阅读说明：本技术 一种沉积制备膜的方法及镀膜机 (Method for preparing film by deposition and film coating machine ) 是由 李紫茵 于 2018-05-29 设计创作，主要内容包括：本发明公开一种沉积制备膜的方法及镀膜机,该方法包括：准备基体；在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中,采用辅助离子源轰击所述金属膜,以增强所述金属膜原子的表面迁移率,提高所述金属膜的致密性。本发明提供的方法和镀膜机解决了在现有的金属膜制备方案中,存在的难以制备高厚度和高密度兼备的金属膜的技术问题,提供了一种生成高厚度且高致密度的金属膜的方法及镀膜机。(the invention discloses a method for preparing a film by deposition and a film coating machine, wherein the method comprises the following steps: preparing a substrate; in the process of sputtering and depositing the metal film on the surface of the substrate by adopting a sputtering ion source, an auxiliary ion source is adopted to bombard the metal film so as to enhance the surface mobility of atoms of the metal film and improve the compactness of the metal film. The method and the film coating machine provided by the invention solve the technical problem that the metal film with both high thickness and high density is difficult to prepare in the existing metal film preparation scheme, and provide the method and the film coating machine for generating the metal film with high thickness and high density.)

一种沉积制备膜的方法及镀膜机

技术领域

本发明涉及金属膜制备技术领域，尤其涉及一种沉积制备膜的方法及镀膜机。

背景技术

金属膜在半导体器件及光学器件中均有较多的应用，其主要用途有用来改变光线的路径或接受光信号，例如，发射式望远镜、高效率发光二极管或太空卫星反射镜等。

当前，金属膜的主要制备方法有:电子枪蒸镀技术和离子束溅射镀膜技术，其中，传统的电子枪蒸镀技术所得到的是柱状微观结构的薄膜，其堆积密度在室温下大约在0.7左右、薄膜内柱状结构的孔隙在大气中会吸附水汽，从而改变原来的折射率与光学厚度而影响光学薄膜稳定性，可见，金属薄膜密度越高光学稳定性越好。而常规的离子束溅射镀膜技术，以铝膜制备为例，是利用Ar离子源产生的高能离子束轰击置于高真空中的铝靶材，使其靶材原子溅射出来，并在基底表面重新组合形成薄膜，通过离子束溅射镀膜可制备较高密度的金属膜。

然而，当需要制备较厚的高密度金属膜时，由于金属膜与衬底之间的结合力往往不够，即使采用离子束溅射镀膜技术，也会存在内应力大容易开裂的问题，故很难制备高密度和高厚度要求的金属膜。

可见，现有的金属膜制备方案，存在难以制备高厚度和高密度兼备的金属膜的技术问题。

发明内容

本发明通过提供一种沉积制备膜的方法及镀膜机，解决了现有的金属膜制备方案，存在的难以制备高厚度和高密度兼备的金属膜的技术问题。

一方面，本发明提供了一种沉积制备膜的方法，包括：

准备基体；

采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜，其中，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用辅助离子源轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。

可选的，所述金属膜为铝膜。

可选的，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中：所述溅射离子源的离子束溅射能量为10～1000eV，溅射角为0～90°，沉积角为10～90°；溅射环境的工作气压为1.0×10^-2～5×10^-2Pa，所述基体的温度为20～500℃。

可选的，在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中:所述溅射离子源的束径为50～150mm，离子能量为100～1000eV，束流密度为0.1～0.9mA/cm²；所述辅助离子源的束径为50～100mm，离子能量为200～700eV，束流密度为0.2～0.6mA/cm²。

可选的，在所述采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，还包括：采用所述辅助离子源，通过离子束轰击清洗所述基体表面。

可选的，所述轰击清洗所述基体表面，包括：轰击清洗所述基体表面1～20min。

可选的，在所述采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，还包括：抽取真空，使所述基体、所述溅射离子源和所述辅助离子源位于真空环境中。

可选的，所述方法还包括：在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用晶振监控所述金属膜沉积的厚度。

另一方面，提供一种镀膜机，包括：

靶台；

工作台，所述工作台可固定基体；

溅射离子源，用于轰击所述靶台，通过所述靶台的溅射在所述基体表面溅射沉积金属膜；

辅助离子源，用于在所述溅射离子源溅射沉积金属膜的过程中，轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。

可选的，在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中：所述溅射离子源的离子束溅射能量为10～1000eV，溅射角为0～90°，沉积角为10～90°；溅射环境的工作气压为1.0×10^-2～5×10^-2Pa，所述基体的温度为20～500℃。

可选的，在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中:所述溅射离子源的束径为50～150mm，离子能量为100～1000eV，束流密度为0.1～0.9mA/cm²；所述辅助离子源的束径为50～100mm，离子能量为200～700eV，束流密度为0.2～0.6mA/cm²。

可选的，所述镀膜机还包括：真空抽取模块，用于抽取真空，使所述基体、所述溅射离子源和所述辅助离子源位于真空环境中。

可选的，所述镀膜机还包括：晶振，用于监控所述金属膜沉积的厚度。

本发明实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

1、本申请实施例提供的方法及镀膜机，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，利用辅助离子源轰击所述金属膜，通过对生长薄膜表层的轰击，增强了沉积金属原子的表面迁移率，有效提高金属原子填充密度，减小金属膜空隙度，增强了低温成膜情况下的金属膜致密度和机械性能。并通过增强金属原子的表面迁移率，有效提高金属膜与基体之间的附着力，显著降低铝膜应力，缓解了内应力大导致的开裂问题，从而能生成高厚度且高致密度的金属膜。

2、本申请实施例提供的方法及镀膜机，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜前，通过辅助离子源轰击清洗基体表面，以清除基体表面的微尘及油脂等杂质，提高金属膜与基体之间的附着力。并且辅助离子源轰击可使基体材料表面原子活化，有利于沉积晶粒更均匀、孔隙更小的致密金属膜。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的

具体实施方式

。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中沉积制备膜的方法的步骤图；

图2为本发明实施例中XRD测试结果图；

图3为本发明实施例中5um厚度铝膜放大20万倍的SEM图；

图4为本发明实施例中5um厚度铝膜放大50万倍的SEM图；

图5为本发明实施例中10um厚度铝膜放大20万倍的SEM图；

图6为本发明实施例中10um厚度铝膜放大50万倍的SEM图；

图7为本发明实施例中镀膜机的结构示意图；

图8为本发明实施例中RBS分析结果图。

具体实施方式

本申请实施例通过提供一种沉积制备膜的方法及镀膜机，解决了现有的金属膜制备方案，存在的难以制备高厚度和高密度兼备的金属膜的技术问题，提供了一种生成高厚度且高致密度的金属膜的方法及镀膜机。

本申请实施例中的技术方案，总体思路如下：

在采用溅射离子源在基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用辅助离子源轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。即通过对生长薄膜表层的辅助轰击，增强了沉积金属原子的表面迁移率，有效提高金属原子填充密度，减小金属膜空隙度，增强了低温成膜情况下的金属膜致密度和机械性能。并通过增强金属原子的表面迁移率，有效提高金属膜与基体之间的附着力，显著降低铝膜应力，缓解了内应力大导致的开裂问题，从而能生成高厚度且高致密度的金属膜。

此外，为了实现金属膜的良好性能，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜前，通过辅助离子源轰击清洗基体表面，以清除基体表面的微尘及油脂等杂质，提高金属膜与基体之间的附着力。并且辅助离子源轰击可使基体材料表面原子活化，有利于沉积晶粒更均匀、孔隙更小的致密金属膜。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

在本实施例中，提供了一种沉积制备膜的方法，如图1所示，该方法包括：

步骤S101，准备基体；

步骤S102，采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜，其中，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用辅助离子源轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。

在本申请实施例中，所述金属膜可以是铝膜、铜膜、银膜或钛膜，在此不作限制，并不再一一列举。

较优的，所述金属膜为铝膜，由于铝膜从紫外区到红外区均具有平坦而且很高的反射率,且铝膜表面存在着一层透明的Al₂O₃薄膜的保护,其化学稳定性也比较好。铝膜的吸收一般在10％左右，也就是说铝反射膜的反射率最高可以达到90％左右，所以铝膜被广泛用作各类反射器件的反射膜，对高厚度高密度铝膜制备的需求也较高。

当所述金属膜为铝膜时，较优的，所述基体对应为熔融石英材料。

下面，结合图1来详细介绍本申请提供的沉积制备膜的方法的详细步骤：

首先，执行步骤S101，准备基体。

在本申请实施例中，所述基体的具体材质可以根据具体需要来设置，举例来说，所述基体可以是玻璃、SiN或SiCO等绝缘体、也可以硅、锗等半导体，还可以是导体，在此不作限制，也不再一一列举。

在具体实施过程中，准备好的基体可以先固定在镀膜机的工作台上，以备沉积金属膜。

在具体实施过程中，在将基体固定在镀膜机的工作台上后，所述镀膜机进行真空抽取，使所述基体、所述溅射离子源和所述辅助离子源位于真空环境中，为后续的金属膜沉积提供洁净的真空沉积环境。

较优的，在本申请实施例中，准备好基体后，在通过步骤S102采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，还可以先采用辅助离子源，通过离子束轰击清洗所述基体表面，一方面，可以清除基体表面的各种微尘及油脂等杂质，提高后续制备的金属膜与基体的结合强度，另一方面，通过离子束轰击可使基体材料表面原子活化，有利于沉积晶粒更均匀且孔隙更小的致密金属膜。

具体来讲，为了达到较优的清洗效果，采用所述辅助离子源轰击清洗所述基体表面时，轰击清洗所述基体表面的时间为1～20min，以彻底清除基体表面的各种微尘及油脂等杂质。

较优的，在本申请实施例中，准备好基体后，在通过步骤S102采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，还可以先采用溅射离子源对靶台的靶材进行清洗，以提高后续制备的金属膜的纯度。此时，所述溅射离子源的参数设置为10-1000eV的溅射能量，溅射清洗靶材的时长为1-20分钟。

接下来，执行步骤S102，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用辅助离子源轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。

在本申请实施例中，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜之前，需要先设置溅射离子源和辅助离子源的参数、调整好溅射角度和沉积角度，调整镀膜机的工作气压和衬底温度。

具体来讲，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，可以设置：

所述溅射离子源的离子束溅射能量为10～1000eV，溅射角为0～90°，沉积角为10～90°；所述辅助离子源的束径为50-100mm，离子能量为100～700eV，束流密度为0.1～0.6mA/cm²；镀膜机溅射环境的工作气压为1.0×10^-2～5×10^-2Pa，所述基体的温度为20～500°。通过上述参数的设置可以较优的控制金属膜晶粒尺寸、择优取向、成分比例等薄膜生长过程中的微观组织结构，有效灵活地控制薄膜的各项物理化学性质。

进一步，为了能提高沉积的金属膜的密度，本申请实施例中优化设置了溅射离子源和辅助离子源的参数比，提供以下最优参数范围：即在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中:所述溅射离子源的束径为50～150mm，离子能量为100～1000eV，束流密度为0.1～0.9mA/cm²；所述辅助离子源的束径为50～100mm，离子能量为200～700eV，束流密度为0.2～0.6mA/cm²。通过上述溅射与辅助最佳参数比的设置，能在保证金属膜沉积质量的同时，更优的增强沉积铝原子的表面迁移率，提高成膜致密度和机械性能。

在本申请实施例中，根据需要的不同，可以在采用溅射离子源溅射沉积金属膜的过程中，采用不同的辅助离子源轰击所述金属膜的方法，下面列举三种为例：

第一种，边溅射，边持续辅助轰击。

即在采用溅射离子源溅射沉积金属膜的同时，持续的开启所述辅助离子源来轰击沉积中的金属膜，以使溅射沉积过程中的金属原子能均匀的受到辅助离子源的轰击，从而持续保持高迁移率，提高整体的均匀致密度。

第二种，溅射过程中，间断性辅助轰击。

即并非在整个采用溅射离子源溅射沉积金属膜的过程中，均持续开启所述辅助离子源来进行轰击，而是根据需要间断的开启所述辅助离子源来提高金属原子表面迁移率。

举例来说，以铝膜为例，其难以形成厚膜的原因之一为现有工艺制备的铝膜与衬底结合力差，内应力大，容易开裂。故可以仅在采用溅射离子源溅射沉积金属膜的开始阶段开启所述辅助离子源轰击金属膜，以提高金属膜与衬底的结合力。

第三种，溅射过程与辅助轰击过程交替。

即在采用溅射离子源溅射沉积金属膜的过程中，***辅助离子源的轰击。举例来说：可以先开启所述溅射离子源进行金属膜溅射沉积到预设厚度后，再关闭所述溅射离子源，并开启所述辅助离子源对已经沉积到的预设厚度金属膜进行轰击，提高其表面迁移率，然后再关闭所述辅助离子源，并开启所述溅射离子源进行金属膜沉积，这样按预设规则交替进行溅射沉积和辅助轰击。

当然，在具体实施过程中，在采用溅射离子源溅射沉积金属膜的过程中，通过辅助离子源轰击所述金属膜的方法不限于以上三种，具体可以根据需要沉积的金属膜的要求来进行设置，在此不作限制。

在具体实施过程中，为了能监控整个溅射沉积金属膜的过程，可以在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，采用晶振监控所述金属膜沉积的厚度。当然，也可以采用光学膜厚监控法来监测所述金属膜沉积过程中的膜厚，在此不作限制。

采用本申请实施例的方法制备的金属膜能具有高厚度和高密度的优点，以铝膜为例，经测试，采用本申请实施例所述的方法制备的铝膜密度能达到2.844g/cm³，由于铝的体密度为2.7g/cm³，晶粒尺寸能达到47.5nm。

下面，以采用本实施例的方法在熔融石英片基体上制备的铝膜为例，来说明本申请实施例提供的沉积制备膜的方法的显著效果：

首先，采用本申请实施例提供的方法，在熔融石英片基体上制备出膜厚分别为5um和10um的铝膜，并采用称重法来计算铝膜的密度，其具体计算方法为：

经称重，镀膜前5um铝膜对应熔融石英片的质量为10.2488g，10um铝膜对应熔融石英片的质量为10.2413g。镀膜后5um铝膜对应熔融石英片的质量为10.2716g，10um铝膜对应熔融石英片的质量为10.2844g。通过减法可以计算出5μm厚的铝膜质量为0.0228g，10μm厚的铝膜质量为0.0431g。结合铝膜直径为45mm，可以计算得出5μm厚铝膜的密度为2.844g/cm³，10μm厚铝膜的密度为2.798g/cm³，均大于铝的体密度2.7g/cm³。

可见，采用本实施例提供的方法能获得高厚度且高致密性的金属膜。

为了进一步说明采用本实施例方法制备的金属膜的显著效果，还对采用本实施例提供的方法生成的铝膜进行X射线衍射(X-ray diffraction)XRD测试，以检测生成的铝膜的晶体取向、衍射峰峰位、衍射峰半高宽和晶面间距。

经XRD测试，获得图2和表1所示的检测结果：

表1铝膜XRD测试结果

从表1和图2的检测结果可知，采用本实施例提供的方法制备的中厚高密度铝膜相对于采用现有方法制备的铝膜，还具有以下优点:

采用本实施例方法制备的铝膜只出现两个衍射峰，分别为(111)和(200)。铝膜(111)的衍射峰峰位为38.486°,与标准峰位相比差别不大，峰位偏移量极小。铝膜(200)的衍射峰峰位为44.728°，与标准峰位相比差别不大，峰位偏移量极小。铝膜(111)和(200)衍射峰半高宽分别为0.173°和0.181°，而半高宽越小，说明内部缺陷越少，晶体取向越好。根据衍射峰峰位和半高宽，采用布拉格方程计算铝晶粒尺寸为47.5nm；根据不同衍射峰峰位移动和相应半高宽的变化计算出的晶格应变为+0.0013，说明通过辅助离子源轰击，样品中的残留内应力已很小，符合要求。

为了进一步说明采用本实施例方法制备的金属膜的显著效果，还对采用本实施例提供的方法生成的铝膜进行扫描电子显微镜检测(scanning electron microscopy，SEM)，以检测其内部是否存在大量空隙和晶体均匀分布情况。

经SEM检测，获得图3-6的检测结果，其中，图3为5um厚度铝膜放大20万倍的SEM图，图4为5um厚度铝膜放大50万倍的SEM图，图5为10um厚度铝膜放大20万倍的SEM图，图6为10um厚度铝膜放大50万倍的SEM图。

由图3-6可见，采用本实施例提供方法制备的5um厚和10um厚铝膜表面晶粒大小分布均匀，几乎没有空隙存在，致密性好。

为了进一步说明采用本实施例方法制备的金属膜的显著效果，还对采用本实施例提供的方法生成的铝膜进行卢瑟福背散射能谱(Rutherford BackscatteringSpectrometry，RBS)分析，以检测其内部的杂质元素及其含量。

经RBS分析，获得图8的检测结果，如图8所示，生成的铝膜中的杂质元素为钨，其含量小于0.03atmos％。据研究，如此小含量的钨杂质对铝膜质量密度带来的影响应小于0.004g/cm²，故可以认为钨杂质含量小于0.03atmos％的铝膜为高致密铝膜。

可见，采用本实施例提供方法制备的金属膜，不仅能满足制备高厚度和高致密性金属膜的要求，制备出的金属膜内部缺陷、晶体取向、均匀度、杂质含量和内部空隙等质量指标均较优。

基于同一发明构思，本申请还提供了实施例一的方法对应的装置，详见实施例二。

实施例二

在本实施例中，如图7所示，提供一种镀膜机，包括：

靶台701；

工作台702，所述工作台可固定基体；

溅射离子源703，用于轰击所述靶台，通过所述靶台的溅射在所述基体表面溅射沉积金属膜；

辅助离子源704，用于在所述溅射离子源溅射沉积金属膜的过程中，轰击所述金属膜，以增强所述金属膜原子的表面迁移率，提高所述金属膜的致密性。

如图7所示，工作台702对应与靶台701上方的位置，在具体实施过程中，所述基体可以固定在所述工作台的下方，以使靶台701上的靶材原子在溅射离子源704的轰击下，能溅射到所述基体上。同样如图7所示，所述辅助离子源的轰击方向面向所述工作台702，以能辅助轰击到所述工作台702上的基体表面。

进一步，所述工作台702为可以改变角度的旋转工作台，以便于溅射沉积金属膜前调节所述基体的位置和角度。

在本申请实施例中，在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中：所述溅射离子源的离子束溅射能量为10～1000eV，溅射角为0～90°，沉积角为10～90°；所述辅助离子源的束径为50-100mm，离子能量为100～700eV，束流密度为0.1～0.6mA/cm²；镀膜机溅射环境的工作气压为1.0×10^-2～5×10^-2Pa，所述基体的温度为20～500℃。

在本申请实施例中，在采用所述溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中:所述溅射离子源的束径为50～150mm，离子能量为100～1000eV，束流密度为0.1～0.9mA/cm²；所述辅助离子源的束径为50～100mm，离子能量为200～700eV，束流密度为0.2～0.6mA/cm²。

在本申请实施例中，所述镀膜机还包括：

真空抽取模块，用于抽取真空，使所述基体、所述溅射离子源和所述辅助离子源位于真空环境中。

在本申请实施例中，所述镀膜机还包括：晶振，用于监控所述金属膜沉积的厚度。

下面，为了进一步增进了解本申请的具体实施方式，结合实施例一的方法和实施例二的镀膜机，以在熔融石英片上制备铝膜为例，提供一具体沉积实例：

首先，将2英寸的熔融石英片基体固定在图7所示工作台702的下方，并开启真空抽取模块，以使靶台701、工作台702、溅射离子源703和辅助离子源704均处于真空环境中；

然后，开启辅助离子源704轰击清洗熔融石英片1-20分钟，开启溅射离子源703轰击清洗靶台701上的靶材1-20分钟；

接下来，按实施例一提供的方法调节溅射离子源和辅助离子源的参数、调整好溅射角度和沉积角度，调整镀膜机的工作气压和衬底温度；

再下来，开启所述溅射离子源和所述辅助离子源按实施例一提供的方法进行金属膜的溅射沉积，并通过晶振监测金属膜的沉积厚度，以在满足厚度要求时停止沉积。

由于本发明实施例二所介绍的镀膜机，为实施本发明实施例一的沉积制备膜的方法所采用的装置，故而基于本发明实施例一所介绍的方法，本领域所属人员能够了解该装置的具体结构及变形，故而在此不再赘述。凡是本发明实施例一的方法所采用的装置都属于本发明所欲保护的范围。

本申请实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

1、本申请实施例提供的方法及镀膜机，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜的过程中，利用辅助离子源轰击所述金属膜，通过对生长薄膜表层的轰击，增强了沉积金属原子的表面迁移率，有效提高金属原子填充密度，减小金属膜空隙度，增强了低温成膜情况下的金属膜致密度和机械性能。并通过增强金属原子的表面迁移率，有效提高金属膜与基体之间的附着力，显著降低铝膜应力，缓解了内应力大导致的开裂问题，从而能生成高厚度且高致密度的金属膜。

2、本申请实施例提供的方法及镀膜机，在采用溅射离子源在所述基体表面溅射沉积金属膜前，通过辅助离子源轰击清洗基体表面，以清除基体表面的微尘及油脂等杂质，提高金属膜与基体之间的附着力。并且辅助离子源轰击可使基体材料表面原子活化，有利于沉积晶粒更均匀、孔隙更小的致密金属膜。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。