一种dram芯片封装结构及其加工工艺方法
阅读说明：本技术 一种dram芯片封装结构及其加工工艺方法 (DRAM chip packaging structure and processing method thereof ) 是由 刘浩 林建涛 屈海峰 于 2020-12-22 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法,其中,DRAM芯片封装结构,包括载板,设于所述载板上表面的芯片,及与所述载板和所述芯片连接的环氧树脂层；所述芯片上表面还设有若干根金属线,所述金属线的上端突出于所述环氧树脂层的上表面,所述环氧树脂层的上表面还设有线层,所述金属线的上端还与所述线层连接,所述线层的上表面还设有若干个锡球。本发明通过运用重新布线工艺,移除了传统的基板,运用金属线垂直连接芯片和重新布线层线路,减少了线路长度,芯片和金属载板之间有导热胶层,金属载板提升了芯片的散热性能,从而提升了产品电、热性能且降低了成本。(The invention relates to a DRAM chip packaging structure and a processing technique method thereof, wherein the DRAM chip packaging structure comprises a carrier plate, a chip arranged on the upper surface of the carrier plate, and an epoxy resin layer connected with the carrier plate and the chip; the upper surface of the chip is further provided with a plurality of metal wires, the upper ends of the metal wires protrude out of the upper surface of the epoxy resin layer, the upper surface of the epoxy resin layer is further provided with a wire layer, the upper ends of the metal wires are further connected with the wire layer, and the upper surface of the wire layer is further provided with a plurality of solder balls. According to the invention, by applying the rewiring process, the traditional substrate is removed, the metal wire is used for vertically connecting the chip and the rewiring layer circuit, the circuit length is reduced, the heat-conducting adhesive layer is arranged between the chip and the metal carrier plate, and the metal carrier plate improves the heat dissipation performance of the chip, so that the electrical and thermal properties of the product are improved and the cost is reduced.)
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，更具体地说是指一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法。
背景技术
现有传统DRAM芯片封装工艺主要有两种：1)、具体工艺流程描述如下：
1、封装前需要先在晶圆表面植球；2、然后进行研磨并将晶圆切割成单个颗粒，通过晶粒倒装将单芯片贴装于基板上并做回流焊，使芯片焊接在基板上；3、焊接完后进行封胶和装配焊球，最后进行切割完成产品的封装；此封装结构需预先在晶圆表面植球，同时需通过基板载体并植球来连通芯片与外界电路，产品整体厚度偏厚。
2)、具体工艺流程描述如下：
1、封装前需要对晶圆进行研磨并将晶圆切割成单个颗粒，通过覆晶贴装将单颗芯片贴装于基板上；
2、贴装完后经引线键合工艺将芯片I/O端口与基板端口用金属线连接在一起；
3、最后进行封胶和装配焊球，最终进行切割完成产品的封装；此封装结构需通过焊线方式将基板和芯片连通再通过锡球连接外界电路，产品整体厚度偏厚。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种DRAM芯片封装结构，包括载板，设于所述载板上表面的芯片，及与所述载板和所述芯片连接的环氧树脂层；所述芯片上表面还设有若干根金属线，所述金属线的上端突出于所述环氧树脂层的上表面，所述环氧树脂层的上表面还设有线层，所述金属线的上端还与所述线层连接，所述线层的上表面还设有若干个锡球。
其进一步技术方案为：所述芯片和载板之间还设有导热胶层。
其进一步技术方案为：所述金属线垂直设于所述芯片上表面。
一种DRAM芯片封装结构的加工工艺方法，包括以下步骤：
对晶圆研磨并切割成若干单颗芯片，然后将若干单颗芯片放置于载板上；
对芯片的上表面植金属线；
将植金属线后的芯片和载板塑封胶面；
对塑封胶面的上表面进行厚度打磨，直至金属线的触点露出于塑封胶面的上表面；
对塑封胶面的上表面重新布线层；
在线层的上表面植入若干个锡球；
将载板进行切割，以获得若干单颗IC颗粒。
其进一步技术方案为：所述晶圆的厚度为0.7mm-0.8mm,晶圆研磨后厚度为0.05mm-0.1mm。
其进一步技术方案为：所述载板为圆形状或方形状。
其进一步技术方案为：所述载板的厚度为0.1mm-0.2mm。
其进一步技术方案为：所述塑封胶面的厚度为0.3mm-1mm。
其进一步技术方案为：所述塑封胶面的打磨厚度为0.1mm-0.5mm。
其进一步技术方案为：所述线层的厚度为0.05mm-0.1mm，所述锡球的直径为0.3mm-0.5mm。
本发明与现有技术相比的有益效果是：通过运用重新布线(RDL)工艺,移除了传统的基板，运用金属线垂直连接芯片和重新布线层线路，减少了线路长度，芯片和金属载板之间有导热胶层，金属载板提升了芯片的散热性能，从而提升了产品电、热性能且降低了成本，能够更好地满足需求。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的DRAM芯片封装结构的示意图；
图2为本发明实施例提供的DRAM芯片封装结构的加工工艺方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
请参阅图1所示的具体实施例，本发明公开了一种DRAM芯片封装结构，包括载板10，设于所述载板10上表面的芯片20，及与所述载板10和所述芯片20连接的环氧树脂层30；所述芯片20上表面还设有若干根金属线40，所述金属线40的上端突出于所述环氧树脂层30的上表面，所述环氧树脂层30的上表面还设有线层50，所述金属线40的上端还与所述线层50连接，所述线层50的上表面还设有若干个锡球60。
其中，如图1所示，所述芯片20和载板10之间还设有导热胶层70，便于散热，提升了整体封装结构的散热性能。
其中，所述金属线40垂直设于所述芯片20上表面，金属线40的下部与芯片20连接，金属线40的上部与线层50连接，直接通过金属线40导通内外线路，去掉了基板作为线路导通的载体，减少了线路长度，降低了封装结构厚度，提升了产品性能，且节省了基板的成本。
请参阅图2所示的具体实施例，本发明公开了一种DRAM芯片封装结构的加工工艺方法，包括以下步骤：
S1，对晶圆研磨并切割成若干单颗芯片，然后将若干单颗芯片放置于载板上；
其中，所述晶圆的厚度为0.7mm-0.8mm,晶圆研磨后厚度为0.05mm-0.1mm，具体厚度可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。在本实施例中，载板包括所有的金属载板，载板为圆形状或方形状等，载板的厚度为0.1mm-0.2mm，以适用不同场景。
S2，对芯片的上表面植金属线；
其中，金属线经过焊线工序垂直植于芯片的上表面，且金属线的长度根据塑封胶面的厚度进行长度拉伸设定，以满足不同需求。
S3，将植金属线后的芯片和载板塑封胶面，将芯片和金属线保护起来。
其中，塑封胶面的厚度为0.3mm-1mm，具体厚度可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。
S4，对塑封胶面的上表面进行厚度打磨，直至金属线的触点露出于塑封胶面的上表面，满足金属线的触点与线层连接，以实现通过金属线导通内外线路，可移除晶圆表面植球工艺，从而简化了晶圆加工流程。
其中，塑封胶面的打磨厚度为0.1mm-0.5mm，具体打磨厚度可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。
S5，对塑封胶面的上表面重新布线层；
S6，在线层的上表面植入若干个锡球；
其中，对线层连接金属线的触点进行焊凸点排布，在焊凸点上进行植入锡球，操作简单，省成本。
其中，线层的厚度为0.05mm-0.1mm，所述锡球的直径为0.3mm-0.5mm，具体厚度和直径数值可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。
S7，将载板进行切割，以获得若干单颗IC颗粒。
其中，载板切割采用金刚石刀片，快速高效，且不易变形。
本发明提供的封装结构和工艺方法可减少基板的使用，相对于传统工艺缩短了线长，降低了封装结构厚度，节约了产品的加工成本，同时增加了散热，提升了产品性能。
其中，此封装结构和工艺流程包含但不限于DRAM芯片封装，任何采用此方法实现芯片封装都包含在本结构工艺之内。
上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。
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