阅读说明：本技术 凸块封装结构和凸块封装结构的制作方法 (Bump package structure and manufacturing method thereof ) 是由 何正鸿 孙杰 于 2020-06-23 设计创作，主要内容包括：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制作方法,涉及半导体封装技术领域,该凸块封装结构包括基体、设置在基体上的第一导电凸块、设置在第一导电凸块上的第二导电凸块和设置在第二导电凸块上的锡球；其中,第二导电凸块的宽度L2大于第一导电凸块的宽度L1；第二导电凸块上开设有凹槽,锡球覆盖在第二导电凸块上并部分填充在凹槽中。第一导电凸块和第二导电凸块的T字形结构能够大幅提升铜柱凸块的结构强度。同时通过设置凹槽,提高了焊料与第二导电凸块之间的结合力,并且使得焊料能够起到一定的缓冲作用,从而能够避免由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片焊接点上导致焊点隐裂甚至失效的问题。(The embodiment of the invention provides a bump packaging structure and a manufacturing method thereof, relating to the technical field of semiconductor packaging, wherein the bump packaging structure comprises a base body, a first conductive bump arranged on the base body, a second conductive bump arranged on the first conductive bump and a solder ball arranged on the second conductive bump; wherein the width L2 of the second conductive bump is greater than the width L1 of the first conductive bump; the second conductive bump is provided with a groove, and the solder ball covers the second conductive bump and is partially filled in the groove. The T-shaped structures of the first conductive bump and the second conductive bump can greatly improve the structural strength of the copper pillar bump. Meanwhile, the groove is formed, so that the bonding force between the solder and the second conductive bump is improved, the solder can play a certain buffering role, and the problem that the welding spot is hidden or even fails due to the stress caused by the mismatch of the thermal expansion coefficients on the chip welding point can be solved.)

凸块封装结构和凸块封装结构的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种凸块封装结构和凸块封装结构的制作方法。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，倒装封装结构广泛应用于半导体行业中倒装芯片封装利用凸块进行芯片与基体之间的电性连接。凸块包括了铜柱、金属层（UBM：under bumpmetalization)以及保护层（passivation）,其铜柱凸块可得到具有最小间距，倒装基体铜层采用core-less无核基体和无核基体，其材料多见为FR4树脂或BT树脂，基体在受到外界力学、时间、温度、湿度等条件的影响下，会发生不可逆转的塑性形变以及封装体内部芯片材料硅（热膨胀系数为2.5 ppm/C）与基体材料（热膨胀系数为12 ppm/C）、材料，由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片bump（焊接点）上，该应力引起产品性能下降，甚至失效。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制作方法，其提高了凸块的连接强度，能够避免由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片bump（焊接点）上导致焊点隐裂甚至失效的问题。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明实施例提供一种凸块封装结构，包括：

基体；

设置在所述基体上的第一导电凸块；

设置在所述第一导电凸块上的第二导电凸块，且所述第二导电凸块的宽度大于所述第一导电凸块的宽度；

设置在所述第二导电凸块上的锡球；

其中，所述第二导电凸块上开设有凹槽，所述锡球覆盖在所述第二导电凸块上并部分填充在所述凹槽中。

在可选的实施方式中，所述基体上还设置有盖帽层，所述盖帽层具有凸块开口，所述第一导电凸块设置在所述凸块开口中，以使所述盖帽层包覆在所述第一导电凸块外。

在可选的实施方式中，所述盖帽层由非导电材料形成。

在可选的实施方式中，所述凹槽延伸至所述第一导电凸块，所述锡球部分填充在所述凹槽中并与所述第一导电凸块相接触。

在可选的实施方式中，所述基体上还设置有具有开口的保护层，所述开口内设置有金属垫，所述金属垫上设置有金属层，所述第一导电凸块设置在所述金属层上，以使所述第一导电凸块与所述基体电连接。

在可选的实施方式中，所述金属层包括设置在所述金属垫上的第一导电部和设置在部分所述保护层上的第二导电部，所述第一导电凸块设置在所述第一导电部上。

在可选的实施方式中，所述保护层由高分子介电材料形成。

在可选的实施方式中，所述金属层包括Ti、TiN、TaN、Ta中至少一种材料。

在可选的实施方式中，所述锡球包括Sn、SnAg、SnAgCu中至少一种材料。

第二方面，本发明实施例提供一种凸块封装结构的制作方法，包括：

在所述基体上形成第一导电凸块；

在所述第一导电凸块上形成第二导电凸块；

在所述第二导电凸块上开槽，并形成凹槽；

在所述第二导电凸块上形成锡球；

其中，所述第二导电凸块的宽度大于所述第一导电凸块的宽度，所述锡球覆盖在所述第二导电凸块上并部分填充在所述凹槽中。

在可选的实施方式中，所述在所述基体上形成第一导电凸块的步骤，包括：

在所述基体表面涂保护层，并利用光刻工艺开口出金属垫；

利用溅射工艺形成金属层；

在所述金属层上涂盖帽层，并利用光刻工艺形成凸块开口；

在所述凸块开口内电镀铜层，并形成所述第一导电凸块。

在可选的实施方式中，所述在所述第一导电凸块上形成第二导电凸块的步骤，包括：

在所述第一导电凸块上覆盖图案化的光感层，并利用光刻/蚀刻工艺形成过渡开口，并漏出所述第一导电凸块；

在所述过渡开口内电镀铜层，并形成所述第二导电凸块。

在可选的实施方式中，所述在所述第二导电凸块上开槽的步骤之后，还包括：

利用光刻/蚀刻工艺去除光感层和部分盖帽层，并漏出所述金属层；

利用蚀刻工艺去除部分所述金属层。

在可选的实施方式中，所述在所述第二导电凸块上开槽的步骤，包括：

利用激光开槽工艺在所述第二导电凸块上开设多个凹槽；

其中每个所述凹槽延伸至所述第一导电凸块，以使所述锡球与所述第一导电凸块相接触。

本发明实施例的有益效果包括，例如：

本发明提供的一种凸块封装结构及其制作方法，通过设置第一导电凸块和第二导电凸块，且第二导电凸块的宽度大于第一导电凸块，使得第二导电凸块和第一导电凸块形成T字形结构，并且在第二导电凸块上植球形成锡球，从而能够使得锡球体积增大，并且在横向上拓宽了铜柱凸块的尺寸，进而使得T字形结构能够大幅提升铜柱凸块的结构强度。同时，通过在第二导电凸块上开槽，并在植球时使得焊料进入凹槽，大大提升了焊料与第二导电凸块的焊接面积，提高了焊料与第二导电凸块之间的结合力，并且使得焊料能够起到一定的缓冲作用，从而能够避免由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片焊接点上导致焊点隐裂甚至失效的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明第一实施例提供的凸块封装结构的示意图；

图2为本发明第二实施例提供的凸块封装结构的制作方法步骤框图；

图3至图12为本发明第二实施例提供的凸块封装结构的流程结构图。

图标：100-凸块封装结构；110-基体；130-第一导电凸块；131-盖帽层；133-凸块开口；150-第二导电凸块；151-凹槽；170-锡球；180-金属层；190-保护层；191-金属垫；200-光感层；210-过渡开口。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

正如背景技术中所公开的，现有技术中由于将芯片直接倒装在基体上，并通过锡球实现焊接，由于基体和芯片热膨胀系数不同造成的热应力直接作用在芯片焊点上，容易引起焊点脱落，进而引起产品性能下降，甚至失效。本发明提供的凸块封装结构，通过提升焊料和凸块之间的结合强度，避免焊点脱落，同时提升凸块结构强度，避免由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片焊接点上导致焊点隐裂甚至失效的问题。

第一实施例

请参考图1，本实施例提供了一种凸块封装结构100，其能够提升整体的结构强度和连接强度，避免由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片焊接点上导致焊点隐裂甚至失效的问题，并能够有效保护结构免受水汽、离子污染、辐射或不利的环境侵扰。

本实施例提供的凸块封装结构100，包括基体110、设置在基体110上的第一导电凸块130、设置在第一导电凸块130上的第二导电凸块150和设置在第二导电凸块150上的锡球170；其中，第二导电凸块150的宽度L2大于第一导电凸块130的宽度L1；第二导电凸块150上开设有凹槽151，锡球170覆盖在第二导电凸块150上并部分填充在凹槽151中。

在本实施例中，基体110为半导体芯片上的基体110结构，本实施例中凸块封装结构100应用在倒装封装结构中，即半导体芯片为倒装芯片，第一导电凸块130和第二导电凸块150作为芯片bump，并通过锡球170焊接在基体上，实现芯片的倒装。

通过设置第一导电凸块130和第二导电凸块150，且第二导电凸块150的宽度L2大于第一导电凸块130的宽度L1，使得第二导电凸块150和第一导电凸块130形成T字形结构，并且在第二导电凸块150上植球形成锡球170，从而能够使得锡球170体积增大，并且在横向上拓宽了铜柱凸块的尺寸，进而使得T字形结构能够大幅提升铜柱凸块的结构强度。同时，通过在第二导电凸块150上开槽，并在植球时使得焊料进入凹槽151，大大提升了焊料与第二导电凸块150的焊接面积，提高了焊料与第二导电凸块150之间的结合力，并且使得焊料能够起到一定的缓冲作用，从而能够避免由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在芯片焊接点上导致焊点隐裂甚至失效的问题。

需要说明的是，本实施例中第一导电凸块130和第二导电凸块150的宽度，指的是其在平行于基体110方向上的尺寸大小，第二导电凸块150的宽度L2大于第一导电凸块130的宽度L1，即指的是第一导电凸块130的横向尺寸小于第二导电凸块150的横向尺寸，使得第一导电凸块130和第二导电凸块150形成T字形结构，且第一导电凸块130和第二导电凸块150先后成型，并熔融为一体，通过第二导电凸块150的外扩，使得其结构尺寸得以拓宽，提升了焊接面积，能够承载更多焊料，进一步提升了整体结构强度。

在本实施例中，基体110上还设置有盖帽层131，盖帽层131具有凸块开口133，第一导电凸块130设置在凸块开口133中，以使盖帽层131包覆在第一导电凸块130外。通过设置盖帽层131，且盖帽层131包覆在第一导电凸块130外，能够保护其结构免受水汽、离子污染、辐射或不利的环境(如，热力及机械力作用、冲击或震动)侵扰，同时盖帽层131能够起到缓冲作用，能够有效地消除或减小因热膨胀产生的应力。

需要说明的是，本实施例中盖帽层131由非导电材料形成，能够保证第一导电凸块130与外部绝缘，具体地，盖帽层131可以由胺类固化环氧化物材料、环氧化物高分子材料等形成，起到良好的缓冲、保护功能。

还需要说明的是，盖帽层131的尺寸与第二导电凸块150的尺寸相匹配，具体地，在形成第一导电凸块130和第二导电凸块150并植球后，需要对盖帽层131进行部分去除，利用光刻/蚀刻工艺将盖帽层131去除，由于第二导电凸块150的宽度L2大于第一导电凸块130的宽度L1，使得第二导电凸块150的边缘能够起到遮挡作用，避免盖帽层131被完全去除，使得第二导电凸块150下方的盖帽层131得以保留，并形成包覆在第一导电凸块130外的帽层结构。

在本实施例中，凹槽151延伸至第一导电凸块130，锡球170部分填充在凹槽151中并与第一导电凸块130相接触。具体地，通过在第二导电凸块150的上侧表面激光开槽，形成贯穿至第一导电凸块130的凹槽151，使得第一导电凸块130外漏，在第二导电凸块150上植球后，焊料能够渗入到凹槽151中并与第一导电凸块130相接触，大大提高了焊料与第一导电凸块130和第二导电凸块150的接触面积，提高了焊料与导电凸块之间的结合力，使得整个结构一体性更好，避免热应力导致焊点隐裂。

在本实施例中，第二导电凸块150上通过激光开槽形成有多个凹槽151，多个凹槽151间隔设置，植球后，焊料填充在多个凹槽151内，回流后在第一导电凸块130表面形成锡球170。

需要说明的是，本实施例中第一导电凸块130和第二导电凸块150均为铜柱，通过电化学电镀铜层成型，第一导电凸块130和第二导电凸块150先后电镀铜层成型，且熔融为一体，起到电连接作用。

在本实施例中，基体110上还设置有具有开口的保护层190，开口内设置有金属垫191，金属垫191上设置有金属层180，第一导电凸块130设置在金属层180上，以使第一导电凸块130与基体110电连接。通过金属垫191、金属层180、第一导电凸块130、第二导电凸块150和锡球170形成焊接点结构，从而实现倒装芯片与基体之间的电连接。

在本实施例中，金属层180包括设置在金属垫191上的第一导电部和设置在部分保护层190上的第二导电部，第一导电凸块130设置在第一导电部上。具体地，在基体110表面涂保护层190后利用光刻工艺开口出金属垫191，再通过溅射工艺在基体110表面形成金属层180，其中第一导电部和第二导电部厚度均等，并分别覆盖在保护层190和金属垫191上，从而使得第一导电部相较于第二导电部向下凹陷，形成一能够容置第一导电凸块130下部的凹部，提高了第一导电凸块130与金属层180之间的接触面积，使得第一导电凸块130与金属层180之间的连接强度更高，提高金属层180与铜柱凸块之间的结合性，避免产品焊接失效。

需要说明的是，本实施例中通过光刻工艺在盖帽层131开口出凸块开口133，并通过在凸块开口133中电镀铜层形成第一导电凸块130，其中凸块开口133延伸至第一导电部，使得第一导电部外漏，再电镀铜层后使得第一导电凸块130与第一导电部之间能够电性接触。

在实施例中，保护层190由高分子介电材料形成，例如环氧化物、聚亚酰胺苯环丁烯等。金属层180包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钽(Ta)等，金属层180的厚度根据需求设计。

在本实施例中，锡球170可以为Sn、SnAg、SnAgCu等材料，具体地，在植球时，焊料填充第二导电凸块150上的凹槽151，回流后在第二导电凸块150表面形成锡球170，锡球170的部分焊料填充在凹槽151中。

综上所述，本实施例提供的凸块封装结构100，通过在第二导电凸块150上激光开槽，形成凹槽151，在进行植球时，焊料进入凹槽151与第一导电凸块130相接触并结合，可以更好地提升焊料与第一导电凸块130和第二导电凸块150之间的结合力，其结构强度更高以及起到缓冲结构的作用，通过设置T字形铜柱凸块，即第一导电凸块130的宽度L1小于第二导电凸块150的宽度L2，可以大幅提升铜柱凸块的整体结构强度，通过将盖帽层131设置在第二导电凸块150下方，利用其材料特性，能够起到保护其结构免受水汽、离子污染、辐射或不利的环境侵扰(如，热力及机械力作用、冲击或震动)，同时也可以起到缓冲保护作用。

第二实施例

参见图2，本实施例提供了一种凸块封装结构100的制作方法，用于制作如第一实施例提供的凸块封装结构100，该方法包括：

S1：在基体110上形成第一导电凸块130。

具体而言，在基体110表面涂保护层190，并利用光刻工艺开口出金属垫191，再利用溅射工艺形成金属层180，在金属层180上涂盖帽层131，并利用光刻工艺形成凸块开口133，在凸块开口133内电镀铜层，并形成第一导电凸块130。

具体地，首先取一基体110，在基体110表面涂保护层190（passivation）后，利用光刻工艺（曝光/显影/烘烤）开口出金属垫191后，再利用溅射工艺，在基体110表面溅射金属层180（UBM:under bump metalization）。其中保护层190可以为高分子介电材料所构成，例如环氧化物、聚亚酰胺苯环丁烯等。金属层180材料可以为钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钽(Ta)等中的至少一种，其厚度根据需求设计。

再在金属层180上涂盖帽层131，通过光刻工艺（曝光/显影/烘烤），开口出凸块开口133，凸块开口133开至金属层180，使得金属层180外漏。其中盖帽层131材料为非导电材料，如胺类固化环氧化物材料、环氧化物高分子等，盖帽层131能够保护凸块开口133内的结构免受水汽、离子污染、辐射或不利的环境侵扰(如，热力及机械力作用、冲击或震动)，同时可以起到缓冲保护作用。

再利用电化学电镀在凸块开口133内电镀铜层，并形成第一导电凸块130。第一导电凸块130与金属层180相接触，实现电连接。其中第一导电凸块130填充在凸块开口133中，且第一导电凸块130的高度与盖帽层131的高度相适配，使得第一导电凸块130与盖帽层131相平齐。

S2：在第一导电凸块130上形成第二导电凸块150。

具体而言，通过在第一导电凸块130上覆盖图案化的光感层200，并利用光刻/蚀刻工艺形成过渡开口210，并漏出第一导电凸块130，在过渡开口210内电镀铜层，并形成第二导电凸块150。

具体地，在形成第一导电凸块130的步骤之后，利用覆盖图案化的光感层200在第一导电凸块130和盖帽层131之上，其中图案化图形位置与第一导电凸块130的位置相对应。再利用光刻或蚀刻工艺将图案化图形去除，形成过渡开口210，漏出第一导电凸块130，其中过渡开口210的尺寸大于第一导电凸块130的尺寸。漏出第一导电凸块130后，再利用电化学电镀铜层，在过渡开口210中形成第二导电凸块150，使得第二导电凸块150的宽度L2大于第一导电凸块130的宽度L1，并形成T字形结构。其中，光感层200可采用光感刻蚀剂，可通过光刻或蚀刻工艺去除。

S3：在第二导电凸块150上开槽，并形成凹槽151。

具体而言，通过激光开槽方式，在第二导电凸块150上开出多个凹槽151，具体地，通过控制开槽深度，使得每个凹槽151均延伸至第一导电凸块130，从而使得第一导电凸块130外漏。

S4：利用光刻/蚀刻工艺去除光感层200和部分盖帽层131，并漏出金属层180。

具体而言，光感层200和盖帽层131重叠设置，在开出多个凹槽151后，利用光刻或蚀刻工艺将光感层200和盖帽层131去除，并漏出金属层180。具体地，由于第二导电凸块150的宽度L2大于第一导电凸块130的宽度L1，使得第二导电凸块150遮挡在部分盖帽层131上，在利用光刻或蚀刻工艺将光感层200和盖帽层131去除时，可将全部光感层200和部分未遮挡的盖帽层131去除，从而留下包覆在第一导电凸块130外并位于第二导电凸块150下方的部分盖帽层131，也就是说，此处第一导电凸块130和第二导电凸块150形成的T字形结构，还能够有助于盖帽层131的最终成型。

S5：利用蚀刻工艺去除部分金属层180。

具体而言，在漏出金属层180后，再利用蚀刻工艺，将金属层180去除，由于第一导电凸块130和保留的盖帽层131均遮挡住部分金属层180，故利用蚀刻工艺去除金属层180时，可将外围的部分金属层180去除，遮挡的部分金属层180得以保留。

具体地，保留的金属层180包括第一导电部和第二导电部，其为一体结构，并由于保护层190的开口而导致二者高度呈现差异，并形成一能够容置第一导电凸块130下部的凹部，提高了第一导电凸块130与金属层180之间的接触面积，使得第一导电凸块130与金属层180之间的连接强度更高，提高金属层180与铜柱凸块之间的结合性，避免产品焊接失效。

S6：在第二导电凸块150上形成锡球170。

具体而言，在第二导电凸块150的表面，完成植球工艺，形成焊料，其中锡球170可以为Sn、SnAg、SnAgCu等材料，其焊料填充凹槽151，回流后在其第二导电凸块150的表面形成锡球170。

需要说明的是，本实施例中通过设置凹槽151，使得焊料与第二导电凸块150和第一导电凸块130之间的接触面积增大，提升了焊料的结合力，并且第二导电凸块150宽度增加并形成T字形结构，提高了铜柱的结构强度，同时也使得第二导电凸块150的表面焊料量增多，进一步提高了焊料的结合力，避免焊接失效。

本发明提供的凸块封装结构100的制作方法，如图3至图12所示，在实际操作时，包括提供基体110-涂胶、光刻-溅射-涂胶、光刻-电镀-涂胶、光刻-电镀-激光开槽-光刻/蚀刻-植球等步骤，具体如下：

步骤1.基材：如图3所示，取一基材，其中基材可以是半导体芯片的基材。

步骤2.涂胶、光刻工艺：如图4所示，在基材表面涂保护层190后，利用光刻工艺（曝光/显影/烘烤）开口出金属垫191。

步骤3.溅射金属：如图5所示，利用溅射工艺，在基材表面溅射金属层180（UBM :under bump metalization）。

步骤4.涂胶、光刻工艺：如图6所示，再在金属层180上涂盖帽层131，通过光刻工艺（曝光/显影/烘烤），开口出凸块开口133。

步骤5.电镀：如图7所示，利用电化学电镀工艺，在凸块开口133内电镀铜层，形成第一导电凸块130。

步骤6.涂胶、光刻工艺：如图8所示，利用覆盖图案化的光感层200在第一导电凸块130上，利用光刻或蚀刻工艺将图案化的图形去除，形成过渡开口210，漏出第一导电凸块130。

步骤7.电镀：如图9所示，利用电化学工艺，在过渡开口210内电镀铜层，形成第二导电凸块150。

步骤8.激光开槽：如图10所示，利用激光将第二导电凸块150的表面开出多个凹槽151。

步骤9.光刻/蚀刻：如图11所示，利用光刻或蚀刻工艺，将保护层190和部分盖帽层131去除，漏出金属层180，再利用蚀刻原理去除多余的金属层180。

步骤10.植球：如图12所示，通过印刷方式在其铜柱凸块一表面印刷焊料，形成锡球170。

本实施例提供的凸块封装结构100的制作方法，通过在第二导电凸块150上激光开槽形成凹槽151，在进行植球时，焊料进入凹槽151与第一导电凸块130和第二导电凸块150相结合，可以更好地提升焊料与铜柱凸块的结合力，其结构强度更高，并起到缓冲结构作用。通过设计T字形铜柱凸块，可以大幅提升铜柱凸块的结构强度，通过设计盖帽层131，利用其材料特性，起到保护其结构免受水气、离子污染、辐射或不利的环境侵扰(如，热力及机械力作用、冲击或震动)，同时可以起到缓冲保护作用。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。