湿法刻蚀、干法刻蚀或激光刻蚀等工艺形成连接孔610。

在母基板100上形成中间布线层的步骤可以包括上述步骤S302至步骤S307。

本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，还包括：

S308：如图23所示，在中间布线层上依次形成第一种子层F1及第一光阻层F2，具体地，在平坦化层600上依次形成第一种子层F1及第一光阻层F2，第一种子层F1形成在平坦化层600上并延伸至连接孔610暴露的第二图案化导电层510上。

其中，第一种子层F1可以是金属层，例如铜。第一种子层F1可通过溅射工艺沉积在柔性基层120背向补强层110一侧的表面。

第一光阻层F2可以是光刻胶层。第一光阻层F2可通过旋涂工艺形成在第一种子层F1背向补强层110一侧的表面。

S309：如图24所示，图案化第一光阻层F2以形成具有第一图案化光阻层210和第一镂空区220的第一中间基板200，第一中间基板200通过第一镂空区220暴露至少部分第一种子层F1。

其中，可通过曝光和显影工艺图案化第一光阻层F2，形成具有第一镂空区220的第一中间基板200。

S310：如图25所示，至少在第一镂空区220暴露的第一种子层F1上形成第一金属层F3，第一金属层F3至少形成于第一镂空区220。

其中，第一金属层F3例如可以是铜。可以以第一种子层F1作为电镀工艺的导电层在第一镂空区220暴露的第一种子层F1上电镀形成第一金属层F3。第一金属层F3仅形成于第一镂空区220暴露的第一种子层F1上。

S311：如图26和图27所示，去除第一图案化光阻层210及未被第一镂空区220内的第一金属层F3覆盖的第一种子层F1，以形成具有第一图案化导电层310的初始导电基板300，其中，初始导电基板300在第一方向上划分为第一绑定区BA1、第二绑定区BA2及夹设于第一绑定区BA1和第二绑定区BA2之间的走线区LA。

其中，可通过灰化工艺或合适的湿法或干法刻蚀工艺去除第一图案化光阻层210。可通过湿法或干法刻蚀工艺去除未被第一镂空区220内的第一金属层F3覆盖的第一种子层F1。

形成的第一图案化导电层310可以包括第一图案化种子层311和第一图案化金属层312。

本发明实施例提供的覆晶薄膜的制造方法，还包括：

S312：如图28所示，在初始导电基板300的第一图案化导电层310上进一步形成第三金属层F7，第三金属层F7包覆第一图案化导电层310暴露的表面，以形成具有第三图案化导电层710的第一导电基板700。

第三金属层F7可用于保护第一图案化导电层310，例如用于防止第一图案化导电层310被氧化。第三金属层F7的材料可以是锡。可以以第一图案化导电层310为作为电镀工艺的导电层在第一图案化导电层310暴露的表面电镀形成第三金属层F7。

S313：如图29所示，在走线区LA设置第一保护层810，第一保护层810覆盖走线区LA内的第三图案化导电层710并填充其中各导体之间的间隙。

第一保护层810可以是绝缘层。第一保护层810可以是阻焊剂，材料例如可以是树脂。第一保护层810可以使得第三图案化导电层710与其他层电绝缘，也可以保护第三图案化导电层710在其他工艺(例如焊接工艺)步骤中不被损伤。第一保护层810例如可通过丝网印刷或模板印刷形成。

在第一图案化导电层310上未形成第三金属层F7的实施例中，第一保护层810可以覆盖走线区LA内的第一图案化导电层310并填充其中各导体之间的间隙。

在设置第一保护层810的步骤S207，本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法可以包括切割覆晶薄膜的步骤，以形成合适尺寸的覆晶薄膜。

本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，还包括：

S314：如图30所示，在第二绑定区BA2内设置具有引脚J1的芯片C1，并使芯片C1的引脚J1与第三图案化导电层710键合连接。

其中，引脚J1与第三图案化导电层710接触并形成电连接，芯片C1可通过引脚J1与第三图案化导电层710接收和发送电信号。

在第一图案化导电层310上未形成第三金属层F7的实施例中，芯片C1的引脚J1可与第一图案化导电层310键合连接。引脚J1与第一图案化导电层310接触并形成电连接。

S315：如图31所示，在芯片C1与母基板100之间填充封装材料900，使封装材料900包覆相连接的引脚J1和第三图案化导电层710。

封装材料900例如可以是环氧树脂。封装材料900能够固定引脚J1和第三图案化导电层710，使引脚J1与第三图案化导电层710之间良好接触。

在第一图案化导电层310上未形成第三金属层F7的实施例中，封装材料900可包覆相连接的引脚J1和第一图案化导电层310。封装材料900能够固定引脚J1和第一图案化导电层310，使引脚J1与第一图案化导电层310之间良好接触。

S316：如图32所示，在第二绑定区BA2设置第二保护层820，第二保护层820至少包覆封装材料900。

第二保护层820可以是绝缘层。第二保护层820的材料可与第一保护层810的材料相同。第二保护层820可以使得引脚J1和第三图案化导电层710与其他层电绝缘，也可以保护引脚J1和第三图案化导电层710在其他工艺(例如焊接工艺)步骤中不被损伤。第二保护层820例如可通过丝网印刷或模板印刷形成。

S317：如图33所示，去除补强层110。可通过使补强层110与柔性基层120分离以去除补强层110。

本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，制备叠设的第一图案化导电层310和第二图案化导电层510，其中，通过第一种子层F1在第一中间基板200的第一镂空区220内形成第一金属层F3，以及通过第二种子层F4在第二镂空区420内形成第二金属层F6，使得第一金属层F3和第二金属层F6具有较高的精度，同时能够具有较厚的厚度。

而且，本发明实施例的覆晶薄膜的制造方法，能够制备具有多层金属层的覆晶薄膜，以在覆晶薄膜的宽度方向的尺寸不宜过宽的情况下，能够在覆晶薄膜设置更多的引线，以满足通过覆晶薄膜连接的器件之间的电信号传输需求。

本发明实施例提供一种覆晶薄膜，具有第一绑定区BA1、第二绑定区BA2及夹设于第一绑定区BA1和第二绑定区BA2之间的走线区LA。覆晶薄膜包括母基板100和第一图案化导电层310。

母基板100。母基板100可以包括一层或多个层。母基板100可包括柔性的有机材料层，例如聚酰亚胺类树脂层。母基板100还可包括无机材料层，例如氧化硅层、氮化硅层。

第一图案化导电层310位于母基板100上且具有第一图案，第一图案化导电层310包括第一图案化种子层311和第一图案化金属层312，第一图案化种子层311位于母基板100上且具有第一图案，第一图案化金属层312位于第一图案化种子层311背向母基板100的一侧且具有第一图案，第一图案化种子层311在母基板100上的正投影与第一图案化金属层312在母基板100上的正投影重叠。

在一些可选的实施例中，本发明实施例的覆晶薄膜还包括第二图案化导电层510和平坦化层600。

第二图案化导电层510位于母基板100与第一图案化导电层310之间且具有第二图案，第二图案化导电层510包括第二图案化种子层511和第二图案化金属层512，第二图案化种子层511位于母基板100上且具有第二图案，第二图案化金属层512位于第二图案化种子层511背向母基板100的一侧且具有第二图案，第二图案化种子层511在母基板100上的正投影与第二图案化金属层512在母基板100上的正投影重叠。

平坦化层600位于第二图案化导电层510与第一图案化导电层310之间，平坦化层600背向母基板100的表面具有连接孔610，连接孔610暴露至少部分第二图案化导电层510，至少部分第一图案化导电层310延伸至连接孔610以与至少部分第二图案化导电层510电连接。

本发明实施例的覆晶薄膜可通过本发明上述实施例的覆晶薄膜的制造方法制得。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。