阅读说明：本技术 一种形成氮化物半导体器件的工艺 (Process for forming nitride semiconductor device ) 是由 朱建峰 于 2019-09-19 设计创作，主要内容包括：本发明属于半导体器件加工技术领域,尤其为一种形成氮化物半导体器件的工艺,针对现有的氮化物半导体器件的抗静电能力弱,很容易因静电损耗氮化物半导体器件的特性的问题,现提出如下方案,该生产工艺包括以下步骤：S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体,半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；S2：对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻,以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽。本发明设计合理,在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹了橡胶,有效的避免了电荷在氮化物半导体器件表面的流动,解决了氮化物半导体器件抗静电能力弱的问题,扩展了氮化物半导体器件的适用范围。(The invention belongs to the technical field of semiconductor device processing, in particular to a process for forming a nitride semiconductor device, which aims at the problems that the existing nitride semiconductor device has weak antistatic capability and is easy to lose the characteristics of the nitride semiconductor device due to static electricity, and the following scheme is proposed, wherein the production process comprises the following steps: s1: selecting a substrate and a semiconductor stacked body of a semiconductor device, wherein the semiconductor stacked body grows into a channel layer and a barrier layer on the substrate in sequence; s2: and etching the tops of the channel layer and the barrier layer so as to form grooves on the tops of the channel layer and the barrier layer. The nitride semiconductor device is reasonable in design, rubber is wrapped at non-contact positions of the channel layer, the barrier layer and the contact layer, so that the flow of charges on the surface of the nitride semiconductor device is effectively avoided, the problem of weak antistatic capacity of the nitride semiconductor device is solved, and the application range of the nitride semiconductor device is expanded.)

一种形成氮化物半导体器件的工艺

技术领域

本发明涉及半导体器件加工技术领域，尤其涉及一种形成氮化物半导体器件的工艺。

背景技术

半导体器件的导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。半导体器（semiconductor device）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。

但是现有技术中氮化物半导体器件的抗静电能力弱，很容易因静电损耗氮化物半导体器件的特性，所以我们提出了一种形成氮化物半导体器件的工艺，用以解决上述提出的问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有的PC构件生产工艺不便对PC预制构件模板进行预处理加工工作、加热养护工作耗时较长、流动性差的缺点，而提出的一种形成氮化物半导体器件的工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种形成氮化物半导体器件的工艺，包括以下步骤：

S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；

S2：对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻，以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽；

S3：在凹槽的底部内壁上铺设掩膜；

S4：将掩膜以及沟道层和阻挡层均浸没在酸性溶液中进行酸洗操作；

S5：在上述沟道层和阻挡层顶部的掩膜的顶部利用氮气生长出接触层；

S6：利用碱性蚀刻剂除去掩膜上残留的残留物；

S7：在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹上绝缘橡胶制品；

S8：将制得的氮化物半导体器件进行强度和温度的性能检测；

S9：将检测合格的氮化物半导体器件利用输送机输送至包装位置进行包装，进库；

S10：对库房的温度和湿度进行严格的控制。

优选的，所述S1中，沟道层和阻挡层的制作材料为氮化镓、氮化硅和氮化铝中的一种或多种。

优选的，所述S2中，蚀刻覆盖的面积为沟道层和阻挡层的一部分区域，形成的凹槽的长、宽和高分别为5cm、3cm和2cm。

优选的，所述S3中，掩膜是有含有硅和氮的无机物进行值得，且无机物种硅和氮的比例为2:4。

优选的，所述S4中，酸性溶液和盐酸、氟酸和硫酸的混合通液，且盐酸、氟酸和硫酸和水的比例为2:3:1:10，酸洗的时间为20min至30min之间。

优选的，所述S5中，其中氮气作为生长出接触层的载体，生长接触层所需的温度在600摄氏度至700摄氏度之间，生长所需的时间为5min至10min之间。

优选的，所述S6中，碱性溶液为氢氧化钠和水的混合物，且氢氧化钠和水的比例为20:44。

优选的，所述S7中，橡胶采用的为硅橡胶，硅橡胶可以避免电荷之间的流动，有效的解决氮化物半导体器件的抗静电能力弱的问题，提高氮化物半导体器件的稳定性。

优选的，所述S8中，将设置的温度测试范围为1000摄氏度至12摄氏度之间，强度承受范围在1KN至10KN之间。

优选的，所述S9中，包装使用密封盒进行封装，保持密封盒内部的密封性。

本发明中，所述一种形成氮化物半导体器件的工艺，接触层的制作原材料为硅、铝、氮化镓、氮化铟和氮化铟镓，且硅、铝、氮化镓、氮化铟和氮化铟镓的比例为2:1:5:8:10，能够有效的提高接触层的耐用性；

在掩膜铺设完成后即进行酸洗的目的为，因为在生长出接触层的过程中若不进行酸洗的操作，那么在掩膜上就会形成残留物，此时，去除残留物需要对掩膜进行酸洗，酸洗的步骤和难度会急剧增加，提高工艺的难度；

本发明设计合理，在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹了橡胶，有效的避免了电荷在氮化物半导体器件表面的流动，解决了氮化物半导体器件抗静电能力弱的问题，扩展了氮化物半导体器件的适用范围。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。

一种形成氮化物半导体器件的工艺，包括以下步骤：

S1：选择衬底和半导体器件的半导体堆叠体，半导体堆叠体依次在衬底上生长成沟道层和阻挡层；

S2对上述生长成的沟道层和阻挡层的顶部进行蚀刻，以便在沟道层和阻挡层的顶部形成凹槽；

S3：在凹槽的底部内壁上铺设掩膜；

S4：将掩膜以及沟道层和阻挡层均浸没在酸性溶液中进行酸洗操作；

S5：在上述沟道层和阻挡层顶部的掩膜的顶部利用氮气生长出接触层；

S6：利用碱性蚀刻剂除去掩膜上残留的残留物；

S7：在沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置均包裹上绝缘橡胶制品；

S8：将制得的氮化物半导体器件进行强度和温度的性能检测；

S9：将检测合格的氮化物半导体器件利用输送机输送至包装位置进行包装，进库；

S10：对库房的温度和湿度进行严格的控制。

本实施例中，S1中，沟道层和阻挡层的制作材料为氮化镓、氮化硅和氮化铝中的一种或多种，S2中，蚀刻覆盖的面积为沟道层和阻挡层的一部分区域，形成的凹槽的长、宽和高分别为5cm、3cm和2cm，S3中，掩膜是有含有硅和氮的无机物进行值得，且无机物种硅和氮的比例为2:4，S4中，酸性溶液和盐酸、氟酸和硫酸的混合通液，且盐酸、氟酸和硫酸和水的比例为2:3:1:10，酸洗的时间为20min至30min之间，S5中，其中氮气作为生长出接触层的载体，生长接触层所需的温度在600摄氏度至700摄氏度之间，生长所需的时间为5min至10min之间，S6中，碱性溶液为氢氧化钠和水的混合物，且氢氧化钠和水的比例为20:44，S7中，橡胶采用的为硅橡胶，硅橡胶可以避免电荷之间的流动，有效的解决氮化物半导体器件的抗静电能力弱的问题，提高氮化物半导体器件的稳定性，S8中，将设置的温度测试范围为1000摄氏度至12摄氏度之间，强度承受范围在1KN至10KN之间，S9中，包装使用密封盒进行封装，保持密封盒内部的密封性，一种形成氮化物半导体器件的工艺，接触层的制作原材料为硅、铝、氮化镓、氮化铟和氮化铟镓，且硅、铝、氮化镓、氮化铟和氮化铟镓的比例为2:1:5:8:10，能够有效的提高接触层的耐用性；

本工艺完全摆脱当今世界范围内，事先对掩膜进行酸洗，较之传统的生长出接触层后再进行酸洗的方式，该方式的操作步骤更少，制作工作更加简便，通过在制得的氮化物半导体器件的沟道层、阻挡层和接触层的非接触位置包裹绝缘橡胶，橡胶采用的为硅橡胶，硅橡胶可以避免电荷之间的流动，有效的解决氮化物半导体器件的抗静电能力弱的问题，提高氮化物半导体器件的稳定性，无形中提高了氮化物半导体器件的适用范围。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。