嵌入在封装基板中的深沟槽电容器
阅读说明：本技术 嵌入在封装基板中的深沟槽电容器 (Deep trench capacitor embedded in package substrate ) 是由 金楠勋 特克久·康 斯克特·李·柯克曼 权云星 于 2020-11-30 设计创作，主要内容包括：本公开涉及嵌入在封装基板中的深沟槽电容器。在一些方面,芯片封装包括集成电路裸片,该集成电路裸片具有用于集成电路的一个或多个电路的配电电路。芯片封装还包括与集成电路不同的基板,并且该基板具有其上安装有集成电路裸片的第一表面,和与第一表面相对的第二表面。基板包括形成在第一表面或第二表面中的至少一个表面中的一个或多个腔。芯片封装还包括被设置在该一个或多个腔的至少一个腔中的一个或多个深沟槽电容器。每个深沟槽电容器通过导体连接到配电电路。(The present disclosure relates to deep trench capacitors embedded in package substrates. In some aspects, a chip package includes an integrated circuit die having power distribution circuitry for one or more circuits of the integrated circuit. The chip package also includes a substrate distinct from the integrated circuit and having a first surface on which the integrated circuit die is mounted and a second surface opposite the first surface. The substrate includes one or more cavities formed in at least one of the first surface or the second surface. The chip package also includes one or more deep trench capacitors disposed in at least one of the one or more cavities. Each deep trench capacitor is connected to a distribution circuit by a conductor.)
技术领域
本公开涉及嵌入在封装基板中的深沟槽电容器。
背景技术
由于更快的核心时钟频率和更高的电路电流消耗，因此处理器核心和专用集成电路(ASIC)的动态噪声(di/dt)变得越来越成问题。di/dt表示电流对负载(例如，ASIC的核心)的变化率。更快的核心时钟频率导致更多的瞬态电流流动，并因此导致更多噪声。另外，较高的di/dt噪声导致供应给电路的电力的电压损失较高。
发明内容
本说明书描述了涉及嵌入在其上安装有集成电路的封装基板中的深沟槽电容器的技术。
通常，本说明书中描述的主题的一个创新方面可以体现在芯片封装中，所述芯片封装包括：集成电路裸片，所述集成电路裸片包括配电电路，所述配电电路用于集成电路中的一个或多个电路；基板，所述基板不同于所述集成电路并且具有(i)第一表面，在所述第一表面上安装有所述集成电路裸片，和(ii)第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，所述基板包括一个或多个腔，所述一个或多个腔形成在所述第一表面或所述第二表面中的至少一个表面中；以及一个或多个深沟槽电容器，所述一个或多个深沟槽电容器被设置在所述一个或多个腔中的至少一个腔中，每个深沟槽电容器通过导体连接到所述配电电路。
这些和其它实施方案均可以可选地包括以下特征中的一个或多个。在一些方面，每个腔形成在第一表面上，并从第一表面延伸到基板中。
在一些方面，每个腔形成在第二表面上，并从第二表面延伸到基板中。在一些方面，每个腔和每个深沟槽电容器布置在配电电路的下方。在一些方面，基板包括针对每个导体的通孔，该导体被布设为从深沟槽电容器在该通孔中通过基板到达集成电路裸片的触点。在一些方面，该一个或多个腔包括多个腔，并且基板包括在相邻的腔之间的基板壁。
在一些方面，每个腔形成在第二表面上，并从第二表面延伸到基板中。第二表面可以包括带有多个互连焊盘的球栅阵列，每个互连焊盘均从第二表面延伸到该互连焊盘的端部。每个深沟槽电容器可以延伸出相应的腔，而不延伸超过互连焊盘的端部。
通常，本说明书中描述的主题的另一方面可以体现在用于制造芯片封装的方法中。所述方法包括：在基板中形成一个或多个腔，所述基板具有(i)第一表面，所述第一表面被配置成接纳集成电路裸片，和(ii)第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，每个腔形成在所述第一表面或所述第二表面中的至少一个表面中；将一个或多个深沟槽电容器安装在每个腔中；和将所述集成电路裸片安装在所述第一表面上。
这些和其它实施方案均可以可选地包括以下特征中的一个或多个。在一些方面，每个腔形成在第一表面中。形成该一个或多个腔包括在将该一个或多个深沟槽电容器安装在每个腔中之后，将一层或多层基板堆积件施加到第一表面。
在一些方面，每个深沟槽电容器通过形成在基板中的通孔而被电连接到集成电路。在一些方面，形成该一个或多个腔包括蚀刻掉基板的一部分。
在一些方面，每个腔形成在第一表面中，在将集成电路安装在第一表面上之前，深沟槽电容器被连接到集成电路裸片；将集成电路裸片安装在第一表面上并将该一个或多个深沟槽电容器安装在每个腔中包括：安装集成电路裸片，使得每个深沟槽电容器被设置在一个腔内。
在一些方面，形成一个或多个腔包括：将脱膜层施加到第一表面；将一层或多层堆积层施加在脱膜层上；以及去除脱膜层以及每个堆积层的覆盖脱膜层的每个部分。施加脱膜层可以包括将脱膜层施加在第一表面的将形成腔的部分上。
通常，本说明书中描述的主题的另一方面可以体现在芯片封装中，所述芯片封装包括：集成电路裸片；基板，所述基板具有(i)第一表面，在所述第一表面上安装有所述集成电路裸片，和(ii)第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，所述基板包括一个或多个腔，所述一个或多个腔形成在所述第一表面或所述第二表面中的至少一个表面中；以及一个或多个电容器，所述一个或多个电容器被设置在所述一个或多个腔中的至少一个腔中，并且被连接到所述集成电路裸片。
这些和其它实施方案均可以可选地包括以下特征中的一个或多个。在一些方面，该一个或多个电容器包括深沟槽电容器。在一些方面，该一个或多个电容器将集成电路裸片的一个或多个电路与集成电路裸片的电源电路去耦。
在一些方面，每个腔形成在第一表面上，并从第一表面延伸到基板中。在一些方面，每个腔形成在第二表面上，并从第二表面延伸到基板中。在一些方面，每个腔和每个深沟槽电容器被布置在配电电路的下方。
本说明书中描述的主题可以在特定实施例中实施，以实现以下优点中的一个或多个。通过将深沟槽电容器嵌入在芯片封装的基板中，而不是在集成电路裸片上，可以在不增加裸片尺寸的情况下增加去耦电容的数量。这能够在不增加裸片的尺寸的情况下，更大程度地降低动态噪声(di/dt)，并且能够更大程度地降低由噪声引起的电压降。深沟槽电容器可以嵌入在基板的安装有裸片的一侧上或相对侧，从而基于引起噪声的负载变化频率提供灵活性。例如，由于电容器与裸片之间的导体较短，导致相对于较远的电容器的电感增加较少，因此更靠近裸片嵌入的深沟槽电容器可以较小且电容较低，以解决较高的频率噪声。由于较高的电容和较高的电感导致较低的谐振频率，因此将深沟槽电容器嵌入在基板的相对侧上可以允许具有较高电容的较大电容器以解决较低频率的噪声。
下面参考附图描述前述主题的各种特征和优点。根据本文描述的主题和权利要求，其它特征和优点是显而易见的。
附图说明
图1是示例集成电路(IC)封装的截面图，该IC封装包括IC和嵌入在IC封装的基板中的深沟槽电容器。
图2是用于制造IC封装的示例过程的图，该IC封装包括IC和嵌入在IC封装的基板中的深沟槽电容器。
图3是另一示例IC封装的截面图，该IC封装包括IC和嵌入在IC封装的基板中的深沟槽电容器。
图4是用于制造IC封装的示例过程的图，该IC封装包括IC和嵌入在IC封装的基板中的深沟槽电容器。
图5是另一示例IC封装的截面图，该IC封装包括IC和嵌入在IC封装的基板中的深沟槽电容器。
图6是用于深沟槽电容器的腔的示例布置的图。
图7是用于深沟槽电容器的腔的示例布置的图。
图8是用于深沟槽电容器的腔的另一示例布置的图。
在各个附图中，相同的附图标记和标号指示相同的元件。
具体实施方式
通常，本文献描述了涉及嵌入在其上安装有集成电路(IC)的封装基板中的深沟槽电容器的技术。通过将去耦电容器添加到芯片封装，可以抑制由高性能IC的较高的核心时钟频率和较高的电流消耗所引起的di/dt噪声。但是，由于芯片的裸片尺寸的实际空间有限，因此保持将去耦电容器添加到裸片以抵消由更快的时钟频率和更高的电流消耗所产生的额外噪声的能力是有限的。
在本文献中描述的芯片封装包括呈深沟槽电容器形式的去耦电容器，该深沟槽电容器嵌入在其上安装有IC的封装基板中，而不是嵌入在IC本身中。例如，IC可以安装到基板的一侧，并且基板的另一侧可以包括用于将该封装连接到印刷电路板(PCB)的球栅阵列(BGA)。封装基板可以在封装基板的一侧或两侧上包括一个或多个腔。深沟槽电容器可以被设置在例如腔中，并附接到基板或裸片本身。
通常，沟槽电容器是通过以下步骤形成的电容器：将一个或多个沟槽蚀刻在基板或晶片中；在沟槽周围和沟槽下方形成外部或掩埋板电极；通过用电介质材料覆盖该外部或掩埋板电极来形成电介质层；并在该电介质层上形成内部或上部电极。深沟槽电容器是沟槽电容器，其沟槽的深宽比(深度与宽度之比)达到或超过阈值，或者沟槽的深度达到或超过阈值。例如，深沟槽电容器的深宽比可以约为5到10，但可以变化。深沟槽电容器的高度也可以变化，但高度通常约为64微米(μm)-80微米。尽管以下描述主要针对深沟槽电容器，但也可以使用其它类型的电容器。
图1是示例IC封装100的截面图，该IC封装包括IC 110和嵌入在IC封装100的基板130中的深沟槽电容器170。IC封装100包括：基板130；IC 110，该IC110安装在基板130上；以及BGA球160，该BGA球160包括带有焊球的互连焊盘，以用于将IC封装100连接到PCB。IC 110可以是ASIC或其它适当类型的IC。
在该示例中，IC封装100是倒装芯片封装，其中，焊料凸块120用于将IC 110的互连焊盘连接到基板130。焊料凸块120包括IC 110的接触区域(例如，焊盘)以及焊球，该焊球用于将接触区域连接到基板130的对应接触区域(例如，焊盘)。尽管图1中未示出，但基板130可以包括通孔，该通孔将IC 110的接触区域连接到BGA球160的互连焊盘。
基板130包括基板芯132以及在基板芯132的两侧上的基板堆积件131和133。例如在制造IC封装100时，基板堆积件131和133中的一者或两者可以被添加到基板芯132。在一些实施方案中，基板130仅包括基板堆积件131或133中的一个基板堆积件或不包括基板堆积件。例如，基板130可以仅在基板芯132的将包括用于深沟槽电容器的腔的一侧上包括基板堆积件131或133。
基板130包括用于深沟槽电容器170的腔134。在该示例中，腔134形成在基板130的顶侧上的基板堆积件131中。在将深沟槽电容器170安装在基板130的表面上之后(例如，在基板芯132或基板堆积件131的表面上)，可以通过蚀刻掉基板堆积件131的一部分或者通过在深沟槽电容器170周围添加层压基板来形成腔134。如果使用蚀刻，则可以在形成腔134之后将深沟槽电容器170安装在腔134中。腔134还可以在激光烧蚀之后使用机械研磨或去除堆积膜来形成。可以使用例如拾取和放置和/或倒装芯片组装技术将深沟槽电容器170安装在腔中。
在图1中示出了示例深沟槽电容器170。但是，可以使用许多不同类型的深沟槽电容器。在该示例中，深沟槽电容器是使用硅晶片173形成的更高密度的硅电容器。深沟槽电容器170包括两个沟槽177A和177B，但其它深沟槽电容器可以包括单个沟槽或两个以上的沟槽。可以通过蚀刻掉硅晶片173来形成沟槽177A和177B。
深沟槽电容器170包括氧化物衬垫172和四个电极171A-171D。氧化物衬垫172覆盖沟槽177A和177B的壁和底部。第一电极171A覆盖氧化物衬垫172。第一电介质176A覆盖第一电极171A，并且第二电极171B覆盖第一电介质176A。即，第一电介质176A被设置在第一电极171A与第二电极171B之间并将它们分开。
第二电介质176B覆盖第二电极171B，并且第三电极171C覆盖第二电介质176B，使得第二电介质176B被设置在第二电极171B与第三电极171C之间并将它们分开。类似地，第三电介质176C覆盖第三电极171C，并且第四电极171D覆盖第三电介质176C，使得第三电介质176C被设置在第三电极171C与第四电极171D之间并将它们分开。电极171A-171D由导电材料制成，并且电介质176A-176C由绝缘材料制成。
第一电极171A和第三电极171C两者都连接到触点174。类似地，第二电极171B和第四电极171D两者都连接到触点175。每个深沟槽电容器170的触点174和175电连接到IC110。例如，每个深沟槽电容器170的触点174和175可以连接到IC 110的核心配电电路。
可以使用基板130的通孔和IC 110的接触区域将每个触点174和175连接到IC110。通孔是基板130中的导电孔。由于这些导电孔可以为深沟槽电容器170所连接到的电路增加电感，因此深沟槽电容器170可以布置成靠近IC 110的那些电路，以减小增加的电感量。在该示例中，深沟槽电容器170位于IC 110的核心配电电路121下方，该核心配电电路121将电力分配给IC 110的核心或其它电路。深沟槽电容器170可以与IC 110的核心(或其它电路)并联连接在核心配电电路121中，以将这些电路与核心配电电路121去耦，并减小施加在电路上的di/dt噪声。
为了使深沟槽电容器170更有效，连接深沟槽电容器170的路径应该是可能路径中的电阻/电感最小的路径。具有平行通孔/迹线/平面的最接近位置对于电容器安装可能是优选的。
IC封装100可以包括各种数量的深沟槽电容器170。在该示例中，IC封装100包括单个腔134，该腔包括三个深沟槽电容器170。在其它示例中，基板130可以包括多个腔，这些腔均包括一个或多个深沟槽电容器。在图6至图8中示出并在下面描述基板腔的一些示例布置。
可以基于IC 110及其配置或噪声特性来选择深沟槽电容器170的数目、深沟槽电容器170的尺寸(并因此腔134的尺寸)以及深沟槽电容器170的位置。这些电容器可以位于基板130的底侧(具有基板堆积件133的一侧)上，因为基板130的底侧与基板130的顶侧(具有堆积件131的一侧)相比对于更大的深沟槽电容器可能具有更多空间。对于具有较高噪声频率的应用，深沟槽电容器可以位于更靠近IC 110的顶侧上。
图2是示出了用于制造包括IC和嵌入在该IC封装的基板中的深沟槽电容器的IC封装的示例过程200的图。可以使用IC封装制造设备来执行示例过程200。
深沟槽电容器270安装在基板230上(201)。基板230包括基板芯232以及在基板芯232的两侧上的基板堆积件231和233。在该示例中，深沟槽电容器270安装在位于基板芯232的顶部上的基板堆积件231上以及在基板230的将安装IC的一侧上。
将第一堆积层280施加到基板堆积件231的表面(202)。该堆积层280可以是层压材料。堆积层280可以被施加到基板堆积件231的整个表面上，包括在相邻的深沟槽电容器270之间。
将第二堆积层282施加在第一堆积层280上，并且在堆积层280和282中形成通孔(203)。第二堆积层282也可以是层压材料。通孔(包括通孔290和291)可以通过钻掉(例如，机械地或使用激光)一些层压材料或其它堆积材料并将导电材料添加到钻出的孔中而形成。这些通孔可以用于将基板230的其它通孔(例如，用于布设BGA的互连焊盘的通孔)连接到安装在基板230上的IC的接触区域。例如，每个通孔可以包括在堆积层282的顶表面上的导电焊盘，该导电焊盘将例如使用IC的焊球连接到IC的接触区域。以这种方式，基板230的表面被配置成接纳IC。
通孔还可以包括将深沟槽电容器270连接到IC的通孔。例如，通孔可以布置在深沟槽电容器270上方以将深沟槽电容器270的触点连接到IC。
将IC 210安装在基板230上(204)。IC 210包括凸块220(例如，受控折叠(collapse)芯片连接(C4)凸块、焊料凸块或铜凸块)，该凸块用于将IC 210安装到基板230的由第二堆积层282形成的表面上。凸块220包括IC 210的接触区域(例如，焊盘)以及焊料或铜柱，该焊料或铜柱用于将该接触区域连接到基板230的对应的接触区域(例如，焊盘)。IC 210可以放置到基板230的表面上，使得凸块220在基板230的表面上的对应的接触区域上方。然后，凸块220可以被加热和冷却，以在IC 210的接触区域与基板230的表面的它们的对应的接触区域之间形成结合。
类似于图1的IC封装100，使用过程200形成的IC封装导致倒装芯片封装，该倒装芯片封装带有位于IC 210的核心配电电路221下方的深沟槽电容器270，以减小通孔的电感路径。焊球也可以形成在基板230的底表面上的BGA 260上。
图3是另一示例IC封装300的截面图，该IC封装300包括集成电路310和嵌入在该IC封装300的基板330中的深沟槽电容器370。IC封装300包括：基板330；IC 310，该IC310安装在基板330上；以及BGA球360，该BGA球360包括带有焊球的互连焊盘，以用于将IC封装300连接到PCB。IC 310可以是ASIC或其它适当类型的IC。
在该示例中，IC封装300是倒装芯片封装，其中，焊料凸块320用于将IC 310的互连焊盘连接到基板330。焊料凸块320包括IC 310的接触区域(例如，焊盘)以及焊球，该焊球用于将该接触区域连接到基板330的对应的接触区域(例如，焊盘)。尽管在图3中未示出，但基板330可以包括通孔，该通孔将IC 310的接触区域连接到BGA球360的互连焊盘。
类似于图1的基板130，基板330包括基板芯332以及在基板芯332的两侧上的基板堆积件331和333。例如，在制造IC封装300时，基板堆积件331和333中的一者或两者可以被添加到基板芯332。在一些实施方案中，基板330仅包括基板堆积件331或333中的一个基板堆积件或不包括基板堆积件。例如，基板330可以仅在基板芯332的将包括用于深沟槽电容器的腔的一侧上包括基板堆积件331或333。
基板330包括用于深沟槽电容器370的腔334。腔334形成在基板330的顶侧上的基板堆积件331中。可以通过蚀刻掉基板堆积件331的一部分来形成腔334。在该示例中，深沟槽电容器370安装在IC 310上，而不是安装在腔334中并且连接到IC 310。相反，腔334在基板330内为深沟槽电容器370提供了空间。腔334的尺寸和形状可以被设定为适配附接到IC310的深沟槽电容器370。
深沟槽电容器370(其可以与图1的深沟槽电容器170相同或相似)可以包括电连接到IC 310的接触区域(例如，焊盘)的触点。例如，在将IC 310安装在基板310上之前，可以使用凸块320(例如，C4凸块)将深沟槽电容器370焊接到IC 310。
图4是用于制造IC封装的示例过程400的图，该IC封装包括IC和嵌入在该IC封装的基板中的深沟槽电容器。可以使用IC封装制造设备来执行示例过程400。
将脱膜层435施加到基板430(401)。基板430包括基板芯432以及在基板芯432两侧上的基板堆积件431和433。脱膜层435可以被施加到基板堆积件431的顶表面的将在此处形成腔的每个区域中。在该示例中，腔将形成在基板堆积件431的顶表面的中心。
脱膜层435可以由比基板430的其它部分的粘合性更小的材料制成。以这种方式，当在稍后从用于腔结构的基板移除块时，脱膜层435可以容易地剥离。
将堆积层436和437施加到基板堆积件431的表面(402)。这些堆积层436和437均可以是层压材料。堆积层436可以被施加到基板堆积件431的整个表面上并且在脱膜层435上方。另外，通孔形成在堆积层436和437中。这些通孔(包括通孔490和491)可以通过钻掉(例如，机械地或使用激光)一些层压材料或其它堆积材料并将导电材料添加到钻出的孔中来形成。这些通孔可以用于将基板430的其它通孔(例如，用于布设BGA的互连焊盘的通孔)连接到安装在基板430上的IC的接触区域。例如，每个通孔可以包括在堆积层437的顶表面上的导电焊盘，该导电焊盘将例如使用IC的焊球连接到IC的接触区域。
形成腔434(403)。腔434可以通过去除脱膜层435以及分别形成在脱膜层435上方的堆积层436和437的部分436A和437A来形成。例如，激光烧蚀可以用于去除脱膜层435以及堆积层436和437的部分436A和437A。可以将激光施加到脱膜层435的边缘以及边缘之间，以去除材料。在另一示例中，可以使用蚀刻或另一适当的技术来去除脱膜层435以及堆积层436和437的部分436A和437A。
将IC 410安装在基板430上(404)。在该示例中，IC 410包括附接到IC 410的深沟槽电容器470。IC 410可以安装成使得深沟槽电容器470被设置在腔434中。腔434可以形成为足够深且足够宽以容纳深沟槽电容器470。深沟槽电容器470可以延伸到腔434中并且接触或不接触腔434的底表面。
IC 410还包括凸块420(例如C4凸块)，该凸块用于将IC 410安装到基板430的由第二堆积层437形成的表面。凸块420包括IC 410的接触区域(例如，焊盘)以及焊球，该焊球用于将该接触区域连接到基板430的对应的接触区域(例如，焊盘)。IC 410可以放置到基板430的表面上，使得凸块420在基板430的表面上的对应的接触区域上方。然后，凸块420可以被加热和冷却，以在IC 410的接触区域与基板430的表面的它们的对应的接触区域之间形成结合。
类似于图3的IC封装300，使用过程400形成的IC封装导致倒装芯片封装，该倒装芯片封装带有深沟槽电容器470，该深沟槽电容器470附接到IC 410并嵌入在封装基板的腔434中。焊球也可以形成在基板430的底表面上的BGA球460上。
图5是另一示例IC封装500的截面图，该IC封装500包括IC 510和嵌入在该IC封装500的基板530中的深沟槽电容器570。IC封装500类似于图1的IC封装100，除了深沟槽电容器570嵌入在基板的相对侧上。在该示例中，深沟槽电容器570嵌入在腔534中，该腔534形成于基板530的与BGA球560的互连焊盘相同的一侧上。如上所述，当对于较低的带宽(BW)要求而需要或期望更大(例如更高)的电容器和更高的电容时，该配置可能是优选的。
IC封装500包括：基板530；IC 510，该IC510安装在基板530上；以及BGA球560，该BGA球560包括带有焊球的互连焊盘，以用于将IC封装500连接到PCB。IC 510可以是ASIC或其它适当类型的IC。
在此示例中，IC封装500是倒装芯片封装，其中，凸块520(例如C4凸块)用于将IC510的互连焊盘连接到基板530。焊料凸块520包括IC 510的接触区域(例如，焊盘)以及焊球，该焊球用于将该接触区域连接到基板530的对应的接触区域(例如，焊盘)。尽管在图5中未示出，但基板530可以包括通孔，该通孔将IC 510的接触区域连接到BGA球560的互连焊盘。
类似于图1的基板130，基板530包括基板芯532以及在基板芯532的两侧上的基板堆积件531和533。例如，在制造IC封装500时，基板堆积件531和533中的一者或两者可以被添加到基板芯532。在一些实施方案中，基板530仅包括基板堆积件531或533中的一个基板堆积件或不包括基板堆积件。例如，基板530可以仅在基板芯532的将包括用于深沟槽电容器的腔的一侧上包括基板堆积件531或533。
基板530包括用于深沟槽电容器570的腔534。腔534形成在基板530的底侧上的基板堆积件533中。可以通过蚀刻掉基板堆积件533的一部分来形成腔534。腔534的尺寸可以设定为适配深沟槽电容器570。例如，基于BGA球560和其上将要安装IC封装500的PCB，可以限制电容器570从基板530的底表面所能延伸的距离。腔534可以具有以下深度，该深度可以防止深沟槽电容器570延伸出腔534并超过基板530的底表面，或者该深度可以使得深沟槽电容器570不会延伸得超过BGA球560和PCB要求所允许的深度。
深沟槽电容器570可以与图1的深沟槽电容器170相同或相似。基板530可以包括通孔，这些通孔将深沟槽电容器570连接到基板530的顶表面上的导电焊盘，这些导电焊盘连接到IC 510的接触区域。为了减小这种通孔的长度，腔和深沟槽电容器570可以位于IC 510的核心配电电路521的下方(例如，直接在其下方)，该核心配电电路将电力分配给IC 510的核心或其它电路。以这种方式，减少了由通孔引起的附加电感，从而导致较少的高频di/dt噪声和较少的对应电压损失。但是，由于它允许更大的电容，因此其可以解决较低的频率di/dt噪声和对应电压损失。
上述IC封装中的每个IC封装可以包括多个腔，例如，以嵌入更多的电容器并抵消更多的封装电感。在其它情况下，单个腔可以用于嵌入深沟槽电容器。在图6至图8中示出了可以在基板中形成并在上述IC封装中使用的腔的一些示例布置。
图6是用于深沟槽电容器的腔630的示例布置600的图。在该示例中，腔630位于基板610的表面的中心。腔630可以形成基板的其上安装有IC的一侧上，或在基板的连接到另一部件(例如，连接到PCB)的一侧上。腔630也直接位于IC的核心配电电路区域620(或其它待去耦的电路区域)的下方。腔630可以包括一个或多个深沟槽电容器。
图7是用于深沟槽电容器的腔730A-730C的示例布置700的图。在该示例中，在基板710的表面的中心附近存在三个腔730A-730C。但是，也可以使用其它数目的腔。
腔730A-730C可以形成在基板的其上安装有IC的一侧上，或在基板的连接到另一部件(例如，连接到PCB)的一侧上。腔730A-730C也直接位于IC的核心配电电路区域720(或其它待去耦的电路区域)的下方。每个腔730A-730C可以包括一个或多个深沟槽电容器。
图8是用于深沟槽电容器的腔的另一示例布置800的图。在该示例中，在基板810的表面的中心附近存在六个腔830A-830F。但是，也可以使用其它数目的腔。
腔830A-830F可以形成在基板的其上安装有IC的一侧上，或在基板的连接到另一部件(例如，连接到PCB)的一侧上。腔830A-830C也直接位于IC的核心配电电路区域820(或其它待去耦的电路区域)的下方。每个腔830A-830C可以包括一个或多个深沟槽电容器。
尽管本说明书包含许多特定的实施细节，但这些细节不应被解释为对任何发明或可要求保护的范围的限制，而是对特定发明的特定实施例的特定特征的描述。在单独的实施例的上下文中在本说明书中描述的某些特征也可以在单个实施例中组合实现。相反，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可以分别在多个实施例中或以任何合适的子组合来实现。而且，尽管以上可以将特征描述为以某些组合形式起作用并且甚至最初是如此要求保护的，但在某些情况下可以从组合中去除所要求保护的组合中的一个或多个特征，并且所要求保护的组合可以针对子组合或子组合的变型。
类似地，虽然在附图中以特定顺序描绘了操作，但这不应被理解为要求以所示的特定顺序或以连续的顺序执行这种操作，或者执行所有示出的操作以获得期望的结果。在某些情况下，多任务和并行处理可能是有利的。而且，上述实施例中的各种系统部件的分离不应理解为在所有实施例中都需要这种分离，并且应当理解的是，所描述的程序部件和系统通常可以一起集成在单个软件产品中或封装成多个软件产品。
因此，已经描述了本主题的特定实施例。其它实施例在所附权利要求的范围内。在一些情况下，能够以不同的顺序执行权利要求中记载的动作，并且仍然获得期望的结果。另外，附图中所描绘的过程不一定需要所示的特定顺序或连续顺序来获得期望的结果。在某些实施方案中，多任务和并行处理可能是有利的。
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