具体实施方式

出于进一步解释本公开范围的目的，上述图示和以下详细描述是示范性的。将在随后的描述和附图中展示与本公开相关的其它目的和优势。

图1示出了根据本公开的实施例的半导体设备封装1。具体地，半导体设备封装1可以具有模制区域13和非模制区域15。如本文所使用的，术语“模制区域”可以指被模制材料覆盖的区域(例如，衬底的区域)，并且术语“非模制区域”可以指基本上不含模制材料的区域(例如，衬底的区域)或空间。参考图1，半导体设备封装1可以包括载体10。载体10具有上表面11。可以在载体10的上表面11上安置包封材料131。在载体10的上表面11上安置有管芯133和组件135(例如，电子组件，如无源电子组件)并且所述管芯和组件被包封材料131覆盖。如图1所示，包封材料131覆盖的区域为模制区域13。此外，参考图1，载体10的上表面11的某个区域从包封材料131暴露(例如，基本上不含包封材料131)。从包封材料131暴露的区域为非模制区域15。在非模制区域15中，基本上没有包封材料131安置在载体10的上表面11上，并且安置在载体10的上表面11上的管芯151和组件153未被包封材料131覆盖并且因此被暴露。此外，在载体10的上表面11上安置有导电层14。导电层14可以包括停止层或包括停止层和阻挡层。导电层14可以基本上定位在模制区域13与非模制区域15之间的界面处或/和沿所述界面延伸。也就是说，导电层14可以基本上定位在模制区域13与非模制区域15之间。参考图1，导电层14看起来像之字形条带，并且模制区域13和非模制区域15被之字形条带彼此分离。

图2示出了根据本公开的实施例的半导体设备封装2。具体地，半导体设备封装2可以具有模制区域23和非模制区域25。如本文所使用的，术语“模制区域”可以指被模制材料覆盖的区域(例如，衬底的区域)，并且术语“非模制区域”可以指基本上不含模制材料的区域(例如，衬底的区域)或空间。参考图2，半导体设备封装2可以包括载体20。载体20具有上表面21。可以在载体20的上表面21上安置包封材料231。在载体20的上表面21上安置有管芯233和组件235(例如，电子组件，如无源电子组件)并且所述管芯和组件被包封材料231覆盖。如图2所示，包封材料231覆盖的区域为模制区域23。此外，参考图2，载体20的上表面21的某个区域从包封材料231暴露(例如，基本上不含包封材料231)。从包封材料231暴露的区域为非模制区域25。在非模制区域25中，基本上没有包封材料231安置在载体20的上表面21上，并且安置在载体20的上表面21上的管芯251和组件253未被包封材料231覆盖并且因此被暴露。另外，可以在载体20的上表面21上安置连接器并且可以使所述连接器不被包封材料231覆盖(未示出)，其中连接器可以通过柔性印刷电路板(FPC板)电连接到外部组件。此外，在载体20的上表面21上安置有导电层24。导电层24可以包括停止层或包括停止层和阻挡层。导电层24可以基本上定位在模制区域23与非模制区域25之间的界面处或/和沿所述界面延伸。也就是说，导电层24可以基本上定位在模制区域23与非模制区域25之间。参考图2，导电层24的两端分别定位在载体20的两个相邻侧面201、202处。因此，非模制区域25基本上定位在载体20的上表面21的拐角处。

图3示出了根据本公开的实施例的半导体设备封装3。具体地，半导体设备封装3可以具有模制区域33和非模制区域35。如本文所使用的，术语“模制区域”可以指被模制材料覆盖的区域(例如，衬底的区域)，并且术语“非模制区域”可以指基本上不含模制材料的区域(例如，衬底的区域)或空间。参考图3，半导体设备封装3可以包括载体30。载体30具有上表面31。可以在载体30的上表面31上安置包封材料331。在载体30的上表面31上安置有管芯333和组件335(例如，电子组件，如无源电子组件)并且所述管芯和组件被包封材料331覆盖。如图3所示，包封材料331覆盖的区域为模制区域33。此外，参考图3，载体30的上表面31的某个区域从包封材料331暴露(例如，基本上不含包封材料331)。从包封材料331暴露的区域为非模制区域35。在非模制区域35中，基本上没有包封材料331安置在载体30的上表面31上，并且安置在载体30的上表面31上的管芯351和组件353未被包封材料331覆盖并且因此被暴露。此外，在载体30的上表面31上安置有导电层34。导电层34可以包括停止层或包括停止层和阻挡层。导电层34可以基本上定位在模制区域33与非模制区域35之间的界面处或/和沿所述界面延伸。也就是说，导电层34可以基本上定位在模制区域33与非模制区域35之间。参考图3，导电层34呈环形。因此，非模制区域35基本上被模制区域33包围。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F示出了根据本公开的实施例的制造半导体设备封装4(如图4F所示)的方法。如图4A所示，载体41具有上表面411和形成于上表面411中的两个凹部410。载体41可以具有相对于上表面411下凹的凹入表面412(例如，其限定凹部410的底部)。可以分别在凹部410内收纳停止层42并且因此可以分别在凹入表面412上安置所述停止层。换句话说，停止层42可以嵌入在载体41中。可以在停止层42上安置阻挡层43并且可以使所述阻挡层从载体41的上表面411凸出。阻挡层43和停止层42可以彼此集成。此外，停止层42和阻挡层43可以由同一种材料制成。参考图4A，停止层42的截面宽度大于阻挡层43的截面宽度。特别地，停止层42与阻挡层43的组合可以基本上呈倒T形。在载体41的上表面411上安置有至少两个电子组件481、482。

如图4A所示，阻挡层43可以具有侧表面431，所述侧表面连接到停止层42的上表面421。此外，在阻挡层43的侧表面431与载体41之间可以存在空间。另外，阻挡层43可以进一步具有与侧表面431相反的侧表面432。侧表面432的至少一部分可以基本上附接到载体41。此外，载体41的上表面411的定位在凹部410之间的部分可以进一步包括润湿层49。

此外，参考图4B，在载体41的上表面411的位于凹部410之间的部分上分配胶水。由于阻挡层43从载体41的上表面411凸出，所以胶水将不会跨阻挡层43流动。也就是说，将在阻挡层43之间形成可移除/牺牲层47。此外，胶水可以流到阻挡层43的侧表面431与载体41之间的空间中。另外，由于载体41的上表面411的位于凹部410之间的部分可以进一步包括润湿层49，所以胶水将平滑分布，并且最终将在阻挡层43之间均匀地形成可移除/牺牲层47。

参考图4C，将包封材料40安置在载体41上并且所述包封材料包封载体41的上表面411、停止层42、阻挡层43、可移除/牺牲层47和组件481、482。也就是说，包封材料40覆盖载体41的上表面411、停止层42、阻挡层43、可移除/牺牲层47和组件481和482。

参考图4D，通过激光工艺去除包封材料40的部分，并且因此使阻挡层43的部分暴露。由此，包封材料40被分成三个部分44和45，其中包封材料部分44附接到载体41的上表面411和阻挡层43，并且包封材料部分45附接到可移除/牺牲层47。具体地，当通过激光工艺去除包封材料40的所述部分时，激光将投射在阻挡层43上或在阻挡层43和停止层42上并且因此将不会损坏载体41。

参考图4E，通过物理方法或化学方法(如水洗工艺)去除可移除/牺牲层47。另外，去除附接到可移除/牺牲层47的包封材料部分45(例如，在去除可移除/牺牲层47的同时)。在去除可移除/牺牲层47和包封材料部分45之后，包封材料部分44保持处于载体41上，并且上表面411的位于凹部410之间的部分以及润湿层49暴露。此外，阻挡层43的从载体41的上表面411凸出的部分(如侧表面431的高于载体41的上表面411的部分)也将暴露。此外，包封材料部分44安置在载体41的上表面411上。

如图4E所示，包封材料部分44可以具有位于阻挡层43上的侧表面441。另外，胶水可以流到阻挡层43的侧表面431与载体41之间的空间中。因此，在去除可移除/牺牲层47之后，可以使阻挡层43的整个侧表面431暴露。

参考图4F，将至少一个电子组件483安置在上表面411的位于凹部410之间的部分上。此外，可以在包封材料部分44上形成屏蔽层445并且将所述屏蔽层连接到停止层42和阻挡层43。可以通过停止层42和阻挡层43使屏蔽层445接地。

图5A、图5B、图5C、图5D、图5E和图5F示出了根据本公开的另一实施例的制造半导体设备封装5(如图5F所示)的方法。如图5A所示，载体51具有上表面511和形成于上表面511中的两个凹部510。载体51可以具有相对于上表面511下凹的凹入表面512(例如，其限定凹部510的底部)。可以分别在凹部510内收纳停止层52并且因此可以分别在凹入表面512上安置所述停止层。换句话说，停止层52可以嵌入在载体51中。可以在停止层52上安置阻挡层53并且可以使所述阻挡层从载体51的上表面511凸出。阻挡层53和停止层52可以彼此集成。此外，停止层52和阻挡层53可以由同一种材料制成。参考图5A，停止层52的截面宽度大于阻挡层53的截面宽度。特别地，停止层52与阻挡层53的组合可以基本上呈L形。在载体51的上表面511上安置有至少两个电子组件581、582。

如图5A所示，阻挡层53具有连接到停止层52的上表面521的侧表面531。此外，在阻挡层53的侧表面531与载体51之间可以存在空间。另外，阻挡层53可以进一步具有与侧表面531相反的侧表面532。侧表面532的至少一部分可以基本上附接到载体51。此外，载体51的上表面511的定位在凹部510之间的部分可以进一步包括润湿层59。

此外，参考图5B，在载体51的上表面511的位于凹部510之间的部分上分配胶水。由于阻挡层53从载体51的上表面511凸出，所以胶水将不会跨阻挡层53流动。也就是说，将在阻挡层53之间形成可移除/牺牲层57。此外，胶水可以流到阻挡层53的侧表面531与载体51之间的空间中。另外，由于载体51的上表面511的位于凹部510之间的部分可以进一步包括润湿层59，所以胶水将平滑分布，并且最终将在阻挡层53之间均匀地形成可移除/牺牲层57。

参考图5C，将包封材料50安置在载体51上并且所述包封材料包封载体51的上表面511、停止层52、阻挡层53、可移除/牺牲层57和组件581、582。也就是说，包封材料50覆盖载体51的上表面511、停止层52、阻挡层53、可移除/牺牲层57和组件581、582。

参考图5D，通过激光工艺去除包封材料50的部分，并且因此使阻挡层53的部分暴露。由此，包封材料50被分成三个部分54和55，其中包封材料部分54附接到载体51的上表面511和阻挡层53，并且包封材料部分55附接到可移除/牺牲层57。具体地，当通过激光工艺去除包封材料50的所述部分时，激光将投射在阻挡层53上或在阻挡层53和停止层52上并且将不会损坏载体51。

参考图5E，通过物理方法或化学方法(如水洗工艺)去除可移除/牺牲层57。另外，去除附接到可移除/牺牲层57的包封材料部分55(例如，在去除可移除/牺牲层57的同时)。在去除可移除/牺牲层57和包封材料部分55之后，包封材料部分54保持处于载体51上，并且上表面511的位于凹部510之间的部分以及润湿层59暴露。此外，阻挡层53的从载体51的上表面511凸出的部分(如侧表面531的高于载体51的上表面511的部分)也将暴露。此外，包封材料部分54安置在载体51的上表面511上。

如图5E所示，包封材料部分54可以具有位于阻挡层53上的侧表面541。另外，胶水可以流到阻挡层53的侧表面531与载体51之间的空间中。因此，在去除可移除/牺牲层57之后，可以使阻挡层53的整个侧表面531暴露。

参考图5F，将至少一个电子组件583安置在上表面511的位于凹部510之间的部分上。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E和图6F示出了根据本公开的另一实施例的制造半导体设备封装6(如图6F所示)的方法。如图6A所示，载体61具有上表面611和形成于上表面611中的两个凹部610。载体61可以具有相对于上表面611下凹的凹入表面612(例如，其限定凹部610的底部)。可以分别在凹部610内收纳停止层62并且因此可以分别在凹入表面612上安置所述停止层。换句话说，停止层62可以嵌入在载体61中。可以在停止层62上安置阻挡层63并且可以使所述阻挡层从载体61的上表面611凸出。此外，停止层62可以为衬垫并且阻挡层63可以由焊料球组成。参考图6A，停止层62的截面宽度大于阻挡层63的最大截面宽度。在载体61的上表面611上安置有至少两个电子组件681、682。

如图6A所示，阻挡层63具有连接到停止层62的上表面621的侧表面631。此外，在阻挡层63的侧表面631与载体61之间可以存在空间。此外，载体61的上表面611的定位在凹部610之间的部分可以进一步包括润湿层69。

此外，参考图6B，在载体61的上表面611的位于凹部610之间的部分上分配胶水。由于阻挡层63从载体61的上表面611凸出，所以胶水将不会跨阻挡层63流动。也就是说，将在阻挡层63之间形成可移除/牺牲层67。此外，胶水可以流到阻挡层63的侧表面631与载体61之间的空间中。另外，由于载体61的上表面611的位于凹部610之间的部分可以进一步包括润湿层69，所以胶水将平滑分布，并且最终将在阻挡层63之间均匀地形成可移除/牺牲层67。

参考图6C，将包封材料60安置在载体61上并且所述包封材料包封载体61的上表面611、停止层62、阻挡层63、可移除/牺牲层67和组件681、682。也就是说，包封材料60覆盖载体61的上表面611、停止层62、阻挡层63、可移除/牺牲层67和组件681、682。

参考图6D，通过激光工艺去除包封材料60的部分，并且因此使阻挡层63的部分暴露。由此，包封材料60被分成三个部分64和65，其中包封材料部分64附接到载体61的上表面611和阻挡层63，并且包封材料部分65附接到可移除/牺牲层67。具体地，当通过激光工艺去除包封材料60的所述部分时，激光将投射在阻挡层63上或在阻挡层63和停止层62上并且将不会损坏载体61。

参考图6E，通过物理方法或化学方法(如水洗工艺)去除可移除/牺牲层67。另外，去除附接到可移除/牺牲层67的包封材料部分65(例如，在去除可移除/牺牲层67的同时)。在去除可移除/牺牲层67和包封材料部分65之后，包封材料部分64保持处于载体61上，并且上表面611的位于凹部610之间的部分以及润湿层69暴露。此外，阻挡层63的从载体61的上表面611凸出的部分(如侧表面631的高于载体61的上表面611的部分)也将暴露。此外，包封材料部分64安置在载体61的上表面611上。

如图6E所示，包封材料部分64可以具有位于阻挡层63上的侧表面641。另外，胶水可以流到阻挡层63的侧表面631与载体61之间的空间中。因此，在去除可移除/牺牲层67之后，可以使阻挡层63的整个侧表面631暴露。

参考图6F，将至少一个电子组件683安置在上表面611的位于凹部610之间的部分上。

图7A、图7B、图7C、图7D、图7E和图7F示出了根据本公开的实施例的制造半导体设备封装7(如图7F所示)的方法。如图7A所示，载体71具有上表面711和形成于上表面711中的两个凹部710。载体71具有相对于上表面711下凹的凹入表面712(例如，其限定凹部710的底部)。可以分别在凹部710内收纳停止层72并且因此可以分别在凹入表面712上安置所述停止层。换句话说，停止层72可以嵌入在载体71中。可以在停止层72上安置阻挡层73。阻挡层73和停止层72可以彼此集成。阻挡层73具有可以与载体71的上表面711基本上共面的顶表面733。此外，停止层72和阻挡层73可以由同一种材料制成。参考图7A，停止层72的截面宽度大于阻挡层73的截面宽度。特别地，停止层72与阻挡层73的组合可以基本上呈倒T形。在载体71的上表面711上安置有至少两个电子组件781、782。

如图7A所示，阻挡层73具有连接到停止层72的上表面721的侧表面731。此外，在阻挡层73的侧表面731与载体71之间可以存在空间。另外，阻挡层73可以进一步具有与侧表面731相反的侧表面732。侧表面732可以基本上附接到载体71。此外，载体71的上表面711的定位在凹部710之间的部分可以进一步包括润湿层79。

此外，参考图7B，在载体71的上表面711的位于凹部710之间的部分上分配胶水。胶水将流到阻挡层73的侧表面731与载体71之间的空间中，并且因此，胶水将不会跨阻挡层73流动。也就是说，将在阻挡层73之间形成可移除/牺牲层77。另外，由于载体71的上表面711的位于凹部710之间的部分可以进一步包括润湿层79，所以胶水将平滑分布，并且最终将在阻挡层73之间均匀地形成可移除/牺牲层77。

参考图7C，将包封材料70安置在载体71上并且所述包封材料包封载体71的上表面711、停止层72、阻挡层73、可移除/牺牲层77和组件781、782。也就是说，包封材料70覆盖载体71的上表面711、停止层72、阻挡层73、可移除/牺牲层77和组件781、782。

参考图7D，通过激光工艺去除包封材料70的部分，并且因此使阻挡层73的部分暴露。由此，包封材料70被分成三个部分74和75，其中包封材料部分74附接到载体71的上表面711和阻挡层73，并且包封材料部分75附接到可移除/牺牲层77。具体地，当通过激光工艺去除包封材料70的所述部分时，激光将投射在阻挡层73上或在阻挡层73和停止层72上并且将不会损坏载体71。

参考图7E，通过物理方法或化学方法(如水洗工艺)去除可移除/牺牲层77。另外，去除附接到可移除/牺牲层77的包封材料部分75(例如，在去除可移除/牺牲层77的同时)。在去除可移除/牺牲层77和包封材料部分75之后，包封材料部分74保持处于载体71上，并且上表面711的位于凹部710之间的部分以及润湿层79暴露。此外，阻挡层73的侧表面731也将暴露。包封材料部分74安置在载体71的上表面711和阻挡层73的顶表面733上。特别地，如图7E所示，包封材料部分74可以具有位于阻挡层73的顶表面733上的侧表面741。

参考图7F，将至少一个电子组件783安置在上表面711的位于凹部710之间的部分上。

图8A、图8B、图8C、图8D、图8E和图8F示出了根据本公开的实施例的制造半导体设备封装8(如图8F所示)的方法。如图8A所示，载体81具有上表面811和形成于上表面811中的两个凹部810。载体81可以具有相对于上表面811下凹的凹入表面812(例如，其限定凹部810的底部)。可以分别在凹部810内收纳停止层82并且因此可以分别在凹入表面812上安置所述停止层。换句话说，停止层82可以嵌入在载体81中。可以在停止层82上安置阻挡层83和85。阻挡层83和85和停止层82可以彼此集成。凹部810具有连接到载体81的上表面811的两个相反的侧表面813、815。凹部810的侧表面813、815分别位于阻挡层83、85上。也就是说，阻挡层83、85的顶表面833、853相对于载体81的上表面811下凹。此外，停止层82和阻挡层83、85可以由同一种材料制成。参考图8A，可以将阻挡层83和85安置成分别与停止层82的两个相对侧相邻，并且因此停止层82与阻挡层83和85的组合可以基本上呈U形。在载体81的上表面811上安置有至少两个电子组件881、882。此外，载体81的上表面811的定位在凹部810之间的部分可以进一步包括润湿层89。

此外，参考图8B，在载体81的上表面811的位于凹部810之间的部分上分配胶水。胶水将流到凹部810中，但是将不会跨阻挡层83流动。也就是说，将在阻挡层83之间形成可移除/牺牲层87。另外，由于载体81的上表面811的位于凹部810之间的部分可以进一步包括润湿层89，所以胶水将平滑分布，并且最终将在屏障83之间均匀地形成可移除/牺牲层87。

参考图8C，将包封材料80安置在载体81上并且所述包封材料包封载体81的上表面811、停止层82、阻挡层83、85、可移除/牺牲层87和组件881、882。也就是说，包封材料80覆盖载体81的上表面811、停止层82、阻挡层83、可移除/牺牲层87和组件881、882。

参考图8D，通过激光工艺去除包封材料80的部分，并且因此使阻挡层83的部分暴露。由此，包封材料80被分成三个部分84和85，其中包封材料部分84附接到载体81的上表面811和阻挡层83，并且包封材料部分85附接到可移除/牺牲层87。具体地，当通过激光工艺去除包封材料80的所述部分时，激光将投射在阻挡层83上或在阻挡层83和停止层82上并且将不会损坏载体81。

参考图8E，通过物理方法或化学方法(如水洗工艺)去除可移除/牺牲层87。另外，去除附接到可移除/牺牲层87的包封材料部分85(例如，在去除可移除/牺牲层87的同时)。在去除可移除/牺牲层87和包封材料部分85之后，包封材料部分84保持处于载体81上，并且上表面811的位于凹部810之间的部分以及润湿层89暴露。此外，阻挡层83、85的部分也将暴露。此外，包封材料部分84安置在载体81的上表面811上。

如图8E所示，包封材料部分84可以具有位于阻挡层83上的侧表面841。此外，包封材料部分84可以覆盖凹部810的侧表面813。阻挡层83具有侧表面831，并且阻挡层85具有与侧表面831相对的侧表面851。两个侧表面831、851均暴露。

参考图8F，将至少一个电子组件883安置在上表面81的位于凹部810之间的部分上。

图9A、图9B、图9C、图9D、图9E和图9F示出了根据本公开的实施例的制造半导体设备封装9(如图9F所示)的方法。如图9A所示，载体91具有上表面911和形成于上表面911中的两个凹部910。载体91可以具有相对于上表面911下凹的凹入表面912(例如，其限定凹部910的底部)。可以分别在凹部910内收纳停止层92并且因此可以分别在凹入表面912上安置所述停止层。换句话说，停止层92嵌入在载体91中。凹部910具有连接到载体91的上表面911的两个相反的侧表面913、914。凹部910的侧表面913、914位于停止层92上。也就是说，停止层92的顶表面923相对于载体91的上表面911下凹。停止层92可以具有两个相反的侧表面921和922。停止层92的侧表面921与凹部910的侧表面913之间的距离可以与停止层92的侧表面922与凹部910的侧表面914之间的距离相同。在载体91的上表面911上安置有至少两个电子组件981、982。此外，载体91的上表面911的定位在凹部910之间的部分可以进一步包括润湿层99。

此外，参考图9B，在载体91的上表面911的位于凹部910之间的部分上分配胶水。胶水将流到凹部910中，但是将不会跨凹部910流动。也就是说，将在凹部910的侧表面913之间形成可移除/牺牲层97。另外，由于载体91的上表面911的位于凹部910之间的部分可以进一步包括润湿层99，所以胶水将平滑分布，并且最终将在凹部910之间均匀地形成可移除/牺牲层97。

参考图9C，将包封材料90安置在载体91上并且所述包封材料包封载体91的上表面911、停止层92、可移除/牺牲层97和组件981、982。也就是说，包封材料90覆盖载体91的上表面911、停止层92、可移除/牺牲层97和组件981、982。

参考图9D，通过激光工艺去除包封材料90的部分，并且因此使停止层92的部分暴露。特别地，在去除包封材料90的部分时，激光可能接触载体91的一部分，并且因此载体91的侧表面913'将被损坏。由此，包封材料90被分成三个部分94和95，其中包封材料部分94附接到载体91的上表面911，并且包封材料部分95附接到可移除/牺牲层97。

参考图9E，通过物理方法或化学方法(如水洗工艺)去除可移除/牺牲层97。另外，去除附接到可移除/牺牲层97的包封材料部分95(例如，在去除可移除/牺牲层97的同时)。在去除可移除/牺牲层97和包封材料部分95之后，包封材料部分94保持处于载体91上，并且上表面911的位于凹部910之间的部分以及润湿层99暴露。此外，阻挡层92的部分也将暴露。此外，包封材料部分94安置在载体91的上表面911上。

如上所述，激光可能接触载体91的一部分并且凹部910的侧表面913'将被损坏，并且因此，包封材料部分94可以具有侧表面941，所述侧表面可以与凹部910的受损侧表面913'共面。此外，由于凹部910的侧表面913'被激光损坏，所以凹部的受损侧表面913'的粗糙度可能大于凹部910的侧表面914的粗糙度。另外，停止层92的侧表面921与凹部910的受损侧表面913'之间的距离可能小于停止层92的侧表面922与凹部910的侧表面914之间的距离。载体91的上表面911与凹部910的受损侧表面913'之间的角度θ1可能大于90度并且还大于载体91的上表面911与凹部910的侧表面914之间的角度θ2。

参考图9F，将至少一个电子组件983安置在上表面911的位于凹部910之间的部分上。

如本文所使用的，术语“大约”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当结合事件或情形使用时，所述术语可以指代事件或情形精确发生的实例以及事件或情形接近发生的实例。例如，当与数值结合使用时，所述术语可以指代小于或等于所述数值的±10％，如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％的变化范围。

例如，基本上平行可以指相对于0°小于或等于±10°，如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°或小于或等于±0.05°的角度变化范围。例如，基本上垂直可以指相对于90°小于或等于±10°，如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°或小于或等于±0.05°的角度变化范围。

如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，则可以将所述两个表面视为共面或基本上共面。如果表面的最高点和最低点之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，则可以将表面视为基本上平坦。

如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个/种(a/an)”和“所述(the)”可以包含复数指代物。

另外，量、比率和其它数值在本文中有时以范围格式呈现。应当理解的是，此范围格式是为了方便和简洁而使用的，并且应该灵活地理解为包含明确指定为范围的界限的数值，而且还包含所述范围内涵盖的所有单独数值或子范围，如同每个数值和子范围被明确指定一样。

虽然已经参考本公开的具体实施例描述和展示了本公开，但是这些描述和图示并非限制性的。本领域技术人员应当理解，在不脱离如由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以作出各种改变并且可以取代等同物。图示可能不一定按比例绘制。由于制造工艺和公差，本公开中的艺术再现与实际装置之间可能存在区别。可能存在未具体展示的本公开的其它实施例。说明书和附图应被视为是说明性的而非限制性的。可以作出修改以使特定情况、材料、物质构成、方法或过程适于本公开的目标、精神和范围。所有这种修改均旨在落入所附权利要求的范围内。虽然已经参考以特定顺序执行的特定操作描述了本文所公开的方法，但是应理解，可以在不脱离本公开的教导的情况下对这些操作进行组合、细分或重新排列以形成等效方法。因此，除非本文明确指出，否则操作的顺序和分组并不是本公开的限制。