阅读说明：本技术 利用电网/接地网结构上的管芯上槽线的隔离增强 (Isolation enhancement using on-die slot lines on grid/ground grid structures ) 是由 Z·D·吴 P·厄帕德亚亚 K-Y·常 于 2018-12-14 设计创作，主要内容包括：本文的示例描述了用于将包括敏感部件(例如,电感器或电容器)的IC(100)的部分与接地平面(415)中的返回电流(330)隔离的技术。由IC中的发射器(105)或驱动器生成的输出电流会生成磁场(405),磁场(405)在接地平面中感应出返回电流。如果返回电流接近敏感部件(305),则返回电流会注入噪声,这会对IC中的其它部件产生负面影响。为了将敏感部件与返回电流隔离,本文的实施例包括形成穿过接地结构的槽(500),接地结构包括在敏感部件的一个或多个侧上的接地平面。(Examples herein describe techniques for isolating portions of an IC (100) that include sensitive components (e.g., inductors or capacitors) from return currents (330) in a ground plane (415). An output current generated by a transmitter (105) or driver in the IC generates a magnetic field (405), and the magnetic field (405) induces a return current in the ground plane. If the return current is close to the sensitive component (305), the return current may inject noise, which may negatively affect other components in the IC. To isolate the sensitive component from return currents, embodiments herein include forming a slot (500) through a ground structure that includes a ground plane on one or more sides of the sensitive component.)

利用电网/接地网结构上的管芯上槽线的隔离增强

技术领域

本公开的示例总体涉及使用槽隔离集成电路(IC)中的无源部件。

背景技术

IC中的发射器和其它驱动电路可以输出信号，从而在接地平面中产生大量的返回电流。换句话说，发射器生成用于驱动(例如，时钟或电力网络)的电流，进而生成感应出返回电流的磁场。通常，返回电流流向发射器中的汇点。但是，当设计IC时，很难控制和预测返回电流的方向和来源。如果大量的返回电流流过IC中或IC上的无源部件(例如，电感器或电容器)附近，则该返回电流会注入噪声，这会影响IC中包含无源部件的其它设备(例如，振荡器或锁相环)的功能。因此，能够将无源部件与返回电流隔离可以改善IC的功能。

发明内容

描述了用于操作和制造集成电路的技术。一个示例是集成电路，集成电路包括接地结构、源和发射器，其中当发射器是活动的时，返回电流从源流过接地结构到发射器。该集成电路还包括：无源部件，被布置在源与发射器之间；第一槽，延伸穿过接地结构，其中第一槽在无源部件与源之间；以及第二槽，延伸穿过接地结构，其中第二槽在无源部件与发射器之间，其中第一槽和第二槽的各自的第一端在接地结构的边缘处终止。

在一些实施例中，第一槽和第二槽的各自的第二端可以在接地结构内终止，使得返回电流可以围绕各自的第二端流动，但是被阻止围绕各自的第一端流动。

在一些实施例中，集成电路可以进一步包括半导体衬底。接地结构可以包括被设置在半导体衬底上的多个金属布线层。第一槽和第二槽可以延伸穿过多个金属布线层。

在一些实施例中，无源部件被设置在多个金属布线层之上。

在一些实施例中，无源部件可以包括电感器和电容器中的至少一个器件。

在一些实施例中，返回电流可以通过使用发射器驱动信号而感应出的磁场在源处生成的。

在一些实施例中，集成电路可以进一步包括具有无源部件的锁相环和被配置为当驱动信号时从锁相环接收控制信号的第二发射器。

本文描述的一个示例是集成电路，集成电路包括接地结构、源和汇点，其中返回电流从源流过接地结构到汇点。集成电路还包括:电感器，电感器被布置在源与汇点之间；以及，第一槽，延伸穿过接地结构，其中第一槽在电感器与源之间，并且第一槽的第一端在接地结构的边缘处终止。

在一些实施例中，集成电路可以进一步包括延伸穿过接地结构的第二槽。第二槽可以在电感器与汇点之间。第二槽的第一端可以在接地结构的边缘处终止。

在一些实施例中，第一槽和第二槽的各自的第二端可以在接地结构内终止，使得返回电流可以围绕各自的第二端流动。返回电流可以被阻止围绕第一槽和第二槽的第一端流动。

在一些实施例中，集成电路可以进一步包括具有汇点的发射器。可以通过使用发射器驱动信号而感应出的磁场在源处生成返回电流。

在一些实施例中，集成电路可以进一步包括半导体衬底。接地结构可以包括被布置在半导体衬底上的多个金属布线层。第一槽可以延伸穿过多个金属布线层。

在一些实施例中，电感器可以被布置在多个金属布线层之上。

本文描述的示例是一种方法，方法包括：在半导体衬底的有源区域中形成有源器件；在半导体衬底的有源区域之上形成接地结构；切割穿过接地结构的第一槽和第二槽；以及在接地结构上方并且在第一槽与第二槽之间形成无源部件，其中第一槽和第二槽的各自的第一端在接地结构的边缘处终止。

在一些实施例中，第一槽和第二槽的各自的第二端可以在接地结构内终止，使得返回电流可以围绕各自的第二端流动，但是被阻止围绕各自的第一端流动。

在一些实施例中，方法可以进一步包括形成在接地结构中流动的返回电流的源以及形成在接地结构中流动的返回电流的汇点。第一槽可以在无源部件与源之间，并且第二槽可以在无源部件与汇点之间。

在一些实施例中，方法可以进一步包括在半导体衬底的有源区域中形成包括汇点和至少一个有源器件的发射器。可以通过使用发射器驱动信号所感应的磁场在源处生成返回电流。

在一些实施例中，形成接地结构可以包括在半导体衬底的有源区域之上形成由电介质材料分隔的多个金属布线层。

在一些实施例中，第一槽和第二槽可以延伸穿过多个金属布线层，从而暴露半导体衬底的有源区域。

在一些实施例中，第一槽和第二槽的各自的第一端可以在多个金属布线层的边缘处终止。

附图说明

为了可以详细理解上述特征的方式，可以通过参考示例实现方式来进行上面简要概述的更具体的描述，其中一些示例在附图中示出。然而，应注意，附图仅示出了典型的示例实现，因此不应被认为是对其范围的限制。

图1是根据示例的集成电路的框图。

图2是示出根据示例的返回电流对抖动的影响的图。

图3是根据示例的具有影响无源部件的返回电流的集成电路。

图4示出根据示例的使用具有两个短路端的槽来阻挡返回电流。

图5是根据示例的具有用于将无源部件与返回电流隔离的两个槽的接地结构。

图6示出根据示例的图5中的接地结构的俯视图。

图7是根据示例的图6中的接地结构中的槽的横截面图。

图8是示出根据示例的槽对跨阻抗的影响的图。

图9是根据示例的用于在接地结构中制造槽以将无源部件与返回电流隔离的流程图。

为了便于理解，在可能的地方使用了相同的附图标记来表示图中共有的相同元件。可以想到，一个示例的元件可以有益地被合并到其它示例中。

具体实施方式

在下文中参考附图描述各种特征。应当注意，附图可以按比例绘制或可以不按比例绘制，并且在整个附图中，相似结构或功能的元件由相似的附图标记表示。应当注意，附图仅旨在促进特征的描述。它们不旨在作为说明书的详尽描述或对权利要求的范围的限制。另外，示出的示例不必具有所示的所有方面或优点。结合特定示例描述的方面或优点不必限于该示例，并且即使未如此示出或未明确地描述也可以在任何其它示例中实践。

本文的示例描述了用于将包括敏感部件(例如，电感器或电容器)的IC部分与接地平面中的返回电流隔离的技术。如上所述，由IC中的发射器或驱动器生成的输出电流可以生成磁场，进而在接地平面中感应出返回电流。如果返回电流接近敏感部件，则返回电流可以注入噪声，这会对IC中的其它器件产生负面影响。为了将敏感部件与返回电流隔离，本文的实施例包括形成穿过接地结构的槽，接地结构包括在敏感部件的一个或多个侧上的接地平面。

在一个实施例中，每一个槽具有开口的第一端和短路的第二端。开口端可以延伸到接地结构的边缘，使得流过接地结构的返回电流不能围绕开口端流动。例如，槽的开口端可以在接地结构的最远边缘处终止，使得围绕开口端的接地平面中没有导电路径。相反，短路端在接地结构内终止，使得返回电流可以围绕槽的该端流动。在一个实施例中，敏感部件被布置在两个平行的槽之间，从而在没有槽的情况下，迫使在敏感部件附近流动的任何返回电流代替地围绕槽的短路端流动，从而减轻了返回电流对部件的影响。

图1是根据示例的IC 100的框图。IC 100包括四个发射器(TX)105以及两个锁相环(PLL)110。尽管未示出，但是IC 100可以包括许多不同的电路块和电路系统，诸如处理器块、非可编程电路块(例如，数字信号处理块、存储器、寄存器)以及可编程电路块(例如，可配置逻辑块)。在一个实施例中，IC 100是非可编程芯片(诸如，处理器或专用IC(ASIC))。在另一个实施例中，IC 100是可编程芯片(诸如，现场可编程门阵列(FPGA))。在一个实施例中，发射器105为时钟网络提供时钟信号，但不限于此，并且可以驱动数据信号、功率信号等。

在一个实施例中，PLL 110向发射器105提供控制信号，控制信号设置由发射器105输出的时钟信号的频率。然而，由发射器105驱动的电流可以感应返回电流，返回电流可以对由发射器105输出的时钟信号产生负面影响。在一个实施例中，发射器105可以不使用最接近的PLL 110来生成它们的时钟信号。即，在一些配置中，被布置在IC 100的左侧上的发射器105可以使用由PLL 110B而不是PLL 110A输出的控制信号。只要最接近PLL 110B的发射器不工作，由于返回电流，由PLL 110B生成的控制信号几乎没有噪声。

然而，一旦PLL 110B附近的发射器105C或发射器105D开始输出信号，则相关联的电流及其磁场可以生成在PLL 110B附近流动的返回电流。这些返回电流可以将噪声注入到PLL 110B中的无源部件(例如，电感器或电容器)中。在一个实施例中，PLL 110B中的噪声导致发射器105A的输出信号中的抖动，因为它依赖于PLL 110B来生成其时钟信号。

图2是示出根据示例的返回电流对发射器105A中的抖动的影响的图表200。图表200的Y轴示出了当其它发射器正在主动地发射输出信号时，发射器105A的输出信号中的抖动中的变化。图表200的X轴示出了在不同数据速率下的抖动。

三角形表示当发射器105B是活动的时发射器105A处的抖动，正方形表示当发射器105C是活动的时发射器105A处的抖动，并且菱形表示当发射器105D是活动的时发射器105A处的抖动。如图所示，激活发射器105B对发射器105A的输出信号中的抖动几乎没有变化。这可能是因为发射器105B远离PLL 110B，因此，通过激活发射器105B生成的任何返回电流对PLL 110B中的无源部件几乎没有影响。结果，增量抖动非常小。

然而，激活发射器105C或105D确实改变了由发射器105A输出的信号的抖动。即，图表200示出了发射器105C或105D可以生成影响PLL 110B的返回电流，并且因此增加的发射器105A的输出信号上的抖动。

图3示出了根据示例的影响IC 100中的无源部件的返回电流。具体地，图3示出了IC 100中的接地结构300，并且省略了可能在IC 100中的其它结构(诸如，半导体衬底和其它电路)。为了简单起见，接地结构300包括图1所示的发射器105C和PLL 110B，但是省略了其它发射器和PLL。然而，以下描述的实施例可以等同地应用于发射器105D或发射器105A和105B及其对PLL 110A的影响。

当使用发射器105C驱动电流时，所产生的磁场可以在源320处生成返回电流330。尽管仅示出了返回电流330的一个路径，但是可以存在通过接地结构300的返回电流的多个路径。通常，返回电流330从IC 100中的各种源通过接地结构300流回到发射器105C中的汇点325。

在一个实施例中，源320可以是受控塌陷芯片连接(即，c4焊料凸点)，源320比IC或底层封装(未示出)中的其它部件受磁场的影响更大。因此，在源320与汇点325之间的路径中的返回电流的电流密度可以大于接地结构300的其它区域中的电流密度。因为PLL 110B中的电感器305和电容器在返回电流330的路径上或在返回电流330的路径附近，因此返回电流330可以注入噪声，噪声然后影响依赖于PLL 110B的输出的(多个)发射器中的抖动。

在一个实施例中，电感器305和电容器315形成用于PLL 110B中的电压控制器振荡器(VCO)310的LC储能电路。电感器305和/或电容器315可以被耦合到接地结构300中的相同接地平面，返回电流330在接地结构300中流动。因此，在PLL 110B附近的接地平面的部分中的返回电流330的电流密度越大，则返回电流330对电感器305和电容器315的操作的影响越大。

下面的实施例描述了用于将PLL 110B中的敏感部件(例如，电感器305和电容器315)与返回电流330隔离的不同技术。换句话说，减少在接地平面中的PLL 110B附近流动的返回电流330的量，可以减少PLL 110B中的噪声，从而提高由PLL 110B输出的控制信号的质量。

图4示出了根据示例的使用具有两个短路端的槽400来阻挡返回电流。类似于图3，图4示出了在接地平面415中从源320流到汇点325的返回电流。在该图中，返回电流由多个箭头表示，多个箭头示出了返回电流在接地平面415中从源320流到汇点325时的路径。另外，图4示出了与返回电流相关的磁场405和电场410。

为了将PLL 110B与返回电流隔离，切割穿过接地平面415的槽400，从而形成绝缘区域，返回电流不能流过该绝缘区域。相反，当返回电流接近槽400时，箭头***成Y形，指示返回电流的第一部分围绕槽400的第一端420A流动，而返回电流的第二部分围绕槽400的第二端420B流动。然后返回电流的第一部分和第二部分在流向汇点325之前重新结合。当然，表示返回电流的箭头是返回电流在接地平面415中可能经过的路径的简化表示。例如，一些返回电流在围绕端420流动之后可能不会重新结合，而是直接以大体上的直线直接地行进到汇点325。

在图4中，由于槽400在接地平面415内终止，因此端420被称为短路端，从而为返回电流提供导电路径，以使返回电流围绕槽400流动然后在槽400的另一侧上重新结合。相反，开口端是在接地平面415的边缘上终止的端(如下图所示)。这样，开口端不具有允许返回电流围绕槽流动的导电路径。换句话说，不是使用短路端420重定向围绕槽400的返回电流，而是开口端防止电流围绕槽400流动。

如果大部分返回电流在围绕端420流动之后直接地流到汇点325，那么槽400将成功地将PLL 110B与大部分返回电流隔离。也就是说，返回电流的最高密度将在PLL 110B的左边和右边，而不是流过它。然而，如图所示，尽管槽400将返回电流重定向围绕端420，但是当返回电流流向汇点325时，大多数电流在槽400的另一侧上重新结合。这样，很大一部分返回电流在PLL 110B处的接地平面415的部分中或在PLL 110B的附近的接地平面415的部分中流动，从而导致上述问题。实际上，仿真表明，槽400可以将PLL 110B与返回电流之间的耦合减小仅10％-20％。因此，尽管槽400确实减小了PLL110B与返回电流之间的耦合，但是下面描述的槽结构可以提供更好的结果。

图5是根据示例的具有用于将无源部件与返回电流隔离的两个槽500的接地结构501。接地结构501可以包括被布置在汇点325的下方或上方的多个层(例如，多个金属布线层)、PLL 110B和源320。在一个实施例中，接地结构501中的层的一个或多个层形成接地平面，返回电流通过接地平面在源320与汇点325之间流动，这可以对PLL 110B中的电感器305和/或电容器315产生负面影响。在一个实施例中，接地结构501形成用于IC的管芯上电网。

在该实施例中，PLL 110B由各自的槽500与源320和汇点325隔离。槽500中的一个槽(即，槽500B)被布置在PLL 110B与源320之间，而槽500A在PLL 110B与汇点325之间。在该实施例中，槽500平行地延伸，但这不是必须的。例如，只要槽500在PLL 110B与源320之间并且在PLL 110B与汇点325之间，槽500可以沿不同的方向延伸穿过接地结构501。

如上所述，汇点325可以是驱动IC中的信号的电路(例如，发射器)的一部分。结果，信号导致返回电流(未示出)在接地结构501中的源极320与汇点325之间流动。然而，槽500减轻了在PLL110B处或在PLL 110B附近流动的返回电流的量，从而减少返回电流对电感器305和电容器315的负面影响。

在图5中，代替具有两个短路端的槽500，槽500中的每一个槽包括一个短路端510和一个开口端505。如后所述，返回电流可以围绕接地结构501中的短路端510流动，但是不能围绕开口端505流动。这样，槽500迫使来自源320的基本上所有的返回电流围绕短路端510流动。

如图所示，开口端505在接地结构501的边缘515处终止。在一个实施例中，边缘515是IC中的平面，形成接地结构300的金属布线层终止于该平面处。边缘515可以是IC的边缘；然而，在图5中，接地结构501被***520包围表明即使接地结构501没有，IC的物理尺寸也可以继续。例如，接地结构501可以仅形成在形成IC的半导体衬底的表面的一部分上。***520处的材料(例如，电介质材料)可以被布置在包围支撑接地结构501的衬底的部分的半导体衬底的另一部分上。在接地结构501的边缘515处终止开口端505(并且假设***520中的材料是不导电的)确保返回电流仅可以围绕槽500的短路端510流动。

在一个实施例中，PLL 110B和汇点325被有目的地形成在接地结构501的边缘515附近的IC的部分中。换句话说，当设计IC时，设计者将PLL 110的位置放置在边缘515附近。这样，槽500的长度取决于从PLL 110B到边缘515的距离。例如，如果将PLL 110B放置在离边缘515更远的位置，则槽500的长度增加，使得短路端510在距离边缘515比边缘515与电感器305和电容器315之间的距离更远的距离处终止。

槽500的深度根据接地结构501的厚度而变化，接地结构510的厚度可以根据结构501内的金属布线层的数目而变化。在一个实施例中，槽500的深度确保槽500延伸穿过接地结构501中的所有金属布线层。槽500的宽度足以在制造IC时使槽500能够延伸穿过接地结构。例如，宽度可以在5-10微米的范围内。

图6示出了根据示例的图5中的接地结构501的俯视图。图5中的箭头示出了返回电流可以在源320与发射器105C(例如，汇点)之间采用的不同路径。通常，箭头的各个粗细指示接地结构501中的电流的密度。如图所示，返回电流围绕短路端510流动。此外，大多数返回电流(例如，最大电流密度)在PLL 110B中的电感器305的右边。即，相对较少的返回电流在电感器305的下方的接地结构501的部分中流动。例如，少量的返回电流可能会围绕电感器305的周边流动。以这种方式，槽500减轻了在与电感器305耦合的接地结构501中的接地平面的部分处或接地平面的部分附近的返回电流。在一个实施例中，可以在电感器305的周边或在电感器305周边的隔离壁上刻有六角形的槽或切出的孔，从而防止返回电流在电感器305下方直接地流动，但是这些特征不是必须的。在一个实施例中，螺旋电感器305在其差动脚端子处经历抵消的电磁感应电压。

尽管图5和图6示出了使用两个槽500，但是在一个实施例中可以仅使用一个槽。例如，接地结构501可以仅包括将源320与电感器305分隔开的槽500B或者仅包括将电感器305与发射器105C分隔开的槽500A。与不使用槽或使用图4所示的具有两个短路端的槽400相比，这样做可以提供更好的结果。在一个实施例中，使用两个槽500使返回电流相对于电感器305对称，如果仅使用槽500中的一个槽则不会发生。例如，如果仅使用一个槽500，则在通过槽500之后，返回电流的路径可控性较差，这意味着很大一部分可以在电感器305处或在电感器305附近通过。即，到汇点325的较短路径(例如，具有最小阻抗的路径)在短路端510之间，这意味着最高电流密度在电感器305的右边。

在一个实施例中，电感器305可以与发射器105C和源320间隔100-1000微米。

图7是根据示例的图6中的接地结构501中的槽500的横截面图。具体地，图7是根据图6所示的线A-A截取的横截面图，但是省略了源320。在该示例中，接地结构501包括其之间可以被布置有电介质材料的多个金属布线层705。尽管未示出，但是接地结构501可以包括在金属布线层705之间延伸以形成在层705之间的互连的通孔。

接地结构501被布置在硅衬底715上。尽管描述了硅，但是IC 100可以包括任何类型的半导体材料。此外，衬底715可以包括晶体半导体以及其它层。例如，衬底715可以是绝缘体上硅(SOI)结构。在该实施例中，接触接地结构501的衬底715的部分包括有源区域710。在一个实施例中，在形成接地结构501之前，对有源区域710进行处理(例如，掺杂或蚀刻)以形成有源器件720，有源器件720可以包括晶体管或其它有源部件。在该示例中，有源器件720可以形成发射器105C的部分。例如，有源器件720可以包括用于将时钟信号驱动到时钟网络上的MOSFET。在一个实施例中，接地结构501包括将最靠近硅衬底715的金属布线层705连接到有源区域710中的有源器件720的通孔。

槽500延伸穿过接地结构501，直到到达有源区域710。尽管不是必须的，但是在一个实施例中，槽500可以延伸到硅衬底715中。在任何情况下，槽500提供在两侧上使金属布线层705电绝缘的阻挡层。这样，在槽500的一侧上的金属布线层705中流动的返回电流不能流过槽500以到达另一侧上的金属布线层705。相反，如上所述，返回电流围绕槽500的短路端流动。

形成电感器305的导电材料被布置在IC 100的顶表面725上。因此，可以在硅衬底715上形成接地结构501之后形成电感器305。进一步，尽管未示出，但是可以在紧邻电感器的接地结构501中形成跟随电感器的周边的附加的槽。此外，接地结构501可以包括将电感器305耦合到形成接地平面的金属布线层705的一个或多个通孔。

图8是示出根据示例的槽对跨阻抗的影响的图表800。曲线805表示当发射器105C是活动的但是在接地结构中不存在槽时导致的在电感器305处的电压差。曲线810表示当发射器105D是活动的但是在接地结构中不存在槽时导致的电感器305处的电压差。曲线815表示当发射器105C是活动的并且在图5和图6中所示的接地结构中存在槽时导致的电感器305处的电压差。曲线820表示当发射器105D是活动的并且在图5和图6中所示的接地结构中存在槽时导致的电感器305处的电压差。

将曲线805和810与曲线815和820进行比较，示出槽减小了电感器305与由发射器105C和105C导致的返回电流之间的耦合。这样，由于将更少的噪声注入到电感器305中，因此可以改善IC的整体性能。因此，依赖于电感器305(例如，图1中的发射器105A或105B)的任何下游电路系统的功能得到改善。

图9是根据示例的用于在接地结构中制造槽以将无源部件与返回电流隔离的方法900的流程图。在框905处，在半导体衬底中的有源区域中形成有源器件。在一个实施例中，有源器件包括晶体管，但不限于此。可以使用多个不同的处理步骤来形成有源器件。例如，有源区域可以被掺杂并且被蚀刻以形成有源器件。进一步，可以将(诸如，多晶硅、电介质材料、金属等之类的)附加材料沉积在有源区域上或有源区域中以形成有源器件。

在框910处，在有源区域上方形成多个金属布线层。例如，在形成有源器件之后，在有源器件上形成多个金属布线层以提供到IC的其它区域的互连。例如，多个金属布线层可以是接地结构的一部分，接地结构建立了用于IC的电网或通信网络。

在一个实施例中，电介质层介于多个金属布线层之间。然而，接地结构可以包括延伸穿过与金属布线层互连的电介质层的通孔。此外，可以使用附加的通孔将金属布线层连接到有源区域中的有源器件以及连接可以被布置在金属布线层之上的部件。

在框915处，形成两个槽，这些槽延伸穿过金属布线层。在一个实施例中，槽与形成多个金属布线层的框910平行地形成。即，在形成每一个金属布线层时，层的部分保持开口以形成两个槽。以这种方式，可以在形成两个槽的同时形成多个金属布线层。备选地，在另一个实施例中，可以在使用任何合适的蚀刻技术形成多个金属布线层之后形成槽，蚀刻技术可以去除多个金属布线层和电介质层以暴露下面的半导体衬底。

在一个实施例中，槽具有在金属布线层的边缘处终止的一端(例如，开口端)而在如图5和图6所示的金属布线层内终止的相对端(例如，短路端)。

在框920处，在金属布线层上方和两个槽之间形成无源部件(例如，电容器或电感器)。如上所述，槽可以减小流过无源部件附近的金属布线层的返回电流的负面影响。这样做可以减小由返回电流注入到无源部件中的噪声。

附图中的流程图和框图示出了根据本发明的各种示例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的架构、功能和操作。就这一点而言，流程图或框图中的每一个框可以表示指令的模块、指令的片段或指令的部分，其包括用于实现指定的逻辑功能的一个或多个可执行指令。在一些备选的实现中，框中指出的功能可以不按图中指出的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能，实际上可以基本上同时执行连续示出的两个框，或者有时可以以相反的顺序执行这些框。还应注意，框图和/或流程图的每一个框以及框图和/或流程图中的框的组合可以由基于专用硬件的系统来实现，基于专用硬件的系统执行特定功能或动作或者执行专用硬件和计算机指令的组合。

尽管前述内容针对特定示例，但是在不脱离其基本范围的情况下可以设计其它示例和进一步的示例，并且其范围由所附权利要求确定。