具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

为能进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施方式，对本发明作出如下详细说明。

本发明第一实施例提供一种扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1，请参阅图1，提供一载板10。

所述载板10其中一表面上设置有一重布线层20，所述重布线层20通过一可剥膜30与所述载板10粘结。所述重布线层20中设有至少一导电线路21，每一所述导电线路21包括至少一位于所述重布线层20远离所述可剥膜30的表面的第一连接垫211、以及至少一位于所述重布线层20临近所述可剥膜30的表面的第二连接垫212。其中，所述第一连接垫211暴露于所述重布线层20远离所述可剥膜30的表面，所述第二连接垫212暴露于所述重布线层20临近所述可剥膜30的表面。

所述第一连接垫211与所述第二连接垫212之间电性连接。所述导电线路21的材质为铜、银、金以及钨等导电系数高的金属材料。在本实施方式中，所述导电线路21的材质为金属铜。

所述载板10的材质可为有机物，也可以为无机物，具体的可选为玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂等。在本实施方式中，所述载板10的材质为聚酰亚胺。

其中，如图1所示，所示重布线层20中所述导电线路21的数量为至少两个。每相邻两个所述导电线路21之间间隔设置。

步骤S2，请参阅图2，在所述重布线层20上形成一定位片40。

在本实施方式中，所述定位片40的材质为聚酰亚胺。

步骤S3，请参阅图3，在所述定位片40上开设至少一开孔41。

其中，所述开孔41贯穿所述定位片40，且与所述第一连接垫211对应，以致将所述第一连接垫211暴露于外界。在本实施方式中，所述开孔41的直径自所述定位片40临近所述重布线层20的表面向所述定位片40远离所述重布线层20的表面增加。在本实施方式中，所述开孔41临近所述重布线层20的直径与所述第一连接垫211的宽度相等。所述开孔41纵截面的形状大致为倒立的梯形。

在本实施方式中，所述开孔41通过曝光以及显影等工艺制备。在其他实施方式中，所述开孔41还可通过激光冲孔以及机械冲孔等工艺制备。

步骤S4，请参阅图4，在每一所述开孔41中安装一芯片50。

其中，所述芯片50与所述第一连接垫211电连接，且所述芯片50的正面朝向所述第一连接垫211。在本实施方式中，所述芯片50远离所述重布线层20的表面与所述定位片40远离所述重布线层20的表面齐平。由于所述开孔41如上述描述的形状，所述芯片50远离所述重布线层20的部分与所述开孔41的内壁形成一间隙411。即，所述芯片50并未完全填满所述开孔41。

步骤S5，请参阅图5，至少在所述芯片50的表面以及所述重布线层20的侧面形成一保护层60。

其中，所述保护层60还覆盖所述定位片40远离所述重布线层20的表面以及所述定位片40的侧面。在本实施方式中，所述保护层60还填充在所述间隙411中。所述载板10的宽度可大于所述重布线层20的宽度，使得所述载板10的部分表面未被所述重布线层20覆盖。形成于所述重布线层20的侧面的所述保护层60位于所述载板10未被所述重布线层20覆盖的表面。

所述保护层60用于保护所述芯片50、所述定位片40以及所述重布线层20。在本实施方式中，所述保护层60通过注射成型。所述保护层60的材质可为树脂，如聚乙烯以及聚丙烯等。

步骤S6，请参阅图6，去除所述载板10。

步骤S7，请参阅图7，当所述重布线层20包括至少两个所述导电线路21时，沿相邻两个所述导电线路21之间的间隙切割所述保护层60、所述定位片40、所述重布线层20以及所述可剥膜30，从而得到所述扇出型封装结构100。

当切割所述保护层60、所述定位片40、所述重布线层20以及所述可剥膜30后，可得到至少两个所述扇出型封装结构100。其中，切割时并不破坏所述导电线路21。

在另一实施方式中，当所述重布线层20中只设有一个所述导电线路21时，则不需要进行切割。

所述扇出型封装结构100通过所述第二连接垫212与一外部器件(图未示)电连接，以实现所述扇出型封装结构100与所述外部器件之间的信号传输。其中，所述可剥膜30用于保护所述第二连接垫212。具体地，当所述扇出型封装结构100需要与所述外部器件进行信号传输时，需要先把所述可剥膜30去除，暴露出所述第二连接垫212，并通过所述第二连接垫212与所述外部器件电连接，从而实现所述扇出型封装结构100与所述外部器件之间的信号传输。

请参阅图8，本发明第二实施例提供一种扇出型封装结构的制作方法，第二实施例与第一实施例的区别在于：在步骤S4中，在安装所述芯片50之后，还包括移除所述定位片40，从而使得所述保护层60还覆盖所述重布线层20临近所述芯片50的表面以及所述芯片50的侧面。

请参阅图7，本发明第三实施例提供一种扇出型封装结构100，所述扇出型封装结构100包括一重布线层20、一形成于所述重布线层20上的定位片40、至少一芯片50以及一保护层60。

所述重布线层20中设有至少一导电线路21，每一所述导电线路21包括至少一位于所述重布线层20临近所述定位片40的表面的第一连接垫211、以及至少一位于所述重布线层20远离所述定位片40的表面的第二连接垫212。其中，所述第一连接垫211暴露于所述重布线层20临近所述定位片40的表面，所述第二连接垫212暴露于所述重布线层20远离所述定位片40的表面。

所述第一连接垫211与所述第二连接垫212之间电性连接。所述第二连接垫212与一外部器件(图未示)连接，以实现所述扇出型封装结构100与所述外部器件之间的信号传输。所述导电线路21的材质为铜、银、金以及钨等导电系数高的金属材料。在本实施方式中，所述导电线路21的材质为金属铜。

所述重布线层20远离所述芯片50的表面粘结有一可剥膜30，所述可剥膜30用于保护所述第二连接垫212。具体地，当所述扇出型封装结构100需要与所述外部器件进行信号传输时，需要先把所述可剥膜30去除，暴露出所述第二连接垫212，并通过所述第二连接垫212与所述外部器件电连接，从而实现所述扇出型封装结构100与所述外部器件之间的信号传输。

所述定位片40上开设至少一开孔41，所述开孔41贯穿所述定位片40，且与所述第一连接垫211对应。在本实施方式中，所述开孔41的直径自所述定位片40临近所述重布线层20的表面向所述定位片40远离所述重布线层20的表面增加。在本实施方式中，所述开孔41临近所述重布线层20的直径与所述第一连接垫211的宽度相等。所述开孔41纵截面的形状大致为倒立的梯形。在本实施方式中，所述定位片40的材质为聚酰亚胺。

每一所述芯片50安装在其中一所述开孔41中，且与所述第一连接垫211电连接。所述芯片50的正面朝向所述第一连接垫211。在本实施方式中，所述芯片50远离所述重布线层20的表面与所述定位片40远离所述重布线层20的表面齐平。由于所述开孔41如上述描述的形状，所述芯片50远离所述重布线层20的部分与所述开孔41的内壁形成一间隙411。即，所述芯片50并未完全填满所述开孔41。

所述保护层60至少覆盖所述芯片50远离所述重布线层20的表面以及所述重布线层20的侧面。在本实施方式中，所述保护层60还覆盖所述定位片40远离所述重布线层20的表面以及所述定位片40的侧面。在本实施方式中，所述保护层60还填充在所述间隙411中。所述可剥膜30的宽度可大于所述重布线层20的宽度，使得覆盖于所述重布线层20的侧面的所述保护层60位于超出所述重布线层20的所述可剥膜30的表面。所述保护层60用于保护所述芯片50、所述定位片40以及所述重布线层20。所述保护层60的材质可为树脂，如聚乙烯以及聚丙烯等。

请参阅图8，本发明第四实施例提供一种扇出型封装结构200，第四实施例与第三实施例的区别在于：所述扇出型封装结构200不包括所述定位片40，其中，所述保护层60还覆盖所述重布线层20临近所述芯片50的表面以及所述芯片50的侧面。

本发明通过在所述重布线层20上设置所述定位片40，并在所述定位片40上开设所述开孔41，将所述芯片50安装在所述开孔41中以实现所述芯片50的定位，避免后续制程影响所述芯片50的位置，从而防止所述芯片50的偏移，同时也改善了所述芯片50与所述第一连接垫211之间的对位精度，进而提高了所述扇出型封装结构的质量。本发明还将所述开孔41设置为倒立梯形结构，有利于所述芯片50的安装，从而提高了所述扇出型封装结构的生产效率，同时不同的所述开孔41可用于不同的所述芯片50的安装，从而进一步提高了所述扇出型封装结构的生产效率。

以上说明仅仅是对本发明一种优化的具体实施方式，但在实际的应用过程中不能仅仅局限于这种实施方式。对本领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术构思做出的其他变形和改变，都应该属于本发明权利要求的保护范围。