阅读说明：本技术 半导体装置封装 (Semiconductor device package ) 是由 皮敦庆 黄晏琪 谢濠至 史晋翰 于 2019-08-15 设计创作，主要内容包括：一种半导体装置封装包含载体和安置在所述载体上的囊封物。所述囊封物的至少一个部分通过空间与所述载体间隔开。(A semiconductor device package includes a carrier and an encapsulant disposed on the carrier. At least a portion of the encapsulation is spaced apart from the carrier by a space.)

半导体装置封装

相关申请的交叉参考

本申请主张2018年9月7日递交的第62/728,720号美国临时申请的权益和优先权，所述申请的内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及(除其它事项外)半导体装置封装以及具有不含囊封材料的区域或空间的半导体装置封装。

背景技术

模制过程是用于半导体封装的封装技术，其用于保护衬底和衬底上的组件。然而，在一些实施方案中，并非衬底的全部区域应该由囊封材料(也被称作模制化合物)覆盖，例如，在封装上天线(AoP)实施方案中，其中可能需要执行从组件到天线的路径的阻抗匹配。因此，半导体装置封装可具有非模制区域或空间(不含囊封材料的区域或空间)，并且用户可以通过在模制过程之后调节表面安装技术(SMT)无源组件来轻易地调节阻抗匹配。

发明内容

根据本发明的一个实例实施例，半导体装置封装包含载体和安置在载体上的囊封物。另外，囊封物的至少一个部分通过空间与载体间隔开。

根据本发明的另一实例实施例，半导体装置封装包括：载体，其包括第一表面和邻近于第一表面的第二表面；以及囊封物，其安置在载体的第一表面上。另外，载体的第二表面的粗糙度大于载体的第一表面的粗糙度。

根据本发明的另一实例实施例，制造半导体装置封装的方法包含：a)提供具有表面的载体；b)在载体的表面上形成牺牲层；c)通过囊封物囊封载体和牺牲层；d)移除囊封物的一部分以暴露牺牲层的一部分使得囊封物被划分成第一部分和第二部分，其中囊封物的第一部分附接到载体并且囊封物的第二部分附接到牺牲层；以及e)移除牺牲层和囊封物的第二部分。

为了进一步理解本发明，提供以下实施例以及说明以促进对本发明的了解；然而，所述附图仅出于参考和说明目的提供，且并不限制本发明的范围。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的半导体装置封装的截面图。

图2A、图2B、图2C和图2D示出根据本发明的实施例的制造半导体装置封装的方法。

图3A、图3B、图3C、图3D和图3E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图4A、图4B、图4C、图4D和图4E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图5A、图5B、图5C、图5D和图5E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图6A、图6B、图6C、图6D和图6E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图7A、图7B、图7C、图7D和图7E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图9A、图9B、图9C、图9D和图9E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图10A、图10B、图10C、图10D和图10E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图11A、图11B、图11C、图11D和图11E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图12A、图12B、图12C、图12D、图12E和图12F示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图13A、图13B、图13C、图13D、图13E和图13F示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

图14A、图14B、图14C、图14D和图14E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装的方法。

具体实施方式

前述说明和以下详细描述是出于解释本发明的目的的实例。

图1示出了根据本发明的实施例的半导体装置封装1。具体地说，半导体装置封装1具有两个非对称非模制区域13和15。如本文中所使用，术语“非模制区域”可以指基本上不含模制材料的区域(例如，衬底的区域)或空间。参考图1，半导体装置封装1包括载体10。载体10具有上表面11和与上表面11相对的下表面12。囊封材料20安置在载体10的上表面11上。裸片101和组件102、103(例如，电子组件，例如，无源电子组件)安置在载体10的上表面11上并且由囊封材料20覆盖。如图1中所示，载体10的上表面11的一或多个区从囊封材料20暴露(例如，基本上不含囊封材料20)。载体10的上表面11具有非模制区域13。在非模制区域13中，基本上没有安置在载体10的上表面11上的囊封材料20，并且安置在载体10的上表面11上的裸片104和组件105并不由囊封材料20覆盖且因此是暴露的。另外，囊封材料21安置在载体10的下表面12上。裸片106和电触点107安置在载体10的下表面12上并且由囊封材料21覆盖。另外，衬底19安置在囊封材料21上。另外，载体10的下表面12的一或多个区从囊封材料21暴露(例如，基本上不含囊封材料21)。载体10的下表面12具有非模制区域15。在非模制区域15中，基本上没有安置在载体10的下表面12上的囊封材料21，并且安置在载体10的下表面12上的组件108和109并不由囊封材料21覆盖且因此是暴露的。

此外，参考图1，非模制区域13和15彼此不同并且它们的位置并不对应于彼此(例如，不相对于彼此安置)。在载体10的上表面11上的非模制区域13和在载体10的下表面12上的非模制区域15并不彼此对称。

图2A、图2B、图2C和图2D示出根据本发明的实施例的制造半导体装置封装110的方法。如图2A中所示，至少一个电子组件112安置在载体111的上表面1111上。另外，在一些实施例中，胶分配在载体111的上表面1111以便在载体111的上表面1111上形成可移除/牺牲层1117。在一些实施例中，可移除/牺牲层1117可包含粘附或粘贴在载体111的上表面1111上的胶带或涂覆或印刷在载体111的上表面1111上的另一可移除绑定材料。

参考图2B，囊封材料113安置在载体111上并且囊封至少一个电子组件112和可移除/牺牲层1117。囊封材料113覆盖至少一个电子组件112、载体11的上表面111和可移除/牺牲层1117。

参考图2C，通过激光过程移除囊封材料113的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1117的一部分。由此，囊封材料113被划分成两个部分1130和1139，其中囊封材料1130的部分附接到载体111的上表面1111和可移除/牺牲层1117，并且囊封材料1139的部分附接到可移除/牺牲层1117。

参考图2D，可移除/牺牲层1117通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1117的囊封材料1139的部分也被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1117时被移除)。在移除可移除/牺牲层1117和囊封材料1139的部分之后，囊封材料1130的部分保持在载体111上并且载体111的上表面1111的一部分暴露。囊封材料1130的部分安置在载体的上表面1111上。囊封材料1130的部分具有上表面1131和与上表面1131相对且附接到载体111的上表面1111的下表面1132。另外，囊封材料1130的部分进一步具有在上表面1131和下表面1132的高度之间的高度处的表面1133，其中表面1133与载体111的上表面1111间隔开。在表面1133和上表面1111之间存在空间。表面1133可以基本上平行于上表面1131和下表面1132中的任一个或每一个。

此外，囊封材料1130的部分具有侧表面1136。侧表面1136可连接表面1133和上表面1131。侧表面1136和上表面1131之间的角度A在从约90度到约110度的范围内。

图3A、图3B、图3C、图3D和图3E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装120的方法。如图3A中所示，载体121具有上表面1211和形成于上表面1211中的凹部1210。载体121具有相对于上表面1211凹陷的凹陷表面1212(例如，其限定凹部1210的底部)。至少一个电子组件122安置在载体121的上表面1211上。

另外，参考图3B，胶分配在载体121的上表面1211上，其中胶的一部分流到凹部1210中。因此，可移除/牺牲层1217形成在载体121的上表面1211和凹陷表面1212上。

参考图3C，囊封材料123安置在载体121上并且囊封至少一个电子组件122和可移除/牺牲层1217。囊封材料123覆盖至少一个电子组件122、载体121的上表面1211和可移除/牺牲层1217。

参考图3D，通过激光过程移除囊封材料123的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1217的一部分。由此，囊封材料123被划分成两个部分1230和1239，其中囊封材料1230的部分附接到载体121的上表面1211和可移除/牺牲层1217，并且囊封材料1239的部分附接到可移除/牺牲层1217。

参考图3E，可移除/牺牲层1217通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。附接到可移除/牺牲层1217的囊封材料1239的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1217时)。在移除可移除/牺牲层1217和囊封材料1239的部分之后，囊封材料1230的部分保持在载体121上并且载体121的上表面1211的一部分和凹陷表面1212暴露。囊封材料1230的部分安置在载体121的上表面1211上。囊封材料1230的部分具有上表面1231和与上表面1231相对的下表面1232。另外，下表面1232的一部分与载体121的凹陷表面1212间隔开(例如，与载体121的凹陷表面1212间隔开并且安置在载体121的凹陷表面1212上)并且下表面1232的一部分附接到载体121的上表面1211。在下表面1232和凹陷表面1212之间存在空间。

此外，囊封材料1230的部分具有侧表面1236。侧表面1236和上表面1231之间的角度B在从约90度到约110度的范围内。

图4A、图4B、图4C、图4D和图4E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装130的方法。如图4A中所示，载体131具有上表面1311和形成于上表面1311中的凹部1310。载体131进一步具有相对于上表面1311凹陷的凹陷表面1312(例如，其限定凹部1310的底部)。至少一个电子组件132安置在载体131的上表面1311上。

另外，参考图4B，胶分配在载体131的上表面1311上，其中胶的一部分流到凹部1310中。因此，可移除/牺牲层1317形成在载体131的上表面1311和凹陷表面1312上。可移除/牺牲层1317具有高于载体131的上表面1311的上表面1318。此外，可移除/牺牲层1317具有侧表面1319，其与凹部1310的侧表面1315基本上共面。

参考图4C，囊封材料133安置在载体131上并且囊封至少一个电子组件132和可移除/牺牲层1317。囊封材料133覆盖至少一个电子组件132、载体131的上表面1311和可移除/牺牲层1317。

参考图4D，通过激光过程移除囊封材料133的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1317的一部分。由此，囊封材料133被划分成两个部分1330和1339，其中囊封材料1330的部分附接到载体131的上表面1311和可移除/牺牲层1317，并且囊封材料1339的部分附接到可移除/牺牲层1317。

参考图4E，可移除/牺牲层1317通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1317的囊封材料1339的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1317时)。在移除可移除/牺牲层1317和囊封材料1339的部分之后，囊封材料1330的部分保持在载体131上并且载体131的上表面1311的一部分和凹陷表面1312暴露。囊封材料1330的部分安置在载体131的上表面1311上。囊封材料1330的部分具有上表面1331和与上表面1331相对的下表面1332。另外，囊封材料1330的部分进一步具有在上表面1331和下表面1332的高度之间的高度处的表面1333，其中表面1333与载体131的凹陷表面1312间隔开并且安置在载体131的凹陷表面1312上。在表面1333和凹陷表面1312之间存在空间。此外，囊封材料1330的部分具有连接到下表面1332和表面1333的侧表面1335。侧表面1335与凹部1310的侧表面1313基本上共面。

此外，囊封材料1330的部分具有侧表面1336。侧表面1336和上表面1331之间的角度C在从约90度到约110度的范围内。

图5A、图5B、图5C、图5D和图5E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装140的方法。如图5A中所示，载体141具有上表面1411和形成于上表面1411中的凹部1410。载体141进一步具有相对于上表面1411凹陷的凹陷表面1412(例如，其限定凹部1410的底部)。至少一个电子组件142安置在载体141的上表面1411上。

另外，参考图5B，胶分配在载体141的上表面1411上，其中胶的一部分流到凹部1410中。因此，可移除/牺牲层1417形成在载体141的上表面1411和凹陷表面1412上。可移除/牺牲层1417具有高于载体141的上表面1411的上表面1418。此外，因为胶溢出凹部1410，所以可移除/牺牲层1417延伸跨越凹部1410并且具有在载体141的上表面1411上的侧表面1419。

参考图5C，囊封材料143安置在载体141上并且囊封至少一个电子组件142和可移除/牺牲层1417。囊封材料143覆盖至少一个电子组件142、载体141的上表面1411和可移除/牺牲层1417。

参考图5D，通过激光过程移除囊封材料143的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1417的一部分。由此，囊封材料143被划分成两个部分1430和1439，其中囊封材料1430的部分附接到载体141的上表面1411和可移除/牺牲层1417，并且囊封材料1439的部分附接到可移除/牺牲层1417。

参考图5E，可移除/牺牲层1417通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1417的囊封材料1439的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1417时)。在移除可移除/牺牲层1417和囊封材料1439的部分之后，囊封材料1430的部分保持在载体141上并且载体141的上表面1411的一部分和凹陷表面1412暴露。囊封材料1430的部分安置在载体141的上表面1411上。囊封材料1430的部分具有上表面1431和与上表面1431相对的下表面1432。另外，囊封材料1430的部分进一步具有在上表面1431和下表面1432的高度之间的高度处的表面1433，其中表面1433与载体141的上表面1411和凹陷表面1412间隔开。在表面1433和上表面1411、凹陷表面1412之间存在空间。另外，囊封材料1430的部分进一步具有连接到下表面1432和表面1433的侧表面1434。侧表面1434安置在载体141的上表面1411上并且不与凹部1410的侧表面1415共面。凹部1410的侧表面可以安置在表面1433之下。

此外，囊封材料1430的部分具有侧表面1436。侧表面1436和上表面1431之间的角度D在从约90度到约110度的范围内。

图6A、图6B、图6C、图6D和图6E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装150的方法。如图6A中所示，载体151具有上表面1511和形成于上表面1511中的凹部1510。载体151进一步具有相对于上表面1511凹陷的凹陷表面1512(例如，其限定凹部1510的底部)。至少一个电子组件152安置在载体151的上表面1511上。

另外，参考图6B，胶分配在载体151的上表面1511上，其中胶的一部分流到凹部1510中。因此，可移除/牺牲层1517形成在载体151的上表面1511和凹陷表面1512上。可移除/牺牲层1517具有高于载体151的上表面1511的上表面1518。此外，因为胶溢出凹部1510，所以可移除/牺牲层157具有从可移除/牺牲层1517的上表面1518伸出的伸出部分1515。伸出部分1515具有与凹部1510的侧表面1519基本上共面的侧表面1516。

参考图6C，囊封材料153安置在载体151上并且囊封至少一个电子组件152和可移除/牺牲层1517。囊封材料153覆盖至少一个电子组件152、载体151的上表面1511和可移除/牺牲层1517。

参考图6D，通过激光过程移除囊封材料153的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1517的一部分。由此，囊封材料153被划分成两个部分1530和1539，其中囊封材料1530的部分附接到载体151的上表面1511和可移除/牺牲层1517，并且囊封材料1539的部分附接到可移除/牺牲层1517。

参考图6E，可移除/牺牲层1517通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1517的囊封材料1539的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1517时)。在移除可移除/牺牲层1517和囊封材料1539的部分之后，囊封材料1530的部分保持在载体151上并且载体151的上表面1511的一部分和凹陷表面1512暴露。囊封材料1530的部分安置在载体151的上表面1511上。囊封材料1530的部分具有上表面1531和与上表面1131相对的下表面1532。囊封材料1530的部分进一步具有在上表面1531和下表面1532的高度之间的高度处的表面1533，其中表面1533与载体151的上表面1511和凹陷表面1512间隔开。表面1533安置在载体151的凹陷表面1512上。此外，囊封材料1530的部分进一步具有邻近于表面1533并且低于表面1533的表面1534。表面1534与载体151的凹陷表面1512间隔开(并且例如，安置在其上)。表面1534可以基本上平行于表面1533。在表面1533、1534和凹陷表面1512之间存在空间。另外，囊封材料1530的部分进一步具有连接到下表面1532和表面1533的侧表面1535。侧表面1535与凹部1510的侧表面1519基本上共面。

此外，囊封材料1530的部分具有侧表面1536。侧表面1536和上表面1531之间的角度E在从约90度到约110度的范围内。

图7A、图7B、图7C、图7D和图7E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装160的方法。如图7A中所示，载体161具有上表面1611和形成于上表面1611中的凹部1610。载体161进一步具有相对于上表面1611凹陷的凹陷表面1612(例如，其限定凹部1610的底部)。至少一个电子组件162安置在载体161的上表面1611上。

另外，参考图7B，胶分配在载体161的上表面1611上，其中胶的一部分流到凹部1610中。因此，可移除/牺牲层1617形成在载体161的上表面1611和凹陷表面1612上。可移除/牺牲层1617具有高于载体161的上表面1611的上表面1618。此外，因为胶溢出凹部1610，所以可移除/牺牲层1617具有从可移除/牺牲层1617的上表面1618伸出并且延伸到载体161的上表面1611的伸出部分1615。伸出部分1615具有安置在载体161的上表面1611上的侧表面1616。

参考图7C，囊封材料163安置在载体161上并且囊封至少一个电子组件162和可移除/牺牲层1617。囊封材料163覆盖至少一个电子组件162、载体161的上表面1611和可移除/牺牲层1617。

参考图7D，通过激光过程移除囊封材料163的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1617的一部分。由此，囊封材料163被划分成两个部分1630和1639，其中囊封材料1630的部分附接到载体161的上表面1611和可移除/牺牲层1617，并且囊封材料1639的部分附接到可移除/牺牲层1617。

参考图7E，可移除/牺牲层1617通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1617的囊封材料1639的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1617时)。在移除可移除/牺牲层1617和囊封材料1639的部分之后，囊封材料1630的部分保持在载体161上并且载体161的上表面1611的一部分和凹陷表面1612暴露。囊封材料1630的部分安置在载体161的上表面1611上。囊封材料1630的部分具有上表面1631和与上表面1631相对的下表面1632。囊封材料1630的部分进一步具有在上表面1631和下表面1632的高度之间的高度处的表面1633，其中表面1633与载体161的上表面1611和凹陷表面1612间隔开。表面1633的至少一部分安置在载体161的凹陷表面1612上。此外，囊封材料1630的部分进一步具有邻近于表面1633并且低于表面1633的表面1634。表面1634与载体161的凹陷表面1612间隔开。表面1634可以基本上平行于表面1633。在表面1633、1634与上表面1611和凹陷表面1612之间存在空间。另外，囊封材料1630的部分进一步具有连接到下表面1632和表面1633的侧表面1635。侧表面1635安置在载体161的上表面1611上并且不与凹部1610的侧表面1615共面。

此外，囊封材料1630的部分具有侧表面1636。侧表面1636和上表面1631之间的角度F在从约90度到约110度的范围内。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装170的方法。如图8A中所示，载体171具有上表面1711和形成在上表面1711上的伸出部分1710。载体171进一步具有相对于上表面1711伸出的伸出表面1712。至少一个电子组件172安置在载体171的上表面1711上。

另外，参考图8B，胶分配在载体171的上表面1711上，其中胶并不流过伸出部分1710。因此，可移除/牺牲层1717形成在上表面1711上。此外，可移除/牺牲层1717具有与伸出表面1712基本上共面的上表面1718。

参考图8C，囊封材料173安置在载体171上并且囊封至少一个电子组件172和可移除/牺牲层1717。囊封材料173覆盖至少一个电子组件172、载体171的上表面1711和伸出表面1712以及可移除/牺牲层1717。

参考图8D，通过激光过程移除囊封材料173的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1717的一部分。由此，囊封材料173被划分成两个部分1730和1739，其中囊封材料1730的部分附接到载体171的上表面1711和伸出表面1712和可移除/牺牲层1717，并且囊封材料1739的部分附接到可移除/牺牲层1717。

参考图8E，可移除/牺牲层1717通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1717的囊封材料1739的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1717时)。在移除可移除/牺牲层1717和囊封材料1739的部分之后，囊封材料1730的部分保持在载体171上并且载体171的上表面1711的一部分暴露。囊封材料1730的部分安置在载体171的上表面1711上。囊封材料1730的部分具有上表面1731和与上表面1731相对的下表面1732。另外，囊封材料1730的部分进一步具有在上表面1731和下表面1732的高度之间的高度处的表面1733，其中表面1733的一部分附接到载体171的伸出表面1712并且表面1733的一部分与载体171的上表面1711间隔开。在表面1733和上表面1711之间存在空间。

此外，囊封材料1730的部分具有侧表面1736。侧表面1736和上表面1731之间的角度G在从约90度到约110度的范围内。

图9A、图9B、图9C、图9D和图9E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装180的方法。如图9A中所示，载体181具有上表面1811和形成在上表面1811上的伸出部分1810。载体181进一步具有相对于上表面1811伸出的伸出表面1812。至少一个电子组件182安置在载体181的上表面1811上。

另外，参考图9B，胶分配在载体181的上表面1811上，其中胶并不流过伸出部分1810。因此，可移除/牺牲层1817形成在上表面1811上。此外，可移除/牺牲层1817具有低于伸出表面1812的上表面1818。

参考图9C，囊封材料183安置在载体181上并且囊封至少一个电子组件182和可移除/牺牲层1817。囊封材料183覆盖至少一个电子组件182、载体181的上表面1811和伸出表面1812以及可移除/牺牲层1817。

参考图9D，通过激光过程移除囊封材料183的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1817的一部分。由此，囊封材料183被划分成两个部分1830和1839，其中囊封材料1830的部分附接到载体181的上表面1811和伸出表面1812和可移除/牺牲层1817，并且囊封材料1839的部分附接到可移除/牺牲层1817。

参考图9E，可移除/牺牲层1817通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1817的囊封材料1839的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1817时)。在移除可移除/牺牲层1817和囊封材料1839的部分之后，囊封材料1830的部分保持在载体181上并且载体181的上表面1811的一部分暴露。囊封材料1830的部分安置在载体181的上表面1811上。囊封材料1830的部分具有上表面1831和与上表面1831相对的下表面1832。另外，囊封材料1830的部分进一步具有在上表面1831和下表面1832的高度之间的高度处的表面1833，其中表面1833附接到载体181的伸出表面1812。此外，囊封材料1830的部分进一步具有邻近于表面1833并且低于表面1833的表面1834。表面1834可以基本上平行于表面1833。表面1834与载体181的上表面1811间隔开。在表面1834和上表面1811之间存在空间。

此外，囊封材料1830的部分具有侧表面1836。侧表面1836和上表面1831之间的角度H在从约90度到约110度的范围内。

图10A、图10B、图10C、图10D和图10E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装190的方法。如图10A中所示，载体191具有上表面1911和形成在上表面1911上的伸出部分1910。载体191进一步具有相对于上表面1911伸出的伸出表面1912。至少一个电子组件192安置在载体191的上表面1911上。

另外，参考图10B，胶分配在载体191的上表面1911上，其中胶在伸出表面1912上延伸但是并不流过伸出部分1910。因此，可移除/牺牲层1917形成在上表面1911和伸出表面1912上。此外，可移除/牺牲层1917具有基本上平坦的上表面1918。

参考图10C，囊封材料193安置在载体191上并且囊封至少一个电子组件192和可移除/牺牲层1917。囊封材料193覆盖至少一个电子组件192、载体191的上表面1911和可移除/牺牲层1917。

参考图10D，通过激光过程移除囊封材料193的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层1917的一部分。由此，囊封材料193被划分成两个部分1930和1939，其中囊封材料1930的部分附接到载体191的上表面1911和可移除/牺牲层1917，并且囊封材料1939的部分附接到可移除/牺牲层1917。

参考图10E，可移除/牺牲层1917通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层1917的囊封材料1939的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层1917时)。在移除可移除/牺牲层1917和囊封材料1939的部分之后，囊封材料1930的部分保持在载体191上并且载体191的上表面1911的一部分暴露。囊封材料1930的部分安置在载体191的上表面1911上。囊封材料1930的部分具有上表面1931和与上表面1931相对的下表面1932。另外，囊封材料1930的部分进一步具有在上表面1931和下表面1932的高度之间的高度处的表面1933，其中表面1933与载体191的上表面1911和伸出表面1912间隔开。在表面1933和上表面1911以及伸出表面1912之间存在空间。表面1933可以安置在伸出表面1912上方。

此外，囊封材料1930的部分具有侧表面1936。侧表面1936和上表面1931之间的角度I在从约90度到约110度的范围内。

图11A、图11B、图11C、图11D和图11E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装200的方法。如图11A中所示，载体201具有上表面2011和形成在上表面2011上的伸出部分2010。载体201进一步具有相对于上表面2011伸出的伸出表面2012。至少一个电子组件202安置在载体201的上表面2011上。

另外，参考图11B，胶分配在载体201的上表面2011上，其中胶在伸出表面2012上延伸但是并不流过伸出部分2010。因此，可移除/牺牲层2017形成在上表面2011和伸出表面2012上。此外，可移除/牺牲层2017具有不均匀的上表面2018。

参考图11C，囊封材料203安置在载体201上并且囊封至少一个电子组件202和可移除/牺牲层2017。囊封材料203覆盖至少一个电子组件202、载体201的上表面2011和可移除/牺牲层2017。

参考图11D，通过激光过程移除囊封材料203的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层2017的一部分。由此，囊封材料203被划分成两个部分2030和2039，其中囊封材料2030的部分附接到载体201的上表面2011和可移除/牺牲层2017，并且囊封材料2039的部分附接到可移除/牺牲层2017。

参考图11E，可移除/牺牲层2017通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层2017的囊封材料2039的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层2017时)。在移除可移除/牺牲层2017和囊封材料2039的部分之后，囊封材料2030的部分保持在载体201上并且载体201的上表面2011的一部分暴露。囊封材料2030的部分安置在载体201的上表面2011上。囊封材料2030的部分具有上表面2031和与上表面2031相对的下表面2032。另外，囊封材料2030的部分进一步具有在上表面2031和下表面2032的高度之间的高度处的表面2033。表面2033与载体201的伸出表面2012间隔开(并且例如，安置在其上)。此外，囊封材料2030的部分进一步具有邻近于表面2033并且低于表面2033的表面2034。表面2034可以基本上平行于表面2033。表面2034与载体201的上表面2011间隔开。在表面2033、2034以及上表面2011和伸出表面2012之间存在空间。

此外，囊封材料2030的部分具有侧表面2036。侧表面2036和上表面2031之间的角度J在从约90度到约110度的范围内。

图12A、图12B、图12C、图12D、图12E和图12F示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装210的方法。如图12A中所示，载体211具有上表面2111和形成于上表面2111中的凹部2110。载体211进一步具有相对于上表面2110凹陷的凹陷表面2112(例如，其限定凹部2110的底部)。至少一个电子组件212安置在载体211的上表面2111上。另外，导电层215安置在凹陷表面2112上。

另外，参考图12B，胶分配在载体211的上表面2111上，其中胶的一部分流到凹部2110中。因此，可移除/牺牲层2117形成在载体211的上表面2111和凹陷表面2112以及导电层215上。

参考图12C，囊封材料213安置在载体211上并且囊封至少一个电子组件212和可移除/牺牲层2117。囊封材料213覆盖至少一个电子组件212、载体211的上表面2111和可移除/牺牲层2117。

参考图12D，通过激光过程移除囊封材料213的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层2117的一部分。通过激光形成的切割间隙基本上与导电层215的位置对齐。囊封材料213被划分成两个部分2130和2139，其中囊封材料2130的部分附接到载体211的上表面2111和可移除/牺牲层2117，并且囊封材料2139的部分附接到可移除/牺牲层2117。

参考图12E，可移除/牺牲层2117通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层2117的囊封材料2139的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层2117时)。在移除可移除/牺牲层2117和囊封材料2139的部分之后，囊封材料2130的部分保持在载体211上，并且载体211的上表面2111的一部分和凹陷表面2112以及导电层215暴露。囊封材料2130的部分安置在载体211的上表面2111上。囊封材料2130的部分具有上表面2131和与上表面2131相对的下表面2132。另外，下表面2132的一部分与载体211的凹陷表面2112间隔开(并且例如，安置在其上)，并且下表面2132的一部分附接到载体211的上表面2111。在下表面2132和凹陷表面2112之间存在空间。

此外，囊封材料2130的部分具有侧表面2136。侧表面2136和上表面2131之间的角度K在从约90度到约110度的范围内。

参考图12F，屏蔽层217形成在导电层215和囊封材料2130的部分上。

图13A、图13B、图13C、图13D、图13E和图13F示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装220的方法。如图13A中所示，载体221具有上表面2211和导电层225。导电层255的顶部表面的一部分暴露并且相对于载体221的上表面2211凹陷。

另外，参考图13B，胶分配在载体211的上表面2211和导电层225上。因此，可移除/牺牲层2217形成在上表面2211和载体221以及导电层225上。

参考图13C，囊封材料223安置在载体221上并且囊封至少一个电子组件222和可移除/牺牲层2217。囊封材料223覆盖至少一个电子组件222、载体221的上表面2211和可移除/牺牲层2217。

参考图13D，通过激光过程移除囊封材料223的一部分并且因此暴露可移除/牺牲层2217的一部分。通过激光形成的切割间隙基本上与导电层225的位置对齐。囊封材料223被划分成两个部分2230和2239，其中囊封材料2230的部分附接到载体221的上表面2211和可移除/牺牲层2217，并且囊封材料2239的部分附接到可移除/牺牲层2217。

参考图13E，可移除/牺牲层2217通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层2217的囊封材料2239的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层2217时)。在移除可移除/牺牲层2217和囊封材料2239的部分之后，囊封材料2230的部分保持在载体221上并且载体221的上表面2211的一部分和导电层225暴露。囊封材料2230的部分安置在载体221的上表面2211上。囊封材料2230的部分具有上表面2231和与上表面2231相对的下表面2232。另外，下表面2232的一部分与导电层225间隔开，并且下表面2232的一部分附接到载体221的上表面2211。在下表面2232和导电层225之间存在空间。

此外，囊封材料2230的部分具有侧表面2236。侧表面2236和上表面2231之间的角度L在从约90度到约110度的范围内。

参考图13F，屏蔽层227形成在导电层225和囊封材料2230的部分上。

图14A、图14B、图14C、图14D和图14E示出根据本发明的另一实施例的制造半导体装置封装230的方法。如图14A中所示，载体231具有上表面2311并且包含导电层235。导电层235的顶部表面的一部分暴露并且相对于载体231的上表面2311凹陷。另外，因为导电层235的顶部表面的部分暴露并且相对于载体231的上表面2311凹陷，所以载体231进一步具有安置在导电层225上并且邻近于且相对于载体231的上表面2311成角度的(例如，在约90度处)的侧表面2313、2314。

另外，参考图14B，胶分配在载体231的上表面2311和导电层235上。因此，可移除/牺牲层2317形成在上表面2311和载体231以及导电层235上。

参考图14C，囊封材料233安置在载体231上并且囊封至少一个电子组件232和可移除/牺牲层2317。囊封材料233覆盖至少一个电子组件232、载体231的上表面2311和可移除/牺牲层2317。

参考图14D，通过激光过程移除囊封材料233的一部分并且因此可移除/牺牲层2317的一部分和载体231的上表面2311的一部分暴露。另外，当使用激光来切割囊封材料233时，激光接触可移除/牺牲层2317的部分和载体231的上表面2311的部分，所述部分在囊封材料233的部分已经被移除之后暴露。通过激光接触的载体231的上表面2311的部分可以通过激光***糙。囊封材料233被划分成两个部分2330和2339，其中囊封材料2330的部分附接到载体231的上表面2311并且囊封材料2339的部分附接到可移除/牺牲层2317。

参考图14E，可移除/牺牲层2317通过物理方法或化学方法被移除，例如，水清洗过程。另外，附接到可移除/牺牲层2317的囊封材料2339的部分被移除(例如，当移除可移除/牺牲层2317时)。在移除可移除/牺牲层2317和囊封材料2339的部分之后，囊封材料2330的部分保持在载体231上并且载体231的上表面2311的一部分和导电层235暴露。如上文所提到，当切割囊封材料233时激光直接地接触上表面2311的部分。因此，作为在囊封材料2330的部分和导电层235之间的载体231的表面2312具有大于载体231的上表面2311的另一部分的粗糙度并且大于载体231的侧表面2313、2314的粗糙度的粗糙度(例如，以约1.3或更大的因数、约1.5或更大的因数、约2或更大的因数，或更大的因数)。

此外，囊封材料2330的部分具有侧表面2336。侧表面2336和上表面2331之间的角度M在从约90度到约110度的范围内。

在本发明中参考第一特征在第二特征上方或上的形成或定位可以包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置使得第一特征和第二特征可能并不直接接触的实施例。

如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“实质”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指小于或等于所述数值的±10％的变化范围，如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％，或小于或等于±0.05％。

举例来说，基本上平行可以指相对于0°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。举例来说，基本上垂直可以指相对于90°的小于或等于±10°的角度变化范围，例如，小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°，或小于或等于±0.05°。

如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm，那么可认为所述两个表面是共面的或基本上共面的。如果表面的最高点与最低点之间的移位不大于5μm，不大于2μm，不大于1μm，或不大于0.5μm，那么可认为所述表面是基本上平坦的。

如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。

另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是为了便利和简洁而使用，且应灵活地理解，不仅包含明确地规定为范围限制的数值，而且还包含涵盖于那个范围内的所有个体数值或子范围，如同明确地规定每个数值和子范围一般。

虽然已参考本发明的特定实施例描述并说明本发明，但是这些描述和说明并非限制性的。所属领域的技术人员应理解，可在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下，作出各种改变且取代等效物。说明可能未必按比例绘制。归因于制造过程和公差，本发明中的艺术再现与实际设备之间可能存在区别。可能存在未特别说明的本发明的其它实施例。应将本说明书和图式视为说明性而非限制性的。可进行修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或过程适应于本发明的目标、精神和范围。所有此类修改都意图在此所附权利要求书的范围内。虽然已经参考按特定次序执行的特定操作来描述本文中所公开的方法，但是应理解这些操作可以组合、细分或重新排序以形成等效方法而不脱离本发明的教示。相应地，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并非本发明的限制。