阅读说明：本技术 高频模块 (High frequency module ) 是由 野村忠志 森本裕太 小见山稔 胜部彰夫 于 2018-06-28 设计创作，主要内容包括：维持部件间屏蔽件的特性,并且减少由设置部件间屏蔽件引起的对布线基板的损坏。高频模块1a具备布线基板2、安装于布线基板2的上表面2a的多个部件3a～3d、安装于部件3b与部件3c之间的屏蔽部件4、覆盖各部件3a～3d以及屏蔽部件4的密封树脂层5、以及覆盖密封树脂层的表面的屏蔽膜6,在密封树脂层5的上表面5a形成供屏蔽部件4露出的凹部10,并且该凹部10不到达密封树脂层5的侧面地形成于边缘的内侧,屏蔽膜6还覆盖凹部10的壁面10a以及屏蔽部件4经由凹部10露出的部分。(The characteristics of the inter-component shield are maintained, and damage to the wiring substrate caused by the provision of the inter-component shield is reduced. The high-frequency module 1a includes a wiring substrate 2, a plurality of members 3a to 3d mounted on an upper surface 2a of the wiring substrate 2, a shielding member 4 mounted between the member 3b and the member 3c, a sealing resin layer 5 covering the members 3a to 3d and the shielding member 4, and a shielding film 6 covering a surface of the sealing resin layer, wherein a recess 10 in which the shielding member 4 is exposed is formed in the upper surface 5a of the sealing resin layer 5, the recess 10 is formed inside an edge so as not to reach a side surface of the sealing resin layer 5, and the shielding film 6 further covers a wall surface 10a of the recess 10 and a portion in which the shielding member 4 is exposed through the recess 10.)

高频模块

技术领域

本发明涉及具备屏蔽件的高频模块。

背景技术

在搭载于移动终端装置等的高频模块中，为了防止来自外部的噪声给安装部件带来影响，有在密封安装部件的树脂层的表面形成屏蔽膜的情况。另外，在安装多个部件的情况下，为了防止从部件自身辐射的噪声的相互干扰，也有设置部件间屏蔽件的情况。例如，如图15所示，专利文献1所记载的高频模块100在布线基板101的上表面101a安装多个部件102a、102b，各部件102a、102b被密封树脂层103密封。密封树脂层103的表面被屏蔽层104覆盖，并且在部件102a与部件102b之间形成屏蔽壁105a。

专利文献1：日本特开2015－111802号公报(参照第0039～0047段、图5等)

然而，在以往的高频模块100中，为了形成屏蔽壁105a，而通过激光加工、切割等在密封树脂层103形成贯通槽，所以对布线基板101的损坏成为问题。因此，若像屏蔽壁105b那样，在与布线基板101的上表面101a之间设置缝隙，则能够减少对布线基板101的损坏，但在该情况下，作为部件间屏蔽件的功能降低。

发明内容

本发明是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于提供一种维持部件间屏蔽件的特性，并且减少由设置部件间屏蔽件引起的对布线基板的损坏的高频模块。

为了实现上述目的，本发明的高频模块的特征在于，具备：布线基板；第一部件和第二部件，安装于上述布线基板的主面；导电部件，安装于上述布线基板的主面上的上述第一部件与上述第二部件之间；密封树脂层，具有与上述布线基板相接的相接面、与上述相接面对置的对置面、以及将上述相接面和上述对置面的边缘彼此连接的侧面，并且覆盖上述布线基板、上述第一部件、上述第二部件以及上述导电部件；以及屏蔽膜，至少覆盖上述密封树脂层的上述对置面以及上述侧面，上述导电部件本身是导体，或者上述导电部件具有一个面朝向上述第一部件侧且另一个面朝向上述第二部件侧的板状的导体，从上述密封树脂层的上述对置面朝向上述导电部件形成凹部，以使上述导电部件的一部分露出，并且上述凹部形成于不到达上述密封树脂的侧面的上述密封树脂的内侧，上述屏蔽膜还覆盖上述凹部的壁面以及上述导电部件的露出部分。

根据该结构，由于形成于密封树脂层的凹部以导电部件露出的深度、即不到达布线基板的主面的深度而形成，所以即使通过激光加工、切割等形成凹部，也能够减少对布线基板的损坏。另外，由于凹部的壁面被屏蔽膜覆盖，所以能够使该部分(凹部)的屏蔽膜作为第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件来发挥作用。另外，在凹部与布线基板之间的缝隙配置导电部件，但由于该部件其本身是导体，或者该部件是具有一个面朝向第一部件侧且另一个面朝向第二部件侧的板状的导体的部件，所以导电部件也能够作为第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的一部分发挥作用。因此，即使凹部是不到达布线基板的主面的深度，也能够维持第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的特性。另外，由于凹部形成于密封树脂层的上述对置面的内侧，所以凹部不会切断密封树脂层。因此，能够防止由在密封树脂层形成凹部引起的高频模块的机械强度的劣化。

另外，也可以具备磁性膜，上述磁性膜形成于上述密封树脂层与上述屏蔽膜间。

根据该结构，能够更有效地阻挡低频噪声。

另外，也可以具备磁性膜，上述磁性膜形成为覆盖上述屏蔽膜。

根据该结构，能够更有效地阻挡低频噪声。

另外，也可以上述磁性膜也形成于上述凹部的壁面。

根据该结构，能够进一步有效地屏蔽低频噪声。

另外，也可以有多个上述导电部件，上述凹部与各个上述导电部件相对应地设置。

根据该结构，能够通过激光加工等容易地形成各凹部。

另外，也可以有多个上述导电部件，上述凹部具有：一个有底部，以多个上述导电部件不露出的深度形成；以及多个贯通部，设置于上述有底部的底面，供多个上述导电部件分别露出。

根据该结构，由于能够容易地扩大凹部的开口，所以例如在使用溅射等薄膜形成技术来形成屏蔽膜时，能够容易地较厚地形成凹部内的屏蔽膜的膜厚，能够提高第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的特性。

另外，也可以有多个上述导电部件，上述凹部是供多个上述导电部件的所有导电部件露出的一个凹部。

根据该结构，由于能够容易地扩大凹部的开口，所以例如在使用溅射等薄膜形成技术来形成屏蔽膜时，能够容易地较厚地形成凹部内的屏蔽膜的膜厚，能够提高第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的特性。

另外，也可以上述凹部具有在从上述密封树脂层的上述相接面朝向上述对置面的方向上扩展的形状。

根据该结构，在形成屏蔽膜时能够容易地扩大屏蔽膜的形成材料朝向凹部的侵入口的面积，能够提高第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的特性。

根据本发明，由于形成于密封树脂层的凹部以导电部件露出的深度、即不到达布线基板的主面的深度来形成，所以即使通过激光加工、切割等形成凹部，也能够减少对布线基板的损坏。另外，由于凹部的壁面被屏蔽膜覆盖，所以能够使该部分(凹部)的屏蔽膜作为第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件来发挥作用。另外，在凹部与布线基板之间的缝隙配置导电部件，但由于该部件其本身是导体，或者该部件是具有一个面朝向第一部件侧且另一个面朝向第二部件侧的板状的导体的部件，所以导电部件也能够作为第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的一部分发挥作用。因此，即使凹部是不到达布线基板的主面的深度，也能够维持第一部件与第二部件之间的部件间屏蔽件的特性。另外，由于凹部形成于密封树脂层的上述对置面的内侧，所以凹部不会切断密封树脂层。因此，能够防止由在密封树脂层形成凹部引起的高频模块的机械强度的劣化。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的高频模块的剖视图。

图2是图1的高频模块的除去屏蔽膜以及密封树脂层后的状态的俯视图。

图3是用于对形成于密封树脂层的凹部进行说明的图。

图4是表示凹部的形状与形成于凹部的壁面的屏蔽膜的膜厚的关系的图。

图5是表示屏蔽部件的配置的变形例的图。

图6是本发明的第二实施方式的高频模块的剖视图。

图7是图6的高频模块的除去屏蔽膜以及密封树脂层后的状态的俯视图。

图8是表示屏蔽部件的配置的变形例的图。

图9是表示凹部形状的变形例的图。

图10是表示凹部形状的另一变形例的图。

图11是本发明的第三实施方式的高频模块的剖视图。

图12是表示图11的磁性片的变形例的图。

图13是本发明的第四实施方式的高频模块的剖视图。

图14是表示图13的磁性膜的变形例的图。

图15是以往的高频模块的剖视图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

参照图1～图4，对本发明的第一实施方式的高频模块1a进行说明。此外，图1是高频模块的剖视图，且是图2的A－A箭头方向的剖视图、图2是除去屏蔽膜6以及密封树脂层5后的状态的高频模块1a的俯视图，图3是用于对凹部10进行说明的图，图4是表示凹部10的形状与形成于凹部10的壁面10a的屏蔽膜6的膜厚的关系的图。

如图1所示，该实施方式的高频模块1a具备布线基板2、安装于该布线基板2的上表面2a的多个部件3a～3d以及屏蔽部件4、层叠于布线基板2的上表面2a的密封树脂层5、以及覆盖密封树脂层5的屏蔽膜6，例如搭载于使用高频信号的电子设备的母基板等。

布线基板2例如由低温共烧陶瓷、玻璃环氧树脂等形成，在布线基板2的上表面2a(相当于本发明的“布线基板的主面”)形成各部件3a～3d、屏蔽部件4的安装用的安装电极7。在布线基板2的下表面2b，形成外部连接用的多个外部电极(省略图示)。另外，在布线基板2的内部，形成各种内部布线电极8、导通孔导体9。此外，在图1中，作为内部布线电极8仅图示接地电极，对于其它省略图示。

安装电极7、内部布线电极8以及外部电极均由Cu、Ag、Al等作为布线电极通常采用的金属来形成。另外，导通孔导体9由Ag、Cu等金属形成。此外，也可以对各安装电极7、外部电极分别实施镀Ni/Au。

部件3a～3d通过由Si、GaAs等半导体形成的半导体元件、片状电感器、片状电容器、片状电阻等片状部件构成，通过焊料键合等通常的表面安装技术安装于布线基板2。此外，在该实施方式中，部件3a～3c是半导体元件等有源部件，部件3d由片状电容器等无源部件形成。

屏蔽部件4(相当于本发明的“导电部件”)由长方体的Cu块形成，与其它部件3a～3d一起安装于布线基板2的上表面2a。另外，屏蔽部件4经由安装电极7以及导通孔导体9与接地电极(内部布线电极8)连接。此外，屏蔽部件4的形状并不局限于长方体，优选是与其它部件3a～3d的任意一个相同的形状。若这样，能够确保与其它部件3a～3d等同的安装性。另外，形成屏蔽部件4的导体并不局限于Cu，能够适当地变更为Al、Ag等。

密封树脂层5配设于布线基板2的上表面2a，覆盖各部件3a～3d以及屏蔽部件4。密封树脂层5能够由环氧树脂等作为密封树脂通常采用的树脂来形成。在这里，密封树脂层5的上表面5a相当于本发明的“密封树脂层的对置面”，下表面5b相当于本发明的“密封树脂层的相接面”。

另外，在密封树脂层5的上表面5a形成用于使屏蔽部件4的上表面4a的一部分露出的凹部10。该凹部10以屏蔽部件4的上表面4a作为底面，并且以在从密封树脂层5的下表面5b朝向上表面5a的方向上扩展的截棱锥形状形成(参照图1以及图3)。另外，凹部10在密封树脂层5的上表面5a具有开口10b。即，凹部10不到达密封树脂层5的侧面5c地配置于密封树脂层5的边缘的内侧。该凹部10例如能够通过激光加工来形成。此外，凹部10的形状并不局限于截棱锥形状，能够适当地变更。

屏蔽膜6覆盖密封树脂层5的上表面5a和侧面5c、布线基板2的侧面2c，并且覆盖凹部10的壁面10a以及经由凹部10露出的屏蔽部件4的上表面4a。而且，通过覆盖该凹部10的壁面10a的屏蔽膜6和屏蔽部件4，形成部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件。此外，在通过激光加工形成凹部10的情况下，通过在使屏蔽部件4的上表面4a露出时，稍微刮削该上表面4a来除去氧化膜，从而能够降低屏蔽膜6与屏蔽部件的连接电阻。在这里，成为部件间屏蔽件的对象的部件3b以及部件3c相当于本发明的“第一部件”以及“第二部件”。

另外，接地电极(内部布线电极8)的边缘的一部分从布线基板2的侧面2c露出，通过在该位置屏蔽膜6与接地电极连接，屏蔽膜6被接地。进一步，由于屏蔽膜6也与屏蔽部件4接触，所以也能够经由屏蔽部件4接地。此外，屏蔽膜6例如能够通过溅射法、蒸镀法等成膜方法来形成，并且能够成为具有层叠于密封树脂层5的上表面5a的紧贴膜、层叠于紧贴膜的导电膜、以及层叠于导电膜的保护膜的多层结构。

在该情况下，紧贴膜是为了提高导电膜与密封树脂层5的紧贴强度而设置的，例如，能够由SUS等金属形成。导电膜是负责屏蔽膜6的实际的屏蔽功能的层，例如，能够由Cu、Ag、Al中的任意的金属来形成。保护膜是为了防止导电膜被腐蚀或刮伤而设置的，例如，能够由SUS形成。

在使用溅射法、蒸镀法等成膜工艺来形成屏蔽膜6的情况下，有覆盖凹部10的壁面10a的部分的膜厚比覆盖其它部分的部分薄的趋势。为了确保所希望的屏蔽特性，优选屏蔽膜6的膜厚为2μm左右。因此，发明人们测定出了根据凹部10的形状，覆盖凹部10的壁面10a的屏蔽膜6的膜厚如何变化。此外，发现了屏蔽膜6的形成材料朝向凹部10的内部的侵入口越大，凹部10的壁面10a的膜厚越厚，凹部10的壁面10a的膜厚随着凹部10的深度加深而变薄。因此，在将形成于密封树脂层5的上表面5a的凹部10的横向长方形的开口10b中的短边的长度设为W1(参照图3)、将凹部10的深度设为H1(参照图1)的情况下，绘制膜厚相对于短边的长度与深度之比(W1/H1)如何变化而得到的图为图4。作为结果：

(i)W1＝500μm、H1＝500μm(W1/H1＝1.0)时的屏蔽膜6的膜厚为1.8μm

(ii)W1＝650μm、H1＝500μm(W1/H1＝1.33)时的屏蔽膜6的膜厚为3.2μm

(iii)W1＝800μm、H1＝500μm(W1/H1＝1.60)时的屏蔽膜6的膜厚为3.7μm

(iv)W1＝900μm、H1＝500μm(W1/H1＝1.80)时的屏蔽膜6的膜厚为4.1μm

(v)W1＝1000μm、H1＝500μm(W1/H1＝2.00)时的屏蔽膜6的膜厚为4.9μm。

根据这些数据，若(W1/H1)为1.33以上，则能够确保用于获得所希望的屏蔽特性的屏蔽膜6的膜厚(＝2μm)，所以优选。此外，根据数据的近似线，若(W1/H1)为1.02以上，则能够确保用于获得所希望的屏蔽特性的屏蔽膜6的膜厚(＝2μm)。

因此，根据上述的实施方式，形成于密封树脂层5的凹部10以屏蔽部件4的上表面4a露出的深度、即不到达布线基板2的上表面2a的深度来形成，所以即使通过激光加工、切割等来形成凹部10，也能够减少对布线基板2的损坏。另外，由于凹部10的壁面10a被屏蔽膜6覆盖，所以能够使该部分(凹部10)的屏蔽膜6作为部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件来发挥作用。另外，由于在凹部10与布线基板2之间的缝隙配置由Cu块构成的屏蔽部件4，所以即使凹部10是不到达布线基板2的上表面2a的深度，也能够维持部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件的特性。另外，由于凹部10形成于密封树脂层5的上表面5a的内侧，所以凹部10不会切断密封树脂层5。因此，能够防止由在密封树脂层5形成凹部10引起的高频模块1a的机械强度的劣化。

另外，由于凹部10具有在从密封树脂层5的下表面5b朝向上表面5a的方向上扩展的形状，所以在形成屏蔽膜6时能够容易地扩大屏蔽膜的形成材料朝向凹部10的侵入口(开口10b)的面积，能够提高部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件的特性。

另外，由于通过安装一个屏蔽部件4，形成部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件，所以布线基板2的上表面2a上的部件间屏蔽件的占有空间较少即可，布线基板2的安装自由度提高。

(屏蔽部件的配置的变形例)

在上述的实施方式中，对部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件进行了说明，但在想要在部件3c与部件3a之间形成部件间屏蔽件的情况下，如图5所示，在部件3a与部件3c之间配置其它的屏蔽部件4即可。在该情况下，形成其它的凹部(省略图示)以使配置于部件3a与部件3c之间的屏蔽部件4的上表面4a露出，并在该凹部的壁面也形成屏蔽膜6即可。此外，该凹部为与上述的凹部10相同的形状即可。在这里，成为部件间屏蔽件的对象的部件3a以及部件3c也相当于本发明的“第一部件”以及“第二部件”。

＜第二实施方式＞

参照图6以及图7对本发明的第二实施方式的高频模块1b进行说明。此外，图6是高频模块1b的剖视图，且是图7的B－B箭头方向的剖视图，图7是除去屏蔽膜6以及密封树脂层5之后的状态的高频模块1b的俯视图。

该实施方式的高频模块1b与参照图1～5说明的第一实施方式的高频模块1a的不同之处在于，如图6以及图7所示，部件间屏蔽件的结构不同。其它的结构与第一实施方式的高频模块1a相同，所以通过标注相同的附图标记而省略说明。

在该情况下，在部件3b与部件3c之间配置多个(在本实施方式中为3个)屏蔽部件4。各屏蔽部件4在两部件3b、3c之间排成一列。另外，在密封树脂层5的上表面5a与各个屏蔽部件4相对应地设置凹部10。各凹部10与第一实施方式的凹部10相同地以截棱锥形状形成，各个凹部10的壁面10a以及经由凹部10露出的屏蔽部件4的上表面4a被屏蔽膜6覆盖(参照图6)。另外，各屏蔽部件4经由导通孔导体9与接地电极(内部布线电极8)连接。

根据该实施方式，形成于密封树脂层5的各凹部10以屏蔽部件4的上表面4a露出的深度、即不到达布线基板2的上表面2a的深度形成，所以即使通过激光加工、切割等形成各凹部10，也能够减少对布线基板2的损坏。另外，由于各凹部10的壁面10a被屏蔽膜6覆盖，所以能够使该部分(凹部10)的屏蔽膜6作为部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件发挥作用。另外，由于在各凹部10与布线基板2之间的缝隙分别配置由Cu块构成的屏蔽部件4，所以即使各凹部10为不到达布线基板2的上表面2a的深度，也能够维持部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件的特性。另外，部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件的形成区域比第一实施方式宽，所以屏蔽特性提高。另外，由于各凹部10形成于密封树脂层5的上表面5a的内侧，所以各凹部10不会将密封树脂层5切断。因此，能够防止由在密封树脂层5形成各凹部10引起的高频模块1a的机械强度的劣化。

(屏蔽部件的配置的变形例)

在上述的实施方式中，对部件3b与部件3c之间的部件间屏蔽件进行了说明，但在想要在部件3c与部件3a之间形成部件间屏蔽件的情况下，如图8所示，在部件3a与部件3c之间配置多个其它的屏蔽部件4即可。在该情况下，根据配置于部件3a与部件3c之间的各屏蔽部件4分别形成凹部(省略图示)，并在该凹部的壁面也形成屏蔽膜6即可。此外，该凹部为与第一实施方式的凹部10相同的形状即可。另外，在图7以及图8中，将屏蔽部件4以等间隔排列配置在一条直线上，但根据部件间的电磁干扰分布的强度等，也可以从一条直线上错开配置，也可以不是等间隔。

(凹部形状的变形例)

在第二实施方式中，对根据各屏蔽部件4分别形成凹部10的情况进行了说明，但能够适当地变更凹部的结构。例如，如图9所示，凹部11也可以由以各屏蔽部件4的上表面4a不露出的深度形成的一个有底部11a、和设置于该有底部11a的底面11a1的供各屏蔽部件4的上表面4a分别露出的多个贯通部11b形成。在该情况下，由于有底部11a作为针对各屏蔽部件4的共用的凹部而形成，所以较宽地形成开口面积。因此，即使不是像上述的凹部10那样的扩展的形状，也能够容易地确保覆盖壁面的屏蔽膜6的膜厚(例如，2μm以上)。另外，由于各贯通部11b也是深度比上述的凹部10浅，所以也可以未必是扩展的形状。

另外，如图10所示，在安装多个屏蔽部件4的情况下，也可以代替针对各个屏蔽部件4分别形成凹部10，而形成供所有的屏蔽部件4的上表面4a露出的一个凹部12。在该情况下，由于凹部12作为针对各屏蔽部件4的共用的凹部来形成，所以较宽地形成开口面积。因此，即使不是像上述的凹部10那样的扩展的形状，也能够容易地确保覆盖壁面的屏蔽膜6的膜厚(例如，2μm以上)。

＜第三实施方式＞

参照图11对本发明的第三实施方式的高频模块1c进行说明。此外，图11是高频模块1c的剖视图，是与图1对应的图。

该实施方式的高频模块1c与参照图1～5说明的第一实施方式的高频模块1a的不同之处在于，如图11所示，还设置磁性片13。其它的结构与第一实施方式的高频模块1a相同，所以通过标注相同的附图标记而省略说明。

在该情况下，在密封树脂层5的上表面5a配置磁性片13(相当于本发明的“磁性膜”)。凹部10贯通磁性片13并在密封树脂层5内进一步凹陷而形成，屏蔽部件4的上表面4a的一部分从该凹部10的底部露出。另外，凹部10与第一实施方式相同地，不到达密封树脂层5的侧面地配置于密封树脂层5的边缘的内侧。另外，屏蔽膜6覆盖密封树脂层5的侧面5c、布线基板2的侧面2c、磁性片13的不与密封树脂层5的上表面5a相接的部分、包括屏蔽部件4的从凹部10露出的部分的凹部10的壁面10a。

此外，磁性片13例如能够通过由磁性体构成的金属片、在树脂中混合有磁性材料的片材等形成。或者，磁性片13也可以使用在上述的片材上层叠粘合材料等树脂层而成的层叠片材。另外，该实施方式的凹部10例如能够通过在未形成有凹部10的状态的密封树脂层5的上表面5a上配置平板状的磁性片13之后，从磁性片13的上方照射激光，除去磁性片13以及密封树脂层5各自的形成凹部10的部分而形成。

根据该实施方式，能够更有效地阻挡低频、特别是100KHz～10MHz的噪声。

(磁性片的变形例)

在图11中，磁性片13设置于密封树脂层5与屏蔽膜6之间，但也可以例如如图12所示，磁性片13设置于屏蔽膜6的上表面。在该情况下，磁性片13经由粘着层等粘贴于屏蔽膜6上。磁性片13在凹部10具有开口10b。另外，在图12中，磁性片13形成为除了凹部10以外覆盖密封树脂层5的上表面5a的大致整个面，但也可以是覆盖一部分的结构。即使这样，也能够更有效地阻挡低频、特别是100KHz～10MHz的噪声。

＜第四实施方式＞

参照图13对本发明的第四实施方式的高频模块1d进行说明。此外，图13是高频模块1d的剖视图，是与图1对应的图。

该实施方式的高频模块1d与参照图1～5说明的第一实施方式的高频模块1a的不同之处在于，如图13所示，还设置磁性膜14。其它的结构与第一实施方式的高频模块1a相同，所以通过标注相同的附图标记而省略说明。

在该情况下，在密封树脂层5形成与第一实施方式相同的凹部10，密封树脂层5的上表面5a、包括屏蔽部件4的上表面4a的从凹部10露出的部分的凹部10的壁面10a被磁性膜14覆盖。另外，屏蔽膜6覆盖密封树脂层5的侧面5c、磁性膜14的覆盖密封树脂层5的上表面5a的部分、磁性膜14的覆盖凹部10的壁面(包括屏蔽部件4的从凹部10露出的部分)的部分、以及布线基板2的侧面2c。

在该实施方式中，关于磁性膜14以及屏蔽膜6，例如在密封树脂层5的上表面5a形成凹部10之后，通过利用溅射、蒸镀法等进行的成膜工艺，形成磁性膜14，并在其上同样地通过溅射、蒸镀法等形成屏蔽膜6。此时，多个高频模块1d形成排列成矩阵状的集合体，在集中形成磁性膜14之后，通过切割、激光加工等单个化成各个高频模块1d，之后，形成屏蔽膜6。若这样，能够实现磁性膜14不覆盖密封树脂层5的侧面5c，屏蔽膜6覆盖侧面5c的结构。另外，作为磁性膜14的其它形成方法，也有将磁性体膏涂覆于密封树脂层5的上表面5a以及凹部10的壁面10a的方法。另外，也能够使用镀覆方法来形成磁性膜14。

根据该实施方式，能够更有效地阻挡低频、特别是100KHz～10MHz的噪声。

(磁性膜的变形例)

在图13中，磁性膜14设置于密封树脂层5与屏蔽膜6之间，但也可以如图14所示，该磁性膜14设置为覆盖屏蔽膜6。在该情况下，磁性膜14通过利用溅射、蒸镀法等进行的成膜工艺而形成。磁性膜14也形成于凹部10的壁面10a。作为磁性膜14的其它形成方法，也可以使用涂覆磁性体膏的方法、镀覆方法。即使这样，也能够更有效地阻挡低频、特别是100KHz～10MHz的噪声。

此外，本发明并不限定于上述的各实施方式，只要不脱离其主旨，能够进行上述结构以外的各种变更。例如，也可以对上述的各实施方式、变形例的结构进行组合。

另外，在上述的各实施方式中，由于屏蔽膜6与接地的屏蔽部件4连接，所以不一定要使接地电极(内部布线电极8)在布线基板2的侧面2c露出并与屏蔽膜6连接。

另外，对于屏蔽部件4而言，也可以其本身不是导体(Cu块)，而是形成屏蔽部件间的噪声的导体即可。屏蔽噪声的导体例如是一个面与防止噪声干扰的2个部件中的一个对置，另一个面与另一个部件对置的板状的导体，具体而言，可举出片状电容器等片状部件的侧面电极等。另外，并不局限于侧面电极，也可以在屏蔽部件的内部形成这样的导体。

产业上的可利用性

另外，本发明能够应用于具备覆盖安装于布线基板的部件的密封树脂层、覆盖密封树脂层的表面的屏蔽件、以及防止部件间的噪声的相互干扰的屏蔽件的各种高频模块。

附图标记说明：1a～1d…高频模块；2…布线基板；3a…部件(第一部件、第二部件)；3b、3c…部件(第一部件、第二部件)；4…屏蔽部件(导电部件)；5…密封树脂层；6…屏蔽膜；10、11、12…凹部；10a…壁面；11a…有底部；11b…贯通部；13…磁性片(磁性膜)；14…磁性膜。