阅读说明：本技术 电子封装结构及其制法 (Electronic package structure and method for fabricating the same ) 是由 谢沛蓉 许智勋 蔡芳霖 姜亦震 林长甫 于 2018-09-19 设计创作，主要内容包括：一种电子封装结构及其制法,于具有线路层的承载件上设置电子元件,且以包覆层包覆该电子元件,并于该包覆层上形成有外露该线路层的阶梯状开孔,以利于将导电元件卡接于该阶梯状开孔中。(An electronic package structure and its making method, setting electronic element on the bearing part with circuit layer, using the coating layer to coat the electronic element, and forming a ladder-shaped opening on the coating layer to expose the circuit layer, so as to be beneficial to clamping the conductive element in the ladder-shaped opening.)

电子封装结构及其制法

技术领域

本发明关于一种半导体结构，特别是关于一种电子封装结构及其制法。

背景技术

随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品的开发也朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势，各态样的半导体封装结构也因而配合推陈出新，以期能符合轻薄短小与高密度的要求。

图1为悉知半导体封装结构1的剖视示意图。如图1所示，该半导体封装结构1于一基板10的上、下两侧设置半导体元件11与被动元件11’，再以封装胶体14包覆该些半导体元件11与被动元件11’，并使该基板10的接点(I/O)100外露于该封装胶体(moldingcompound)14的开孔140，之后形成多个焊球13于该些接点100上，以于后续制程中，该半导体封装结构1透过该焊球13接置如电路板或另一线路板的电子装置(图略)。

然而，悉知半导体封装结构1中，由于该封装胶体14的开孔140利用激光烧灼方式贯穿该封装胶体14，因而无法有效清除该开孔140中的胶屑，致使该焊球13结合残留胶屑，造成该焊球13无法有效接触结合该接点100、或该焊球13受该胶屑挤压而变形，因而容易发生掉球(该焊球13与该接点100分离)的情况，进而造成整体植球良率过低。

此外，利用激光烧灼方式需于同一处以相同强度的激光重复打射，以形成所需深度的开孔140，但因热效应，致使该开孔140的宽度不易控制，因而容易变成上宽下窄状或锥状的开孔140，故该焊球13无法有效卡固于该开孔140中，致使发生掉球(该焊球13与该接点100分离)的情况，进而造成整体植球良率过低导致掉球。

因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述悉知技术的缺失，本发明提供一种电子封装结构及其制法，以避免发生掉球的情况。

本发明的电子封装结构，包括：一承载件，其具有线路层；至少一电子元件，其设置于该承载件上并电性连接该线路层；一包覆层，其形成于该承载件上以包覆该电子元件，且该包覆层形成有多个阶梯状开孔，以令部分该线路层外露于该多个阶梯状开孔；以及多个导电元件，其设于该多个阶梯状开孔中以结合于该线路层上。

本发明还提供一种电子封装结构的制法，包括：提供一电子组件，其包含一具有线路层的承载件、至少一接置于该承载件上并电性连接该线路层的电子元件、以及一形成于该承载件上以包覆该电子元件的包覆层；形成多个阶梯状开孔于该包覆层上，以令部分该线路层外露于该多个阶梯状开孔；以及形成多个导电元件于该多个阶梯状开孔中，以令该多个导电元件结合于该线路层上。

前述的制法中，该阶梯状开孔的制程，包括：形成第一凹部于该包覆层上；以及形成第二凹部于该第一凹部的底面上，其中，该第二凹部的宽度小于第一凹部的宽度，以令该第一凹部与第二凹部作为该阶梯状开孔，且部分该线路层外露于该第二凹部。

前述的制法中，该第一凹部以高强度的激光烧灼该包覆层形成者，且该第二凹部以低强度的激光烧灼该包覆层形成者。

前述的电子封装结构及其制法中，该承载件具有相对的第一侧与第二侧，且于该第一侧与该第二侧上分别设有该电子元件。

前述的电子封装结构及其制法中，该导电元件为焊球、铜核心球、被动元件或金属件。

前述的电子封装结构及其制法中，该承载件具有相对的第一侧与第二侧，且于该第一侧与该第二侧上方分别设有该包覆层。

前述的电子封装结构及其制法中，该阶梯状开孔形成于该第一侧与该第二侧的至少其中一者的上方的该包覆层上。

由上可知，本发明的电子封装结构及其制法中，主要经由多次不同激光强度的激光制程贯穿该包覆层，以形成该阶梯状开孔，故相较于悉知技术，本发明可经由低强度的后续激光制程有效清除前次激光制程所残留的胶屑，使该导电元件不会结合残留胶屑，因而该导电元件能有效接触结合该线路层，且该导电元件不会受该胶屑挤压而变形，以避免发生掉球的情况。

此外，本发明于该包覆层的同一预定接点处以不同强度的激光进行多次激光制程而形成该阶梯状开孔，因而无需以高强度的激光重复打射，故相较于悉知技术，本发明能避免热效应的问题，使该阶梯状开孔的宽度易于控制，且该导电元件能有效卡固于该阶梯状开孔中，以避免发生掉球的情况。

附图说明

图1为悉知半导体封装结构的剖面示意图。

图2A至图2C为本发明的电子封装结构的制法的剖面示意图。

符号说明

1 半导体封装结构 10 基板

100 接点 11 半导体元件

11’ 被动元件 13 焊球

14 封装胶体 140 开孔

2 电子封装结构 2a 电子组件

20 承载件 20a 第一侧

20b 第二侧 200 线路层

21 第一电子元件 21a 作用面

21b 非作用面 210 电极垫

22 导电凸块 21’,21” 第二电子元件

23 导电元件 24a,24b 包覆层

240 阶梯状开孔 241 第一凹部

242 第二凹部 R 宽度。

具体实施方式

以下经由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“第一”、“第二”、及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。

图2A至图2C为本发明的电子封装结构2的制法的剖面示意图。

如图2A所示，提供一电子组件2a，其包含一承载件20、设于该承载件20上的第一电子元件21、第二电子元件21’21”、以及形成于该承载件20上以包覆该第一电子元件21与第二电子元件21’21”的包覆层24a,24b。接着，于该包覆层24a上形成多个第一凹部241。

所述的承载件20具有相对的第一侧20a与第二侧20b。于本实施例中，该承载件20为如具有核心层与线路结构的封装基板(substrate)或无核心层(coreless)的线路结构，其具有多个线路层200，如扇出(fan out)型重布线路层(redistribution layer，简称RDL)。应可理解地，该承载件20也可为其它可供承载如芯片等电子元件的承载单元，例如导线架(leadframe)，并不限于上述。

所述的第一电子元件21设于该承载件20的第一侧20a上。于本实施例中，该第一电子元件21为主动元件、被动元件或其二者组合等，其中，该主动元件为例如半导体芯片，且该被动元件为例如电阻、电容及电感。例如，该第一电子元件21具有相对的作用面21a与非作用面21b，且该作用面21a具有多个电极垫210，使该些电极垫210经由多个如焊锡材料的导电凸块22以覆晶方式电性连接该线路层200；或者，该第一电子元件21可经由多个焊线(图略)以打线方式电性连接该线路层200。然而，有关该第一电子元件21电性连接该承载件20的方式不限于上述。

所述的第二电子元件21’,21”设于该承载件20的第二侧20b上。于本实施例中，该第二电子元件21’,21”为主动元件(如标号21’)、被动元件(如标号21”)或其二者组合等，其中，该主动元件为例如半导体芯片，且该被动元件为例如电阻、电容及电感。例如，该第二电子元件21’以覆晶方式设于该线路层200上；或者，该第二电子元件21’可经由多个焊线(图略)以打线方式电性连接该线路层200。亦或，该第二电子元件21”可直接接触该线路层200。然而，有关该第二电子元件21’,21”电性连接该承载件20的方式不限于上述。

应可理解地，可依需求于该第一侧20a与该第二侧20b的至少其中一者上配置电子元件，例如，仅于该第一侧20a或第二侧20b上设置有电子元件。

所述的包覆层24a,24b的构成材质为聚酰亚胺(polyimide，简称PI)、干膜(dryfilm)、环氧树脂(expoxy)或封装材(moldingcompound)。应可理解地，该第一侧20a与第二侧20b上的包覆层24a,24b的材质可相同或不相同。

应可理解地，可依需求，形成该包覆层24a,24b于该第一侧20a与该第二侧20b的至少其中一者上，以令该包覆层24a,24b包覆该第一侧20a与该第二侧20b的至少其中一者上的电子元件，例如，仅于该第一侧20a或第二侧20b上设置有电子元件的一侧形成包覆层。

此外，所述的第一凹部241以高强度的激光烧灼该包覆层24a形成者，以减少胶屑的数量，且无需对应预定接点位置重复打射，以易于控制该第一凹部241的宽度R。

如图2B所示，形成第二凹部242于该第一凹部241的底面上，以贯穿该包覆层24a，令该第一凹部241与第二凹部242形成阶梯状开孔240，且部分该线路层200外露于该第二凹部242(或该阶梯状开孔240)。

于本实施例中，该第二凹部242为以低强度的激光烧灼该包覆层24a形成者，以利于清理胶屑，且热效应较小，并能避免损害该线路层200。

此外，可形成多阶层的阶梯状开孔。例如，由该包覆层24a外侧向内侧依序形成宽度缩减的凹部，且后续激光制程的激光强度小于前次激光制程的激光强度，即激光强度依次变小。

应可理解地，可依需求，形成该阶梯状开孔240于该第一侧20a与该第二侧20b的至少其中一者的上方的该包覆层24a,24b上，例如，该第二侧20b上的包覆层24b也可形成该阶梯状开孔240。

如图2C所示，形成导电元件23于该阶梯状开孔240中，以令该导电元件23结合于该线路层200上。

于本实施例中，该导电元件23为焊球(solder ball)、铜核心球(Cu core ball)、如电阻、电容及电感的被动元件或金属件(如柱状、块状或针状)等，但不限于上述。

本发明的制法中，主要经由多次不同激光强度的激光制程贯穿该包覆层24a，以形成该阶梯状开孔240，故相较于悉知技术，本发明可经由低强度的后续激光制程有效清除前次激光制程所残留的胶屑，使该导电元件23不会结合残留胶屑，因而该导电元件23能有效接触结合该线路层200，且该导电元件23不会受该胶屑挤压而变形，以避免发生掉球(该导电元件23与该线路层200分离)的情况。

，本发明的制法于该包覆层24a的同一预定接点处以不同强度的激光进行多次激光制程而形成该阶梯状开孔240，因而无需以高强度的激光重复打射，故能避免热效应的问题，使该阶梯状开孔240的宽度R易于控制，且该导电元件23能有效卡固于该阶梯状开孔240中，以避免发生掉球(该导电元件23与该线路层200分离)的情况。

本发明还提供一种电子封装结构2，其包括：承载件20、第一电子元件21、第二电子元件21’,21”、多个导电元件23以及包覆层24a,24b。

所述的承载件20具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且该承载件20配置有线路层200。

所述的第一电子元件21设于该承载件20的第一侧20a上并电性连接该线路层200。

所述的第二电子元件21’,21”设于该承载件20的第二侧20b上并电性连接该线路层200。

所述的包覆层24a,24b形成于该承载件20上以包覆该第一电子元件21与第二电子元件21’,21”，其中，该包覆层24a形成有多个阶梯状开孔240，以令部分该线路层200外露于该阶梯状开孔240。

所述的导电元件23设于该阶梯状开孔240中以结合于该线路层200上。

于一实施例中，该导电元件23为焊球、铜核心球、被动元件或金属件。

综上所述，本发明的电子封装结构及其制法，经由多次不同激光强度的激光制程贯穿包覆层，以形成阶梯状开孔，故本发明能有效清除激光制程所残留的胶屑，使导电元件能有效接触结合线路层，且导电元件能有效卡固于阶梯状开孔中，以避免发生掉球的情况，因而能提高整体植球良率。

上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。