阅读说明：本技术 封装结构及其制造方法 (Package structure and method for manufacturing the same ) 是由 林南君 徐宏欣 于 2019-04-02 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种封装结构及其制造方法。封装结构包括框架结构、晶粒、密封体以及重布线路结构。框架结构具有空腔。晶粒配置于空腔中。晶粒具有主动面、相对于主动面的背面、连接主动面与背面的多个侧边以及配置于主动面上的多个连接垫。密封体密封框架结构的至少一部分以及晶粒的侧边。重布线路结构配置于密封体与晶粒的主动面上。连接垫与重布线路结构直接接触。(The invention provides a packaging structure and a manufacturing method thereof. The package structure includes a frame structure, a die, a seal and a redistribution circuit structure. The frame structure has a cavity. The die is disposed in the cavity. The die has an active surface, a back surface opposite to the active surface, a plurality of side edges connecting the active surface and the back surface, and a plurality of connecting pads disposed on the active surface. The encapsulant encapsulates at least a portion of the frame structure and the sides of the die. The redistribution circuit structure is disposed on the active surface of the sealing body and the active surface of the die. The connecting pad is in direct contact with the redistribution circuit structure.)

封装结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，尤其涉及一种具有框架结构(framestructure)的封装结构及其制造方法。

背景技术

近年来半导体封装技术的发展，着重在提供体积更小、重量更轻、集成度(integration level)更高与制造成本更低的产品。如何在持续使半导体封装微型化的同时还能够维持低成本制程以及封装半导体晶粒的高性能实为本领域的技术人员的一大挑战。

发明内容

本发明提供一种封装结构及其制造方法，其能够以较低的制造成本有效地提高封装结构的可靠度。

本发明提供一种封装结构，其包括框架结构、晶粒、密封体以及重布线路结构。框架结构具有空腔。晶粒配置于空腔中。晶粒具有主动面、相对于主动面的背面、连接主动面与背面的多个侧边以及配置于主动面上的多个连接垫。密封体密封框架结构的至少一部分以及晶粒的侧边。重布线路结构配置于密封体与晶粒的主动面上。连接垫与重布线路结构物理接触。

在本发明的一实施例中，前述的封装结构还包括多个导电端子。多个导电端子配置于重布线路结构上且相对于晶粒。

本发明提供一种封装结构的制造方法。制造方法至少包括以下步骤。提供具有空腔的框架结构。放置晶粒于框架结构的空腔中。晶粒具有主动面、相对于主动面的背面、连接主动面与背面的多个侧边以及配置于主动面上的多个连接垫。放置具有密封膜形成于其上的模塑模具于框架结构与晶粒上。形成密封体以密封框架结构的至少一部分以及晶粒的侧边。形成重布线路结构于密封体与晶粒上。连接垫与重布线路结构物理接触。

在本发明的一实施例中，前述的放置晶粒于框架结构的空腔中的步骤包括形成粘着层于晶粒的背面上以及放置晶粒于框架结构的空腔中，以使晶粒的背面经由粘着层附于框架结构上。

在本发明的一实施例中，前述的放置具有密封膜形成于其上的模塑模具于框架结构与晶粒上的步骤包括放置具有密封膜形成于其上的模塑模具于晶粒的主动面上，以使晶粒的多个连接垫嵌入密封膜中，其中框架结构与密封膜分开。

在本发明的一实施例中，前述的形成密封体的步骤包括填入密封材料至密封膜、框架结构以及晶粒之间的间隙中以及固化密封材料，以形成密封体。

在本发明的一实施例中，前述的放置晶粒于框架结构的空腔中的步骤包括提供载板。形成粘着层于载板上。配置晶粒于粘着层上，且使晶粒的主动面面向载板，其中多个连接垫嵌入粘着层中以及放置框架结构于粘着层上，以使晶粒配置于框架结构的空腔中。

在本发明的一实施例中，前述的放置具有密封膜形成于其上的模塑模具于框架结构与晶粒上的步骤包括放置具有密封膜形成于其上的模塑模具于框架结构上，其中框架结构与密封膜物理接触。

在本发明的一实施例中，前述的形成密封体的步骤包括填入密封材料至晶粒与框架结构之间的间隙以及框架结构与粘着层之间的间隙中以及固化密封材料，以形成密封体。

在本发明的一实施例中，前述的制造方法还包括在形成密封体后，从框架结构与晶粒的主动面上移除粘着层与载板。

在本发明的一实施例中，前述的制造方法还包括图案化框架结构相对于空腔的表面，以形成多个鳍片。

在本发明的一实施例中，前述的制造方法还包括形成多个导电端子于相对于晶粒的重布线路结构上。

基于上述，在封装结构的制造过程中，封装结构中的框架结构可以作为载板。因此，可以免于使用暂时载板。换句话说，可以去除在封装结构的传统制造过程中执行的昂贵的转移接合制程，以降低制造成本。此外，由于框架结构可以由刚性材料所形成，所以框架结构能够为封装结构提供刚性和强度。这样，可以充分防止面板翘曲和封装碎裂/断裂/破裂的问题，进而提高封装结构的产率以及可靠度。更进一步，框架结构还可以提供散热与电磁干扰屏蔽的功能。因此，可以进一步提高封装结构的性能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G是依据本发明一些实施例的封装结构的制造方法的剖面示意图；

图2是图1B中的框架结构以及晶粒的上视示意图；

图3A至图3G是依据本发明一些替代实施例的封装结构的制造方法的剖面示意图；

图4是如图3C中所示的制造方法的中间阶段的侧视示意图；

图5A至图5C是依据本发明一些实施例的封装结构的制造方法的一些步骤的剖面示意图。

附图标记说明

10、20、30：封装结构

100：框架结构

100a：第一表面

100b：第二表面

102：主体

104：凸起

104a：凸起的表面

106：鳍片

200：晶粒

200a：主动面

200b：背面

200c：侧边

210：半导体基板

220：连接垫

230：保护层

300、900：粘着层

400：模塑模具

410：密封膜

500：密封材料

502：密封体

600：重布线路结构

610：导电元件

612a、612b：线路层

614a、614b：内连线结构

620、622a、622b：介电层

700：导电端子

800：载板

C：空腔

OP：贯穿开口

具体实施方式

下文将会附加标号以对本发明较佳实施例进行详细描述，并以附图说明。在可能的情况下，相同或相似的构件在附图中将以相同的标号显示。

图1A至图1G是依据本发明一些实施例的封装结构10的制造方法的剖面示意图。请参照图1A，提供框架结构100。框架结构100具有第一表面100a以及相对于第一表面100a的第二表面100b。框架结构100包括主体102以及多个从主体102突出的凸起104。举例而言，凸起104可以从框架结构100的第一表面100a突出。在一些实施例中，主体102与凸起104构成空腔C。举例而言，从上方来看，每一凸起104可以形成封闭环，进而定义出由凸起104包围的空腔C。换句话说，框架结构100具有多个通过对应的凸起104所定义出来的空腔C。在一些实施例中，凸起104与空腔C可以是以阵列方式排列。为简洁起见，在图1A中只示出一组凸起104与空腔C。在一些实施例中，框架结构100的第一表面100a的一部分也可以称为空腔C的底表面。在一些实施例中，可以由导电基板形成框架结构100，以提供隔离与保护，使其可以降低电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)，并且可以具有高强度与刚度(stiffness)，以提供结构支撑。此外，框架结构100可以由具有低热容量与高散热性的材料所制成，使框架结构100可以作为散热件，以散失从随后形成的元件中所产生的热量。举例而言，框架结构100的材料可以包括铜、金属合金、钢或其它适宜的材料，或其组合。

请参照图1B，在框架结构100的空腔C中放置晶粒200。在一些实施例中，晶粒200可以是特殊应用集成电路(Application-Specific Integrated Circuit,ASIC)。然而，本发明不限于此，其他适宜的装置也可以作为晶粒200。晶粒200包括半导体基板210、多个连接垫220以及保护层230。晶粒200具有主动面200a、相对于主动面200a的背面200b以及多个连接主动面200a与背面200b的侧边200c。连接垫220配置于主动面200a上。在一些实施例中，半导体基板210可以是具有主动元件及选择性地具有被动元件形成于其上的硅基板。主动元件例如包括晶体管等。被动元件例如包括电阻器、电容器、电感器等。连接垫220分布于晶粒200的半导体基板210上。在一些实施例中，连接垫220可以包括铝垫、铜垫或其他适宜的金属垫。保护层230形成于半导体基板210上，以覆盖每一连接垫220的一部分。保护层230具有多个接触开口，其暴露出每一连接垫220的另一部分，以作为电性连接。保护层230可以是由聚合物材料所制成。在一些实施例中，保护层230可以是氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或是由其他适宜的介电材料所形成的介电层。

可以使用下述步骤将晶粒200放置于框架结构100的空腔C中。可以于晶粒200的背面200b上形成粘着层300。形成粘着层300，以提供低的晶粒位移与好的散热性。举例而言，粘着层300可以包括晶粒粘着膜(die attach film,DAF)、热介面材料(thermal interfacematerial,TIM)、环氧树脂(epoxy resin)或其他适宜的粘着材料。接着，于框架结构100的空腔C中放置具有粘着层300的晶粒200，使得晶粒200的背面200b经由粘着层300粘附于框架结构100上。举例而言，粘着层300可以配置于晶粒200的背面200b与框架结构100的主体102之间。晶粒200被配置成晶粒200的主动面200a朝上，且远离框架结构100。在一些实施例中，粘着层300与空腔C的底表面物理接触。应注意的是，前述的顺序仅作为说明性举例，而本发明不限于此。在一些替代实施例中，粘着层300可以在附于晶粒200之前，先于框架结构100的空腔C中形成。下面将结合图2，以描述晶粒200与框架结构100的相对配置关系。图2是图1B中的框架结构100以及晶粒200的上视示意图。请参照图1B以及图2，框架结构100的凸起104形成围绕晶粒200的矩形封闭环。在一些实施例中，空腔C大于晶粒200。举例而言，空腔C能够容纳晶粒200，使得晶粒200的侧边200c与凸起104被分隔开。在一些实施例中，放置晶粒200使得晶粒200的主动面200a位在比凸起104的表面104a还高的高度位置。虽然图示中将凸起104示出成矩形封闭环，然而，本发明对其形状并不加以限制。在一些替代实施例中，凸起104可以采用圆形封闭环、多边行封闭环或任何其他形式的封闭环，只要凸起104围绕晶粒200的周边即可。

请参照图1C，在晶粒200上放置具有密封膜410形成于其上的模塑模具400。密封膜410以及模塑模具400可以配置于晶粒200的主动面200a上。密封膜410可以被压至主动面200a上，使得晶粒200的连接垫220完全嵌入密封膜410中。如上所述，晶粒200的主动面200a位于比凸起104的表面104a还高的高度位置。以这样的方式，模塑模具400与密封膜410以高架的形式放置在晶粒200上。换句话说，框架结构100的凸起104与密封膜410分开。在一些实施例中，密封膜410的材料包括耐高温环氧树脂或任何具有高耐热性的适宜材料。密封膜410可以拥有弹性。密封膜410可以容易地从晶粒200的主动面200a以及随后形成的密封材料上剥离下来，而不会留下残留物且不会损坏这些元件。在一些实施例中，密封膜410可以作为保护层，以保护模塑模具400在后续的制程中不会被损坏。举例而言，密封膜410的杨氏模量(Young’s modulus)可以小于10GPa。在一些实施例中，模塑模具400可以由具有高耐热性的金属材料制成。换句话说，模塑模具400可以由能够承受之后的模塑制程中的高温的材料所制成。举例而言，模塑模具400的材料可以包括钢或其他类似者。

请参照图1D，在密封膜410、框架结构100与晶粒200之间的间隙中填入密封材料500。密封材料500可以是模塑化合物(molding compound)。举例而言，密封材料500可以包括绝缘材料如聚合物、环氧树脂或其他适宜的树脂。在室温的环境下，密封材料500可以是固态。在一些实施例中，首先先熔化密封材料500。接着，密封材料500被转移或压入密封膜410、框架结构100与晶粒200之间的间隙中。在一些实施例中，密封材料500沿平行于晶粒200的背面200b的方向被填入至间隙中。可以从水平方向将密封材料500转移至间隙中。在一些实施例中，上述制程可以被认为是转注成型制程(transfer molding process)。在转注成型制程中，可施加一夹紧力于模塑模具400，以将模密封膜410牢固地压紧于晶粒200的主动面200a上。如上所述，由于通过密封膜410良好地密封及保护晶粒200的连接垫220，所以密封膜410可以防止密封材料500在转注成型制程期间损坏连接垫220。也就是说，在转注成型制程的期间，密封膜410能够保护晶粒200的主动面200a免于被模塑穿透。这样，可以确保连接垫220与随后形成的元件之间的电性连接，进而提高随后形成的封装结构10的可靠度。在一些实施例中，密封材料500的杨氏模量的范围在10GPa至20GPa之间。

请参照图1E，移除模塑模具400与密封膜410，且固化密封材料500以形成密封体502。在一些实施例中，固化温度的范围可以在130℃至175℃之间。于框架结构100上形成密封体502，以覆盖框架结构100的第一表面100a。举例而言，密封体502可以完全密封框架结构100的凸起104。密封体502可以更进一步密封晶粒200的侧边200c。由于密封体502形成填入至密封膜410、框架结构100与晶粒200之间的间隙(如图1D所示)，因此，密封体502的至少一部分被配置于晶粒200与框架结构100之间。举例而言，密封体502的至少一部分被配置于侧边200c与凸起104之间。在移除模塑模具400与密封膜410时，可以暴露出晶粒200的主动面200a。

请参照图1F，在密封体502以及晶粒200的主动面200a上形成重布线路结构600。重布线路结构600电性连接至晶粒200的连接垫220。重布线路结构600可以包括至少一介电层620以及嵌入于介电层620中的多个导电元件610。在一些实施例中，介电层620可以由氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)等的非有机或有机介电材料所制成。可以通过旋转涂布(spin-on coating)、化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)、等离子体辅助化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapordeposition，PECVD)或其他类似者，以形成介电层620。导电元件610可以由铜、铝、镍、金、银、锡、上述的组合或是其他适宜的导电材料所组成。可以通过溅镀、蒸镀、化学镀(electro-less plating)或电镀来形成导电元件610。

重布线路结构600可以包括两个介电层620(第一介电层622a以及第二介电层622b)。然而，本发明对于介电层620的数量并不加以限制，并且可以基于电路的设计而进行调整。导电元件610可以包括多个线路层(第一线路层612a以及第二线路层612b)以及多个电性连接至连接垫220、第一线路层612a以及第二线路层612b的内连线结构(多个第一内连线结构614a以及多个第二内连线结构614b)。第一介电层622a配置于密封体502与晶粒200的主动面200a上。第一介电层622a具有多个接触开口，以暴露出晶粒200的连接垫220。第一内连线结构614a配置于接触开口中，且第一内连线结构614a与第一线路层612a与连接垫220两者物理接触，进而在晶粒200与重布线路结构600之间形成电性连接。换句话说，重布线路结构600与晶粒200的连接垫220物理接触。因此，可以去除传统的晶粒形成制程中的某些步骤(例如，在晶粒的连接垫上形成导电凸块)，以降低随后形成的封装结构10的制程复杂性与制造成本。第二介电层622b覆盖第一线路层612a。类似于第一介电层622a，第二介电层622b也具有多个接触开口，以暴露出第一线路层612a的一部分，这样，第一线路层612a可以经由第二内连线结构614b电性连接至其他线路层(例如，第二线路层612b)。第二线路层612b可以被用于电性连接后续制程所形成的元件。在一些实施例中，第二线路层612b可以被称为凸块底金属(under-ball metallization，UBM)。

框架结构100的凸起104与重布线路结构600分开。举例而言，在凸起104与重布线路结构600之间可以配置部分密封体502，以隔离这些元件。密封体502可以作为凸起104与重布线路结构600之间的缓冲层，以更确保随后形成的封装结构10的可靠度。

请参照图1G，在形成重布线路结构600后，在相对于密封体502的重布线路结构600上形成多个导电端子700。在一些实施例中，导电端子700配置于第二线路层612b上。导电端子700例如可以通过植球制程(ball placement process)以及回焊制程(reflow process)来形成。在一些实施例中，导电端子700例如是焊球等的导电凸块。然而，本发明不限于此。导电端子700可以依据设计上的需求而具有其他可能的形式以及形状。举例来说，在一些替代性的实施例中，导电端子700可以是导电柱(conductive pillar/conductive post)。

在形成重布线路结构600后，可以进行切割或切单(singulation)制程，以获得多个封装结构10。切单制程例如包括以旋转刀片或激光光束进行切割。在一些实施例中，在框架结构100上具有较薄厚度的部分进行切单制程，使切割刀片的寿命最大化。举例而言，用于切割的切割道可以位于框架结构的主体102上，以确保框架结构100上的切割厚度最小化。在一些实施例中，在切单制程前，可以选择性地执行薄化制程，以减少框架结构100的主体102的整体厚度。举例而言，可以在框架结构100的第二表面100b执行机械研磨制程(mechanical grinding process)、化学机械研磨制程(chemical-mechanical polishing,CMP)或其他适宜的制程。进行薄化制程可以减少封装结构10的整体高度。

在封装结构10的制造过程中，封装结构10的框架结构100可以作为载板。因此，可以免于使用暂时载板。换句话说，可以去除在封装结构的传统制造过程中执行的昂贵的转移接合制程，以降低制造成本。此外，由于框架结构100可以由刚性材料所形成，所以框架结构100能够为封装结构提供刚性和强度。这样，可以充分防止面板翘曲和封装碎裂/断裂/破裂的问题，进而提高封装结构10的产率以及可靠度。更进一步，由于框架结构100可以由具有低热容量与高散热性的材料所制成，所以框架结构100还可以提供散热的功能。因此，可以进一步提高封装结构10的性能。

图3A至图3G是依据本发明一些替代实施例的封装结构20的制造方法的剖面示意图。请参照图3A，提供载板800，且于载板800上形成粘着层900。载板800可以是玻璃基板或玻璃支撑板。然而，本发明不限于此。其他合适的基板材料也可以作为载板800，只要所述材料能够承载在其之上所形成的封装结构且能够承受后续的制程即可。粘着层900可以形成于载板800上，以暂时提升载板800以及随后形成于其上的结构之间的粘着。粘着层900可以为光热转换(light to heat conversion；LTHC)粘着层。然而，本发明不以此为限，在一些替代实施例中可使用其他适宜的粘着层。举例而言，粘着层900可以包括环氧树脂(epoxyresin)、无机材料、有机聚合物材料或其他适宜的粘着材料。

请参照图3B，在粘着层900上依序放置晶粒200以及框架结构100。晶粒200与框架结构100可以类似于在图1A与图1B中的实施例所使用的晶粒200与框架结构100，故于此不加以赘述。如图3B所示，以晶粒200的主动面200a面向载板800，同时晶粒200的背面200b朝上的方式放置晶粒200。在一些实施例中，按压晶粒200的背面200b，使得连接垫220完成嵌入粘着层900中。在将晶粒200固定至粘着层900上之后，在粘着层900上配置框架结构100，使得晶粒200被框架结构100的空腔C所覆盖。换句话说，框架结构100的凸起104面向载板800，以围绕晶粒200。在一些实施例中，框架结构100的表面104a与粘着层900物理接触。另一方面，框架结构100可以与晶粒200分开。举例而言，晶粒200的背面200b与侧边200c可以不与框架结构100接触。在一些实施例中，由于框架结构100的凸起104围绕晶粒200，所以框架结构100可以电接地，以提供电磁干扰屏蔽的功能。

请参照图3C，在框架结构100的第二表面100b上放置具有密封膜410形成于其上的模塑模具400。模塑模具400与密封膜410可以类似于在图1C的实施例中所使用的模塑模具400与密封膜410，故于此不加以赘述。如图3C所示，在模塑模具400与框架结构100的第二表面100b之间配置密封膜410。换句话说，框架结构100与密封膜410物理接触。在一些实施例中，框架结构100具有至少一贯穿开口。图4是如图3C中所示的制造方法的中间阶段的侧视示意图。框架结构100的凸起104具有至少一贯穿开口OP。从侧面来看，贯穿开口OP暴露出晶粒200的至少一部分。举例而言，可以从侧面经由贯穿开口OP看到晶粒200的侧边200c。贯穿开口OP可以是形成于凸起104的侧壁上的半圆形开口，进而形成拱形结构。然而，本发明不限于此。在一些替代实施例中，贯穿开口OP可以是矩形开口、圆形开口或具有其它几何形状的开口。凸起104可以只容纳一个贯穿开口OP。然而，本发明不限于此。在一些替代实施例中，凸起104可以包括多个贯穿开口OP。贯穿开口OP可以位于凸起104的单一侧壁上，或可以位于凸起104的多个侧壁上。

请参照图3D，于晶粒200与框架结构100之间的间隙以及框架结构100与粘着层900之间的间隙填入密封材料500。密封材料500可以类似于在图1D的实施例中所使用的密封材料500，故于此不加以赘述。在室温的环境下，密封材料500可以是固态。在一些实施例中，首先先熔化密封材料500。接着，密封材料500被转移或压入晶粒200与框架结构100之间的间隙以及框架结构100与粘着层900之间的间隙中。密封材料500可以经由贯穿开口OP流入框架结构100的空腔C中，以填入晶粒200与框架结构100之间的间隙。贯穿开口OP可以也被密封材料500所填充。在一些实施例中，密封材料500沿平行于晶粒200的背面200b的方向被填入至间隙中。可以从水平方向将密封材料500转移至间隙中。在一些实施例中，上述制程可以被认为是转注成型制程(transfer molding process)。在转注成型制程中，可施加一夹紧力于模塑模具400，以将密封膜410牢固地压紧于框架结构100的第二表面100b上。由于粘着层900良好的密封及保护晶粒200的连接垫220，因此，粘着层900可以防止密封材料500在转注成型制程期间损坏连接垫220。也就是说，在转注成型制程的期间，粘着层900能够保护晶粒200的主动面200a免于被模塑穿透。这样，可以确保连接垫220与随后形成的元件之间的电性连接，进而提高随后形成的封装结构20的可靠度。

请参照图3E，移除模塑模具400与密封膜410，且固化密封材料500以形成密封体502。在一些实施例中，固化温度的范围可以在130℃至175℃之间。于框架结构100上形成密封体502，且密封体502填入框架结构100的空腔C中。举例而言，密封体502密封晶粒200的背面200b与侧边200c。由于密封体502形成填入至晶粒200与框架结构100之间的间隙以及框架结构100与粘着层900之间的间隙(如图3D所示)，因此，密封体502的至少一部分被配置于晶粒200与框架结构100之间。举例而言，部分的密封体502被配置于晶粒200的侧边200c与框架结构100的凸起104之间。同时，部分的密封体502被配置于晶粒200的背面200b与框架结构100的主体102之间。此外，部分的密封体502也被填入至框架结构100的凸起104的贯穿开口OP中。

在形成密封体502后，粘着层900与载板800可以从密封体502、框架结构100以及晶粒200的主动面200a上分开。如上所述，粘着层900可以是光热转换层。在暴露于UV激光下，粘着层900与载板800可以从晶粒200、密封体502以及框架结构100上被剥离。在移除载板800与粘着层900时，暴露出晶粒200的主动面200a。

图3F至图3G所示的步骤可以类似于图1F至图1G中所述的步骤，故于此省略描述细节。如图3G所示，获得封装结构20。在封装结构20中，框架结构100与重布线路结构600物理接触。举例而言，框状结构100的凸起104与第一介电层622a物理接触，以为封装结构20提供更刚性与更强的结构支撑。此外，由于凸起104围绕晶粒200，框架结构100可以提供电磁干扰屏蔽的功能，进而改善封装结构20的电性。在封装结构20部分制造过程中，封装结构20的框架结构100可以作为载板。因此，可以免于使用暂时载板。换句话说，可以去除在封装结构的传统制造过程中执行的昂贵的转移接合制程，以降低制造成本。此外，由于框架结构100可以由刚性材料所形成，所以框架结构100能够为封装结构提供刚性和强度。这样，可以充分防止面板翘曲和封装碎裂/断裂/破裂的问题，进而提高封装结构20的产率以及可靠度。更进一步，由于框架结构100可以由具有低热容量与高散热性的材料所制成，所以框架结构100还可以提供散热的功能。因此，可以进一步提高封装结构20的性能。

图5A至图5C是依据本发明一些实施例的封装结构30的制造方法的一些步骤的剖面示意图。图5A所示的结构可以由执行类似于图1A至图1F中所述的步骤来获得，故于此省略描述细节。

请参照图5B，对框架结构100的第二表面100b图案化以形成多个鳍片106。可以对框架结构100的第二表面100b(框架结构100中相对于空腔C的表面)执行微影制程与蚀刻制程，以形成鳍片106。蚀刻制程包括湿蚀刻制程或干蚀刻制程。在一些实施例中，框架结构100由主体102、凸起104以及鳍片106所构成。如图5B所示，凸起104与鳍片106位于主体102的相对两侧。鳍片106的数量可以大于凸起104的数量。在一些实施例中，鳍片106可以作为散热用的散热件。举例而言，鳍片106能够在框架结构100与周遭环境(例如，环境空气)之间提供更大的接触面积/界面。由于框架结构100与周遭环境之间的较大接触面积，热量可以以更快的速率散失到周遭环境中。如图5B所示，鳍片106被示为矩形凸起，但本发明不限于此。在一些替代实施例中，鳍片106可以是三角形凸起、半圆形凸起，或具有其他类型的线与形状的凸起。尽管前述图案化制程是在如图5A所示的结构上执行，但本发明不限于此。在一些替代实施例中，可以对如图3F所示的结构执行上述图案化制程，同样可以形成鳍片。

请参照图5C，在重布线路结构600上形成多个导电端子700且执行切单制程，以获得封装结构30。图5C所示的步骤可以类似图1G中所述的步骤，故于此省略描述细节。

如上所述，由于框架结构100可以由具有低热容量与高散热性的材料所制成，所以框架结构100可以提供散热的功能。此外，将鳍片106应用在框架结构100中，以允许热量以更快的速率散失。因此，可以更进一步地提高封装结构30的性能。

综上所述，在封装结构的制造过程中，封装结构中的框架结构可以作为载板。因此，可以免于使用暂时载板。换句话说，可以去除在封装结构的传统制造过程中执行的昂贵的转移接合制程，以降低制造成本。此外，由于框架结构可以由刚性材料所形成，所以框架结构能够为封装结构提供刚性和强度。这样，可以充分防止面板翘曲和封装碎裂/断裂/破裂的问题，进而提高封装结构的产率以及可靠度。更进一步，框架结构还可以提供散热与电磁干扰屏蔽的功能。因此，可以进一步提高封装结构的性能。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。