具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

请参阅图1所示的具体实施例，本发明公开了一种芯片封装结构，包括芯片10，及与所述芯片10连接的环氧树脂层20；所述芯片10上表面还设有若干根金属线30，所述金属线30的上端突出于所述环氧树脂层20的上表面，所述环氧树脂层20的上表面还设有线层40，所述金属线30的上端还与所述线层40连接，所述线层40的上表面还设有若干个锡球50。

其中，所述金属线30垂直设于所述芯片10上表面，金属线30的下部与芯片10连接，金属线30的上部与线层40连接，直接通过金属线30导通内外线路，去掉了基板作为线路导通的载体，减少了线路长度，降低了封装结构厚度，提升了产品性能，且节省了基板的成本。

请参阅图2所示的具体实施例，本发明公开了一种芯片封装结构的加工工艺方法，包括以下步骤：

S1，对晶圆研磨并切割成若干单颗芯片，然后将若干单颗芯片放置于临时载板上；

其中，晶圆的厚度为0.7mm-0.8mm，晶圆研磨后厚度为0.05mm-0.1mm，具体厚度可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。在本实施例中，临时载板包括所有的金属载板，临时载板为圆形状或方形状等，临时载板的厚度为0.1mm-0.2mm，以适用不同场景。

S2，对芯片的上表面植金属线；

其中，金属线经过焊线工序垂直植于芯片的上表面，且金属线的长度根据塑封胶面的厚度进行长度拉伸设定，以满足不同需求。

S3，将植金属线后的芯片和载板塑封胶面；

其中，塑封胶面的厚度为0.3mm-1mm，具体厚度可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。

S4，将临时载板去掉，然后对塑封胶面的上表面进行厚度打磨，直至金属线的触点露出于塑封胶面的上表面，满足金属线的触点与线层连接，以实现通过金属线导通内外线路，可移除晶圆表面植球工艺，从而简化了晶圆加工流程。

其中，通过剥离工序将临时载板去掉，塑封胶面的打磨厚度为0.1mm-0.5mm，具体打磨厚度可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。

S5，对塑封胶面的上表面重新布线层；

S6，在线层的上表面植入若干个锡球，以形成整板IC；

其中，对线层连接金属线的触点进行焊凸点排布，在焊凸点上进行植入锡球，操作简单，省成本。

其中，线层的厚度为0.05mm-0.1mm，所述锡球的直径为0.3mm-0.5mm，具体厚度和直径数值可以根据实际需要进行选择，以满足不同需求。

S7，对整板IC进行切割，以获得若干单颗IC颗粒。

其中，切割采用金刚石刀片，快速高效，且不易变形。

其中，此封装结构和工艺流程包含但不限于DRAM芯片封装，任何采用此方法实现芯片封装都包含在本结构工艺之内。

本发明提供的封装结构和工艺方法可减薄芯片封装厚度和封装面积，达到轻薄和尺寸小目的，另外减少基板使用，节约产品加工成本，还可灵活性的设计芯片封装尺寸。

上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。