一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法
阅读说明：本技术 一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法 (Si-based insulated gate bipolar transistor IGBT structure and method thereof ) 是由 陈利 陈彬 于 2021-08-22 设计创作，主要内容包括：本发明涉及晶体管技术领域,具体为一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法,一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构,包括双极晶体管IGBT,所述双极晶体管IGBT的外壁顶端通过固定套接有盖板,所述盖板的顶部开设有滑槽,所述滑槽的内部滑动连接有接线端子,所述接线端子通过导线与双极晶体管IGBT的端子电性连接。本发明设置的接线端子可以在滑槽中进行滑动,当双极晶体管IGBT所连接的元器件连接位于双极晶体管IGBT不匹配时,无需重新的双极晶体管IGBT内部结构进行设计,也无需借助其它工具进行连接,直接移动接线端子的位置即可。(The invention relates to the technical field of transistors, in particular to a Si-based insulated gate bipolar transistor IGBT structure and a method thereof. The connecting terminal can slide in the sliding groove, when the connection of the components connected with the bipolar transistor IGBT is positioned in the unmatched position of the bipolar transistor IGBT, the new design of the internal structure of the bipolar transistor IGBT is not needed, other tools are not needed for connection, and the position of the connecting terminal is directly moved.)
技术领域
本发明涉及晶体管技术领域，具体为一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法。
背景技术
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
现有的双极晶体管IGBT端子固定，在连接其它元器件时，端子无法根据元器件的位置进行调整，当元器件接线端子与双极晶体管IGBT端子位置无法匹配时，则需要进行针对性设计双极晶体管IGBT端子的结构，或者借助其它工具进行连接。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构，包括双极晶体管IGBT，所述双极晶体管IGBT的外壁顶端通过固定套接有盖板，所述盖板的顶部开设有滑槽，所述滑槽的内部滑动连接有接线端子，所述接线端子通过导线与双极晶体管IGBT的端子电性连接。
优选的，所述接线端子包括管体、限位板、接线槽和铜制导电层,所述管体的外壁上下两端均套接有限位板，所述管体的两端均连通安装有接线槽，所述接线槽的内壁贴合有铜制导电层，两个所述铜制导电层之间通过导电片电性连接。
优选的，所述导电片置于管体的内部，所述铜制导电层的圆形内壁表面固定连接有导电铜杆，所述导电铜杆的末端固定连接导电铜环。
优选的，所述接线槽的内部转动安装有绕线器，所述绕线器的末端贯穿接线槽的侧壁并置于接线槽的外部。
优选的，所述绕线器包括第一支撑杆、导电块和第二支撑杆，所述第一支撑杆的一端贯穿铜制导电层并转动连接在接线槽的内壁，所述第一支撑杆的另外一端固定连接导电块，所述导电块远离第一支撑杆的一端固定连接第二支撑杆，所述第二支撑杆的末端转动贯穿铜制导电层与导电片的侧壁并置于接线槽的外部，所述第二支撑杆在置于接线槽外部的一端固定连接有旋钮，所述第一支撑杆转动套接在导电铜环的内部并与导电铜环贴合。
优选的，所述绕线器还包括安装孔和绕线槽，所述导电块的中央位置开设有安装孔，所述安装孔的两侧对称开设有绕线槽。
优选的，所述绕线槽为半圆形结构，所述导电块为梭形结构。
一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT的方法，所述方法步骤如下：
第一步：安装固定，将双极晶体管IGBT通过螺钉安装在PCB的相应位置；
第二步：调节位置，根据双极晶体管IGBT所连接零件的接线位置，调整接线端子的位置，调整接线端子的位置时，通过滑动接线端子来调整接线端子的位置；
第三步：接线，将零部件的电线插入绕线器的安装孔内，随后，转动旋钮，旋钮通过第二支撑杆带动导电块转动，随着导电块的转动，带动零部件的电线缠绕在导电块的表面，最后电线卡合在绕线槽的内部。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明设置的接线端子可以在滑槽中进行滑动，当双极晶体管IGBT所连接的元器件连接位于双极晶体管IGBT不匹配时，无需重新的双极晶体管IGBT内部结构进行设计，也无需借助其它工具进行连接，直接移动接线端子的位置即可。
本发明设置的接线端子通过转动旋钮即可将电线固定在其内部，无需使用其它工具进行辅助安装，方便了接线的工作，区别于现有的接线端子需使用螺丝刀配合螺钉将电线夹持在其内部的情况，带来了无需使用工具的好处。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
图1为本发明整体结构示意图；
图2为本发明图1的剖视图；
图3为本发明接线端子剖视图；
图4为本发明绕线器结构示意图。
图中：1、双极晶体管IGBT；2、盖板；3、滑槽；4、接线端子；401、管体；402、限位板；403、接线槽；404、铜制导电层；405、导电片；406、导电铜杆；407、导电铜环；5、导线；6、绕线器；601、第一支撑杆；602、导电块；603、第二支撑杆；604、旋钮；605、安装孔；606、绕线槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术工作人员员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
请参阅图1至图4，本发明提供一种技术方案：一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构，包括双极晶体管IGBT1，双极晶体管IGBT1的外壁顶端通过固定套接有盖板2，盖板2的顶部开设有滑槽3，滑槽3的内部滑动连接有接线端子4，接线端子4通过导线5与双极晶体管IGBT1的端子电性连接。
本实施例中，如图3所示，接线端子4包括管体401、限位板402、接线槽403和铜制导电层404,管体401的外壁上下两端均套接有限位板402，管体401的两端均连通安装有接线槽403，接线槽403的内壁贴合有铜制导电层404，两个铜制导电层404之间通过导电片405电性连接。
本实施例中，如图3所示，导电片405置于管体401的内部，铜制导电层404的圆形内壁表面固定连接有导电铜杆406，导电铜杆406的末端固定连接导电铜环407。
本实施例中，如图3和图4所示，接线槽403的内部转动安装有绕线器6，绕线器6的末端贯穿接线槽403的侧壁并置于接线槽403的外部。
本实施例中，如图3和图4所示，绕线器6包括第一支撑杆601、导电块602和第二支撑杆603，第一支撑杆601的一端贯穿铜制导电层404并转动连接在接线槽403的内壁，第一支撑杆601的另外一端固定连接导电块602，导电块602远离第一支撑杆601的一端固定连接第二支撑杆603，第二支撑杆603的末端转动贯穿铜制导电层404与导电片405的侧壁并置于接线槽403的外部，第二支撑杆603在置于接线槽403外部的一端固定连接有旋钮604，第一支撑杆601转动套接在导电铜环407的内部并与之贴合。
本实施例中，如图3和图4所示，绕线器6还包括安装孔605和绕线槽606，导电块602的中央位置开设有安装孔605，安装孔605的两侧对称开设有绕线槽606。
本实施例中，如图3和图4所示，绕线槽606为半圆形结构，导电块602为梭形结构。
本发明的使用方法和优点：该种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构在使用时，工作过程如下：
使用螺钉，将双极晶体管IGBT1固定在相应位置上，随后根据双极晶体管IGBT1所接元器件的接线位置，调整接线端子4的位置，调整时，滑动接线端子4的位置即可，通过此种操作，可以避免重新设计双极晶体管IGBT1的结构或者使用其它外部装置进行连接，随后将双极晶体管IGBT1所接元器件的电线插入绕线器6的安装孔605内，转动旋钮604，绕线器6开始转动，随后电线缠绕在绕线器6表面的绕线槽606内，由于第一支撑杆601以及导电块602均使用导电材质制作，电流可以通过导电块602、第一支撑杆601、导电铜环407、导电铜杆406、两个铜制导电层404以及导电片405，通过该种接线方式，无需使用螺丝刀，方便了接线工作。
实施例二：
一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT的方法，方法步骤如下：
第一步：安装固定，将双极晶体管IGBT1通过螺钉安装在PCB的相应位置；
第二步：调节位置，根据双极晶体管IGBT1所连接零件的接线位置，调整接线端子4的位置，调整接线端子4的位置时，通过滑动接线端子4来调整接线端子4的位置；
第三步：接线，将零部件的电线插入绕线器6的安装孔605内，随后，转动旋钮604，旋钮604通过第二支撑杆603带动导电块602转动，随着导电块602的转动，带动零部件的电线缠绕在导电块602的表面，最后电线卡合在绕线槽606的内部。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术工作人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。