具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

如图1所示，一种具有高频互联功能的BGA陶瓷封装结构，包括盖板1、围框2、芯片组合3、陶瓷主体4、BGA植球5、母板6、测试接头7，其中陶瓷主体4有互相隔离的各个腔体，所述围框（2）内部结构与陶瓷主体（4）的腔体结构一致。

组合如图2所示，陶瓷主体4各个腔体内设置芯片组合3，顶部以盖板1密封，底部通过BGA植球5阵列与母板6焊接互联，由BGA植球5提供射频通道、供电通道、散热通道。

本发中，陶瓷主体4底部通过BGA植球5阵列与母板6焊接互联时，焊球经过峰值的焊接温区后变成半融状态，分别与上下两个平面之间结合，可自动补偿陶瓷封装和母板之间的平整度不一致性带来的距离差。此外，底面采用BGA焊接，相对于LGA封装底面与接地点焊接可以充分利用底面的面积，增加散热接触面，改善散热效果。

作为一种优选实施方式，BGA植球5可采用0.3~0.76mm直径的焊球，其中采用0.5mm直径的焊球为最佳。材料方面可选择为锡铅或者无铅的锡银铜混合，锡铅焊料Sn63Pb37效果最佳。上述设计，可根据工作频率、封装大小、焊接工艺能力综合考虑选择。

作为一种优选实施方式，陶瓷主体4采用类同轴结构设计，类同轴结构是以陶瓷为介质，以圆形阵列排布的通孔作为屏蔽层，以圆心位置的通孔作为信号导体，从陶瓷腔体内部直接垂直传到陶瓷底部，具有传输距离短，信号插损小的优点。

作为一种优选实施方式，母板6可采用共面波导结构，共面波导结构是中间导线传输信号，两侧接地平面图形作为屏蔽层的平面三明治。也可带线结构，带线结构是中间导线传输信号，上下两侧地的立体三明治结构。具体可根据情况灵活配置。

作为一种优选实施方式，陶瓷主体4的材料可选择为HTCC（高温共烧陶瓷），其导热系数为20 W/m·k，具有良好的导热能力，该种设计适用于10W以下中功率应用场合。

作为一种优选实施方式，除微波毫米波频段，射频芯片、滤波器的安装空间需要留一定的空间余量，以保证信号传输不产生反射，需要装设围框2外，其余情况可以省去。进一步优选的，所述围框2可选用金属框，高度为内部陶瓷腔体深度的两倍，整个腔体高度为2~3mm，可以满足高频应用要求。

基于上述封装结构的封装方法，具体流程为：

以陶瓷基座作为封装主体，按照电路设计，安排芯片布局，基于芯片布局，设计腔体结构，各层电路图形等。基于设计图形印刷电路图形，采用表面处理的薄膜进行陶瓷浆料流延，对流延好的生瓷片按照标准尺寸分切、冲孔、印刷、叠片、层压、热切、高温烧结，陶瓷主体就基本完成。围框和陶瓷主体顶层采用金锡焊料烧结，陶瓷表面腔体和金属围框共同构成可安装芯片的腔体。组装芯片，贴片，键合，封帽。在母板上印刷助焊剂或焊料，在陶瓷封装焊盘底部利用工装夹具植球到相应位置。光学对齐陶瓷封装和连接母板，进回流焊，进行电气检查。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。