具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

下面详细描述本发明的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

如图1至图6所示，本发明一实施例提供了一种空腔器件组的封装结构，包括基板1，所述基板1包括相对设置的基板第一表面11与基板第二表面12，所述基板第一表面11设有第一空腔器件组3，所述封装结构还包括：覆盖于所述基板第一表面11的第一密封层5，所述第一密封层5包封第一空腔器件组3；第一塑封层7，所述第一塑封层7包封所述第一密封层5，且所述第一密封层5密封材料的流动性小于所述第一塑封层7塑封材料的流动性。

具体的，封装结构中，基板1为器件埋入式基板，其中埋入有被动元器件和IC芯片；埋入式的基板1包括两个相对的表面，对塑封模流压力敏感的第一空腔器件组3设于基板1的第一表面，且与基板1电性连接。此外，除了器件埋入式类型的基板，基板1也可以是非器件埋入式类型的基板；其中，埋入的器件包括被动器件和芯片等。

为防止后续塑封工艺中的模流压力对空腔器件产生破坏，在塑封工艺之前，基板第一表面11预先覆盖有一层第一密封层5，第一密封层5包封第一空腔器件组3，即第一密封层5包封基板第一表面11所有的空腔器件；第一密封层5则被第一塑封层7包封，即第一空腔器件组3被第一密封层5与第一塑封层7依次包封；同时，第一密封层5密封材料的流动性小于后续工艺中塑封材料的流动性，如此，第一密封层5的密封材料不流入、也不会接触到空腔器件的压力敏感区域，起到保护第一空腔器件组3的作用；在塑封过程中，第一塑封层7产生的模流压力也被第一密封层5及时缓冲，可进一步保护第一空腔器件组3。

第一密封层5可以是单一材料的结构，也可以是多层材料构成的结构，其内层为绝缘材料，外层为导电材料，如内层为在器件边缘的绝缘密封材料，而外层为铜Cu或银Ag导电喷涂屏蔽材料。

可选的，第一空腔器件组3包括至少一个空腔器件，即数量不限，其内部可为多个空腔器件。每个空腔器件的封装形式不限，可以是系统级封装、WLP晶圆级封装或芯片级封装等形式，也可以是LGA平面网格阵列封装或BGA球柵网格阵列封装等形式。由此，第一空腔器件组3与基板1中的被动元器件和IC芯片以及基板线路共同组织形成了一个射频前端SiP系统。

如图2所示，第一空腔器件组3包括两种封装形式的空腔器件，一个是WLP晶圆级封装形式，另一个则是LGA或BGA封装形式。

可选的，第一密封层5的加工工艺可采用真空或低压贴膜工艺，材料可为带填料的有机复合材料膜；或采用有机环氧复合高粘度膏进行真空低压点胶在器件边缘密封加上整体喷涂结合，以加工第一密封层5。喷涂的材料可以是电磁屏蔽材料，如铜Cu与银Ag结合的导电喷涂材料。第一塑封层7的加工工艺则可采用常规的注塑工艺或热压工艺，材料则为流动性较好的塑封材料。

可选的，由于加工工艺不同，第一密封层5可只包封第一空腔器件组3而不覆盖基板第一表面11，也可以包封第一空腔器件组3同时覆盖基板第一表面11。

可选的，基板第一表面11或基板第二表面12上还可设置不易桥接短路的少I/O的大中心距的器件或被动元件93，如大电感等；当大电感之类的被动元件93设于基板第一表面11时，也可依次被第一密封层5与第一塑封层7依次包封，或只被第一塑封层7包封。

可选的，其它较薄的器件和芯片还可埋入到基板1内部，即基板1可镂空埋入这些较薄的器件，或这些较薄的器件与基板1整体成型，以节省封装结构整体的空间，提高封装集成度。

此外，其他一些器件可设置于基板第二表面12或设置于基板中，如被动元器件或IC芯片之类的其它引脚短路敏感并且非压力敏感的器件。

进一步的，所述第一密封层5还覆盖所述基板第一表面11。

当采用贴膜等工艺加工方式时，第一密封层5可覆盖于基板第一表面11整体，并将第一空腔器件组3完全包封。由此，第一密封层5的加工设置方便快捷。

进一步的，所述基板第二表面12设有第二空腔器件组2及第二密封层4，所述第二密封层4包封所述第二空腔器件组2。

进一步的，所述基板第二表面12还覆盖有第二塑封层6，所述第二塑封层6包封所述第二密封层4，且所述第二密封层4密封材料的流动性小于所述第二塑封层6塑封材料的流动性。

如图3至图4所示，基板第二表面12还可设置对塑封模流压力敏感的第二空腔器件组2，第二空腔器件组2被第二密封层4包封，第二密封层4密封材料的流动性较低，可不流入、也不会接触到空腔器件的压力敏感区域，起到保护第二空腔器件组2的作用。

同时，基板第二表面12还可设置锡球821，以便与其他基板或结构进一步电性连接。

第二密封层4是可选的，即可根据基板第二表面12的具体情况进行选择；比如，当基板第二表面12设置其他对塑模压力不敏感的常规器件组时，基板第二表面12可不存在第二密封层4，只需覆盖一层第二塑封层6即可。

此外，基板第二表面12还可再覆盖一层第二塑封层6，第二塑封层6包封第二密封层4且不会接触到空腔器件的空腔区域；同时，材料选择时，保证第一密封层5密封材料的流动性小于第二塑封层6塑封材料的流动性；由此，塑封过程中，第二塑封层6产生的模流压力被第二密封层4及时缓冲，第二密封层4进一步起到保护第二空腔器件组2的作用。

同时，锡球821设置于基板第二表面12时，第二塑封层6露出至少部分锡球821，以便进一步电性连接。

这里，第二塑封层6包封第二密封层4，是指第二塑封层6可以完全覆盖第二密封层4的所有外周表面，也可以是第二塑封层6覆盖第二密封层4的四周表面。其中，第二密封层4是可选的，可根据基板第二表面12的具体情况进行选择。

第二密封层4的材料可为带填料的有机复合材料膜，或采用有机环氧复合高粘度膏进行真空低压点胶在器件边缘密封加上基板局部喷涂结合。喷涂的材料可以是电磁屏蔽材料，如铜Cu与银Ag结合的导电喷涂材料。

在封装结构的另一实施例中，第二密封层4除了包封第二空腔器件组2，还可覆盖基板第二表面12整体，如图5所示，基板第二表面12也可只覆盖一层第二密封层4。同样，第二密封层4的材料可为带填料的有机复合材料膜，或采用有机环氧复合高粘度膏进行真空低压点胶在器件边缘密封加上基板局部喷涂结合。喷涂的材料可以是电磁屏蔽材料，如铜Cu与银Ag结合的导电喷涂材料，也可以是绝缘材料。

当第二密封层4覆盖整个基板第二表面12时，需要再通过激光开孔工艺来露出基板第二表面12的焊盘121，以便焊盘121与后续植入的锡球821电性连接且不会造成短路。

如图6至图7所示，在封装结构的又一实施例中，第二密封层4可以没有，只需覆盖一层第二塑封层6。具体的，基板第二表面12还设置其他对塑模压力不敏感的常规器件组2’，如WLP晶圆级封装器件等。此时，基板第二表面12只需覆盖一层第二塑封层6，便可对常规器件组2’起到保护作用。

可选的，当基板第二表面12覆盖有第二塑封层6时，也可通过激光开孔工艺来露出锡球821，以便锡球821与其他基板1或结构电性连接。

进一步的，所述基板第一表面11的边缘还设有假片91，所述第一密封层5与所述第一塑封层7依次包封所述假片91。假片91可由硅、陶瓷、玻璃等材料制成，也可以是PCB或基板材料或不同的塑封料，还可以是金属制成，如铜材料等制成的金属框。

进一步的，所述基板第一表面11还设有被动元件93，所述第一密封层5与所述第一塑封层7依次包封所述被动元件93。

如图8至图9所示，封装结构还设有假片91，假片91为硅材料制成的无电路线路的芯片，可设于基板第一表面11的边缘且同样被第一密封层5与第一塑封层7依次包封或覆盖；当第一密封层5与第一塑封层7固化时，假片91可有效平衡并缓解材料固化时产生的收缩应力，避免应力对第一空腔器件组3造成破坏。

假片91可由硅、陶瓷、玻璃等材料制成，也可以是PCB或基板材料或不同的塑封料，还可以是金属制成，如铜材料等制成的金属框。

此外，基板第一表面11还设有如大电感之类的被动元件93，且第一密封层5与第一塑封层7依次包封或覆盖被动元件93，同样也可起到保护被动元件93与平衡缓解固化应力的作用。

同时，被动元件93的下表面与基板第一表面11之间还可以设置有隔离胶，用于防止引脚短路。

可选的，假片91也可设于基板1的非边缘区域，如位于基板1中央位置的各器件的较大间隔区域，以平衡缓解材料固化产生的应力。

进一步的，所述基板第二表面12还设有电与热导通结构8与第二塑封层6，所述第二塑封层6包封至少部分所述电与热导通结构8。

如图10所示，所述基板第二表面12还可以设置电与热导通结构8，所述第二塑封层6包封所述电与热导通结构8，并使得所述电与热导通结构8至少部分露出，以便于将所述基板第二表面12与其他基板或结构进一步电性连接。其中，所述电与热导通结构8为3D电与热连接结构，3D电与热导通结构包括PCB转接板、铜柱和锡球等连接结构。

此外，基板第二表面12还可设置非压力敏感器件10，所述非压力敏感器件10可以是非压力敏感空腔器件、IC芯片或被动元器件等器件。同时，基板第一表面11设置对不易引脚短路的器件，如预点隔离胶的被动器件。

在工艺加工时，可先将非压力敏感器件10和3D电与热导通结构键合8在基板第二表面12，将第二塑封层6包封所述非压力敏感器件10，并通过激光开口等加工形式使得3D电与热导通结构8至少部分露出，以便于进一步电性连接。

为方便理解，以下对示例进行具体描述：

实施例1

如图1至图2所示，本实施例中的空腔器件组的封装结构，封装结构包括基板1、第一空腔器件组3、第一密封层5及第一塑封层7；基板1为器件埋入式基板，其中埋入有被动元器件和IC芯片，埋入式的基板1包括基板第一表面11与基板第二表面12，对塑封时模流压力敏感的第一空腔器件组3设于基板第一表面11；第一密封层5及第一塑封层7依次包封第一空腔器件组3，且第一密封层5覆盖基板第一表面11整体；第一密封层5密封材料的流动性小于第一塑封层7塑封材料的流动性。由此，在塑封过程中，第一塑封层7产生的模流压力被第一密封层5及时缓冲降低，可保护第一空腔器件组3，避免其受到模流压力作用而被破坏。假片91可由硅、陶瓷、玻璃等材料制成，也可以是PCB或基板材料或不同的塑封料，还可以是金属制成，如铜材料等制成的金属框。

实施例2

如图3至图4所示，本实施例中的空腔器件组的封装结构，与实施例1不同的是，封装结构还包括第二空腔器件组2、第二密封层4、第二塑封层6与锡球821；对塑封模流压力敏感的第二空腔器件组2设于基板第二表面12，第二密封层4包封第二空腔器件组2，第二塑封层6覆盖基板第二表面12且包封第二密封层4；位于第二塑封层6中的锡球821与基板第二表面12的焊盘121电性连接，且下方被开孔露出，以便后续将封装结构整体与其他基板1或结构电性连接。同上，如此设置，塑封过程中，第二塑封层6产生的模流压力被第二密封层4及时缓冲降低，第二密封层4起到保护第二空腔器件组2的作用。

实施例3

如图8至图9所示，本实施例中的空腔器件组的封装结构，与实施例2不同的是，封装结构还包括假片91与被动元件93，假片91设于基板第一表面11的边缘且同样被第一密封层5与第一塑封层7依次包封；被动元件93为大电感元件，也被第一密封层5与第一塑封层7依次包封；如此，假片91可有效平衡并缓解密封材料与塑封材料固化时产生的收缩应力，避免收缩应力对第一空腔器件组3造成破坏。

实施例4

如图10所示，本实施例中的空腔器件组的封装结构，与实施例1不同的是，封装结构还包括第二塑封层6与电与热导通结构8；所述第二塑封层6包封所述电与热导通结构8，并使得所述电与热导通结构8至少部分露出，以便于将所述基板第二表面12与其他基板或结构进一步电性连接。其中，所述电与热导通结构8为3D电与热连接结构，3D电与热导通结构包括PCB转接板、铜柱和锡球等连接结构。

此外，基板第二表面12还可设置非压力敏感器件10，所述非压力敏感器件10可以是非压力敏感空腔器件、IC芯片或被动元器件等器件。同时，基板第一表面11设置对不易引脚短路的器件，如预点隔离胶的被动器件。

如图11所示，本发明一实施例还提供一种空腔器件组的封装方法，封装方法包括如下步骤，以下进行具体说明：

S01：在基板第一表面11设置第一空腔器件组3；

S03：在所述第一空腔器件组3的外周设置第一密封层5，使得所述第一密封层5包封所述第一空腔器件组3；

S05：对所述基板第一表面11进行塑封以形成第一塑封层7，使得所述第一塑封层7包封所述第一密封层5，且所述第一密封层5密封材料的流动性小于所述第一塑封层7塑封材料的流动性。

具体的，封装结构中，基板1包括两个相对的表面，即基板第一表面11与基板第二表面12。

首先，对塑封模流压力敏感的第一空腔器件组3设于基板第一表面11，使得两者电性连接；设置完成后，在第一空腔器件组3的外周设置第一密封层5，使得第一密封层5包封第一空腔器件组3，第一密封层5的密封材料流动性较低，因而不流入、也不会接触到空腔器件的压力敏感区域，第一密封层5可起到保护第一空腔器件组3的作用。

接着，再在基板第一表面11进行塑封，形成第一塑封层7以包封第一密封层5，同时保证第一密封层5密封材料的流动性小于第一塑封层7塑封材料的流动性，由此，在塑封过程中，第一塑封层7产生的模流压力可被第一密封层5及时缓冲，可进一步保护第一空腔器件组3，避免其受到塑封模流压力影响。

可选的，第一空腔器件组3包括一个或多个空腔器件。每个空腔器件的封装形式不限，可以是系统级封装、WLP晶圆级封装或芯片级封装等形式，也可以是LGA平面网格阵列封装或BGA球柵网格阵列封装等形式。

可选的，第一密封层5的加工工艺可采用真空或低压贴膜工艺，材料可为带填料的有机复合材料膜；或采用有机环氧复合高粘度膏进行真空低压点胶并可选择喷涂工艺，以加工第一密封层5。第一塑封层7的加工工艺则可采用常规的注塑工艺或热压工艺，材料则为流动性较好的塑封材料。

可选的，由于加工工艺不同，第一密封层5可只包封第一空腔器件组3而不覆盖基板第一表面11，也可以包封第一空腔器件组3同时覆盖基板第一表面11。

可选的，基板第一表面11或基板第二表面12上还可设置不易桥接短路的少I/O的大中心距的器件或被动元件93，如大电感等；当大电感之类的被动元件93设于基板第一表面11时，也可依次被第一密封层5与第一塑封层7依次包封，或只被第一塑封层7包封。

可选的，其它较薄的器件和芯片还可埋入到基板1内部，即基板1可镂空埋入这些较薄的器件，或这些较薄的器件与基板1整体成型，以节省封装结构整体的空间，提高封装集成度。

进一步的，步骤S03具体包括：

S031：在所述第一空腔器件组3的外周和所述基板第一表面11设置第一密封层5，使得所述第一密封层5覆盖所述基板第一表面11且包封所述第一空腔器件组3。

在将第一空腔器件组3设于基板第一表面11之后，可在所述基板第一表面11上通过贴膜等工艺设置第一密封层5，使得第一密封层5覆盖所述基板第一表面11且同时包封第一空腔器件组3，且第一密封层5不会接触到空腔器件的空腔区域，从而快速形成第一密封层5以保护第一空腔器件组3。

第一密封层5可以是单一材料的结构，也可以是多层材料构成的结构，其内层为绝缘材料，外层为导电材料，如内层为在器件边缘的绝缘密封材料，而外层为铜Cu或银Ag导电喷涂屏蔽材料。

进一步的，在步骤S01之前，或步骤S05之后，所述方法还包括：

S006：在所述基板第二表面12设置第二空腔器件组2及第二密封层4，使得所述第二密封层4包封所述第二空腔器件组2。

进一步的，在步骤S006之后，所述方法还包括：

S007：将第二塑封层6覆盖于所述基板第二表面12，使得所述第二塑封层6包封所述第二密封层4，且所述第二密封层4密封材料的流动性小于所述第二塑封层6塑封材料的流动性。

具体的，基板第二表面12也可设置第二空腔器件组2、第二密封层4以及第二塑封层6，且基板第二表面12的工艺加工可以先于基板第一表面11，也可在基板第一表面11之后进行，工艺顺序不限。

同样的，先将对塑封模流压力敏感的第二空腔器件组2设于基板第二表面12，再在第二空腔器件组2的外周设置第二密封层4，第二密封层4密封材料的流动性较低，可不流入、也不会接触到空腔器件的压力敏感区域，起到保护第二空腔器件组2的作用。

同时，基板第二表面12还可设置锡球821，以便与其他基板1或结构进一步电性连接。

第二密封层4是可选的，即可根据基板第二表面12的具体情况进行选择；比如，当基板第二表面12设置其他对塑模压力不敏感的常规器件组时，基板第二表面12可不存在第二密封层4，只需覆盖一层第二塑封层6即可。

此外，还可继续在基板第二表面12覆盖一层第二塑封层6，第二塑封层6包封第二密封层4；同时，材料选择时，保证第一密封层5密封材料的流动性小于第二塑封层6塑封材料的流动性；由此，塑封过程中，第二塑封层6产生的模流压力被第二密封层4及时缓冲，第二密封层4进一步起到保护第二空腔器件组2的作用。

同时，锡球821设置于基板第二表面12时，第二塑封层6露出至少部分锡球821，以便进一步电性连接。

可选的，第二密封层4除了包封第二空腔器件组2，还可覆盖基板第二表面12整体；当第二密封层4覆盖整个基板第二表面12时，需要再通过激光开孔工艺来露出基板第二表面12的焊盘121，以便焊盘121与后续植入的锡球821电性连接。

可选的，当基板第二表面12覆盖有第二塑封层6时，也可通过激光开孔工艺来露出锡球821，以便锡球821与其他基板1或结构电性连接。

进一步的，在步骤S01之后，所述方法还包括：

S021：在所述基板第一表面11的边缘设置假片91，使得所述第一密封层5与所述第一塑封层7依次包封所述假片91。

进一步的，在步骤S01之后，所述方法还包括：

S022：在所述基板第一表面11设置被动元件93，使得所述第一密封层5与所述第一塑封层7依次包封所述被动元件93。

具体的，基板第一表面11还可设置假片91与被动元件93。在第一空腔器件组3设于基板第一表面11之后，可将假片91设于基板第一表面11的边缘，并使得其同样被第一密封层5与第一塑封层7依次包封；同样的，如大电感之类的被动元件93也设于基板第一表面11且被第一密封层5与第一塑封层7依次包封。如此，假片91与被动元件93可有效平衡并缓解密封材料与塑封材料固化时产生的收缩应力，避免收缩应力对第一空腔器件组3造成破坏。

同时，被动元件93的下表面与基板第一表面11之间还可以设置有隔离胶，用于防止引脚短路。

可选的，假片91也可设于基板1的非边缘区域，如位于基板1中央位置的各器件的较大间隔区域，以平衡缓解材料固化产生的应力。

假片91可由硅、陶瓷、玻璃等材料制成，也可以是PCB或基板材料或不同的塑封料，还可以是金属制成，如铜材料等制成的金属框。

进一步的，在步骤S05之后，所述方法还包括：

S08：对所述第一塑封层7进行减薄。

进一步的，在步骤S007之后，所述方法还包括：

S009：对所述第二塑封层6进行减薄。

具体的，还可最终对第一塑封层7与第二塑封层6进行减薄工艺，以降低塑封层的厚度，减少材料固化造成的变形翘曲，降低进一步固化带来的收缩压力，以提高封装结构整体的可靠性。

其中，第一塑封层7的减薄工艺可根据具体情况进行选择，即也可以不进行减薄工艺。第二塑封层6的减薄工艺也是可选的，同时，第二塑封层6还可通过激光开口以露出至少部分锡球。

可选的，减薄工艺可以是机械研磨减薄，也可以是激光减薄。

下面整体描述空腔器件组的封装方法：

空腔器件组的封装结构中，封装结构包括基板1，基板1包括基板第一表面11与基板第二表面12。

先在基板第一表面11设置对塑封时模流压力敏感的第一空腔器件组3与如大电感之类的被动元件93，在基板第一表面11的边缘设置假片91；再将第一密封层5覆盖于基板第一表面11，使其包封基板第一表面11的所有器件；接着，再在第一密封层5的表面设置第一塑封层7，使得第一密封层5与第一塑封层7依次包封基板第一表面11的所有器件，且保证第一密封层5密封材料的流动性小于第一塑封层7塑封材料的流动性。

接下来，在基板第二表面12设置第二空腔器件组2，将锡球821植入基板第二表面12，使其与基板第二表面12的焊盘121电性连接；然后，在第二空腔器件组2的外周设置第二密封层4，使其包封第二空腔器件组2；最后，在基板第二表面12覆盖第二塑封层6，第二塑封层6包封第二密封层4；此外，还可通过激光开孔工艺来露出锡球821，以便锡球821将封装结构整体与其他基板1或结构电性连接。

综上，本发明提供的空腔器件封装结构，对塑封模流压力敏感的第一空腔器件组3设于基板1的第一表面，在第一空腔器件组3的外周依次设置第一密封层5与第一塑封层7；第一密封层5密封材料的流动性较低，且小于第一塑封层7塑封材料的流动性；如此，在塑封过程中，第一塑封层7产生的模流压力被第一密封层5及时缓冲降低，可有效保护第一空腔器件组3，防止其受到塑封过程中模流压力作用而被破坏，从而以提高整体封装结构的可靠性与封装良率。

应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。