具体实施方式

以下结合附图对本发明作进一步详细说明。

本发明提供一种多碳化硅芯片并联的模块，包括铜底板，所述铜底板上方连接有覆铜基板，所述覆铜基板上设置有芯片、键合线、正极功率端子、负极功率端子和交流输出端子，所述芯片包括若干碳化硅芯片和附带的续流二极管，对应连接的所述碳化硅芯片和续流二极管形成碳化硅芯片组，所有的碳化硅芯片组形成半桥型模块，所述半桥型模块包括上桥臂和下桥臂，上桥臂中碳化硅芯片组间的键合线与下桥臂中碳化硅芯片组间的键合线的角度为90度。同一桥臂上包括的各碳化硅芯片组之间上下分开设置。

具体的，正极功率端子和负极功率端子的端脚数量和碳化硅芯片的数量相对应。

具体的，正极功率端子的端脚分别与碳化硅芯片的集电极和续流二极管的阴极连接，负极功率端子的端脚分别与碳化硅芯片的发射极和续流二极管的阳极连接。

具体的，碳化硅芯片与正极功率端子和负极功率端子之间的连接，均通过连接覆铜基板的铜层而进行连接。

一般的半桥型模块，如图2所示，在计算回路的电感和互感时，上桥臂的两个碳化硅芯片T1和T2并联，下桥臂的两个碳化硅芯片T3和T4并联，在每个碳化硅芯片的发射极回路，存在着芯片连接的键合线造成的碳化硅芯片的回路电感，针对于图2中的第一条回路，有正极功率端子P到覆铜基板的铜层的Ld1；连接上、下桥臂碳化硅芯片的键合线和陶瓷覆铜基板的铜层的Lo1；下桥臂碳化硅芯片键合线和覆铜基板的铜层到负极功率端子N的Ls1，针对第二回路，也如第一条回路一样，有Ld2、Lo2、Ls2，同时，且Ld1和Ld2之间、Lo1和Lo2之间、Ls1和Ls2之间还存在互感。

如图3所示，是一种常规的半桥型模块，标记10为正极功率端子的第一端脚，标记20为负极功率端子的的第一端脚。以两组并联芯片为例，上桥臂有两颗碳化硅芯片（标记为9a、9b），同时每颗碳化硅芯片附带反并联的续流二极管（标记为8a、8b）。相对应的，模块的下桥臂有碳化硅芯片（标记为9c、9d），同时每颗碳化硅芯片附带反并联续流二极管（标记为8c、8d）。所有的碳化硅芯片焊接在覆铜基板（标记为6、7），并通过焊料层焊接到模块的底板（标记为12）上。模块的正极功率端子的第一端脚10通过覆铜基板的铜层，然后再通过键合线（标记为11a、11b）、DBC上的铜层和键合铝线（标记12a），连接到下桥臂芯片，下桥臂芯片通过键合铝线（标记为13a、13b）和DBC的铜层最终连接到负极功率端子的的第一端脚。计算结果表示，Ld1和Ld2、Lo1和Lo2、Ls1和Ls2三组之间的互感，分别为：11.91nH、7.66nH、17.61nH。因为两条电流路径之间的夹角几乎为零，这就导致两条电流路径之间的互感很大，其他电流路径也是如此。

而本发明提供的一种多碳化硅芯片并联的模块，如图1所示，同样以两组并联芯片为例，左侧两组并联芯片的正极功率端子增加到两个端脚作为输入，即第一端脚10和第二端脚11；负极功率端子增加为两个端脚作为输出，即第一端脚20和第二端脚21；同时，将单个碳化硅芯片和附带反并联续流二极管作为一个芯片组，上下桥臂两个芯片组相对垂直摆放（如上桥臂的续流二极管8a、碳化硅芯片9a和下桥臂的续流二极管8c、碳化硅芯片9c），使得上下桥臂单个芯片组上的键合线和芯片的角度呈90度，上桥臂中碳化硅芯片组间的键合线与下桥臂中碳化硅芯片组间的键合线的角度为90度；且同一桥臂两个芯片组上下分开布局（如上桥臂的续流二极管8a、碳化硅芯片9a和续流二极管8b、碳化硅芯片9b），其他并联芯片布局也如上所述。

如图4所示，各个电流回路之间的角度很大，计算结果表示，Ld1和Ld2、Lo1和Lo2、Ls1和Ls2三组之间的互感，分别为：6.7nH、0.008nH、5.49nH，电流回路的互感值分别下降43.7%、99.9%、68.8%，使得模块的电感值有了明显的降低，增加了模块的输出能力。

综上所述，本发明的一种多碳化硅芯片并联的模块可以有效地降低总寄生电感，在不增加任何制造难度的情况下，可以实现较低的开关损耗、较低的关断过电压和较低的电磁干扰。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。