具体实施方式

＜实施方式1＞

以下，使用附图，对实施方式1进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置100的剖面图。

如图1所示，半导体装置100具有树脂绝缘铜基座板1、半导体元件2、壳体4、电极端子6、封装材料8以及粗糙化图案11。

树脂绝缘铜基座板1具有铜基座板1a、绝缘层1b以及电路图案1c。铜基座板1a、绝缘层1b以及电路图案1c被一体化。铜基座板1a在俯视观察时形成为矩形。绝缘层1b遍布铜基座板1a的上表面整体而设置。绝缘层1b由树脂构成，厚度为0.2mm。电路图案1c设置于绝缘层1b的上表面处的除了外周部以外的部分。电路图案1c由铜构成，厚度为0.5mm。

半导体元件2经由焊料3而搭载于电路图案1c的上表面。壳体4在俯视观察时形成为矩形框状，经由粘接剂9而与树脂绝缘铜基座板1的外周部接合。另外，壳体4由树脂构成，具有绝缘性。

电极端子6设置于壳体4，经由铝线7而与电路图案1c和半导体元件2连接。封装材料8例如由环氧树脂构成，被填充于壳体4的内部。由此，封装材料8在壳体4的内部将树脂绝缘铜基座板1的上表面以及半导体元件2封装。

粗糙化图案11在绝缘层1b的上表面以使得能够在俯视观察时将电路图案1c两重地包围的方式形成有2个。各粗糙化图案11在俯视观察时形成为矩形框状。此外，粗糙化图案11不限定于2个，也可以形成1个或者大于或等于3个。另外，各粗糙化图案11可以是连续地形成的，也可以是断续地形成的。

各粗糙化图案11形成于绝缘层1b的上表面处的距离电路图案1c的端部大于或等于500μm的部位。另外，各粗糙化图案11具有200μm的宽度和绝缘层1b的厚度的1/3的深度。

接下来，对半导体装置100的制造方法进行说明。首先，制造树脂绝缘铜基座板1。这里，仅对树脂绝缘铜基座板1的特征部分的形成进行说明。在树脂绝缘铜基座板1的制造工序中，通过在电路图案1c被形成于绝缘层1b的上表面之后，对绝缘层1b进行激光加工或者机械加工，从而形成粗糙化图案11。机械加工例如是研磨加工或者切削加工。

接下来，使半导体元件2与树脂绝缘铜基座板1的上表面通过焊料3而接合。接下来，在树脂绝缘铜基座板1的外周部涂敷粘接剂9。在使内插有电极端子6的壳体4嵌合至树脂绝缘铜基座板1的外周部的状态下，进行升温而使粘接剂9固化，由此完成粘接。接下来，在通过铝线7而进行了内部配线之后，填充成为封装材料8的环氧树脂。通过使半导体装置100升温而使环氧树脂固化，从而完成半导体装置100。

存在于粘接剂9内的气泡10的大小例如大于或等于0.1mm且小于或等于0.2mm。包含气泡10的粘接剂9试图从壳体4的下侧向电路图案1c移动，但通过形成粗糙化图案11，从而绝缘层1b的上表面处的电路图案1c的周围的表面积变大。由此，从壳体4的下侧至电路图案1c为止的路径变长，因此，包含气泡10的粘接剂9难以到达电路图案1c。

如上所述，实施方式1涉及的半导体装置100具有：树脂绝缘铜基座板1，其具有铜基座板1a、在铜基座板1a的上表面设置的绝缘层1b和在绝缘层1b的上表面设置的电路图案1c；半导体元件2，其搭载于树脂绝缘铜基座板1的上表面；壳体4，其经由粘接剂9而与树脂绝缘铜基座板1的外周部接合；封装材料8，其在壳体4的内部将树脂绝缘铜基座板1的上表面以及半导体元件2封装；以及粗糙化图案11，其在绝缘层1b的上表面以在俯视观察时将电路图案1c包围的方式形成。

因此，由于粗糙化图案11，绝缘层1b的上表面处的电路图案1c的周围的表面积变大，因此，从壳体4的下侧至电路图案1c为止的路径变长，能够抑制包含气泡10的粘接剂9到达电路图案1c。即，能够抑制气泡10到达电路图案1c。由此，就半导体装置100而言，能够抑制由于气泡10到达电路图案1c而产生的绝缘不良。其结果，能够实现半导体装置100的长期使用。

另外，粗糙化图案11形成于绝缘层1b的上表面处的距离电路图案1c的端部大于或等于500μm的部位。因此，能够抑制气泡10流入至绝缘层1b的上表面处的距离电路图案1c的端部500μm以内。由此，能够确保半导体装置100的所需的大于或等于2500V的绝缘耐压。

另外，粗糙化图案11具有200μm的宽度和绝缘层1b的厚度的1/3的深度。因此，能够由粗糙化图案11捕获存在于粘接剂9内的气泡10。另外，在粗糙化图案11超越绝缘层1b而到达铜基座板1a的情况下，担忧半导体装置100的绝缘特性的劣化，但由于粗糙化图案11的深度为绝缘层1b的厚度的1/3，因此不会产生这样的问题。

另外，在实施方式1涉及的半导体装置的制造方法中，通过在电路图案1c的形成之后对绝缘层1b进行激光加工或者机械加工，从而形成粗糙化图案11，因此，能够在绝缘层1b的上表面简单地形成粗糙化图案11。

＜实施方式2＞

接下来，对实施方式2涉及的半导体装置100进行说明。图2是实施方式2涉及的半导体装置100的剖面图。此外，在实施方式2中，对与在实施方式1中说明过的结构要素相同的结构要素标注相同的标号而省略说明。

如图2所示，在实施方式2中，取代粗糙化图案11，半导体装置100具有金属间隔件12。

金属间隔件12在绝缘层1b的上表面以在俯视观察时将电路图案1c连续地包围的方式设置。金属间隔件12由能够与绝缘层1b粘接的金属构成，在俯视观察时形成为矩形框状。能够与绝缘层1b粘接的金属例如是铜、镍以及铝等，但如果考虑到如后述那样与电路图案1c一起形成，则优选铜。

接下来，对实施方式2涉及的半导体装置的制造方法进行说明。这里，仅对与实施方式1不同的工序进行说明。在树脂绝缘铜基座板1的制造工序中，通过在将电路图案1c形成于绝缘层1b的上表面时进行蚀刻处理，从而与电路图案1c一起形成金属间隔件12。因此，金属间隔件12的厚度与电路图案1c的厚度相同，为0.5mm。此外，电路图案1c和金属间隔件12的厚度也可以由于制造误差等而少许不同。

另外，金属间隔件12设置于绝缘层1b的上表面处的距离电路图案1c的端部大于或等于500μm的部位。为了以使得粘接剂9不到达电路图案1c的方式对粘接剂9进行拦截，金属间隔件12具有大于或等于500μm且小于或等于1.0mm的宽度。

如上所述，实施方式2涉及的半导体装置100具有：树脂绝缘铜基座板1，其具有铜基座板1a、在铜基座板1a的上表面设置的绝缘层1b和在绝缘层1b的上表面设置的电路图案1c；半导体元件2，其搭载于树脂绝缘铜基座板1的上表面；壳体4，其经由粘接剂9而与树脂绝缘铜基座板1的外周部接合；封装材料8，其在壳体4的内部将树脂绝缘铜基座板1的上表面以及半导体元件2封装；以及金属间隔件12，其在绝缘层1b的上表面以在俯视观察时将电路图案1c包围的方式设置。

因此，能够通过金属间隔件12而将粘接剂9拦截，所以，能够抑制包含气泡10的粘接剂9到达电路图案1c。即，能够抑制气泡10到达电路图案1c。由此，就半导体装置100而言，能够抑制由于气泡10到达电路图案1c而产生的绝缘不良。其结果，能够实现半导体装置100的长期使用。

另外，金属间隔件12设置于绝缘层1b的上表面处的距离电路图案1c的端部大于或等于500μm的部位。因此，能够抑制气泡10流入至绝缘层1b的上表面处的距离电路图案1c的端部500μm以内。由此，能够确保半导体装置100的所需的大于或等于2500V的绝缘耐压。

另外，金属间隔件12具有大于或等于500μm且小于或等于1.0mm的宽度和与电路图案1c的厚度相同的厚度。因此，能够通过金属间隔件12而更有效地拦截存在于粘接剂9内的气泡10。

另外，在实施方式2涉及的半导体装置的制造方法中，通过在电路图案1c的形成时进行蚀刻，从而形成金属间隔件12，因此，能够与电路图案1c一起形成金属间隔件12。由此，不需要增加新工序就能够在绝缘层1b的上表面设置金属间隔件12。

＜实施方式3＞

接下来，对实施方式3涉及的半导体装置100进行说明。图3是实施方式3涉及的半导体装置所具有的树脂绝缘铜基座板1及其周围的俯视图。此外，在实施方式3中，对与在实施方式1、2中说明过的结构要素相同的结构要素标注相同的标号而省略说明。

在实施方式2中，金属间隔件12在绝缘层1b的上表面以在俯视观察时将电路图案1c连续地包围的方式设置，但如图3所示，在实施方式3中，金属间隔件12在绝缘层1b的上表面以在俯视观察时将电路图案1c断续地包围的方式设置。因此，在金属间隔件12每隔规定间隔而设置有间隙12a。

当在成为封装材料8的环氧树脂的固化之前，气泡10存在于在电路图案1c与金属间隔件12之间存在的环氧树脂内的情况下，能够使气泡10经由金属间隔件12的间隙12a而向金属间隔件12的外周侧逃逸。由此，能够使存在于环氧树脂内的气泡10远离电路图案1c。这里，间隙12a形成得比气泡10的大小大，以使得存在于环氧树脂内的气泡10能够通过。

如上所述，就实施方式3涉及的半导体装置100而言，金属间隔件12是断续地设置的。因此，能够抑制存在于成为封装材料8的环氧树脂内的气泡10到达电路图案1c。由此，除了实施方式2的效果以外，就半导体装置100而言，还能够抑制由于存在于环氧树脂内的气泡10到达电路图案1c而产生的绝缘不良。

此外，能够对各实施方式自由地进行组合，或对各实施方式适当地进行变形、省略。

标号的说明

1树脂绝缘铜基座板，1a铜基座板，1b绝缘层，1c电路图案，2半导体元件，4壳体，8封装材料，9粘接剂，11粗糙化图案，12金属间隔件，100半导体装置。