阅读说明：本技术 一种晶体管管座及晶体管气密封装结构 (Transistor tube seat and transistor airtight packaging structure ) 是由 张迪 于 2020-07-28 设计创作，主要内容包括：本发明涉及晶体管封装技术领域,公开了一种晶体管管座及晶体管气密封装结构。所述晶体管管座包括绝缘底座和环向封闭金属底座,其中,所述绝缘底座的顶面用于放置晶体管芯片；所述绝缘底座的内部设有至少一个导电通道,所述绝缘底座的外周面与所述环向封闭金属底座的内环面通过填料密封连接。通过该晶体管管座,可以在解决TO管座高速率、高散热和低成本的同时,使TO管座及晶体管的尺寸可以继续变小,实现尺寸小型化目的。此外,通过所述晶体管气密封装结构,可以实现多晶体管芯片的立体式封装,进一步利于缩小晶体管封装结构的尺寸。(The invention relates to the technical field of transistor packaging, and discloses a transistor tube seat and a transistor airtight packaging structure. The transistor tube seat comprises an insulating base and a circumferential closed metal base, wherein the top surface of the insulating base is used for placing a transistor chip; at least one conductive channel is arranged in the insulating base, and the outer peripheral surface of the insulating base is connected with the inner annular surface of the annular closed metal base in a sealing mode through a filler. Through the transistor tube seat, the TO tube seat and the transistor can be continuously reduced in size while the high speed, high heat dissipation and low cost of the TO tube seat are achieved, and the purpose of size miniaturization is achieved. In addition, the transistor airtight packaging structure can realize the three-dimensional packaging of the polycrystalline chip, and is further favorable for reducing the size of the transistor packaging structure.)

一种晶体管管座及晶体管气密封装结构

技术领域

本发明涉及晶体管封装技术领域，具体地，涉及一种晶体管管座及晶体管气密封装结构。

背景技术

TO管座(TO是晶体管外壳TRANSISTOR OUTLINE的英文缩写)大规模应用于光电通讯领域。为了满足传输的高速率、低成本、高散热和小尺寸等的日益增长需求，目前市场采用TO玻璃金属封装管壳成为主流设计，具体制备方法有如下两种：(1)采用KOVAR(可伐合金，也称铁镍钴合金)底座、射频引线和与热膨胀系数相匹配的低介电常数玻璃进行封装；(2)采用不锈钢底座、射频引线和与热膨胀系数相匹配的高介电常数玻璃进行封装。然而对于采用KOVAR合金底座的TO管壳，由于KOVAR合金热导率较低，散热能力较差不能满足高速率管壳对散热的需求。而对于采用不锈钢底座的TO管壳，由于玻璃介电常数与热膨胀系数成正比且不锈钢热膨胀系数大，使得所需的封装玻璃热膨胀系数也要求相应地增大，所以对应的玻璃介电常数较大，很难满足高速率管壳对单通道高阻抗的需求。

针对上述技术问题，中国专利(CN109887888A-TO玻璃金属封装管壳及制备方法)提出了一种在TO玻璃金属封装中将玻璃介电常数与热膨胀系数和不同金属材料同时使用的解决方案，但如同现有方案及此改进方案，都使用了玻璃材料填充不同金属间的缝隙，以便用于不同金属之间的电气绝缘与不同金属之间的热膨胀平衡。但是玻璃绝缘结构必须有足够的体积才能发挥电气绝缘与热膨胀平衡的作用，这使得玻璃绝缘填充体所占空间比较大，不利于TO管座及晶体管的小型化设计。尤其是近年来，在TO管座尺寸小型化的过程中，由于玻璃填充材料所占整个管壳空间的比率越来越大，已经使TO管座的尺寸无法更小。有鉴于此，市场上需要提出一种利于小型化设计的新型TO管座，以彻底解决上述所有问题。

发明内容

为了解决现有TO管座及晶体管因玻璃金属封装管壳设计而不能进一步缩小尺寸的问题，本发明目的在于提供一种新型的晶体管管座及晶体管气密封装结构，可以在解决TO管座高速率、高散热和低成本的同时，使TO管座及晶体管的尺寸可以继续变小，实现尺寸小型化目的。

本发明所采用的技术方案为：

一种晶体管管座，包括绝缘底座和环向封闭金属底座，其中，所述绝缘底座的顶面用于放置晶体管芯片；

所述绝缘底座的内部设有至少一个导电通道，所述绝缘底座的外周面与所述环向封闭金属底座的内环面通过填料密封连接，其中，所述导电通道的顶端用于一一对应地电连接所述晶体管芯片的芯片引脚，所述导电通道的底端用于一一对应地电连接晶体管外部接线件。

基于上述发明内容，提供了一种利于小型化设计的新型晶体管管座结构，即一方面通过绝缘底座、环向封闭金属底座、导电通道和填料等的结构配合，可以实现TO管座的高速率、高散热和低成本等目的，特别是可利用填料作为缓冲体平衡所述绝缘底座与所述环向封闭金属底座的热膨胀系数差异，使得所述绝缘底座的热膨胀系数和介电常数不必随着所述环向封闭金属底座的高热膨胀系数特点而要求相应的增大，满足高速率管壳对单通道高阻抗的需求，另一方面由于针对散热体和所有导电体，都是共用同一个绝缘体实现电气绝缘，可以减小绝缘体所占空间比例，实现缩小管座及晶体管尺寸的目的。

优化的，所述绝缘底座的顶面布置有至少一个第一导电焊盘，其中，所述第一导电焊盘与所述导电通道一一对应，以便所述导电通道的顶端通过对应的第一导电焊盘电连接所述晶体管芯片的芯片引脚。

具体的，所述第一导电焊盘设置在所述导电通道的顶部，所述晶体管外部接线件与所述导电通道的底部连接并呈一体化结构，所述导电通道与所述绝缘底座之间通过焊料密封。

优化的，所述绝缘底座的底面布置有至少一个第二导电焊盘，其中，所述第二导电焊盘与所述导电通道一一对应，以便所述导电通道的底端通过对应的第二导电焊盘电连接所述晶体管外部接线件或者将所述第二导电焊盘作为与所述导电通道对应的所述晶体管外部接线件。

优化的，所述绝缘底座采用陶瓷材质、玻璃材质或者塑料材质制成。

优化的，所述填料采用银铜钎料、玻璃材料或粘性物料。

优化的，所述绝缘底座采用玻璃材质制成，所述填料采用与所述玻璃材质同样的玻璃材料。

本发明所采用的另一种技术方案为：

一种晶体管气密封装结构，包括有如前所述的晶体管管座，还包括有金属管帽、光窗体和晶体管芯片，其中，所述金属管帽为中空结构；

所述金属管帽的上端通过所述光窗体密封，所述管帽的下端与所述晶体管管座中环向封闭金属底座的外周面焊接密封；

所述晶体管芯片放置在所述晶体管管座中绝缘底座的顶面上，并处于由所述绝缘底座、所述环向封闭金属底座、所述金属管帽和所述光窗体围成的密封空间中，所述晶体管芯片的芯片引脚电连接所述晶体管管座中对应的导电通道。

优化的，当所述晶体管芯片的数目至少有两个时，在所述绝缘底座的顶面上开设有至少一个可容纳部分的晶体管芯片的凹槽；

所述部分的晶体管芯片的芯片引脚通过位于所述凹槽的槽底面和/或槽侧面上的凹槽导电焊盘电连接对应导电通道的顶端。

优化的，还包括有至少一个晶体管引脚，其中，所述晶体管引脚突出于所述绝缘底座的底面且作为所述晶体管外部接线件电连接对应导电通道的底端。

本发明的有益效果为：

(1)本发明创造提供了一种利于小型化设计的新型晶体管管座结构，即一方面通过绝缘底座、环向封闭金属底座、导电通道和填料等的结构配合，可以实现TO管座的高速率、高散热和低成本等目的，特别是可利用填料作为缓冲体平衡所述绝缘底座与所述环向封闭金属底座的热膨胀系数差异，使得所述绝缘底座的热膨胀系数和介电常数不必随着所述环向封闭金属底座的高热膨胀系数特点而要求相应的增大，满足高速率管壳对单通道高阻抗的需求，另一方面由于针对散热体和所有导电体，都是共用同一个绝缘体实现电气绝缘，可以减小绝缘体所占空间比例，实现缩小管座及晶体管尺寸的目的；

(2)所述晶体管管座还具有方便芯片封装、封装结构稳固、实用性强和结构简单等优点，便于实际推广和应用；

(3)本发明创造还提供了一种新型的晶体管气密封装结构，可以实现多晶体管芯片的立体式封装，进一步利于缩小晶体管封装结构的尺寸。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的第一种晶体管管座的组装立体结构示意图。

图2是本发明提供的第一种晶体管管座的组装剖视结构示意图。

图3是本发明提供的在第一种晶体管管座中绝缘底座的仰视结构示意图。

图4是本发明提供的第二种晶体管管座的拆分立体结构示意图。

图5是本发明提供的第二种晶体管管座的组装剖视结构示意图。

图6是本发明提供的在第二种晶体管管座中绝缘底座的仰视结构示意图。

图7是本发明提供的第三种晶体管管座的拆分立体结构示意图。

图8是本发明提供的第一种晶体管气密封装结构的拆分立体结构示意图。

图9是本发明提供的第一种晶体管气密封装结构的组装剖视结构示意图。

图10是本发明提供的第二种晶体管气密封装结构的拆分立体结构示意图。

图11是本发明提供的第二种晶体管气密封装结构的组装剖视结构示意图。

图12是本发明提供的第三种晶体管气密封装结构的拆分立体结构示意图。

图13是本发明提供的第三种晶体管气密封装结构的组装剖视结构示意图。

图14是本发明提供的第四种晶体管气密封装结构的拆分立体结构示意图。

图15是本发明提供的第四种晶体管气密封装结构的组装剖视结构示意图。

上述附图中：1-绝缘底座；11-下部座体；12-上部座体；13-凹槽；2-环向封闭金属底座；3-导电通道；4-填料；51-第一导电焊盘；52-第二导电焊盘；53-凹槽导电焊盘；100-金属管帽；200-光窗体；300-晶体管芯片；400-晶体管引脚。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例来对本发明作进一步阐述。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明虽然是用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本发明的示例实施例。然而，可用很多备选的形式来体现本发明，并且不应当理解为本发明限制在本文阐述的实施例中。

应当理解，尽管本文可能使用术语第一、第二等等来描述各种单元，但是这些单元不应当受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个单元和另一个单元。例如可以将第一单元称作第二单元,并且类似地可以将第二单元称作第一单元，同时不脱离本发明的示例实施例的范围。

应当理解，对于本文中可能出现的术语“和/或”，其仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况；对于本文中可能出现的术语“/和”，其是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况；另外，对于本文中可能出现的字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。

应当理解，在本文中若将单元称作与另一个单元“连接”、“相连”或“耦合”时，它可以与另一个单元直相连接或耦合，或中间单元可以存在。相対地，在本文中若将单元称作与另一个单元“直接相连”或“直接耦合”时，表示不存在中间单元。另外，应当以类似方式来解释用于描述单元之间的关系的其他单词(例如，“在……之间”对“直接在……之间”,“相邻”对“直接相邻”等等)。

应当理解，本文使用的术语仅用于描述特定实施例，并不意在限制本发明的示例实施例。若本文所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”意在包括复数形式，除非上下文明确指示相反意思。还应当理解，若术语“包括”、“包括了”、“包含”和/或“包含了”在本文中被使用时,指定所声明的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在性,并且不排除一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、单元、组件和/或他们的组合存在性或增加。

应当理解，还应当注意到在一些备选实施例中，所出现的功能/动作可能与附图出现的顺序不同。例如,取决于所涉及的功能/动作,实际上可以实质上并发地执行,或者有时可以以相反的顺序来执行连续示出的两个图。

应当理解，在下面的描述中提供了特定的细节,以便于对示例实施例的完全理解。然而,本领域普通技术人员应当理解可以在没有这些特定细节的情况下实现示例实施例。例如可以在框图中示出系统，以避免用不必要的细节来使得示例不清楚。在其他实例中，可以不以不必要的细节来示出众所周知的过程、结构和技术，以避免使得示例实施例不清楚。

应当理解，本发明描述中的输入端与输出端的光路是可逆的。在一定条件下，输入端可以作为输出端使用，同时输出端可以作为输入端使用。

实施例一

如图1～3所示，本实施例提供的所述第一种晶体管管座，包括绝缘底座1和环向封闭金属底座2，其中，所述绝缘底座1的顶面用于放置晶体管芯片300；所述绝缘底座1的内部设有至少一个导电通道3，所述绝缘底座1的外周面与所述环向封闭金属底座2的内环面通过填料4密封连接，其中，所述导电通道3的顶端用于一一对应地电连接所述晶体管芯片300的芯片引脚，所述导电通道3的底端用于一一对应地电连接晶体管外部接线件。

如图1～3所示，在所述晶体管管座的具体结构中，所述绝缘底座1用于实现所述环向封闭金属底座2与所述导电通道3之间以及任意两导电通道3之间(当所述绝缘底座1的内部设有至少两个所述导电通道3时)的电气绝缘；所述绝缘底座1可以但不限于采用陶瓷材质、玻璃材质或者塑料材质等不导电材质制成，其中，优选采用陶瓷材质制成，不但可以利用其热膨胀系数几乎为零和低介电常数特点，满足电气绝缘和高速率管壳对单通道高阻抗的需求，还可以利用其热传导系数高的特点，实现快速传热和散热目的，满足高速率管壳对散热的需求；可进一步优选采用氧化铍瓷材质制成，其导热系数高达243，比铝略高(铝的导热系数230左右)。所述环向封闭金属底座2用于散发来自所述导电通道3(经过所述绝缘底座1和所述填料4的热传递作用)的热量，确保管座的高散热及管壳高速率的需求；所述环向封闭金属底座2优选具有高导热系数的金属材质制成。所述导电通道3用于确保管内晶体管芯片的芯片引脚能够电连接晶体管外部接线件(例如图1中的晶体管引脚400)，使晶体管芯片在封装后能够正常使用；此外，当所述导电通道3只设有一个时，由于最简单的晶体管芯片都有两个芯片引脚，例如二极管芯片，需有正极引脚和负极引脚，此时可以利用所述环向封闭金属底座2作为额外的导电通道，使晶体管芯片的其中一个芯片引脚能够电连接晶体管外部接线件。所述填料4用于填充在所述绝缘底座1的外周面与所述环向封闭金属底座2的内环面之间(即所述绝缘底座1的外周与所述环向封闭金属底座2的内环为间隙配合关系)，不但可以实现两底座的密封连接，还可以作为缓冲体平衡所述绝缘底座1与所述环向封闭金属底座2的热膨胀系数差异，使得所述绝缘底座1的热膨胀系数和介电常数不必随着所述环向封闭金属底座2的高热膨胀系数特点而要求相应的增大，满足高速率管壳对单通道高阻抗的需求；所述填料4可以但不限于采用银铜钎料、玻璃材料或粘性物料等，其中，优选采用银铜钎料，具有优良的强度、导热性和耐腐蚀性，进一步确保导热效果和密封效果。此外，若所述绝缘底座(1)采用玻璃材质制成，则所述填料(4)采用与所述玻璃材质同样的玻璃材料，以便实现有效的密封连接。

由此通过前述晶体管管座的详细结构描述，提供了一种利于小型化设计的新型晶体管管座结构，即一方面通过绝缘底座、环向封闭金属底座、导电通道和填料等的结构配合，可以实现TO管座的高速率、高散热和低成本等目的，特别是可利用填料作为缓冲体平衡所述绝缘底座与所述环向封闭金属底座的热膨胀系数差异，使得所述绝缘底座的热膨胀系数和介电常数不必随着所述环向封闭金属底座的高热膨胀系数特点而要求相应的增大，满足高速率管壳对单通道高阻抗的需求，另一方面由于针对散热体(即所述环向封闭金属底座)和所有导电体(即所述导电通道)，都是共用同一个绝缘体(即所述绝缘底座)实现电气绝缘，可以减小绝缘体所占空间比例，实现缩小管座及晶体管尺寸的目的，便于实际应用和推广。

优化的，所述绝缘底座1由下部座体11和上部座体12组成，其中，所述下部座体11的外周尺寸小于所述上部座体12；所述下部座体11的外周面与所述环向封闭金属底座2的内环面通过所述填料4密封连接；所述上部座体12的环向底面与所述环向封闭金属底座2的顶面也通过所述填料4密封连接。如图1和2所示，通过前述结构设计，不但可以利用台阶配合结构，确保所述绝缘底座1与所述环向封闭金属底座2的密封连接关系，还可以利用台阶面增大所述绝缘底座1与所述环向封闭金属底座2的间接接触面积，进一步利于传热和散热。

优化的，所述绝缘底座1的顶面布置有至少一个第一导电焊盘51，其中，所述第一导电焊盘51与所述导电通道3一一对应，以便所述导电通道3的顶端通过对应的第一导电焊盘51电连接所述晶体管芯片300的芯片引脚。具体的，两个及以上的所述第一导电焊盘51在所述绝缘底座1的顶面上相互绝缘布置，如图1所示，所述第一导电焊盘51和所述导电通道3的数目分别为两个，可以方便在管内封装具有双芯片引脚的晶体管芯片，例如封装常规的二极管芯片；而如果所述第一导电焊盘51和所述导电通道3的数目分别为三个，可以方便在管内封装具有三芯片引脚的晶体管芯片，例如封装常规的三极管芯片；等等。此外，具体的，所述第一导电焊盘51设置在所述导电通道3的顶部，所述晶体管外部接线件与所述导电通道3的底部连接并呈一体化结构，所述导电通道3与所述绝缘底座1之间通过焊料密封。

优化的，所述绝缘底座1的底面布置有至少一个第二导电焊盘52，其中，所述第二导电焊盘52与所述导电通道3一一对应，以便所述导电通道3的底端通过对应的第二导电焊盘52电连接所述晶体管外部接线件。具体的，两个及以上的所述第二导电焊盘52在所述绝缘底座1的底面上相互绝缘布置，如图3所示，所述第二导电焊盘52、所述导电通道3和作为晶体管外部接线件的晶体管引脚400的数目分别为两个，而管内封装有常规的二极管芯片，则可以将其中一个晶体管引脚400作为阳极引脚，另一个晶体管引脚400作为阴极引脚，方便在实际电路板中具体使用。同理，如果所述第二导电焊盘52、所述导电通道3和作为晶体管外部接线件的晶体管引脚400的数目分别为三个，而管内封装有常规的三极管芯片，则可以将其中一个晶体管引脚400作为集电极引脚，另一个晶体管引脚400作为基极引脚，最后剩余一个晶体管引脚400作为发射极引脚。

综上，采用本实施例所提供的第一种晶体管管座，具有如下技术效果：

(1)本实施例提供了一种利于小型化设计的新型晶体管管座结构，即一方面通过绝缘底座、环向封闭金属底座、导电通道和填料等的结构配合，可以实现TO管座的高速率、高散热和低成本等目的，特别是可利用填料作为缓冲体平衡所述绝缘底座与所述环向封闭金属底座的热膨胀系数差异，使得所述绝缘底座的热膨胀系数和介电常数不必随着所述环向封闭金属底座的高热膨胀系数特点而要求相应的增大，满足高速率管壳对单通道高阻抗的需求，另一方面由于针对散热体和所有导电体，都是共用同一个绝缘体实现电气绝缘，可以减小绝缘体所占空间比例，实现缩小管座及晶体管尺寸的目的；

(2)所述晶体管管座还具有方便芯片封装、封装结构稳固、实用性强和结构简单等优点，便于实际推广和应用。

实施例二

如图4～6所示，本实施例在实施例一的技术方案基础上，提供了第二种晶体管管座，其与实施例一所述第一种晶体管管座的区别之处在于：无晶体管引脚400的设计，直接将所述第二导电焊盘52作为与所述导电通道3对应的所述晶体管外部接线件。例如当管内封装有常规的二极管芯片，则可以将其中一个第二导电焊盘52作为阳极焊点，另一个第二导电焊盘52作为阴极焊点，也可以方便在实际电路板中具体使用。

本实施例的技术效果可参照实施例一的技术效果直接推导得到，于此不再赘述。

实施例三

如图7所示，本实施例在实施例一的技术方案基础上，提供了第三种晶体管管座，其与实施例一所述第一种晶体管管座的区别之处在于：所述导电通道3的顶面凸出于所述绝缘底座1的顶面，所述第一导电焊盘51设置在所述导电通道3的顶面上；所述晶体管芯片300设置在所述绝缘底座1的顶面上，并通过金丝连接所述晶体管芯片300上的芯片引脚与所述第一导电焊盘51；所述绝缘底座1与所述填料4使用同种材料与所述环向封闭金属底座2密封。

优化地，所述晶体管芯片300设置在位于所述导电通道3的顶面上的第一导电焊盘51上。

本实施例的技术效果可参照实施例一的技术效果直接推导得到，于此不再赘述。

实施例四

如图8～9所示，本实施例在实施例一的技术方案基础上，提供了一种新型的晶体管气密封装结构，包括有如实施例一所述的晶体管管座，还包括有金属管帽100、光窗体200和晶体管芯片300，其中，所述金属管帽100为中空结构；所述金属管帽100的上端通过所述光窗体200密封，所述管帽100的下端与所述晶体管管座中环向封闭金属底座2的外周面焊接密封；所述晶体管芯片300放置在所述晶体管管座中绝缘底座1的顶面上，并处于由所述绝缘底座1、所述环向封闭金属底座2、所述金属管帽100和所述光窗体200围成的密封空间中，所述晶体管芯片300的芯片引脚电连接所述晶体管管座中对应的导电通道3。

如图8～9所示，在所述晶体管气密封装结构的具体结构中，所述金属管帽100用于作为与所述晶体管管座密封配合的TO管壳主体，实现对所述晶体管芯片300的有效密封；由于所述金属管帽100具有良好的导热性，可以进一步利于管内散热，满足高速率管壳对散热的需求；所述金属管帽100优选采用铜、铝或铁镍合金材质制成。所述光窗体200用于确保管内晶体管芯片(例如发光二极管芯片)所发出的光能够照射出来；所述光窗体200优选采用透光玻璃制成。所述晶体管芯片300的数目可以有一个、两个或多个等，如图8和9所示，管内举例设置有两个晶体管芯片300(例如为不同的发光二极管，实现双色发光目的)，可以实现双芯片的一体化封装。

优化的，还可以包括有至少一个晶体管引脚400，其中，所述晶体管引脚400突出于所述绝缘底座1的底面且作为所述晶体管外部接线件电连接对应导电通道3的底端。如图8和9所示，所述晶体管引脚400的数目为两个，而管内封装有常规的二极管芯片，则可以将其中一个晶体管引脚400作为阳极引脚，另一个晶体管引脚400作为阴极引脚，方便在实际电路板中具体使用。此外，也可以采用如实施例二或实施例三所述的晶体管管座来替换如实施例一所述的晶体管管座，即没有所述晶体管引脚400的设计。

本实施例的技术效果可参照实施例一的技术效果直接推导得到，于此不再赘述。

实施例五

如图10～11所示，本实施例在实施例四的技术方案基础上，提供了第二种晶体管气密封装结构，其与实施例四所述第一种晶体管气密封装结构的区别之处在于：当所述晶体管芯片300的数目至少有两个时，在所述绝缘底座1的顶面上开设有至少一个可容纳部分的晶体管芯片300的凹槽13；所述部分的晶体管芯片300的芯片引脚通过位于所述凹槽13的槽底面和/或槽侧面上的凹槽导电焊盘53电连接对应导电通道3的顶端。如图11所示，举例的，所述晶体管芯片300的数目有两个，其中体积较大的晶体管芯片300可如实施例三那样正常放置，而其中体积较小的晶体管芯片300可放置在所述凹槽13的槽底面上，并使芯片引脚通过位于槽底面上的凹槽导电焊盘53电连接对应导电通道3的顶端(所述凹槽导电焊盘53和所述第一导电焊盘51可对应同一个导电通道3)，从而可以实现两晶体管芯片300的立体式封装，进一步利于缩小晶体管封装结构的尺寸。此外，如图10所示，所述凹槽13具体为长方形凹槽，并且存在一个槽底面和三个槽侧面，即为三面封闭一面开放(即缺失一个槽侧面)的凹槽结构，可以进一步利于对槽内芯片进行散热。

本实施例的技术效果可参照实施例四的技术效果直接推导得到，于此不再赘述。

实施例六

如图12～13所示，本实施例在实施例五的技术方案基础上，提供了第三种晶体管气密封装结构，其与实施例五所述第二种晶体管气密封装结构的区别之处在于：所述凹槽13存在一个槽底面和一个槽侧面，即为一面封闭三面开放(即缺失三个槽侧面)的凹槽结构，可以进一步利于对槽内芯片进行散热。

本实施例的技术效果可参照实施例四的技术效果直接推导得到，于此不再赘述。

实施例七

如图14～15所示，本实施例在实施例五的技术方案基础上，提供了第三种晶体管气密封装结构，其与实施例五所述第二种晶体管气密封装结构的区别之处在于：所述凹槽13存在一个槽底面和四个槽侧面，即为四面封闭(即无槽侧面缺失)的凹槽结构。

本实施例的技术效果可参照实施例四的技术效果直接推导得到，于此不再赘述。

以上所描述的多个实施例仅仅是示意性的，若涉及到作为分离部件说明的单元，其可以是或者也可以不是物理上分开的；若涉及到作为单元显示的部件，其可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

最后应说明的是，本发明不局限于上述可选的实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品。上述具体实施方式不应理解成对本发明的保护范围的限制，本发明的保护范围应当以权利要求书中界定的为准，并且说明书可以用于解释权利要求书。