阅读说明：本技术 测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法 (Test piece, manufacturing method thereof and detection method of wafer bonding defects ) 是由 姚佳辉 于 2019-09-20 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法以及半导体器件的制造方法,通过将测试片和第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合,以形成晶圆键合结构,且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面；以及,扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形,并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标,获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况,使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常,从而避免导致批量产品异常。(The invention provides a test piece and a manufacturing method thereof, a detection method of wafer bonding defects and a manufacturing method of a semiconductor device, wherein the test piece and a second wafer are placed on a wafer bonding machine table for bonding to form a wafer bonding structure, and a bonding pattern on the test piece is positioned on the top surface of the wafer bonding structure; and scanning the bonding pattern on the top surface of the wafer bonding structure, and obtaining the distribution condition of the deformation defects in the wafer bonding structure according to the scanning result and the previous value coordinates of the bonding pattern on the test piece, so that whether the deformation parameters of the wafer bonding machine are abnormal or not can be quickly and accurately detected, and the batch product abnormality is avoided.)

测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法以及半导体器件的制造方法。

背景技术

变形(distortion)参数是晶圆键合(bonder)机台的一个非常重要的参数，一旦变形参数的性能出现偏差(performance shift)，即会导致后续的工艺制程出现异常。因此，需要快速准确地检测晶圆键合机台的变形参数的表现，及时发现机台上出现故障的部件并进行改善，避免导致批量产品异常。

目前检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常的方法为：准备一个快速处理批，在晶圆键合之后快速进行后续的工艺，直至减薄工艺之后到达曝光站点，通过曝光机台检测键合标记(bonding mark)是否变形来判断晶圆键合机台的变形参数是否出现异常。但是，现有的方法存在如下问题：

1、现有的键合标记位于键合晶圆的键合界面上，如图1a所示，上层晶圆11与下层晶圆12键合，键合标记13位于键合界面的上层晶圆11上，而上层晶圆11很厚，使得曝光机台无法检测到键合标记，因此，需要在减薄工艺之后(如图1b所示)才能在曝光站点进行检测；而从晶圆键合之后到达曝光站点需要至少十几个小时，如果晶圆键合机台的变形参数出现异常，即会导致这段时间内键合的晶圆均会出现异常，受影响的数量较大；

2、影响键合界面上的键合标记变形的因素不仅包括晶圆键合机台上的变形参数，还包括晶圆上的键合标记本身在制造的时候即已变形，且不同晶圆上的键合标记的变形程度也不同，因此，现有的检测方法无法排除是哪一种因素导致晶圆上的键合标记变形，进而无法快速且准确地判断晶圆键合机台的变形参数是否出现异常；

3、键合界面上的键合标记仅有几十个，且仅量测X(水平方向)和Y方向(垂直方向)两个方向是否变形，而导致晶圆键合机台的变形参数异常的因素很多(例如上层晶圆与下层晶圆未对准、吸盘抓取上层晶圆时的吸附力不均以及键合时对上层晶圆的施力不均等)，如果无法准确找到键合晶圆上的具体出现变形的位置和方向，则无法准确分析出晶圆键合机台上导致变形参数异常的具体出现故障的部件。

因此，如何准确且快速地检测到晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常是目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法以及半导体器件的制造方法，使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

为实现上述目的，本发明提供了一种测试片的制造方法，所述测试片用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷，所述的测试片的制造方法包括：

提供第一晶圆；

在所述第一晶圆的表面形成键合图形；以及，

定义所述键合图形的各个位置的前值坐标。

可选的，所述键合图形包括至少100个键合标记。

可选的，所述测试片的制造方法还包括：在所述第一晶圆的形成有所述键合图形的表面上形成至少一个吸附膜层和/或至少一个键合膜层。

可选的，形成所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层的步骤包括：

形成光刻胶层于所述第一晶圆的形成有所述键合图形的表面；

曝光所述光刻胶层，且所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层所在位置上的所述光刻胶层不曝光，以形成图案化的光刻胶层；以及，

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一晶圆，以形成所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层。

本发明还提供了一种测试片，用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷，所述测试片包括第一晶圆，所述第一晶圆的表面形成有键合图形，且所述键合图形的各个位置具有已定义好的前值坐标。

可选的，所述键合图形包括至少100个键合标记。

可选的，所述测试片还包括：形成于所述第一晶圆的形成有所述键合图形的表面上的至少一个吸附膜层和/或至少一个键合膜层。

本发明还提供了一种晶圆键合缺陷的检测方法，包括：

提供本发明提供的所述测试片以及第二晶圆；

将所述测试片和所述第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合，以形成晶圆键合结构，且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面；以及，

扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况。

可选的，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况的步骤包括：

扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，以获得所述键合图形的各个位置的后值坐标；以及，

根据所述键合图形的各个位置的前值坐标和后值坐标，计算键合后与键合前的所述键合图形的各个位置在一直角坐标系中的矢量偏差值，以获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况；

其中，所述矢量偏差值包含所述键合图形上的同一位置在键合后与键合前的变形的方向以及水平坐标的差值和垂直坐标的差值。

可选的，所述晶圆键合缺陷的检测方法还包括：将所述测试片与所述第二晶圆分离，以及，扫描获得分离后的所述测试片上的键合图形的各个位置的坐标作为所述测试片的新的前值坐标，以将分离后的所述测试片重复用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷。

本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

采用本发明提供的所述晶圆键合缺陷的检测方法，检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况，以获得所述晶圆键合机台的造成所述晶圆键合结构中的变形缺陷的异常部件，并对所述异常部件进行维修改善。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

1、本发明的测试片的制造方法，通过在第一晶圆的表面形成键合图形，以及定义所述键合图形的各个位置的前值坐标，使得基于所述测试片形成的晶圆键合结构能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

2、本发明的测试片，由于第一晶圆的表面形成有键合图形，且所述键合图形的各个位置具有已定义好的前值坐标，使得基于所述测试片形成的晶圆键合结构能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

3、本发明的晶圆键合缺陷的检测方法，通过将本发明提供的所述测试片和第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合，以形成晶圆键合结构，且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面；以及，扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况，使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

4、本发明的半导体器件的制造方法，由于采用本发明提供的所述晶圆键合缺陷的检测方法，检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况，使得能够快速且准确地获得所述晶圆键合机台的造成所述晶圆键合结构中的变形缺陷的异常部件，并对所述异常部件进行维修改善，避免导致批量产品异常。

附图说明

图1a是现有的键合标记的位置示意图(键合晶圆减薄前)；

图1b是现有的键合标记的位置示意图(键合晶圆减薄后)；

图2是本发明一实施例的测试片的制造方法的流程图；

图3是本发明一实施例的测试片的吸附膜层和键合膜层的示意图；

图4是本发明一实施例的晶圆键合缺陷的检测方法的流程图；

图5是本发明一实施例的键合图形的位置示意图；

图6是本发明一实施例的晶圆键合缺陷的检测结果的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图1a～6对本发明提出的测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法以及半导体器件的制造方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明一实施例提供一种测试片的制造方法，参阅图2，图2是本发明一实施例的测试片的制造方法的流程图，所述测试片用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷，所述测试片的制造方法包括：

步骤S11，提供第一晶圆；

步骤S12，在所述第一晶圆的表面形成键合图形；

步骤S13，定义所述键合图形的各个位置的前值坐标。

下面更为详细的介绍本实施例提供的测试片的制造方法：

按照步骤S11，提供第一晶圆。所述第一晶圆可以包括衬底和设置于所述衬底至少一侧的膜层结构，即所述衬底的一侧或两侧设置有所述膜层结构。所述衬底可以为本领域技术人员熟知的任意合适的底材；所述膜层结构可以包括导电结构、栅极结构、介质层等，所述导电结构可以包括金属互连结构、电阻的极板或电容的极板，所述栅极结构可以是多晶硅栅极或金属栅极。需要说明的是，本发明对所述第一晶圆的结构不作限定，可以依据要形成的器件选择合适的所述第一晶圆。

按照步骤S12，在所述第一晶圆的表面形成键合图形。所述键合图形可以包括至少100个键合标记。可以理解的是，本发明的键合图形包括的键合标记的数量也可以少于100个。所述键合图形包括的键合标记的数量越多，使得后续通过所述键合图形的变形情况来判断晶圆键合机台的变形参数是否发生异常以及分析发生异常的位置越准确。所述键合标记的形状可以是圆形、方形、不规则形等，需要说明的是，本发明对所述键合标记的形状不作限定，可以根据后续检测晶圆键合缺陷的需要选择合适的形状。

另外，所述测试片的测试方法还包括：在所述第一晶圆的形成有所述键合图形的表面上形成至少一个吸附膜层或至少一个键合膜层，或者，同时形成至少一个吸附膜层和至少一个键合膜层。所述吸附膜层可以为圆形、方形或不规则形的平面，以使得所述晶圆键合机台上的吸盘能够吸附在所述吸附膜层上；所述键合膜层可以为圆形、方形或不规则形的平面，以使得所述晶圆键合机台上的键合顶针能够对所述键合膜层施加键合压力。所述吸附膜层和所述键合膜层的形状不作限定，只需是使得吸盘和键合顶针能够作业的平面即可；所述吸附膜层和所述键合膜层在所述第一晶圆上的位置也可不作限定。但是，为了对所述第一晶圆的吸附更加平稳，可以设置至少三个所述吸附膜层均匀分布于所述第一晶圆的表面上的靠近边缘的位置；以及，为了使得对所述第一晶圆施加的压力更加均衡，可以设置一个所述键合膜层于所述第一晶圆的表面的中心位置，如图3所示，设置四个方形的所述吸附膜层31均匀分布于所述第一晶圆的表面上的靠近边缘的位置，设置一个方形的所述键合膜层32于所述第一晶圆的表面的中心位置。

所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层可以同时形成，也可以分开不同的步骤形成。同时形成所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层的步骤可以包括：首先，形成光刻胶层于所述第一晶圆的形成有所述键合图形的表面，所述光刻胶层将所述键合图形覆盖；然后，曝光所述光刻胶层，且所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层所在位置上的所述光刻胶层不曝光，以形成图案化的光刻胶层；接着，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一晶圆，以形成所述键合图形以及所述吸附膜层和/或所述键合膜层。

按照步骤S13，定义所述键合图形的各个位置的前值坐标。也就是说，在所述第一晶圆进行键合工艺之前，先定义出所述第一晶圆上的键合图形的各个位置的坐标位置，即定义出所述键合图形包含的各个键合标记的坐标位置，以供后续计算获得所述键合图形的具体的变形情况。可以采用测试机台扫描定义出所述键合图形的各个位置的前值坐标，然后将前值坐标的数据导入到曝光机台中供后续使用；或者，也可以直接采用曝光机台检测定义出所述键合图形的各个位置的前值坐标。

将上述步骤S11至步骤S13制造的所述测试片与后续步骤的第二晶圆进行键合形成晶圆键合结构，以用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷，使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

另外，上述的测试片的制造方法中的各个步骤不仅限于上述的形成顺序，各个步骤的先后顺序可适应性的进行调整。

综上所述，本发明提供的测试片的制造方法，包括：提供第一晶圆；在所述第一晶圆的表面形成键合图形；以及，定义所述键合图形的各个位置的前值坐标。本发明的测试片的制造方法使得基于所述测试片形成的晶圆键合结构能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

本发明一实施例提供一种测试片，用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷，所述测试片包括第一晶圆，所述第一晶圆的表面形成有键合图形，且所述键合图形的各个位置具有已定义好的前值坐标。

所述第一晶圆的结构在上述步骤S11已进行说明，在此不再赘述。

所述键合图形可以包括至少100个键合标记。但可以理解的是，本发明的键合图形包括的键合标记的数量也可以少于100个。所述键合图形包括的键合标记的数量越多，使得后续通过所述键合图形的变形情况来判断晶圆键合机台的变形参数是否发生异常以及分析发生异常的位置越准确。所述键合标记的形状可以是圆形、方形、不规则形等，需要说明的是，本发明对所述键合标记的形状不作限定，可以根据后续检测晶圆键合缺陷的需要选择合适的形状。

所述测试片还可包括：形成于所述第一晶圆的形成有所述键合图形的表面上的至少一个吸附膜层或至少一个键合膜层，或者，同时包括至少一个吸附膜层和至少一个键合膜层。所述吸附膜层可以为圆形、方形或不规则形的平面，以使得所述晶圆键合机台上的吸盘能够吸附在所述吸附膜层上；所述键合膜层可以为圆形、方形或不规则形的平面，以使得所述晶圆键合机台上的键合顶针能够对所述键合膜层施加键合压力。所述吸附膜层和所述键合膜层的形状不作限定，只需是使得吸盘和键合顶针能够作业的平面即可；所述吸附膜层和所述键合膜层在所述第一晶圆上的位置也可不作限定。

所述键合图形的各个位置的前值坐标已定义好，即在对所述第一晶圆进行键合工艺之前，所述键合图形包含的各个键合标记的坐标位置已定义好，以供后续计算获得所述键合图形的具体的变形情况。

所述测试片与后续步骤的第二晶圆进行键合形成晶圆键合结构，以用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷，使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

综上所述，本发明提供的测试片，包括第一晶圆，所述第一晶圆的表面形成有键合图形，且所述键合图形的各个位置具有已定义好的前值坐标。本发明的测试片使得基于所述测试片形成的晶圆键合结构能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

本发明一实施例提供一种晶圆键合缺陷的检测方法，参阅图4，图4是本发明一实施例的晶圆键合缺陷的检测方法的流程图，所述晶圆键合缺陷的检测方法包括：

步骤S21，提供本发明提供的所述测试片以及第二晶圆；

步骤S22，将所述测试片和所述第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合，以形成晶圆键合结构，且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面；

步骤S23，扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况。

下面对所述晶圆键合缺陷的检测方法进行详细说明：

按照步骤S21，提供本发明提供的所述测试片以及第二晶圆。所述第二晶圆也可以包括衬底和设置于所述衬底至少一侧的膜层结构，即所述衬底的一侧或两侧设置有所述膜层结构。本发明对所述第二晶圆的结构也不作限定，可以依据要形成的器件选择合适的所述第二晶圆。所述第一晶圆可以是器件晶圆(device wafer)，所述第二晶圆可以是承载晶圆(carrierwafer)，所述第一晶圆与所述第二晶圆的类型也可以互换。

按照步骤S22，将所述测试片和所述第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合，以形成晶圆键合结构，且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面。如图5所示，所述测试片21与所述第二晶圆22键合形成所述晶圆键合结构，所述键合图形23位于所述晶圆键合结构的顶表面。

当所述测试片的形成有所述键合图形的表面上还形成有所述吸附膜层和所述键合膜层时，形成所述晶圆键合结构的步骤可以包括：首先，将所述第二晶圆放置在所述晶圆键合机台上的设定位置；然后，晶圆键合机台上的吸盘吸附所述测试片上的吸附膜层，以将所述测试片移动到所述第二晶圆的上方，并将所述测试片与所述第二晶圆进行对准；接着，采用晶圆键合机台上的键合顶针对所述测试片上的键合膜层施加压力，以使得所述测试片与所述第二晶圆进行接触键合，并采用晶圆键合机台上的其它部件对所述测试片和所述第二晶圆施加一定的温度、电压等外部条件，使得所述测试片和所述第二晶圆之间产生原子或分子间的结合力，从而将所述测试片和所述第二晶圆键合在一起形成所述晶圆键合结构，其中，所述键合图形以及所述吸附膜层和键合膜层均位于所述晶圆键合结构的顶表面。

当所述测试片的形成有所述键合图形的表面上未形成所述吸附膜层时，可以在所述晶圆键合机台上设置晶圆抓取装置，以将所述测试片抓取移动到所述第二晶圆的上方；当所述测试片的形成有所述键合图形的表面上未形成所述键合膜层时，所述键合顶针可以施力在所述吸附膜层上，以使得所述测试片与所述第二晶圆进行接触键合。

所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面，使得能够在键合之后直接对所述晶圆键合结构上的所述键合图形的变形情况进行检测，不用再经过退火、减薄等工艺之后才对所述键合图形的变形情况进行检测，从而使得能够快速检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，避免导致批量的具有变形缺陷的所述晶圆键合结构产生。另外，采用所述测试片与所述第二晶圆键合形成的晶圆键合结构来检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷的情况，且所述测试片上的键合图形的各个位置具有已定义好的前值坐标，使得所述测试片在键合之前本身已有的变形情况被排除，避免对分析晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷情况造成干扰，使得分析结果更加准确。

按照步骤S23，扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况。由于当晶圆键合机台的变形参数发生异常时会导致所述晶圆键合结构中的顶表面的键合图形发生变形，因此，可以通过检测所述键合图形的变形情况来分析晶圆键合机台的变形参数发生异常的具体情况。

获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况的步骤包括：首先，扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，以获得所述键合图形的各个位置的后值坐标，可以采用曝光机台扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形；接着，根据所述键合图形的各个位置的前值坐标和后值坐标，计算键合后与键合前的所述键合图形的各个位置在一直角坐标系中的矢量偏差值，以获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况。其中，所述矢量偏差值包含所述键合图形上的同一位置在键合后与键合前的变形的方向以及水平坐标的差值和垂直坐标的差值。如图6所示，所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形的变形情况可以体现在一直角坐标系中，水平坐标为X轴，垂直坐标为Y轴，将所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形的变形情况采用箭头表示出来，所述键合图形包含的键合标记的数量越多，则直角坐标系中的箭头的数量越多。箭头开始的位置为所述键合图形本来应该所在的坐标位置(即键合后未发生变形时所在的坐标位置)，箭头所指的位置为键合后所述键合图形变形后实际所在的坐标位置，这样的话，就能通过箭头所指的方向获得所述键合图形上的同一位置在键合后的变形的方向；同时，根据箭头所指的坐标位置与箭头开始的坐标位置的X轴的差值和Y轴的差值，即可获得变形的具体数值。可以统计所有的箭头对应的X轴的差值和Y轴的差值的最大值、平均值以及最小值等，以从变形缺陷最严重的位置或者变形集中的位置进行针对性的分析，同时，由于直角坐标系中的箭头所指的方向为实际变形的方向，而不仅仅局限于体现水平方向和垂直方向，使得能够结合箭头所指的方向进行综合分析导致变形缺陷的原因，对导致晶圆键合机台的变形参数异常的分析更加准确，也能够快速分析得到晶圆键合机台的造成变形参数异常的故障部件，并对所述异常部件进行维修改善。

所述晶圆键合缺陷的检测方法还包括：首先，将所述测试片与所述第二晶圆分离，可以采用晶圆分离设备将所述测试片与所述第二晶圆分离，避免在分离过程中导致所述测试片和所述第二晶圆的损伤和变形；接着，扫描获得分离后的所述测试片上的键合图形的各个位置的坐标作为所述测试片的新的前值坐标，以将分离后的所述测试片重复用于检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷。

另外，上述的晶圆键合缺陷的检测方法中的各个步骤不仅限于上述的形成顺序，各个步骤的先后顺序可适应性的进行调整。

综上所述，本发明提供的晶圆键合缺陷的检测方法，包括：提供本发明提供的所述测试片以及第二晶圆；将所述测试片和所述第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合，以形成晶圆键合结构，且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面；以及，扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况。本发明的晶圆键合缺陷的检测方法能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常，从而避免导致批量产品异常。

本发明一实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括：采用本发明提供的所述晶圆键合缺陷的检测方法，检测晶圆键合机台造成的晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况，以获得所述晶圆键合机台的造成所述晶圆键合结构中的变形缺陷的异常部件，并对所述异常部件进行维修改善。由于采用本发明提供的所述晶圆键合缺陷的检测方法检测所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况，使得能够快速且准确地获得所述晶圆键合机台的造成所述晶圆键合结构中的变形缺陷的异常部件，避免导致批量产品异常。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。