阅读说明：本技术 一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法 (Insulation structure, insulation piece wrapping chip periphery and preparation method thereof ) 是由 周扬 石浩 韩荣刚 李刚 李峰 连晓华 孔亮 刘帅 郑鹏飞 高洁 李玉文 郝秀 于 2020-04-26 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法。该绝缘结构,包括层叠设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,其中,第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数。本发明提供的绝缘结构,通过设置第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数,使得该绝缘结构在受热时位于中间的第二绝缘层膨胀形变大于位于其两侧的第一绝缘层和第三绝缘层,将该绝缘结构形成闭合的绝缘件,受热时位于外侧的第三绝缘层抑制了第二绝缘层的向外膨胀,使其形变应力呈现向内压缩,从而使位于内侧的第一绝缘层能够与其包覆的芯片紧密结合,进而避免了高温状态下绝缘件与芯片之间发生脱落。(The invention provides an insulating structure, an insulating piece for coating the periphery of a chip and a preparation method thereof. The insulating structure comprises a first insulating layer, a second insulating layer and a third insulating layer which are arranged in a stacked mode, wherein the thermal expansion coefficients of the first insulating layer and the third insulating layer are smaller than that of the second insulating layer. According to the insulation structure provided by the invention, the thermal expansion coefficients of the first insulation layer and the third insulation layer are smaller than that of the second insulation layer, so that the second insulation layer positioned in the middle of the insulation structure expands and deforms more than the first insulation layer and the third insulation layer positioned on two sides of the insulation structure when the insulation structure is heated, the insulation structure forms a closed insulation part, the third insulation layer positioned on the outer side inhibits outward expansion of the second insulation layer when the insulation structure is heated, the deformation stress of the third insulation layer is inwards compressed, the first insulation layer positioned on the inner side can be tightly combined with a chip coated by the first insulation layer, and the insulation part and the chip are prevented from falling off in a high-temperature state.)

一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法。

背景技术

芯片封装起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，一些种类的芯片，如绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate BipolarTransistor)芯片，其工作的电场环境异常恶劣，因而在芯片结构和封装设计环节中，除考虑芯片内部的电场分布和绝缘问题之外，芯片表面的电场作用同样不容忽视，其中沿面放电就是一类有害的放电现象，由于高电压是沿着固体和空气的交界面发生的气体放电，因此沿面放电现象的存在会导致芯片的绝缘性能显著降低。

为解决沿面放电对芯片所产生的影响，通常采用可靠的绝缘材料对芯片进行屏蔽保护。目前常用的绝缘材料为氧化铝陶瓷或者高绝缘性的聚合物材料，通过围绕芯片周缘设置上述绝缘材料形成的绝缘件来对芯片外围进行保护。虽然聚合物材料具有易于成型加工，击穿电场高等优势，但其散热性相对较差以及热膨胀系数与硅基材料相差较大，在实际应用中会影响芯片的散热，此外在温度循环和功率循环过程由于两者间热膨胀系数(CTE)的差异导致绝缘防护层脱落失效。而氧化铝陶瓷具有相对较好的散热性能，但其CTE与硅基材料依然存在一定差距，氧化铝陶瓷绝缘层在实际应用中同样容易脱落，此外硬质陶瓷对芯片的终端结构会产生破坏作用，进而影响芯片的电气可靠性。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服芯片周缘的绝缘件容易脱落的缺陷，从而提供一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法。

第一方面，本发明提供一种绝缘结构，包括层叠设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其中，所述第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于所述第二绝缘层的热膨胀系数。

进一步地，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层均由聚醚醚酮和填料形成的绝缘材料制成，所述填料包括氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维；

其中，分别以各层绝缘材料的质量计，形成所述第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比均高于所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比。

进一步地，形成所述第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比相较于所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比高26％-48％。

进一步地，分别以各层绝缘材料的质量计，形成所述第一绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为30-50％，形成所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为2-4％，形成所述第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为30-50％。

进一步地，分别以各层绝缘材料的质量计，形成所述第一绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为40％，形成所述第二绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为3％，形成所述第三绝缘层的绝缘材料中填料的质量百分比为40％。

进一步地，所述第一绝缘层的厚度为0.1-0.3mm，所述第二绝缘层的厚度为0.6-0.8mm，所述第三绝缘层的厚度为1.0-1.2mm。

进一步地，所述第一绝缘层的厚度为0.2mm，所述第二绝缘层的厚度为0.7mm，所述第三绝缘层的厚度为1.1mm。

第二方面，本发明提供一种包覆芯片周缘的绝缘件，所述绝缘件具有所述的绝缘结构，其中，所述第一绝缘层与所述芯片的周缘相贴合。

第三方面，本发明提供所述的包覆芯片周缘的绝缘件的制备方法，包括：

分别制备用于形成所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料；

将所述绝缘材料采用注射成型工艺形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，得到所述包覆芯片周缘的绝缘件。

进一步地，所述绝缘材料的制备方法包括：将聚醚醚酮和填料在360-400℃下进行混合，得到绝缘材料。

第四方面，本发明提供所述的绝缘结构，或者所述的包覆芯片周缘的绝缘件，或者所述的制备方法得到的包覆芯片周缘的绝缘件在芯片绝缘防护中的应用。

进一步地，所述芯片为绝缘栅双极型晶体管芯片。

第五方面，本发明提供一种芯片封装结构，包括芯片以及包覆于所述芯片周缘的绝缘件，所述绝缘件为所述的包覆芯片周缘的绝缘件，或者所述的制备方法得到的包覆芯片周缘的绝缘件。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的绝缘结构，通过设置第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，并使第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数，使得该绝缘结构在受热时位于中间的第二绝缘层膨胀形变大于位于其两侧的第一绝缘层和第三绝缘层，将该绝缘结构形成闭合的绝缘件，受热时位于外侧的第三绝缘层抑制了第二绝缘层的向外膨胀，使其形变应力呈现向内压缩，从而使位于内侧的第一绝缘层能够与其包覆的芯片紧密结合，进而避免了高温状态下绝缘件与芯片之间发生脱落。

2.本发明提供的绝缘结构，绝缘材料以聚醚醚酮作为基体，以氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维作为填料，其中，聚醚醚酮(PEEK)属特种高分子材料，具有易加工性和耐高温性，可用作耐高温结构材料和电绝缘材料；氮化铝纳米纤维和氧化铝纳米纤维具有优异的导热性能以及与硅基材料接近的热膨胀系数，两者形成的复合材料不仅能够保持各组分材料性能的优点，而且通过各组分性能的互补和关联可以获得单一组成材料所不能达到的综合性能：以聚醚醚酮作为基体使绝缘材料具有一定柔性，避免了对芯片产生破坏；以氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维作为填料有效提高基体材料的导热性，且可限制基体聚合物受热过度形变；两者形成的复合材料具有高绝缘性，用于芯片保护时能有效抑制芯片的沿面放电现象，提高芯片在高温高热环境下的可靠性，同时三层绝缘材料形成的绝缘结构能够有效防止芯片脱落。

3.本发明提供的绝缘结构，通过优化第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层中填料的质量百分比以及各层厚度，使该绝缘结构同时具有优异的绝缘性能、导热性能和防脱落性能。

4.本发明提供的包覆芯片周缘的绝缘件，具有上述的绝缘结构，其中，所述第一绝缘层与所述芯片的周缘相贴合，能够使绝缘件受热时产生向内挤压芯片的力，有效防止芯片脱落。

5.本发明提供的包覆芯片周缘的绝缘件的制备方法，采用注射成型工艺，方法简单、易于加工、适于大规模推广应用。

6.本发明提供的绝缘结构或者包覆芯片周缘的绝缘件在芯片绝缘防护中的应用，尤其适用于高压芯片，如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的绝缘防护，该绝缘结构或绝缘件能够有效改善芯片的界面结构，进而避免沿面放电现象的产生，提高了IGBT芯片的爬电距离，改善其高场性能。

7.本发明提供的芯片封装结构，能够有效改善芯片沿面放电现象，并且封装结构稳定，不易脱落，能够有效延长芯片的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明

具体实施方式

或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的绝缘结构的结构示意图；

图2为本发明提供的芯片封装结构的结构俯视图；

图3为图2的A-A截面图。

附图标记说明：

1-第一绝缘层；2-第二绝缘层；3-第三绝缘层；4-芯片；5-绝缘件。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

如图1所示，本发明提供一种绝缘结构，包括层叠设置的第一绝缘层1、第二绝缘层2和第三绝缘层3，其中，所述第一绝缘层1、第三绝缘层3的热膨胀系数均小于所述第二绝缘层2的热膨胀系数。

本发明提供的绝缘结构，通过设置第一绝缘层1、第二绝缘层2和第三绝缘层3，并使第一绝缘层1、第三绝缘层3的热膨胀系数均小于第二绝缘层2的热膨胀系数，使得该绝缘结构在受热时位于中间的第二绝缘层2膨胀形变大于位于其两侧的第一绝缘层1和第三绝缘层3，将该绝缘结构形成闭合的绝缘件，受热时位于外侧的第三绝缘层3抑制了第二绝缘层2的向外膨胀，使其形变应力呈现向内压缩，从而使位于内侧的第一绝缘层1能够与其包覆的芯片紧密结合，进而避免了高温状态下绝缘件与芯片之间发生脱落。

本发明对第一绝缘层1、第二绝缘层2和第三绝缘层3的材料不作出限定，凡是符合上述条件的材料所形成的绝缘结构均在本发明请求保护的范围内。

作为本发明的一种可选实施方式，第一绝缘层1、第二绝缘层2和第三绝缘层3均由聚醚醚酮和填料形成的绝缘材料制成，填料包括氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维；

其中，分别以各层绝缘材料的质量计，形成第一绝缘层1和第三绝缘层3的绝缘材料中填料的质量百分比均高于第二绝缘层2的绝缘材料中填料的质量百分比。

涉及材料的性能参数如表1所示。

表1本发明涉及材料的性能参数

本发明提供的绝缘结构，绝缘材料以聚醚醚酮作为基体，以氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维作为填料，其中，聚醚醚酮(PEEK)属特种高分子材料，具有易加工性和耐高温性，可用作耐高温结构材料和电绝缘材料；氮化铝纳米纤维和氧化铝纳米纤维具有优异的导热性能以及与硅基材料接近的热膨胀系数(如表1所示)，两者形成的复合材料不仅能够保持各组分材料性能的优点，而且通过各组分性能的互补和关联可以获得单一组成材料所不能达到的综合性能：以聚醚醚酮作为基体使绝缘材料具有一定柔性，避免了对芯片产生破坏；以氮化铝纳米纤维和/或氧化铝纳米纤维作为填料有效提高基体材料的导热性，且可限制基体聚合物受热过度形变；两者形成的复合材料具有高绝缘性，用于芯片保护时能有效抑制芯片的沿面放电现象，提高芯片在高温高热环境下的可靠性，同时三层绝缘材料形成的绝缘结构能够有效防止芯片脱落。

聚醚醚酮(PEEK)是一种全芳香族半结晶热塑性工程塑料，大分子链含有刚性的苯环、柔顺的醚键及羰基，具有优良的力学性能、耐化学腐蚀性、耐蠕变性、抗辐射性以及显著的热稳定性。

氮化铝纳米纤维和氧化铝纳米纤维均为现有技术中的已知材料，其制备方法均为本领域技术人员所公知的。例如采用静电纺丝的工艺制备氧化铝纳米纤维和氮化铝纳米纤维：在MgSO₄水溶液中依次加入Al(C₃H₇OH)₃、Al(NO₃)₃·9H₂O和C₂H₅OH，再加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，制备前驱体溶液，将前驱体溶液放入注射器中进行纺丝，然后进行煅烧，形成氧化铝纳米纤维，将氧化铝纳米纤维经高温氮化过程得到氮化铝纳米纤维。

作为本发明的优选实施方式，形成第一绝缘层1和第三绝缘层3的绝缘材料中填料的质量百分比相较于第二绝缘层2的绝缘材料中填料的质量百分比高26％-48％。

进一步优选地，分别以各层绝缘材料的质量计，形成第一绝缘层1的绝缘材料中填料的质量百分比为30-50％，形成第二绝缘层2的绝缘材料中填料的质量百分比为2-4％，形成第三绝缘层3的绝缘材料中填料的质量百分比为30-50％。

进一步优选地，分别以各层绝缘材料的质量计，形成第一绝缘层1的绝缘材料中填料的质量百分比为40％，形成第二绝缘层2的绝缘材料中填料的质量百分比为3％，形成第三绝缘层3的绝缘材料中填料的质量百分比为40％。

作为本发明的优选实施方式，第一绝缘层1的厚度为0.1-0.3mm，第二绝缘层2的厚度为0.6-0.8mm，第三绝缘层3的厚度为1.0-1.2mm。

进一步优选地，第一绝缘层1的厚度为0.2mm，第二绝缘层2的厚度为0.7mm，第三绝缘层3的厚度为1.1mm。

本发明提供的绝缘结构，通过优化第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层中填料的质量百分比以及各层厚度，使该绝缘结构同时具有优异的绝缘性能、导热性能和防脱落性能。

本发明提供一种包覆芯片周缘的绝缘件，绝缘件具有所述的绝缘结构，其中，第一绝缘层与芯片的周缘相贴合。能够使绝缘件受热时产生向内挤压芯片的力，有效防止芯片脱落。

本发明提供上述包覆芯片周缘的绝缘件的制备方法，步骤如下：

分别制备用于形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料；

将绝缘材料采用注射成型工艺形成第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，得到包覆芯片周缘的绝缘件。

本发明提供的绝缘材料的制备方法，采用注射成型工艺，方法简单、易于加工、适于大规模推广应用。

本发明不对包覆芯片周缘的绝缘件的形状做出限制，其形状可以随芯片周缘形状做出调整。

作为本发明的可选实施方式，绝缘材料的制备方法包括：将聚醚醚酮和填料在360-400℃下进行混合，得到绝缘材料。

在注射成型过程中，保持模具温度为150-250℃，优选200℃。

作为本发明提供的绝缘结构的一种具体实施方式，根据芯片的边缘形状及尺寸将其制备形成闭合的绝缘件，用于芯片绝缘防护，尤其适用于高压芯片，如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的绝缘防护，由该绝缘材料形成的绝缘防护层能够有效改善芯片的界面结构，进而避免沿面放电现象的产生，提高了IGBT芯片的爬电距离，改善其高场性能。

IGBT功率模块作为电力电子领域中的重要大功率器件，在大容量场合中越来越受到重视，例如在高铁、电网及变频器等三个领域显示其特有优势。近年来随着电网类新基建柔性直流高压输电项目的发展，作为其核心部分的IGBT功率模块的需求量会越来越大，与此同时对模块的性能要求则更加严格。本发明提供的绝缘材料能够更好地满足对IGBT功率模块高性能的需求，有利于促进IGBT功率模块发挥更重要的作用。

如图2和图3所示，本发明提供一种芯片封装结构，由芯片4以及包覆于芯片周缘的绝缘件5组成，绝缘件5为上述包覆芯片周缘的绝缘件，或者上述的制备方法得到的包覆芯片周缘的绝缘件。本发明提供的芯片封装结构，能够有效改善芯片沿面放电现象，并且封装结构稳定，不易脱落，能够有效延长芯片的使用寿命。

作为本发明的可选实施方式，芯片4与绝缘件5之间通过粘接的方式相互连接，即绝缘件所具有的绝缘结构中的第一绝缘层1与芯片4的周缘粘接。

以下通过具体实施例来进一步说明本发明提供的技术方案。

实施例1

一种包覆芯片周缘的绝缘件，其制备方法如下：

按照质量比60:40分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在360℃下共混，得到用于形成第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料；

按照质量比97:3分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在360℃下共混，得到用于形成第二绝缘层的绝缘材料；

保持模具温度200℃，采用注射成型工艺依次将第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层挤出，第一绝缘层的厚度为0.2mm，第二绝缘层的厚度为0.7mm，第三绝缘层的厚度为1.1mm，得到包覆芯片周缘的绝缘件。

实施例2

一种包覆芯片周缘的绝缘件，其制备方法如下：

按照质量比70:30分别取聚醚醚酮和氧化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在360℃下共混，得到用于形成第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料；

按照质量比97:2分别取聚醚醚酮和氧化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在380℃下共混，得到用于形成第二绝缘层的绝缘材料；

保持模具温度150℃，采用注射成型工艺依次将第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层挤出，第一绝缘层的厚度为0.1mm，第二绝缘层的厚度为0.6mm，第三绝缘层的厚度为1.2mm，得到包覆芯片周缘的绝缘件。

实施例3

一种包覆芯片周缘的绝缘件，其制备方法如下：

按照质量比50:50分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在400℃下共混，得到用于形成第一绝缘层和第三绝缘层的绝缘材料；

按照质量比97:4分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在380℃下共混，得到用于形成第二绝缘层的绝缘材料；

保持模具温度250℃，采用注射成型工艺依次将第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层挤出，第一绝缘层的厚度为0.3mm，第二绝缘层的厚度为0.8mm，第三绝缘层的厚度为1.0mm，得到包覆芯片周缘的绝缘件。

实施例4

一种包覆芯片周缘的绝缘件，其制备方法如下：

按照质量比50:50分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在370℃下共混，得到用于形成第一绝缘层的绝缘材料；

按照质量比98:2分别取聚醚醚酮和氧化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在370℃下共混，得到用于形成第二绝缘层的绝缘材料；

按照质量比60:40分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在370℃下共混，得到用于形成第一绝缘层的绝缘材料；

保持模具温度200℃，采用注射成型工艺依次将第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层挤出，第一绝缘层的厚度为0.1mm，第二绝缘层的厚度为0.8mm，第三绝缘层的厚度为1.1mm，得到包覆芯片周缘的绝缘件。

实施例5

一种包覆芯片周缘的绝缘件，其制备方法如下：

按照质量比60:40分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在400℃下共混，得到用于形成第一绝缘层的绝缘材料；

按照质量比97:3分别取聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在360℃下共混，得到用于形成第二绝缘层的绝缘材料；

按照质量比50:50分别取聚醚醚酮和氧化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在360℃下共混，得到用于形成第一绝缘层的绝缘材料；

保持模具温度180℃，采用注射成型工艺依次将第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层挤出，第一绝缘层的厚度为0.2mm，第二绝缘层的厚度为0.8mm，第三绝缘层的厚度为1.0mm，得到包覆芯片周缘的绝缘件。

对比例

一种包覆芯片周缘的绝缘件，其制备方法如下：

按照质量比60:40的聚醚醚酮和氮化铝纳米纤维，将两者使用混炼挤出机在360℃下共混，绝缘材料；

保持模具温度200℃，采用注射成型工艺将绝缘材料挤出，得到厚度为2mm的包覆芯片周缘的绝缘件。

测试例

对本发明实施例1提供的包覆芯片周缘的绝缘件进行防脱落性能测试，具体如下：

1.实验分组

取同批次生产的IGBT芯片40颗，随机分为4组，每组10颗，各组的处理方法如下：

实验组：使用实施例1提供的包覆芯片周缘的绝缘件与IGBT芯片周缘粘接；

对照组1：不对IGBT芯片周缘做保护措施；

对照组2：使用纯陶瓷材料的绝缘件与IGBT芯片周缘粘接；

对照组3：使用对比例提供的包覆芯片周缘的绝缘件与IGBT芯片周缘粘接。

2.实验方法

采用温度循环实验对实验组和对照组1-3的IGBT芯片进行测试，控制测试条件相同。

检测参数：温度循环测试；

测试条件：-40℃～150℃；

升温速率15℃/min；

降温速率10℃/min；

循环1000周期。

采用QT2晶体管特性图示仪测试芯片CE耐压、击穿电场。

3.实验结果

测试结果如表1所示。

表1温度循环实验测试结果

4.结论

由表1可以看出，纯陶瓷材料的绝缘件对芯片的耐压保护作用低，可见其易在热循环下因CET失配而导致脱落，失去对芯片的保护作用，同时CET失配还可能对芯片产生破坏作用。而采用本发明提供的新型三层绝缘结构的绝缘件对芯片进行保护，其芯片的良率得到有效保障，可见热循环后该种绝缘件依然能和芯片保持紧密的接触，进而有效减缓沿面放电。此外，单层聚醚醚酮和填料的复合材料同样由于热膨胀系数的差异，在温度循环后无法起到有效抑制芯片沿面放电的作用。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。