阅读说明：本技术 一种适用于高密度高功率的封装结构及制造方法 (Packaging structure suitable for high-density high-power and manufacturing method ) 是由 徐健 曹立强 于 2019-09-25 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种适用于高密度高功率的封装结构及其制作方法,包括引线框架结构,引线框架结构具有散热结构,在边缘两侧制作封装引脚；在引线框架上表面中间固定转接板,转接板上下表面分布有走线,转接板边缘区域的焊盘与封装引脚通过导线连接；在转接板上表面安装芯片；对引线框架结构、转接板、芯片形成的整体结构进行塑封。(The invention provides a packaging structure suitable for high-density high-power and a manufacturing method thereof, wherein the packaging structure comprises a lead frame structure, wherein the lead frame structure is provided with a heat dissipation structure, and packaging pins are manufactured on two sides of the edge; the middle of the upper surface of the lead frame is fixed with an adapter plate, the upper surface and the lower surface of the adapter plate are distributed with wires, and a bonding pad at the edge area of the adapter plate is connected with a packaging pin through a wire; installing a chip on the upper surface of the adapter plate; and plastically packaging the whole structure formed by the lead frame structure, the adapter plate and the chip.)

一种适用于高密度高功率的封装结构及制造方法

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种高密度集成封装结构及其制造方法。

背景技术

随着全球市场的高速发展，用户对多功能、高性能、高集成度电子产品的需求越来越大，已从智能手机、平板等消费产品扩展到5G通信、微波雷达、大型数据中心等高端产品，结合近年摩尔定律与“后摩尔定律”相结合的技术发展趋势，未来产品的发展方向是高密度集成和体积微型化，产品集成度、复杂度越来越高、功耗和成本越来越低。在后摩尔时代要实现产品性能提升、体积减小及成本降低，有赖于先进封装的技术突破，相应的就对先进封装高密度集成工艺提出了更高的要求。

传统集成电路封装采用引线框架结构，系统间的IO数量较少，无法实现高密度封装结构，难以满足产品高密度集成的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装结构及其制作方法，以解决以上所提出的技术问题，实现产品的高密度集成。

为实现上述目的，

本发明一方面提供了一种适用于高密度高功率的封装结构，包括引线框架结构，中部具有散热结构，两侧边缘制作有封装引脚；转接板，所述转接板固定于所述引线框架结构上表面中部，上下表面分布有走线，所述转接板边缘区域的焊盘与所述封装引脚通过导线连接，用于信号互联；芯片，所述芯片安装在所述转接板上表面；所述引线框架结构、转接板、芯片外侧被塑封材料包裹；其中，所述芯片为N个芯片，N为自然数。

在本发明的实施例中，所述散热结构采用具有导电性能的金属材料。

在本发明的实施例中，所述转接板固定在所述散热结构上，所述转接板包括由上向下依次层叠设置的顶部布线层、绝缘层和底部布线层，顶部布线层具有一层或多层导电线路及设置在导电线路之间的绝缘介质，顶部布线层的上表面设有多个用于安装芯片且具有导电性的焊盘和/或凸起；底部布线层具有一层或多层导电线路及设置在导电线路之间的绝缘介质；所述绝缘层中具有多个通孔，在通孔内填充有导电材料或导热材料，从而在顶部布线层与底部布线层之间形成电或热连通。

在本发明的实施例中，所述转接板是硅转接板、玻璃转接板或有机转接板。

在本发明的实施例中，所述底部布线层的下侧面通过导热材料连接到所述散热结构。

在本发明的实施例中，所述塑封材料为环氧树脂、固化胶或EMC材料。

本发明另一方面提供了上述任一种封装结构的制作方法，该制作方法包括：制作引线框架结构，在引线框架结构两侧边缘制作封装引脚；在引线框架结构上表面中部固定转接板；在转接板上安装芯片，通过引线将转接板边缘区域的焊盘与封装引脚连接；在引线框架结构、转接板、芯片组成的的整体结构外侧进行塑封并切割。

在本发明的一些实施例中，所述芯片采用正贴引线工艺与所述转接板连接。

在本发明的一些实施例中，所述芯片采用倒装焊接工艺与所述转接板连接。

在本发明的一些实施例中，所述引线框架结构通过模具冲压法或化学刻蚀法等方法制作。

本发明的技术优势：

1)提高整体布线密度：本发明采用了带TSV设计的转接板，保证了芯片的高密度互联，提高整体布线密度，减小封装体积。

2)保证系统高频特性：本发明芯片信号通过转接板互联，信号连接少，避免系统高频特性损坏。

3)增强散热性能：本发明采用背部金属孤岛封装结构，散热性能更好。

附图说明

图1为本发明的一个实施例的一种适用于高密度高功率封装结构的剖面示意图。

图2为本发明实施例一种适用于高密度高功率封装结构的制作流程图。

图3A至图3D为本发明实施例一种适用于高密度高功率封装结构的制作过程的剖面示意图。

具体实施方式

本发明提供了一种适用于高密度高功率的封装结构及其制作方法，通过采用可进行高密度互联的转接板结构，提高整体布线密度，同时采用背部金属孤岛封装结构，优化散热性能。

下面结合本发明实施例的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1示出本发明一个实施例的一种适用于高密度高功率的封装结构100的剖面示意图。如图1所示，该封装结构包括引线框架结构101，引线框架结构101具有散热结构102，引线框架结构101边缘两侧制作有封装引脚103。引线框架101上表面中间固定有转接板104，转接板104上下表面分布有走线，所述转接板104边缘区域的焊盘与所述封装引脚103通过导线连接，用于信号互联。芯片105安装在转接板104上表面；引线框架结构101、转接板104、芯片105形成整体结构，外侧被塑封材料107包裹。其中，芯片105可为多个芯片。

在图1所示的实施例中，引线框架101是转接板104和芯片105载体，借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现转接板104的电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路。引线框架101可通过模具冲压法和化学刻蚀法等方法形成。引线框架结构101的材料可采用铜合金、铁镍合金等，例如，铜合金大致分为铜-铁系、铜-镍-硅系、铜-铬系、铜-镍-锡系(JK-2合金)等，三元、四元等多元系铜合金能够取得比传统二元合金更优的性能，更低的成本，铜-铁系合金的种类最多，具有较好的机械强度，抗应力松弛特性和低蠕变性，是一类很好的引线框架材料。引线框架结构101的材料可主要根据产品需要的性能，例如强度、导电性能以及导热性能等来选择。

在图1所示的实施例中，散热结构102的材料为导电性能较好的金属材料，例如，铜、铝、铁等，在提高散热性能的同时，还可以起到信号接地的作用。

在图1所示的实施例中，转接板104采用TSV设计，进一步提高布线密度。转接板104采用可进行高密度互联的转接板结构，例如硅转接板、玻璃转接板和有机转接板等等。转接板104包括由上向下依次层叠设置的顶部布线层、绝缘层和底部布线层，顶部布线层可以具有一层或多层导电线路及设置在导电线路之间的绝缘介质，顶部布线层的上表面设有多个用于安装芯片且具有导电性的焊盘和/或凸起。底部布线层可以具有一层或多层导电线路及设置在导电线路之间的绝缘介质，底部布线层的下侧面可以通过导热材料连接到散热结构102。绝缘层的材料为硅、玻璃或有机物。绝缘层中具有多个通孔，可在通孔内填充有导电材料或导热材料，从而在顶部布线层与底部布线层之间形成电或热连通。

在图1所示的实施例中，可以在转接板104的表面安装多种不同功能的芯片，安装的方式可以是通过BGA焊球的倒装、表贴(焊接或粘接)后进行引线键合。虽然图1示出了三个芯片的安装，然而本发明的保护范围不限于此。在本发明的其他实施例中，可以在转接板104的表面安装更多或更少的芯片。BGA焊球所采用的材料可以是锡铅合金、锡铅银合金、锡银铜合金、金锗合金、金锡合金中的任意一种。其中BGA焊球的材料、组分及尺寸大小根据实际产品的组装需求进行相应选择。

在图1所示的实施例中，一个或多个芯片105可以是处理器、DSP、FPGA、AI芯片等逻辑运算芯片，也可以是存储器、传感器等专用芯片。

在图1所示的实施例中，塑封材料107的材料可以为环氧树脂、固化胶、EMC等材料。

图2示出本发明实施例形成适用于高密度高功率的封装结构的流程图200。图3A至图3D示出根据本发明的实施例形成适用于高密度高功率的封装结构的过程的剖面示意图。下面结合图2及图3A至图3D介绍适用于高密度高功率的封装结构的制造过程。

需要说明的是，为了方便区分各步骤，本发明的实施例以特定顺序对工艺步骤进行描述，这并不是限定各步骤的先后顺序，在本发明的不同实施例中，可以根据工艺的调节来调整各步骤的先后顺序。

首先，步骤201，制作引线框架结构101。在引线框架两侧边缘部分制作封装引脚103，引线框架结构中部为散热结构102，在图3A所示的实施例中，散热结构102为金属孤岛，然而本发明范围不限于此，可根据实际需求，选择其他类型散热结构。引线框架结构101可通过模具冲压法和化学刻蚀法等方法形成。可主要根据产品需要的性能，例如强度、导电性能以及导热性能等来选择引线框架结构101的材料。

步骤202，将转接板104固定到在引线框架的散热结构上。在图3B所示的实施例中，转接板104采用TSV设计，且在上下表面分布有走线。

步骤203，将芯片105安装在转接板104上，并在转接板边缘区域进行与封装引脚的引线互连。在图3C所示的实施例中，两侧的芯片105采用倒桩焊接工艺焊接安装在转接板104上，中间的芯片105采用正贴引线工艺焊接，然而本发明范围不限于此，也可根据需求，采用其他的芯片安装工艺。转接板104边缘的焊盘通过引线106与封装引脚103连接。

步骤204，塑封、切割，形成单颗封装体结构。在图3D所示的实施例中，采用EMC材料对由引线框架结构101、转接板104、芯片105、引线106组成的整体结构进行塑封，然而本发明范围不限于此，也可根据实际需求，采用其他材料进行塑封。

在本发明的实施例中，采用了TSV设计的转接板，与传统的集成电路封装相比，保证了芯片的高密度互联，提高了整体布线密度，减小了封装体积。芯片信号通过转接板进行互连，有效保证了高频信号不受损。背部金属孤岛在提高散热性能的同时，还可以起到信号接地的作用。

尽管上文描述了本发明的各实施例，但是，应该理解，它们只是作为示例来呈现的，而不作为限制。对于相关领域的技术人员显而易见的是，可以对其做出各种组合、变型和改变而不背离本发明的精神和范围。因此，此处所公开的本发明的宽度和范围不应被上述所公开的示例性实施例所限制，而应当仅根据所附权利要求书及其等同替换来定义。